江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微S8050H三极管，您的电路设计好帮手
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江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手

　　今天我们来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。　　一、什么是S8050H?　　S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管(BJT)，属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。　　结构特点*S8050H 三极管结构图　　S8050H 是一款NPN 外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。　　S8050H三极管包含三层，其中一个 P 掺杂半导体层封装在另外两个 N 掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。　　S8050H三极管具有两个 PN 结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。　　需要注意的是，S8050H 三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。　　当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。　　二、S8050H三极管参数　　S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。　　其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。　　三、S8050H 的CAD 模型　　S8050H三极管的封装尺寸图　　四、S8050H 三极管特点　　低电压、大电流 NPN 晶体管　　小信号晶体管　　最大功率：0.3 W　　最大直流电流增益 (hFE) 为 400　　连续集电极电流 (IC) 为 800mA　　基极-发射极电压(VBE) 为 5V　　集电极-发射极电压 (VCE) 为 20V　　集电极-基极电压 (VCB) 为 30V　　高 用于推挽配置 B 类放大器　　SOT-23 封装　　五、S8050H工作原理讲解　　在 S8050H NPN 晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭(正向偏置)。　　S8050H 三极管的最大增益值为 300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。　　但是，集电极电流的增益值将是 110，并且整个集电极端子的最大电流供应是 800mA，因此我们无法通过该晶体管通过 800mA 以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在 5mA 的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。　　一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达 800mA 的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE 或 VCB 上使用的典型电压相应为 20V 和 30V。　　一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。　　在S8050H NPN 晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的 PNP 晶体管不同　　基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。　　两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。　　共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之间，但标准值取为 200。　　同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。　　六、S8050H 可以用什么型号替换?　　1、S8050H 替代品　　MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050　　2、S8050H对管型号　　S8550H、SS8550　　注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。　　七、S8050H三极管如何工作的?　　1、S8050H 三极管构成推挽放大器(B类放大器)　　推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。　　互补意味着我们需要一个 NPN 晶体管及其等效的 PNP 晶体管。像这里的 NPN 晶体管将是S8050H ，其等效的 PNP 晶体管将是S8550H。使用 S8050H 的 B 类放大器的简单电路图如下所示。　　2、S8050H 三极管作为开关　　当 S8050H 三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。　　当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。　　3、S8050H 三极管作为放大器　　当处于活动区域时，S8050H 三极管作为放大器工作。S8050H 三极管具有放大功率、电压和电流的能力。　　最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。　　江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
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发布时间：2025-08-01 14:06 阅读量：256 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法
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江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法

　　江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDMOS场效应管因其在高压应用中的优越性能而受到广泛关注。本文将深入剖析一种LDMOS场效应管及其制备方法，旨在为半导体领域的专业人士和爱好者提供前沿的技术动态和实践指导。　　01 背景技术　　LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。　　现有的LDMOS场效应管，由于结构限制，场氧化层与浅氧化层的交界位置氧含量较低，导致生长速度慢，即降低了LDMOS器件的耐压水平。　　目前，对该击穿点的优化通常是将场氧化层与浅氧化层共同形成的场板面积增大，提升场效应管的整体耐压水平，此举直接影响是场效应管的面积对应增加。这种改进，并未从根本上优化该击穿点。　　02 发明内容　　针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LDMOS场效应管及其制备方法，方法步骤包括：　　1、提供半导体衬底，对半导体衬底进行刻蚀以得到若干个沟槽区。　　2、在沟槽区内形成介质层，使介质层覆盖于沟槽区的底面与侧壁。　　3、对沟槽区内的介质层进行离子注入。注入成分包括碳离子与氢离子。　　4、对离子改性层刻蚀，随着深度增加，该离子改性层的厚度递增，且顶部齐平于半导体衬底的表面。　　5、采用热氧化工艺，按照第一热氧化条件，在沟槽区内的离子改性层之上形成浅氧化层，使浅氧化层的顶面低于介质层的顶面。　　6、采用热氧化工艺，按照第二热氧化条件，在半导体衬底与浅氧化层之上沉积场氧化层，使场氧化层于沟槽区内的底面低于介质层的顶面，形成LDMOS场效应管的场板。　　7、其中，第一热氧化条件与第二热氧化条件均包括温度条件、氧含量条件与氧流速条件。　　有益效果　　实现对LDMOS纵向耗尽的调节，进而提升LDMOS场效应管的BV水平。浅氧化层与场氧化层交界的附近位置并非尖角，能够有效的优化浅氧化层与场氧化层之间的薄弱击穿点，不再需要将场板加大，也就不需要被动的增加芯片面积，提升了LDMOS场效应管的耐压水平。　　实验结果分析　　在本发明中，通过降低介质层的倾斜角度，在其它参数不变的情况下，LDMOS场效应管的BV值具有一定的提升，而在介质层的倾斜角度相同、第一氧流速与第二氧流速更大的情况下，LDMOS场效应管的BV值更大;相反的，对比例中由于场氧化层与介质层无接触，即使在制备参数不变的情况下，其BV值也略有下降。　　03 结论　　综上，在本发明所示的LDMOS场效应管的制备过程中，通过降低介质层的倾斜角度，以及提升浅氧化层、场氧化层制备过程中的温度与氧流速，能够有效提升LDMOS场效应管的器件耐压。
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发布时间：2025-08-01 14:01 阅读量：281 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微推出500V-800V 平面栅VDMOS
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江西萨瑞微推出500V-800V 平面栅VDMOS

　　平面栅VDMOS 详细介绍　　平面栅VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)是一种特殊类型的MOSFET，主要用于功率电子应用。它结合了平面栅(Planar Gate)和垂直扩散技术，以提高功率处理能力和开关效率。　　结构特点　　垂直结构：　　与传统平面MOSFET不同，VDMOS的主要特点是其垂直结构，即电流沿垂直方向流动。这种设计使得器件能处理更高的功率。　　双重扩散(Double-Diffused)：　　VDMOS的源极和漏极区域通过双重扩散工艺形成。这种工艺允许在较低的电压下获得较高的电流承载能力。　　平面栅(Planar Gate)：　　栅极结构与传统的平面MOSFET类似，使用一层氧化物隔离栅极与半导体之间的直接接触。平面栅设计有助于控制沟道的导电性。　　沟道(Channel)：　　栅极施加电压时，会在源极和漏极之间的半导体材料表面形成一个沟道，这个沟道是垂直于平面栅的。　　工作原理　　开关特性：　　当栅极电压高于阈值电压时，VDMOS形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。垂直结构使其在高电压下仍能保持高开关效率。　　功率处理：　　由于其垂直结构，VDMOS能够承受较高的电压和电流，适用于高功率应用，如电源管理和电动汽车驱动系统。　　萨瑞产品优势　　产品概述及特点　　Product Overview and Features　　萨瑞微提供500V-800V 平面栅VDMOS 。产品采用业界优良的平面技术、独特的器件设计，并结合萨瑞自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强。　　产品应用领域　　应用于开关电源、照明、充电器、适配器、 DC-DC、吹风机等。　　产品选型　　应用拓扑图及应用案例　　吹风机　　充电器/适配器
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发布时间：2025-07-21 16:19 阅读量：313 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术
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江西萨瑞微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术

　　随着智能手机的普及和快充技术的发展,USB Power Delivery (PD)快充和USB Type-C接口已成为现代移动设备的标配。然而,这些先进技术在带来便利的同时,也为设备的静电防护带来了新的挑战。今天,让我们深入探讨USB PD快充和Type-C接口的静电防护问题,以及如何通过精心设计来确保手机的安全充电。　　USB PD快充技术　　USB PD是一种先进的快速充电协议,能够在USB连接上提供高达100W的功率。它通过动态协商电压和电流,实现了更快、更高效的充电。　　在日常使用USB PD快充充电器时，需要频繁地热插拔。如果其内部防护措施不到位的话，不仅会导致浪涌电流通过电源线进入内部电路损坏主控芯片，而且还容易引发输出瞬间大电流，影响充电稳定和安全，甚至导致受充设备损坏。不仅如此，USB PD快充充电器和快充移动电源产品在使用中，很容易与人体或其他带静电物体产生接触，而多数产品外壳的壳料与USB端口、呼吸灯、按键的连接处并不是无缝设计，外部静电很容易通过接缝进入主板中，导致产品损坏。　　USB Type-C接口的 ESD 防护　　大多数时候，我们都带着手机、智能手表、无线耳机等，这些设备都只能通过 USB 端口充电。使用电脑时，我们经常会使用USB 移动闪存驱动器(简称 U 盘)来传输文件。在车里给手机充电时，我们会使用标准的USB 端口。USB 在我们的日常生活中无处不在，参与我们的每一次数字体验的一部分。　　Type-C接口凭借其可逆插拔和多功能性成为新一代USB标准,但其密集的引脚排列和双向性也增加了静电防护的难度。　　USB PD快充与Type-C接口静电防护方案　　01.USB PD 快充　　想要生产出一款稳定安全的USB PD快充产品，其EOS防护/ESD静电保护措施必不可少。从物料成本、研发周期、生产流程等方面考虑，越来越多的厂商选择在USB PD快充接口内置浪涌和静电保护器件。那么，USB PD快充接口浪涌静电保护选用什么型号的TVS二极管呢?　　从萨瑞微电子USB PD快充接口浪涌静电保护方案图一，电源供电口萨瑞微电子选用SES2431P4、SEU0501P1做防护，具体根据充电电压大小来选择。工作电压为5V、24V，具有低钳位、低漏电流的特点，适合大浪涌保护;DFN2020-3L、DFN1006-2L封装，减小USB PD接口安装空间;符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和±30kV(接触)标准。　　在D+/D-数据接口和快充协议检测CC1/2接口静电防护中，萨瑞微电子推荐选用ESD二极管SEU0501P1，工作电压5V、峰值脉冲电流3A、DFN1006-2L封装;结电容低至0.5pF，保证高速数据信号的传输;符合IEC 61000-4-2(静电)±15kV(空气)和 ±10kV(接触)标准。　　02.Type-C接口　　保护 USB 接口不受静电放电 (ESD) 的影响十分重要。我们每天会数次在电子产品上插拔USB 数据线，在触碰或使用 USB 端口时，便可能遇到静电放电，这种情况十分常见。这些ESD 事件既可以由用户(人体)产生，也可以由数据线上存储的电荷产生。静电峰值电压可以达到数万伏，很容易损坏USB 收发器敏感的 CMOS 结构。因此，ESD防护对每个 USB 引脚都有着重要且必要的意义。　　作为最新款连接器之一的USB Type-C，在物理尺寸以及与主机和外围设备的连接方式方面，都明显不同于以前的版本。USB Type-C采用可正反插设计，总共24 个引脚，上下各 12 个引脚，支持朝上或朝下插入。　　SBU 和CC 引脚保护：由于USB Type-C 插头尺寸很小且引脚之间相隔很近，分立式单线瞬态电压抑制(TVS) 二极管非常适合保护端口免受 ESD 事件的影响。此外，分立式TVS 二极管对于电路设计师而言，可以更方便地布局和布线。参考图 引脚配置，我们可以看到 CC 引脚和SBU 引脚紧挨着 VBUS 引脚。VBUS引脚最高可达 24V，所以如果发生短路，CC引脚和 SBU 引脚则会暴露在24V 的电压下。在这种情况下，TVS 二极管的最低击穿电压不低于24V 才能保护 CC 和SBU 引脚。根据 IEC 61000-4-5的要求，萨瑞微电子的SES2431P4能够承受500V浪涌电压!IEC 61000-4-2的要求，在±24kV(空气放电)和±17kV(接触放电)之间的高 ESD，并且能够保持电路正常工作!　　D+/D- 线路保护：D+/D-线路适用于 USB 2.0 接口，可以使用萨瑞微电子SEU0501P1、SEU0521P1S的进行保护。SEU0501P1属于 5V ESD，有着0.5pF 的最大结电容，采用的是DFN1006-2L超小型封装尺寸。　　推荐使用萨瑞微ESD\TVS系列　　以上是萨瑞微电子USB PD快充与Type-C接口静电防护方案，如有特殊需求，欢迎前来探讨。　　结论　　在追求更快充电速度和更高数据传输率的同时,我们不能忽视静电防护这一关键环节。通过精心的设计和选择合适的保护器件,我们可以在享受先进技术带来便利的同时,确保设备的可靠性和长期使用寿命。
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发布时间：2025-07-18 13:13 阅读量：477 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微：MOS 管在无人机电池中的关键应用
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江西萨瑞微：MOS 管在无人机电池中的关键应用

　　无人机，全称为无人驾驶航空器(Unmanned Aerial Vehicle，简称UAV)，是一种利用无线电遥控设备和自备的程序控制装置操纵的不载人飞机。无人机通过自主飞行控制系统或遥控设备，实现飞行和任务执行。　　无人机的分类　　1.按用途分类　　军用无人机：用于侦察、监视、打击等军事任务。　　民用无人机：用于农业、物流、测绘、影视拍摄等领域。　　商业无人机：用于快递配送、巡检、安防等商业应用。　　2.按飞行方式分类　　固定翼无人机：类似传统飞机，依靠机翼产生升力，飞行速度快，航程远。　　旋翼无人机：包括直升机型和多旋翼型，利用旋翼产生升力，具有悬停能力，适合低速、精细操作。　　垂直起降无人机(VTOL)：兼具固定翼和旋翼无人机的特点，能垂直起降，又具备高速巡航能力。　　3.按控制方式分类　　遥控无人机：由地面操作者通过遥控器实时控制。　　自主无人机：根据预先设定的程序或通过传感器和算法实现自主飞行。　　无人机的应用　　无人机技术的快速发展，使其在多个领域得到广泛应用：农业领域、物流配送、测绘与遥感、影视与媒体、安防与巡检、应急救援、科学研究、军事应用等　　无人机电池管理系统BMS　　无人机的主要组成部分　　机架、电机、螺旋桨、飞行控制器、电子调速器、电池与电源系统、遥控系统、天线、起落架、摄像头和云台(可选)、GPS模块(可选)　　电池管理系统BMS　　电池作为无人机的主要能源，其管理与维护对于确保无人机的性能、安全性和寿命至关重要。　　什么是电池管理系统(BMS)　　电池管理系统(BMS)是指用于监测、管理和保护电池组的电子系统。其主要功能是确保电池在安全、可靠和高效的条件下运行。对于无人机而言，BMS负责管理其动力电池，保障无人机的正常飞行和操作。　　无人机BMS的组成结构　　电池监测单元(BMU)　　电压监测：实时测量每个电芯的电压，防止过充电或过放电。　　温度监测：通过温度传感器监测电池的温度，防止过热或过冷。　　电流监测：测量充放电电流，确保电流在安全范围内。　　通信模块　　有线通信接口：如CAN总线、I2C、SPI或UART，用于与飞控系统实时交换数据。　　无线通信模块(可选)：通过无线方式传输电池信息，方便远程监控。　　功率控制模块　　图中有二组MOSFET模块，分别用于控制放电、充电和预充电。　　放电MOS：控制电池放电电流的通断。当需要放电时，控制信号使放电MOS导通。　　充电MOS：控制电池的充电电流的通断。类似放电MOS，当需要充电时，控制信号使充电MOS导通。　　预充电MOS：预充电是为了在充电开始时防止瞬时大电流对电池或电路造成损坏。它通过限流电阻慢慢对电池充电，直到电压达到安全范围。　　推荐使用江西萨瑞微MOSFET系列　　这二组MOS开关器件的选择需要根据系统的功率需求以及电池组的额定电流来进行设计。常见的参数包括：　　导通电阻Rds(on)：开关导通时的内阻，Rds(on)越小，损耗越低。　　最大电流承受能力：MOS管的额定电流要大于最大充放电电流。　　耐压值Vds：选择时需要考虑最大电池电压，MOS管的耐压值应大于电池组的总电压。　　电流检测　　电流采样电阻：放电路径中的采样电阻用于测量流经电池组的电流。通过测量电阻上的压降，可以得到当前电流值。电阻的选择需要考虑：　　阻值：通常选择低阻值(如毫欧级)以减少功率损耗。　　功率额定值：需要能够承受较大的电流，防止烧毁。　　隔离电源模块　　DC/DC隔离电源模块：由于BMS的不同电路部分工作在不同电压层次下，为了实现隔离，同时确保不同电压的稳定供电，通常需要使用DC/DC转换器。它的选择主要考虑以下参数：　　输入电压范围：要支持电池组的电压范围。　　输出电压和电流：要满足控制电路的供电需求。　　控制单元(MCU)　　数据处理：收集并处理来自监测单元的数据。　　逻辑控制：根据电池状态执行相应的控制策略，如开启保护功能。　　通信管理：与无人机飞控系统或地面站进行数据通信。　　安全机制　　保险丝：在极端过流情况下切断电路，提供最后的安全保障。　　电气隔离：通过光耦合器或隔离变压器，实现电路间的电气隔离，提升系统安全性。　　温度保护与检测　　温度开关和MOSFET：用于监控电池组的温度，当温度过高时，它会触发保护机制，关闭充电或放电回路，防止电池过热损坏。温度开关一般选择能在设定的温度点上准确动作的器件，MOSFET则用于控制保护电路的通断　　结论　　无人机BMS通过硬件和软件的结合，对电池进行全面的监测和管理。其主要功能是确保电池的安全使用，延长电池寿命，提高无人机的续航能力和运行可靠性。在设计上，需要考虑无人机的特殊需求，如轻量化、体积小、功耗低和抗干扰能力强。同时，随着无人机技术的发展，BMS也在不断升级，集成更多智能化和网络化功能，支持远程监控、数据分析和云端管理。
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发布时间：2025-07-17 15:06 阅读量：339 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微：TWS行业产品应用方案
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江西萨瑞微：TWS行业产品应用方案

　　如今，电子设备无处不在，从手机、电脑到汽车、工厂设备。但设备越来越小、功能越来越强，也更容易受到静电(ESD)、浪涌(Surge)、过压过流等问题的威胁。这些问题轻则导致设备失灵，重则损坏元器件甚至引发安全事故。　　江西萨瑞微电子专注于电路保护和功率半导体领域，保护电子设备的安全和稳定。依靠技术积累和创新设计，萨瑞微提供各种高性能的防护器件和方案。无论是对微小的信号接口，还是对高功率的电源线路，都能提供有效的保护方案，帮助设备在各种复杂环境中可靠工作，寿命更长，用户体验更好。　　本系列文章将介绍萨瑞微在14个重要行业中的具体应用方案。　　本文将聚焦于TWS行业，介绍萨瑞微如何为无线耳机提供全面的静电浪涌防护方案。　　关于萨瑞微电子　　萨瑞微电子是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业。　　公司成立于2014年，总部位于江西省南昌市赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地。设有年产100万片4、5寸晶圆生产线以及年产300亿只分立器件封装产线。主营产品包括：保护器件(ESD、PTVS、PTSS、GDT);二三极管(BJT、Zener、SKY、Switching、Rectifier);MOSFET;模拟IC(LDO、OVP、锂电保护IC)等器件。　　公司的产品广泛应用于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗、仪器仪表等领域，是国内外一线品牌客户首选供应商。公司秉承“创新、成长、永续、责任”的经营理念，恪守“质量第一、客户满意;严进严出、绿色环保”的质量方针，成为国内领先的功率半导体与保护器件IDM公司。
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发布时间：2025-07-15 15:20 阅读量：304 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微：PHONE行业产品应用方案
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江西萨瑞微：PHONE行业产品应用方案

　　如今，电子设备无处不在，从手机、电脑到汽车、工厂设备。但设备越来越小、功能越来越强，也更容易受到静电(ESD)、浪涌(Surge)、过压过流等问题的威胁。这些问题轻则导致设备失灵，重则损坏元器件甚至引发安全事故。　　江西萨瑞微电子专注于电路保护和功率半导体领域，保护电子设备的安全和稳定。依靠技术积累和创新设计，萨瑞微提供各种高性能的防护器件和方案。无论是对微小的信号接口，还是对高功率的电源线路，都能提供有效的保护方案，帮助设备在各种复杂环境中可靠工作，寿命更长，用户体验更好。　　本系列文章将介绍萨瑞微在14个重要行业中的具体应用方案。　　本文将聚焦于手机 (PHONE) 行业，手机接口多、内部空间小、电磁环境复杂，防护难度高。下文将介绍萨瑞微如何为手机提供全面的静电浪涌防护方案。　　综上所述，萨瑞微电子针对手机行业精心打造的静电浪涌防护方案，覆盖了从充电接口、数据端口、音频路径、射频天线到内部关键信号总线等核心风险点。通过部署萨瑞微的系统性防护方案，手机制造商能够显著提升产品的抗静电浪涌能力。萨瑞微电子将持续深耕电路保护技术，紧密跟随手机技术发展趋势(如更高充电功率、更高速率传输、新型接口等)，不断创新优化防护方案，为智能终端的可靠运行保驾护航，助力客户打造更坚固、更耐用的卓越产品。　　关于萨瑞微电子　　萨瑞微电子是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业。　　公司成立于2014年，总部位于江西省南昌市赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地。设有年产100万片4、5寸晶圆生产线以及年产300亿只分立器件封装产线。主营产品包括：保护器件(ESD、PTVS、PTSS、GDT);二三极管(BJT、Zener、SKY、Switching、Rectifier);MOSFET;模拟IC(LDO、OVP、锂电保护IC)等器件。　　公司的产品广泛应用于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗、仪器仪表等领域，是国内外一线品牌客户首选供应商。公司秉承“创新、成长、永续、责任”的经营理念，恪守“质量第一、客户满意;严进严出、绿色环保”的质量方针，成为国内领先的功率半导体与保护器件IDM公司。
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发布时间：2025-07-10 13:21 阅读量：300 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级
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江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

　　SST2045DPSL 是江西萨瑞微电子推出的一款高性能硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD)的简称。专为追求高效率、低损耗的电子设备设计。　　SST2045DPSL 在众多电子产品中扮演着关键角色，它的性能优劣直接影响到相关设备的整体运行效果。　　01肖特基二极管的原理　　肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等),A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。　　02肖特基二极管的特点　　当金属与N型半导体结合时，形成MS结。这个结被称为肖特基势垒。肖特基势垒的行为会有所不同，具体取决于二极管是处于无偏置、正向偏置还是反向偏置状态。　　由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度，故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少，故肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。　　03肖特基二极管的优势　　① 超低正向电压　　0.43V(10A时)，大幅降低导通损耗，提升系统能效。　　②快速开关性能　　反向恢复时间仅57ns，适用于高频应用场景。　　③ 卓越温度稳定性　　工作温度范围-55℃至+150℃，适应严苛环境。　　④ 高可靠性设计　　PDFN5×6-8L封装，散热优异(热阻低至5℃/W)。　　⑤环保兼容性　　符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺。　　04肖特基二极管的应用　　① 高频逆变器　　优势：快速开关特性可显著降低高频电路中的开关损耗，提升逆变器效率。　　典型应用：太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动系统。　　② 低压电源系统　　优势：超低正向电压(0.48V@20A)减少能量损耗，延长电池续航。　　典型应用：便携设备电源管理、车载电子系统、DC-DC转换模块。　　③ 自由轮续流与极性保护　　优势：高浪涌电流耐受能力(峰值290A)，保护电路免受反向电压冲击。　　典型应用：继电器保护、电机控制电路、电源反接保护。　　05技术亮点解析　　散热性能卓越　　采用PDFN5×6-8L封装，底部集成散热片，结合低至5℃/W的结壳热阻(RθJC)，确保高功率场景下的稳定运行。　　高可靠性认证　　UL 94V-0防火等级，环保型模塑材料，通过J-STD-020湿度敏感三级标准，适合工业级应用。　　焊接工艺友好　　支持无铅回流焊工艺，峰值温度耐受达260℃，满足现代电子制造的严苛要求。　　为什么选择SST2045DPSL?　　节能降耗　　低正向电压和低漏电流设计，显著降低系统功耗。　　长寿命保障　　高耐压(45V)与抗浪涌能力，减少故障率，延长设备寿命。　　紧凑设计　　5×6mm小型封装，节省PCB空间，适合高密度集成场景。　　06 结论　　SST2045DPSL 凭借其高效、稳定、紧凑的设计，已成为低压高频应用的理想选择。无论是提升能效，还是增强系统可靠性，这款二极管都能为您的产品赋能升级!
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发布时间：2025-04-24 15:36 阅读量：580 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统
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江西萨瑞微电子SiC 和 GaN赋能AI服务器电源系统

　　01AI服务器电源的核心挑战与技术需求　　超高功率密度：单机架功率已从传统服务器的数千瓦提升至数十千瓦(如英伟达DGX-2需10kW，未来GB300芯片预计达1.4kW单芯片功耗)，要求电源方案在有限空间内实现高效能量转换。　　高频化与高效率：单个 GPU 的功耗将呈指数级增长，到 2030 年将达到约 2000 W，而 AI 服务器机架的峰值将达到惊人的 >300 kW。这些要求对数据中心机架的 AC 和 DC 配电系统进行新的架构更改，重点是减少从电网到核心的转换和配电功率损耗。为降低损耗并适配GPU/TPU的高频运算，电源转换频率逐步提升至MHz级，同时需将转换效率从传统的96%提升至98%以上，以减少散热成本与碳排放。　　高压化与稳定性：输入电压向800V DC-HVDC(高压直流)演进，输出电压则需精准降至芯片级所需的0.8V-12V，要求器件具备宽电压范围适应性与低噪声特性。　　02PSU的拓扑图及演变　　图 2(a)显示了开放计算项目 (OCP) 机架电源架构的示例图。每个电源架由三相输入供电并容纳多个 PSU;每个 PSU 由单相输入供电。机架向母线输出直流电压(例如 50 V)，母线还连接到 IT 和电池架。　　AI 趋势要求 PSU 进行功率演进，如图 2(b)所示。让我们通过实施拓扑和设备技术建议的示例来介绍这些 PSU 的每一个代。　　AI 服务器机架 PSU 的趋势和功率演进　　第一代 AI PSU 高效电能转换基石　　在第一代 AI PSU(2010-2018 年)的硅基架构框架下，实现5.5-8kW 功率、50V 输出、277V 单相输入　　当前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准[9]。相较于先前的ORv3 3 kW标准[9]，该标准的大部分要求(包括输入和输出电压以及效率)保持不变，但增加了与AI服务器需求相关的更新，例如，更高的功率和峰值功率要求(稍后详述)。此外，由于与BBU架的通信方式有所调整，输出电压的调节范围变得更窄。　　尽管每个电源架都通过三相输入(400-480 Vac L-L)供电(见图2)，但每台PSU的输入仍为单相(230-277 Vac)。图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ MOSFET用于慢臂开关。DC-DC级可以选用650V CoolGaN™晶体管的全桥LLC，次级全桥整流器和ORing则使用80V OptiMOS™ Power MOSFET。　　推荐使用萨瑞微电子800V-1000V整流桥　　第二代AI PSU：增加线路电压　　如上所述，随着机架功率增加到300kW以上，电源架的功率密度变得至关重要。因此，下一代PSU的设计方向是，在单相架构中实现8kW至12kW的输出功率。随着每个机架的功率增加，数据中心中的机架数量在某些情况下，可能会受配电电流额定值和损耗的约束。因此，为了降低交流配电的电流和损耗，部分数据中心可能会将机架的交流配电电压从400/480V提高到600Vac L–L(三相)，同时将PSU的输入电压从230/277Vac 提高到347Vac(单相)。　　对于DC-DC级来说，三相LLC拓扑结构是一种理想选择，其中，750V CoolSiC™ MOSFET用于初级侧开关，80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET用于次级全桥整流器和ORing。由于增加了第三个半桥开关臂，该解决方案能够提供更高的功率，有效降低输出电流的纹波，并通过三个开关半桥之间的固有耦合实现自动电流分配。　　推荐使用萨瑞微高频开关　　高频开关(500V硅基MOS推荐)　　高频开关(650V硅基MOS推荐)　　硅基MOSFET： 500V/650V硅基MOS：采用沟槽式结构，适用于中低频(<500kHz)、中等功率场景，如辅助电源或低压侧开关，导通电阻低至30mΩ以下，支持快速开关响应。　　高频开关(600V超结MOS推荐)　　高频开关(650V超结MOS推荐)　　超结MOSFET(600V/650V/800V)：通过电荷平衡技术突破硅基材料限制，实现高耐压与低导通电阻的平衡(如650V型号Rds(on)≤15mΩ)，适用于1MHz以上高频场合，可显著减小磁性元件体积，提升功率密度。　　碳化硅MOSFET(650V/1200V/1700V)： 针对800V高压输入与超高频率(>2MHz)场景，碳化硅器件展现出无可替代的优势：　　材料特性：禁带宽度是硅的3倍，支持更高结温(175℃)与耐压，开关损耗降低70%以上，适用于全碳化硅LLC拓扑，转换效率可达98.5%。　　第三代AI PSU：三相架构与400V配电　　为了进一步提高机架功率，第三代 AI PSU 将采用更具颠覆性的机架架构，如下所示：　　1PSU输入：从单相转为三相，以提高功率密度，并降低成本　　2电源架PSU输出电压：从50V提升到400V，以降低母线电流、损耗和成本　　三相输入和 400 V 输出 PSU 的示例实现，其中包含推荐的设备和技术。PFC 级是 Vienna 转换器，这是三相 PFC 应用的流行拓扑。它的主要优势在于，由于其分离总线电压，它允许使用 650 V 设备，使用两倍数量的背对背 CoolSiC MOSFET 650 V 和 CoolSiC 1200 V 二极管。由于 PFC 输出是分离电容器，因此每个电容器电压为 430 V，并向全桥 LLC 转换器供电，初级和次级侧均配备 CoolGaN 晶体管 650 V。两个 LLC 级在初级侧串联，在次级侧并联，以向 400 V 母线供电。　　或者，两个背靠背的 CoolSiC MOSFET 650 V 可以用 CoolGaN 双向开关 (BDS) 650 V 代替，后者是真正的常闭单片双向开关。这意味着单个 CoolGaN BDS 可以取代四个分立电源开关，以获得相同的 RDS(on)，因为它在 RDS(on)/mm2 方面具有高效的芯片尺寸利用率。　　在DC-DC变换器的次级整流中，同步整流MOS管替代传统二极管，消除肖特基势垒电压，大幅降低导通损耗：　　产品特性：低栅极电荷(Qg<10nC)与极低导通电阻(如40V耐压型号Rds(on)≤5mΩ)，支持全负载范围高效运行。内置体二极管反向恢复电荷(Qrr)极低，减少振荡与EMI干扰，适配高频同步整流控制方案。　　技术优势：配合驱动电路实现ZVS(零电压开关)或ZCS(零电流开关)，在10kW以上功率模块中，可将整流效率从95%提升至99%以上。　　WBG 对 AI PSU 的好处　　宽带隙 (WBG) 半导体(例如 CoolGaN)成为 AI PSU 的最佳选择，因为它们在更高的开关频率下提供最佳效率，从而实现更高功率密度的转换器，而不会影响转换效率。　　除了 AI PSU 的标称功率显著上升外，GPU 还会吸收更高的峰值功率并产生高负载瞬变。因此，DC-DC 级输出必须足够动态，而电压过冲和下冲必须保持在规定的限值内。可以通过提高开关频率来增加 DC-DC 级输出动态，从而增加控制环路带宽。　　CoolGaN 器件因其卓越的 FoM 和 Si、SiC 和 GaN 器件中最低的开关损耗而轻松满足了更高开关频率的要求。尤其是在软开关 LLC 转换器中，CoolGaN 具有最低的输出电容电荷 (Qoss)，这对于更轻松地实现 ZVS(零电压开关)起着至关重要的作用。随后，这有助于更精确地设置死区时间，从而消除不必要的死区时间传导损耗。　　辅助电源LDO推荐　　辅助电源LDO：为服务器监控芯片、传感器等提供稳定低压供电(如3.3V/5V)，萨瑞微电子的LDO系列具备低静态电流(<1μA)、高PSRR(电源抑制比)与快速瞬态响应，确保核心器件在复杂电源环境下稳定运行。　　负载开关MOS管推荐　　负载开关MOS管：用于电源系统的通断控制与负载隔离，支持大电流(10A-50A)快速切换，内置过流/过热保护，避免浪涌电流对后级电路的冲击，提升系统安全性。　　结论　　与AI算力共成长，定义电源新高度 在AI服务器向更高功率、更高效率演进的征程中，电源系统的每一次优化都依赖于器件级的技术突破。萨瑞微电子以“全电压覆盖、全技术兼容、全流程可控”的产品矩阵，为AI服务器电源提供了从输入整流到精准供电的完整解决方案，助力客户在算力竞赛中抢占先机。
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发布时间：2025-04-03 14:50 阅读量：794 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞</span>微：AI服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢AI服务器安全防线
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江西萨瑞微：AI服务器产品静电浪涌防护方案，筑牢AI服务器安全防线

　　随着人工智能(AI)技术的快速发展，AI服务器作为支撑AI计算的核心设备，其稳定性和可靠性至关重要。然而，静电放电(ESD)和浪涌问题一直是电子设备面临的重大挑战之一。静电和浪涌不仅可能损坏服务器内部的精密元器件，还可能导致数据丢失或系统崩溃，严重影响AI应用的正常运行。　　江西萨瑞微电子凭借多年在静电防护领域的技术积累，推出了一套针对AI服务器产品的全面静电防护方案，涵盖Type-C、USB、SATA、HDMI、VGA、DP、RJ45、键盘接口、RS232、ANT、KY按键、MIC、音频电路以及CPU/GPU电源MOS等多个关键接口和模块的防护需求。　　一、高速接口防护方案　　Type-C端口静电浪涌防护方案　　AI 服务器的 Type-C 端口常用于高速数据传输，如连接外部存储设备、GPU 加速卡等。静电浪涌可能会干扰信号传输，导致数据丢包、错误等问题。因此，防护方案不能对高速信号产生额外的衰减或干扰，要保证数据传输的准确性和稳定性。　　Type-C 端口静电浪涌防护方案采用了如 SES2411P4 这款 TVS 二极管，保护VBUS电源，配合多种 ESD 保护二极管，保护信号线能承受 IEC 61000 - 4 - 2 标准下 ±10KV(Air)、±6KV(Contact)的静电冲击，以及 IEC 61000 - 4 - 5 标准下 VBUS IN ±300V(1.2/50μs & 8/20μs)的浪涌电压，确保数据传输稳定，设备接口安全。　　Type-C雷电口静电浪涌防护方案　　Thunderbolt™(雷电)接口作为高性能Type-C协议的扩展，支持40Gbps超高速数据传输、8K视频输出及100W PD快充，但其高集成度与高带宽特性对静电放电(ESD)和浪涌极为敏感。　　江西萨瑞微电子针对雷电口特性，推出SES2411P4、SEU0501PSS、SEU0101PSS、SEU3364PCS 等核心器件，实现从电源到信号的全链路保护，满足IEC 61000-4-2/4-5最高防护等级。　　USB 3.0/3.1接口静电浪涌防护方案　　USB 接口作为使用最频繁的接口之一，插拔与静电问题频发。萨瑞微USB2.0、USB3.0 接口分别提供了适配的 ESD 防护方案。　　在 USB3.0 接口防护中，SEU0544PCS 等器件大展身手，以低电容特性保障高速数据传输不受影响，同时有效抵御 ±15KV(Air)、±8KV(Contact)的静电干扰。　　二、数据存储与显示接口防护方案　　SATA接口静电浪涌防护方案　　SATA 接口广泛应用于各类存储设备连接，如硬盘、光驱等。在设备使用过程中，静电浪涌可能通过接口进入设备内部，造成芯片损坏、数据丢失等严重问题。因此，对 SATA 接口进行有效的静电浪涌防护至关重要。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用四通道小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、超低结电容TVS二极管阵列/ESD二极管做防护，保障SATA接口免受浪涌电流影响的同时，防止SATA接口遭到ESD静电破坏，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足静电放电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　HDMI静电防护方案　　HDMI(高清多媒体接口)作为热插拔端口，在连接设备时易受静电放电(ESD)的瞬时冲击，导致内部芯片损坏。其高速数据传输特性(如HDMI 2.1支持48Gbps速率)对信号完整性要求极高。　　我们为HDMI 接口提供了三种ESD静电防护器件，专为保护该接口的高速差分线路而设计，型号分别为SEU0544PCS、SEU0544PCS、SEU3344PCS。　　其中SEU0544PCS、SEU0544PCS结电容仅有0.25pF，可对单路高速数据线进行静电防护，可以使用2颗ULC0514P10来保护四个Lane通道。它的工作电压为 5 V，最小击穿电压为 5V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　时钟和数据通道的防护采用了集成多路ESD静电二极管SEU0544PCS，可同时保护HDMI的全通道引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。它的工作电压为 5 V，结电容仅有0.25pF，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV(空气)和 ±8kV(接触)下提供瞬变保护。　　VGA静电防护方案　　VGA接口共有15针孔，分成3排，每排5个孔，除了2根NC(Not Connect)信号、3根显示数据总线和5个GND信号，其他较为重要的是3根RGB(红绿蓝)彩色分量信号及2根扫描同步信号HSYNC和VSYNC针。　　从方案图中可知，萨瑞微电子选用集成多路、SOT23-6L小封装、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低、低结电容ESD二极管SEH0504S2做防护，保护VGA接口免遭ESD静电放电破坏的同时，确保传输数据的稳定性和完整性。同时，在不影响数据传输的前提条件下，能够满足IEC 61000-4-2 Level 4的ESD静电防护需求，让后端电路得到全面有效的保护。　　DP接口静电浪涌防护方案　　DP(DisplayPort)接口广泛应用于电脑、显示器、显卡等设备间的高清视频与音频传输。在实际使用场景中，如插拔 DP 线缆、设备处于复杂电磁环境，或者受到周边大功率设备的电气干扰时，都极易产生静电浪涌。　　静电浪涌瞬间释放的高电压和大电流，可能击穿 DP 接口芯片内部的精密半导体结构，造成芯片永久性损坏;也可能干扰高速差分信号传输，导致图像出现花屏、黑屏、闪烁，音频出现杂音、中断等问题，严重影响设备的正常运行和用户体验。因此，对 DP 接口实施有效的静电浪涌防护至关重要，这不仅能保障设备稳定运行，还能延长设备的使用寿命，提升产品的市场竞争力。　　三、高速接口防护方案　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　IEEE组织的IEEE 802.3标准制定了以太网的技术标准，它规定了包括物理层的连线、电子信号和介质访问控制的内容。以太网是目前应用最普遍的局域网技术。以太网口，即我们平时所见的RJ45水晶头接口，根据网速分类，可分为：百兆(100M)、千兆(1000M)、2.5G、5G、万兆(10G)等。　　从方案图可知，以太网口第一级防护萨瑞微电子技术推荐选用TSS：P0640SB、P3100SB，将浪涌电流泄放到大地，或在放电管电极之内的惰性气体电光弧以热量形式消除。中间充分利用网络变压器的电感特性，起到去藕和隔离作用。第二级防护选用ESD静电保护二极管SEU0521PSS，能够将残留的频率成分浪涌吸收，并且在IPP下钳位电压降到7V左右(@IP=1A)，确保以太网芯片处于安全保护状态。　　键盘接口静电防护方案　　PS/2接口包含CLK(时钟)和DATA(数据)两条信号线，每条线需单独配置ESD保护二极管，形成对地保护路径。　　推荐采用分立式ESD器件(如每信号线1颗SEL0501P1)，或选用集成多通道的TVS阵列以简化设计。　　PS/2接口为双向通信协议(时钟线与数据线)，需选择双向ESD器件以覆盖正负电压冲击。萨瑞微的SEL0501系列支持双向保护，且低漏电流(0.1μA)可避免信号干扰。　　RS232接口静电浪涌防护方案　　RS-232标准被定义为一种在低速率、近距离串行通讯的单端标准。RS-232 采取不平衡传输方式，即所谓单端通讯。RS-232 通讯的最大传输距离在不增加缓冲器的情况下只可以达到15米。　　RS-232 的电气标准：电平为逻辑“0”时：+3V～+15V;电平为逻辑“1”时：-3V～-15V。　　萨瑞微SEH1501D3有低电容、快速响应、高浪涌耐受能力，小封装等优点：SEH1501D3 的低电容特性对 RS232 接口的高速信号传输影响极小，确保数据的准确和稳定传输。能在纳秒级时间内响应静电和浪涌冲击，迅速将过电压箝位到安全水平，有效保护接口芯片。可承受高达数千伏的静电放电和高能量浪涌，满足 AI 服务器在复杂电磁环境下的防护需求。小尺寸封装：适合在 AI 服务器紧凑的 PCB 布局中使用，不占用过多空间。　　ANT静电防护方案　　ANT 接口常用于低功耗、短距离无线通信领域，ANT 接口极易受到静电放电(ESD)影响，可能导致通信中断、数据错误或硬件损坏。　　江西萨瑞微的 SEU0501PSS、SEU0501P1、SEU0521P1S 具备卓越的静电防护能力，可有效保护 ANT 接口。　　KY按键接口静电浪涌防护方案　　KY 按键接口用于用户输入指令。在使用中，按键频繁被操作，人体接触按键时极易产生静电放电(ESD)现象，这些静电能量若直接进入设备内部电路，可能干扰微控制器的正常工作，甚至损坏芯片。江西萨瑞微的 SEL0501P1 凭借其独特的性能优势，能够有效解决 KY 按键接口的静电防护难题。　　将 SEL0501P1 的一端连接到 KY 按键的信号输出引脚， 尽可能靠近 KY 按键的信号输出引脚放置，缩短信号传输路径，减少寄生电感和电容的影响。另一端接地，当有静电电荷通过按键引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，避免静电对按键接口芯片或微控制器造成损害。　　四、电源与核心模块防护方案　　CPU/GPU电源MOS防护方案　　功率器件：服务器的 “动力心脏” 保障，在服务器的 “动力心脏”——CPU/GPU 电源部分，萨瑞微电子的 MOS 管发挥着关键作用。　　以 SG50N03PSK、SG33N03PSK 等为代表的 MOS 管，拥有低导通电阻和高电流承载能力。比如 SG50N03PSK，在 PDFN5*6 - 8L 封装下，能承受 30V 的 VDS 电压，导通电阻低至 5.00mΩ ，可通过 60A 的电流，确保 CPU/GPU 在高负载运行时，电源供应稳定、高效，降低功耗，提升服务器整体性能。　　五、音频/MIC接口防护方案　　MIC静电防护方案　　将 SEL0501P1 的一端连接到 MIC 的信号输出引脚，另一端接地。当有静电电荷通过 MIC 引入时，SEL0501P1 会迅速响应，将静电能量引导至地，防止静电对 MIC 后端的音频处理电路造成损害。例如，在一个简单的录音设备中，MIC 的输出引脚直接连接 SEL0501P1 的信号引脚，SEL0501P1 的接地引脚可靠接地，这样就为 MIC 提供了基本的静电防护。　　考虑到 MIC 输出的音频信号通常为差分信号(如在一些高端音频设备中)，可以在 MIC 的正、负差分信号输出引脚与地之间分别连接一个 SEL0501P1，对差分信号进行全面的静电防护，确保音频信号的完整性和稳定性。　　音频电路方案　　在AI服务器切换不同音频输入源的情况下，可利用 SR2N7002K 构建多路音频信号切换电路。将多个音频输入信号分别通过各自的限流电阻连接到多个 SR2N7002K 的源极，所有 SR2N7002K 的源极连接在一起并通过一个耦合电容连接到音频输出端。通过控制 SR2N7002K 栅极的电平信号，实现对不同音频输入源的切换。当某个 SR2N7002K 的栅极为高电平时，该管导通，对应的音频输入信号被切换到输出端，而其他 SR2N7002K 处于截止状态，其对应的音频信号被阻断。　　由于 SR2N7002K 具有高开关速度的特性，能够实现音频信号的快速切换，避免在切换过程中出现音频卡顿或噪声。同时，为了防止切换过程中产生的电磁干扰对音频信号造成影响，在每个音频输入信号的限流电阻与 SR2N7002K 源极之间，以及输出耦合电容之前，分别加入一个小容量的滤波电容(如 0.1μF)，用于滤除高频干扰信号，保证音频信号的纯净度。　　结论　　江西萨瑞微电子深耕静电防护领域十余年，为AI服务器量身定制的全场景防护方案，已成功应用于超算中心、智算集群等高端场景。
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发布时间：2025-03-20 14:19 阅读量：672 继续阅读>>

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