三星/SK海力士存储器风生水起,韩封测业为啥这么惨-Ameya360 electronic components purchasing network

三星/SK海力士存储器风生水起,韩封测业为啥这么惨

Release time：2017-08-24

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三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等存储器业者在市场供不应求引起的价格上涨下，接连刷新自身业绩，但韩国封测业者却因疏于强化技术竞争力，逐渐陷入经营困境。

据韩媒ET News报导，Winpac是韩国存储器封测业者，也是IC设计业者TLi的子公司，从2015年起已经连续2年出现营业损失，2017年上半营业损失达34亿韩元(约298万美元)，更从2013年以来连续4年出现净损失，财务状况相当不理想。

最近Winpac面临必须提前偿还部分可转换公司债(Convertible Bond)的问题。Winpac在2020年8月期满的130亿韩元可转换公司债，有90多亿韩元被要求在2017年8月18日前偿还。为此Winpac向最大股东，同时也是TLi社长个人，以及关系企业Sensonia发行45亿韩元可转换公司债紧急筹绰资金。但若无法另外取得45亿韩元周转，公司则会陷入严重的流动性危机。

TLi为了帮助Winpac度过难关，已买下Winpac的机械设备，并借款约42亿韩元，但近期TLi的业绩也是大幅下滑，无力再提供其他帮助。传出TLi准备出售对Winpac的持股，但尚未出现合适买主。

ATsemicon也是封测订单减少，业绩走下坡，财务状况比Winpac更糟，流动负债比流动资产多482亿韩元，进入资产减损阶段，名列列管名单。

ATsemicon在2017年3月6日对Everline Clinic Group取得有偿增资20亿韩元后，立即在3月7日买下AT Plus发行的20亿韩元可转换公司债，但却因AT Plus违约取消，而ATsemicon直到2017年6月底都未能取回退款。

另一家封测业者Hisem分别在2015年与2016年发生营业赤字42亿韩元与34亿韩元。Hisem成立于2007年，前任SK海力士社长禹义济曾担任Hisem理事会议长，周星工程(Jusung Engineering)、KCTech、东进世美肯(Dongjin Semichem)也曾是主要股东，但2017年初公司股份已转让给Pan Asia Semiconductor。目前Pan Asia Semiconductor的最大股东是台湾私募基金，并传出准备在适当时机出售股份。

这3家业者都是存储器的封测业者，但因疏于研发新技术逐渐流失订单。韩国业界表示，特定领域的后段制程业者失去技术竞争力与不透明的财务会计流程，以致于逐渐陷入经营困境。

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初学者必看:存储器基础知识汇总

　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

2024-03-20 11:23 reading：901

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