聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展<span style='color:red'>萨瑞微</span>电子之行完美落幕
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聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　6 月 12 日，为期四天(6.9-6.12)的 2026 第 31 届广州国际照明展览会(光亚展)在广州琶洲展馆正式落下帷幕。作为照明全产业链风向标盛会，本届展会汇聚全球数千家上下游企业，共探照明节能、智能化发展新赛道。江西萨瑞微电子携全系列照明专用功率半导体产品亮相5.2 馆 C56展位，以 IDM 全产业链硬实力，与海内外客商、行业专家深度交流，满载收获圆满收官。　　盛况直击　　回顾本次展会全程，处处皆是行业蓬勃生机：展馆外停车场座无虚席，客商齐聚奔赴盛会;展馆入口观众络绎不绝，场内人来人往，全产业链从业者共赴这场光影盛宴。　　萨瑞微电子展位全程热度不减，源源不断的行业客户、合作伙伴驻足参观，现场交流氛围浓厚。每一次驻足停留，都是对国产芯片实力的认可;每一次深入沟通，都是行业思想的同频碰撞。　　以芯会友，一对一精准对接需求　　四天展期内，5.2 馆 C56 萨瑞微电子展台访客络绎不绝，吸引海内外照明厂商、电源方案商、工程集成商驻足洽谈。　　现场技术团队一对一接待来访客商，针对家用照明、商业亮化、户外路灯、植物照明、智能调光驱动等多元应用场景，深度讲解 MOSFET、肖特基二极管、ESD 防护器件、整流桥等核心元器件方案，精准解决灯具电源高效率、低损耗、小型化、高稳定性行业痛点。　　不少深耕照明多年的行业同仁，对萨瑞从芯片设计、晶圆制造到封装测试一体化 IDM 模式表示高度认可。　　芯品亮相，适配全场景照明需求　　萨瑞微电子深耕功率半导体 IDM 一体化模式，覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链路，本次光亚展针对性展出适配各类 LED 照明驱动的核心元器件，精准匹配行业降本增效、小型化、高可靠需求：　　01　　肖特基二极管　　Schottky Diode　　超低正向压降，高频特性优异，适配宽压驱动、植物照明、户外路灯电源方案。　　02　　MOSFET 系列　　MOSFET Series　　低压 / 高压全规格，低内阻、低损耗，适配室内家居照明、商业筒灯、面板灯驱动电源，有效降低灯具发热、提升整机能效。　　03　　ESD 防护器件　　ESD Protection Device　　小体积高抗静电，解决智能照明、调光灯具静电损坏痛点。　　配套碳化硅功率器件方案　　面向大功率户外照明、工业智慧照明，实现更高功率密度、长寿命运行　　感恩相遇，展会落幕初心不止　　四天相聚，感恩每一位莅临 5.2 馆 C56 展位的客户、合作伙伴与行业同仁。每一次沟通、每一份信任，都是萨瑞持续技术创新、优化产品方案的动力。　　展会虽落幕，合作不止步。未到现场或需深度对接的客户，可随时联系我司销售与技术团队，获取完整器件规格书、样品测试及定制化配套方案。　　未来，萨瑞微电子将持续以芯片为基，以创新为翼，打磨更高性能、更具竞争力的功率半导体产品，携手广大照明伙伴，共筑低碳、智能的光环境新生态，下一场行业盛会再会
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发布时间：2026-06-17 09:34 阅读量：229 继续阅读>>
芯连光储，智启新程｜江西<span style='color:red'>萨瑞微</span>电子 SNEC2026 上海光伏展圆满收官！
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芯连光储，智启新程｜江西萨瑞微电子 SNEC2026 上海光伏展圆满收官！

　　为期三天(6 月 3 日 - 5 日)的SNEC 第十九届 (2026) 国际太阳能光伏和智慧能源(上海)大会暨展览会在国家会展中心(上海)圆满落幕。作为国内领先的IDM 模式功率半导体企业，江西萨瑞微电子携光伏 & 储能领域核心器件与解决方案重磅亮相，以硬核 “芯” 实力链接全球光储生态，满载而归，完美收官!　　01　　展会高光　　SNEC 作为全球光伏与智慧能源领域规模最大、影响力最广的风向标盛会，汇聚 3500 + 顶尖企业、50 万 + 专业观众，聚焦光储融合、技术创新与生态共建。本次参展，萨瑞微电子以 “功率芯・筑光储”为核心，全方位展现 IDM 全产业链实力与光储场景定制化解决方案，成为现场备受瞩目的功率半导体核心供应商 。　　硬核展品：聚焦光储核心，赋能高效能源　　依托芯片设计、晶圆制造、封装测试一体化 IDM 优势江西萨瑞微电子技术有限公司，本次展会重点展示适配光伏、储能、光储充一体化场景的核心产品矩阵，精准匹配行业高效、低耗、高可靠需求：　　⚡ 高压超结 MOSFET：低导通损耗、高耐压，适配光伏逆变器、储能变流器(PCS)，助力系统高效转换;　　⚡ IGBT 单管 / 模组：600V-1200V 全电压覆盖，开关性能优异，赋能光伏逆变、储能并网、充电桩核心单元;　　⚡ 中低压 SGT MOSFET：高效低耗，适配户用光伏、储能系统、光储充一体机电源管理;　　⚡ ESD/TVS 保护器件：响应速度<0.5ns，钳位精准，为光储设备提供过压、静电防护，保障系统安全稳定运行。　　02　　现场盛况：人气爆棚　　展会期间，萨瑞微电子展位人气持续高涨，吸引大批海内外光伏逆变器、储能系统集成商、行业专家及合作伙伴驻足交流、深度洽谈。团队以专业技术解读、定制化方案对接，高效响应客户需求，达成多项合作意向与技术对接，进一步巩固光储领域市场布局，提升品牌全球影响力。同时，公司凭借在功率半导体领域的技术沉淀与创新实力，收获业界高度认可，彰显国产功率半导体企业在光储产业链中的核心价值与责任担当。　　03　　感恩同行：共赴光储新征程　　盛会落幕，感恩致远!衷心感谢每一位莅临展位的客户、行业同仁与合作伙伴的信任与支持，感谢团队成员的专业付出与高效协作，让本次参展圆满成功、收获满满!　　作为深耕功率半导体领域的 IDM 企业，萨瑞微电子始终以 “创新、成长、永续、责任”为理念，聚焦光储、新能源等核心赛道，坚持技术创新，打磨优质产品，完善解决方案。　　未来，我们将持续深耕光伏逆变、储能系统核心功率器件研发与产业化，以更先进的技术、更可靠的产品、更优质的服务，携手全球伙伴，聚芯力・筑光储・赢未来，助力双碳目标实现，共创绿色能源新辉煌!
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发布时间：2026-06-08 10:28 阅读量：404 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞微</span>丨诚邀莅临，第 31 届 2026 广州国际照明展览会（光亚展），共赴光照产业新征程
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江西萨瑞微丨诚邀莅临，第 31 届 2026 广州国际照明展览会（光亚展），共赴光照产业新征程

　　诚挚邀请　　尊敬的行业伙伴、客户朋友们：　　春风拂过南粤，光电的万千气象已在羊城悄然汇聚。作为深耕半导体分立器件与集成电路领域的国家级高新技术企业，江西萨瑞微电子技术有限公司将携全新研发成果及照明全系列应用解决方案，重磅亮相2026广州国际照明展览会。我们诚挚邀请新老合作伙伴莅临展位，共探前沿技术，共话商业契机，见证光生态下的智慧升级!　　一展会信息　　2026广州国际照明展览会(光亚展)重磅启幕，展会以“光照生活新时代——敢创WE来，敢为超越”为主题。GILE 2026 聚焦 “智能互联、绿色低碳、健康人居、情感体验及技术创新” 五大核心赛道，展现了行业的跃迁。　　除了常规的商业与家居照明，本次展会还极具前瞻性地设立了 “AI 智光” 与 “智慧农业” 等高精尖专区，预示着照明从“光源制造”彻底跨向了“光环境服务”。在这里，您不仅能触摸前沿灯具设计，更能深入背后的核心零部件趋势　　展会时间：2026 年 6 月9-12 日　　展会地点：中国进出口商品交易会展馆(海珠区阅江中路 380 号)　　萨瑞微电子展位：5.2馆 C56展位　　二　　关于萨瑞微电　　作为国内全产业链 IDM 功率半导体厂商，江西萨瑞微电子深耕功率芯片设计、晶圆制造、封装测试一体化生产，本次携LED 驱动电源专用 MOSFET、高压平面 VDMOS、SGT MOS、车规照明器件、电源配套保护器件全套照明解决方案亮相展会，面向 LED 驱动电源、工矿灯、路灯、商业射灯、智能家居照明、汽车车灯等场景，带来国产化高效、低损耗、高可靠性功率器件选型方案。　　本次展出明星产品(照明领域主推)　　VBAT < VLED时使用Boost　　ICL8812A 可配置为升压(Boost)、降压(Buck)、降压-升压(Buck-Boost)和 SEPIC 拓扑。应用电路如下图：　　VBAT > VLED时使用Buck　　使用Buck架构时，以下两个条件必须被满足：(1) VBAT < 40V; 以及(2) VBAT < n-MOSFET 的VDSS　　PWM调光LED驱动方案　　汽车照明：LED 开关矩阵 AFS 头灯，DRL，远光灯/近光灯，雾灯，尾灯，转向信号灯，轮廓灯，售后市场　　• 工业照明：工厂自动化、飞行时间 (TOF)、电器、零售照明、机器视觉检测、紧急出口和/或安全照明、医用照明、舞台和场地照明　　• 农业、航海和重工业照明　　• 高对比度分流 FET 调光　　汽车用高压高亮度LED控制器方案　　• 汽车外部照明　　• 高光灯/低光灯/信号灯/定位灯　　• 日间行车灯(DRL)　　• 雾灯和自适应前照灯组件　　• 平视显示器　　• 商用、工业和建筑照明　　外置MOS大功率降压恒流LED驱动器方案　　大功率汽车灯、电动车及摩托车灯、强光手电筒及LED射灯、LED照明调光灯、各种大功率DC/DC电源　　内置MOS降压恒流LED大功率驱动器方案　　汽车灯、电动车及摩托车灯、强光手电筒及LED射灯、大功率LED照明、洗墙灯、LED背光灯　　100V降压型 LED 恒流驱动控制器方案　　汽车照明、电动车照明 、工业 LED 照明、液晶电视背光、各类大功率 LED照明。　　三　　参观指南
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发布时间：2026-06-08 10:07 阅读量：415 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞微</span>电子与您相约2026第24届深圳国际小电机及磁性材料展
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江西萨瑞微电子与您相约2026第24届深圳国际小电机及磁性材料展

　　尊敬的合作伙伴：　　您好!　　感谢您长期以来对江西萨瑞微电子技术有限公司(SALLTECH) 的关注与支持!　　随着电机产业向高效、节能、智能化方向飞速发展，对核心功率半导体器件及电路保护方案的要求日益严苛。作为国内领先的功率半导体与保护器件IDM厂商，萨瑞微电子将携最新的MOSFET、IGBT、电机驱动方案及电路保护器件盛装亮相本届盛会。　　我们诚挚邀请您拨冗莅临8号馆 A313展位，共同探讨电机行业的最新“芯”技术，期待与您面对面的交流!　　展会时间　　2026年5月27-29日　　展会地点　　深圳国际会展中心(宝安新馆)　　萨瑞展位号　　8号馆 A313　　01.关于展会　　About the exhibition　　第24届深圳国际小电机及电机工业、磁性材料展览会(Motor & Magnetic Expo 2026)是电机磁材行业一年一度的盛会。本届展会汇聚了800+家行业精英，展出面积达40000㎡，是展示前沿技术、洞察市场趋势、拓展行业人脉的绝佳平台。　　02.关于萨瑞(SALLTECH)　　About SALLTECH　　江西萨瑞微电子技术有限公司是一家专业从事半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试及应用服务于一体的国家级专精特新“小巨人”企业和国家高新技术企业。　　IDM核心优势：我们拥有从芯片设计到成品应用的全产业链布局(IDM模式)，确保产品的高可靠性、高性能及稳定供应。　　制造实力：总部位于江西南昌，拥有35000㎡制造基地，具备年产200万片4/5/6寸晶圆及年产300亿只分立器件的封装能力。　　品质保障：通过IATF 16949等汽车行业质量管理体系认证，产品满足车规级要求。　　03.核心亮点抢“鲜”看　　Watch first　　在本次电机展上，萨瑞微电子将重点展示针对电机及磁性材料行业痛点的解决方案：　　1. 高效能电机驱动解决方案　　针对各类家用电器电机、工业自动化及机器人电机，萨瑞将展示其低导通电阻、高开关速度的SGT MOSFET和IGBT产品。这些产品能有效降低电机驱动过程中的发热损耗，提升整机效率，适用于无人机电机、机器人舵机等高性能场景。　　2. 全方位的电路保护　　电机在启停及运行过程中容易受到浪涌和静电冲击。萨瑞的TVS和ESD产品线提供从微安级到超大功率的全方位保护，确保电机控制系统的稳定运行，广泛应用于汽车电机、通讯设备及安防领域。　　3. 汽车电子与工业控制　　依托IATF 16949体系，萨瑞的车规级产品可助力新能源汽车的电机驱动、热管理系统(水泵/油泵)等应用，展示国产半导体在高端制造领域的替代实力。　　04.观展小贴士　　Exhibition Tips　　交通指引：　　深圳市宝安区福海街道展城路1号，深圳国际会展中心(宝安新馆)。　　地铁：乘坐12号线或20号线至“国展站”或“国展北站”下车。　　展馆展区：　　本次展会主要在8号馆，萨瑞展位号：A313。　　2026年5月27-29日　　深圳国际会展中心·宝安新馆　　8号馆 A313　　萨瑞微电子在这里等您!
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发布时间：2026-05-26 09:59 阅读量：528 继续阅读>>
邀请函 | <span style='color:red'>萨瑞微</span>电子邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会
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邀请函 | 萨瑞微电子邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会

　　尊敬的行业同仁、合作伙伴：　　您好!　　春风送暖，万物勃发。2026 第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会将于4 月 15 日 - 16 日在珠海国际会展中心 A 座 4 号展厅盛大启幕。作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业，江西萨瑞微电子将携智能电表全系列半导体解决方案重磅亮相，展位号T134。我们诚挚邀请您拨冗莅临，共探行业新趋势，共话合作新机遇!　　展会信息　　展会名称：2026第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会　　展会主题：中国电工仪器仪表产业发展技术研讨　　展会时间：2026年4月15-16日　　萨瑞微展位：T134【期待您的驻足!】　　展会地址：珠海国际会展中心A座4号展厅　　亮点抢先看　　作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业，本次展会我们将聚焦智能电表核心应用，全方位展示适配电表场景的高可靠性器件方案：　　ESD 静电保护：SEU/SEH 系列 DFN/SOD 封装，低容值、高抗静电，适配以太网 / RS485/USB/ANT/ 键盘等多接口　　TVS 浪涌保护：SMBJ/SMAJ 系列，6V–440V 全电压段，600W 高功率，强效抵御雷击浪涌　　TSS 半导体放电管：P 系列高可靠性，满足 IEC 标准，通信口 / 电源口稳定防护　　全系列器件通过IEC61000-4-2/4/5等 EMC 测试，适配 1.2/50μs、8/20μs、10/700μs 标准波形，助力智能电表稳定可靠、合规入市。
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发布时间：2026-04-14 13:08 阅读量：748 继续阅读>>
国产替代优选!江西<span style='color:red'>萨瑞微</span>SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠
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国产替代优选!江西萨瑞微SRIC2231/3331P4：精准钳位无尖峰，IC保护更可靠

　　在工业控制、消费电子、车载设备等场景中，瞬态电压抑制器(TVS)的核心使命是保护后端精密IC免受浪涌、静电冲击。　　德州仪器(TI)TVS2200、TVS3300虽应用广泛，但江西萨瑞微SRIC2231P4凭借“VR与VC高度匹配、无峰值脉冲尖峰”的核心优势，成为IC保护场景的国产替代新标杆。以下通过核心参数对标，拆解其如何为IC筑牢安全屏障!　　核心优势提炼：实测性能全面超越　　DFN2020-6L 内部由芯片(集成有源电路，表面有焊盘)、键合线(金丝 / 铜线，连接芯片焊盘与引脚)、引脚框架(6 个引脚，传输信号并辅助散热)、塑封料(保护内部结构，绝缘防潮)和底部裸露焊盘(增强散热与 PCB 连接)组成，是 “芯片 - 键合线 - 引脚 - 塑封” 的紧凑集成结构。　　1. 更强大的抗浪涌能力(核心优势)　　实测数据：萨瑞SRIC2231P4的峰值脉冲电流 IPP 达到 80A，而竞品为 45A。　　客户价值：这意味着在遭遇极端浪涌事件(如雷击、电机启停)时，萨瑞产品能承受几乎翻倍的冲击电流，为后端电路提供更坚固的保护屏障，系统可靠性显著提升。　　2. 更优异的钳位性能(关键优势)　　实测数据：在28A的测试电流下，萨瑞产品的钳位电压 VC 为 26.4V - 26.8V，优于竞品的 26.9V - 27.2V。　　客户价值：更低的钳位电压意味着在泄放浪涌能量时，施加在被保护芯片(如PLC的IO口、USB控制器)上的电压应力更小，大大提高了系统生存率。　　3. 更大的芯片与更 robust 的内部工艺　　工艺细节：萨瑞采用 1.0mil合金线 * 10根 的键合引线方案，远超常规设计。　　客户价值：更大的芯片通常意味着更好的散热性能和更高的能量吸收能力。更多的键合引线大大降低了互联导线的寄生电感和电阻，确保了在大电流通过时的稳定性和可靠性，这是实现80A超高IPP能力的物理基础。　　4. 充裕的参数设计余量　　实测表现：在所有关键参数(如VBR, IR, VC)上，萨瑞产品的实测值不仅满足标准，且远离规格上限。　　客户价值：这代表了极高的一致性和良率，保证了批量生产的质量稳定，让客户用得放心。同时，充足的余量也意味着产品在高温、长时间工作等严苛条件下性能更加稳定。　　5. 完全兼容，直接替换　　封装：采用完全相同的 DFN2020-6L 封装。　　客户价值：客户在进行国产化替代时，无需修改任何PCB设计，真正实现了 “Drop-in Replacement” ，替换成本为零，切换风险极低。　　萨瑞微电子保护IC产品优势总结　　1. 性能对标国际大厂　　钳位电压、峰值脉冲电流、击穿电压等关键参数与TI产品高度一致。　　在高温、重复脉冲测试中表现出同等可靠性。　　2. 更优的性价比　　国产供应链优势，成本更具竞争力。　　供货稳定，交期短，支持定制化需求。　　3. 封装兼容　　采用DFN2020-6L封装，与TI的SON/WCSP封装引脚兼容，可直接替换。　　4. 全面认证　　符合IEC 61000-4-2/4-5等工业级EMC标准。　　通过RoHS认证，适用于绿色电子产品。
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发布时间：2026-03-20 14:44 阅读量：720 继续阅读>>
为智能健身注入高效动能|<span style='color:red'>萨瑞微</span>电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
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为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理

　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。
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发布时间：2026-01-20 11:49 阅读量：909 继续阅读>>
解决效率；电压尖峰问题！<span style='color:red'>萨瑞微</span>推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案
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解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

　　MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。　　核心参数优势　　器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。　　萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。　　效率与散热性能提升　　(输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A)　　更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)　　稳定的EMI性能　　传统MOS　　低Rds(on)+低Crss;Coss　　产品核心优势　　低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。　　低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。　　无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。　　萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
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发布时间：2026-01-15 10:07 阅读量：861 继续阅读>>
专为安防网通设计：<span style='color:red'>萨瑞微</span>电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航
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专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航

　　在安防监控、网络通信等设备中，各类接口(如RJ45网口、BNC视频端口等)常因静电放电(ESD)、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏，严重影响系统稳定性和使用寿命。　　针对这一痛点，江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC，以其大通流、低残压的卓越特性，成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。　　› 01 产品核心优势：大通流、低残压　　大通流能力　　800A 峰值脉冲电流(10/700μs波形)，可抵御强浪涌冲击，满足国内外安规要求。　　多次浪涌冲击后性能不衰减，可靠性高，适用于恶劣电磁环境。　　低容低残压　　残压(Vs)仅为4V(@10mA)，有效钳位过电压，避免后级电路受损。　　导通电压低，响应速度快，能为敏感电路提供更平顺的保护。　　低电容(≤30pF)，不影响高速信号完整性。　　短路失效模式，过载后仍可提供一定保护，避免开路风险。　　符合无铅环保标准(E3级)，适合出口与绿色制造。　　› 02 关键电气参数速览　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　工作温度范围：-40℃ ~ +125℃，适用于户外及工业环境。　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，P0080TB-MC在浪涌冲击测试中表现优异：　　测试结果：　　可通过 4.2KV 浪涌测试(对应峰值电流约 112A)　　极限测试在 4.8KV 时产品击穿，仍表现出较高的浪涌耐受能力　　残压表现：在 4.2KV 浪涌下，钳位电压仅约 25–26V，展现优异的低残压特性。　　结论：该产品可满足绝大多数安防、通信设备的雷击浪涌防护需求，具备高可靠性。　　› 04 典型应用方案推荐　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　用于交换机、路由器、网络摄像机等设备的以太网端口。　　P0080TB-MC并联在信号线与地之间，可有效吸收雷击感应、ESD等瞬态干扰，保护PHY芯片不受损。　　BNC视频端口静电浪涌防护方案　　适用于模拟摄像机、视频采集卡、监控矩阵等视频传输线路。　　在BNC接口的信号线与屏蔽层之间接入TSS，可抑制浪涌及静电脉冲，提升视频信号稳定性与设备寿命。　　选择萨瑞微，选择可靠　　在安防与通信设备日益追求高可靠性与长寿命的今天，端口防护已成为设计中的关键一环。　　萨瑞微电子P0080TB-MC TSS器件，凭借其大通流、低残压、高可靠的综合性能，为各类接口提供了一道坚固的“电压防火墙”，是工程师在安防、网通、工控等场景中实现稳健防护的优选器件。
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发布时间：2025-12-12 16:00 阅读量：1003 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞微</span>STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS
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江西萨瑞微STB58VCB651-T：专为POE端口防护而生的精密TVS

　　在网络设备迈向全智能化与高密度部署的今天，以太网供电(POE)技术已成为基石。其核心的48V电源端口，如同设备的“心血管”，至关重要却也异常脆弱。　　江西萨瑞微电子推出的 STB58VCB651-T瞬态电压抑制二极管，并非泛泛而谈的通用保护器件，而是一款为48V POE及DC电源端口静电浪涌防护精准定义的专业解决方案。　　› 01 精准定位：为何是58V?　　一切卓越防护始于精准的电压定位。STB58VCB651-T的反向断态电压(VRWM)为58V，这是一个极具针对性的设计。　　STB58VCB651-T核心参数　　完美匹配POE标准：IEEE 802.3bt标准下，58V的VRWM确保了TVS在设备正常工作时完全处于高阻态，漏电流极低(典型值<1µA)，如同一位沉默的哨兵，绝不干扰系统本身的电力传输。　　充足的安全裕量：为电源本身的波动和纹波预留了合理空间，杜绝了在正常工况下的误触发风险，保证了防护的“智能性”。　　› 02 核心防护参数深度解读：三重安全边界　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，STB58VCB651-T在浪涌冲击测试中表现优异：　　浪涌测试通过5.0KV：在10/700μs波形、40Ω阻抗条件下，样品可持续承受5.0KV的浪涌电压，冲击电流达130A，各项参数保持稳定。　　直流特性符合防护需求：在58V下的反向漏电流IR均低于0.02μA，表现出优良的绝缘特性，适用于48V系统防护。　　› 04 关键要点分析　　1. 响应速度的巅峰：其响应时间典型值小于1.0皮秒(ps)。这意味着从感应到过压到开始钳位的物理延迟极短，足以应对最前沿陡峭的ESD脉冲。　　2. 双波形防护能力：器件详细区分了10/1000µs(长时感应雷)和8/20µs(短时直击雷)两种标准浪涌波形下的性能。在8/20µs波形下IPP高达650A，展现了应对直接雷击感应电流的强悍实力。　　› 05 固定应用场景：POE端口的“贴身保镖”　　DC/48V 电源端口静电浪涌防护　　完美适配安防行业广泛采用的48V POE标准，为摄像机、无线AP等受电设备(PD)的电源入口提供第一道、也是最重要的电压钳位防线。　　POE端口静电浪涌防护方案　　TVS的接地路径必须尽可能短、走线宽，以减小寄生电感，确保高频浪涌电流能快速泄放。在紧凑设计中，TVS前端可串联小阻值电阻或磁珠，与后级设备输入电容形成退耦，优化钳位效果并分担应力。　　选择萨瑞微，选择可靠　　这颗料不仅是参数的集合，更是江西萨瑞微电子技术实力的体现。从精准的芯片设计、严格的晶圆制造到高可靠性的封装测试，萨瑞微通过IDM(垂直整合制造)模式实现了全流程品质可控。　　STB58VCB651-T凭借其精准的电压匹配、业界领先的响应速度、强大的浪涌吸收能力以及全面的工业级可靠性设计，已成功导入多家主流网络设备供应商的供应链，成为48V端口防护领域经过市场验证的标杆产品。
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发布时间：2025-12-08 13:41 阅读量：1030 继续阅读>>

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