长鑫存储300 台设备到位,中国首颗19纳米12寸DRAM今年推出!

Release time：2018-04-17
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source：国际电子商情
reading：2021

长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备基本全部到位，今年下半年将投片试生产......

4月15日，主题为“筑梦‘芯’高地，扬帆‘芯’征程”的国家集成电路重大专项走进合肥。本次活动持续两天，是集成电路业内的“顶尖级”盛会，首颗“合肥造”存储器有望于今年下线。由国家集成电路重大专项实施管理办公室、集成电路产业技术创新战略联盟、省经信委和合肥市政府主办，着力打造长江经济带泛半导体创新绿色发展先进产业集群。

长鑫存储300 台设备到位,中国首颗19纳米12寸DRAM今年推出!

据了解，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备基本全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产，大批知名品牌的电子产品有望在明年用上“合肥造”的存储器芯片。

长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国表示，截至4月15日，企业已经有1174名技术人员，44%来自省内。工厂在1月份开始设备安装，有望在2019年年底产能达到每月2万片。项目建成投产后，预计将占据世界DRAM市场约8%的份额。

目前长鑫项目正在装机过程中。今年有望造出第一颗“合肥造”的19纳米级12寸DRAM工艺的存储器，这是几年团队默默工作的成果。据了解，这也将会是首颗“合肥造”存储器。

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　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。
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　　半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。　　与磁盘和光盘装置等相比，具有　　数据读写快　　存储密度高　　耗电量少　　耐震　　等特点。　　关闭电源后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。　　半导体存储器的分类　　* RAM (Random Access Memory) ： 可自由对存储内容进行读写。　　* ROM (Read Only Memory) ： 只读存储器。　　各种存储器的特点
2023-08-18 10:32 reading：1787
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