供需失衡,DRAM与NAND Flash第四季至明年价格双双走跌

Release time：2018-10-10
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source：集邦咨询
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集邦咨询：供需失衡，DRAM与NAND Flash第四季至明年价格双双走跌

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，虽然下半年是产业旺季，但市场持续供过于求，DRAM第三季合约价格季涨幅缩小到仅1~2%，第四季可能反转下跌5%，也不排除跌幅持续扩大的可能性，终结价格连九季上涨的超级周期(super cycle)。而NAND Flash均价在第三季下跌约10%之后，第四季因受中美贸易摩擦波及，预估跌幅将大于第三季，扩大至约10~15%，渠道市场主流3D TLC颗粒合约价跌幅甚至将超过15%。

供需失衡,DRAM与NAND Flash第四季至明年价格双双走跌

服务器内存价格走弱拖累，2019年DRAM年均价恐下滑15~20%

DRAMeXchange指出，下半年削弱DRAM需求的主要原因，包括智能手机硬件规格已难以吸引换机需求，导致旺季出货表现平淡；服务器市场出货动能出现杂音，以及PC/NB市场因Intel平台供货不足而受到冲击等。

而观察下半年的供给状况，虽然各大原厂都意识到2019年供过于求的态势确定，因此试图延后或放缓增加资本支出以及新产能扩产计划。但由于1X/1Y制程的比重持续增加以及良率稳定提升，使得今年第三、四季度的位元产出持续增加，尤其以1Gb获利能力最佳的服务器内存为最。因此，服务器内存的价格恐怕很快将开始走弱，连带使得整体DRAM平均销售单价下跌。

展望2019年，虽然各家对后续新增产能的计划较为保守，但投片量仍逐渐上升，再加上明年也将持续受惠于1X/1Y制程进入成熟期，DRAMeXchange预计整体供给位元年产出将成长近22%。明年DRAM价格跌幅仍取决于需求端的变化，尤其是服务器的出货以及单机搭载量是否有足够的成长动能。目前预估2019年DRAM价格年均价将下滑约15~20%，但如果服务器以及智能手机需求出现重大修正，价格恐怕会有进一步下滑的风险。

3D NAND Flash产能续增，2019年NAND Flash价格续跌25~30%

NAND Flash市场同样受消费性电子产品需求不如预期影响，而服务器/数据中心对于Enterprise SSD需求虽然稳定成长，但由于产品毛利较高，成为NAND Flash原厂的必争之地，导致Enterprise SSD价格不断走跌。从供给端来看，2018年下半年由于64/72层3D NAND Flash的良率持续提升与产能扩增，主要供应商皆纷纷上修产出预测。

DRAMeXchange也预期，2019年上半年因处于传统淡季，加上中美贸易摩擦风暴持续发酵，因此对智能手机、笔记本电脑以及平板电脑等主要消费性产品的出货量预估都不乐观，价格持续走跌的可能性偏高。2019年下半年NAND Flash原厂是否放缓各自96层转进速度与新产能扩充的脚步，将是影响届时供需缺口的关键因素。以目前各厂商初步规画来看，2019年第四季NAND Flash整体产能会比2018年第四季增加5%，其中，3D产能将会较2018年第四季大幅增加20%。因此，DRAMeXchange认为，NAND Flash业者未来很可能下修原先对于2019年资本支出的规画。

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均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%
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均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面，三星以44.1%的市占排名第一；SK海力士位列第二，市占率为29.3%；美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同，集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外，集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS)，不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产，弥补 Line13 投片下滑，同时提高 1Z 制程比重，考虑到疫情对于需求的冲击，三星会审慎规划产出，今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器，增加 M14 产出，并将于下半年小幅提高无锡厂的产能，但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；至于华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。
2020-05-14 00:00 reading：1860
现货价格上扬，或带动DRAM合约价提前止跌
行业新闻

现货价格上扬，或带动DRAM合约价提前止跌

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM现货价的翻扬，改变了市场氛围……在预期性心理因素下，有利于合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。集邦咨询指出，之前1X纳米制程因为有退货状况，大量不良品以低价转销现货市场，导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在，但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备，使得这些不良品数量有效的消耗，带动现货价格开始上调。从整体供需状况来看，在历经近五个季度的库存调整，2019年第四季DRAM市场仍处于微幅供过于求，即便明年第一季DRAM的拉货状况可能呈现淡季不淡，但供需态势最快仍要到明年年中才会正式反转。不过，根据历史经验，价格上涨一向快于供需反转，因此集邦咨询原先预估DRAM的平均销售单价将在明年第二季初止跌上涨。然而，受到目前现货报价大涨的激励，以及服务器内存1X纳米制程的生产状况普遍不顺畅，影响了整体供货量，因此集邦咨询对2020年价格预测进行修正，2020年第一季时，虽然标准型内存、利基型内存与行动式内存价格预估仍较前一季小幅下跌，但服务器内存有机会率先领涨，带动整体DRAM平均销售单价较前一季持平。服务器与图形处理内存价格领涨根据集邦咨询观察，目前主流服务器内存模组成交量已经明显大幅增加，均价欲跌不易，服务器业者在DRAM备货的态度转趋积极。展望2020年第一季，由于1X纳米产品供货不顺影响持续，加上短期需求面展望强劲，预估服务器内存单价将正式反弹，季增幅约5%。除了服务器内存以外，集邦咨询也同时调整图形处理内存的价格预测；图形处理内存尤其是GDDR5，因为主要GPU芯片供应商库存已经调整完毕，目前已恢复采购力道，加上最新一代的GDDR6需求也持续增加，在买方预期涨价心理影响下，整体价格也将于第一季小幅上调。
2019-12-18 00:00 reading：1894
韩企 DRAM 芯片库存减少，内存芯片有望转好？
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韩企 DRAM 芯片库存减少，内存芯片有望转好？

据外媒报道，有半导体行业观察人士指出，历经了今年的惨烈暴跌后，韩国内存芯片产业有望在 2020 年出现好转迹象。 根据半导体市场专家的最新预测，在今年经历惨烈暴跌后，南韩内存芯片产业有望在 2020 年出现好转迹象，主要原因是 5G 设备需求持续增长、全球数据中心的投资开始复苏。 据了解，三星的半导体销售高度依赖 DRAM 和 NAND Flash 等储存装置。 受 DRAM 和 NAND Flash 内存价格持续下滑影响，今年 1 至 10 月，南韩半导体出口总值为 789.65 亿美元，比去年同期的 1071.70 亿美元大跌 26.3%。  据市场研究机构 DRAMeXchange 的数据显示，在需求疲软、库存水位高的背景下，DRAM 芯片的平均售价在今年上半年同比暴跌 20%至 25%后，近几个月来跌幅有所收敛。与此同时，该机构指出，随着下半年数据中心对 DRAM 芯片的采购需求，三星和 SK 海力士的库存量正在减少。     另外，据市场研究机构 IHS Markit 的一份报告显示，尽管预计全球芯片市场总收入在 2019 年会暴跌 12.8%至 4228 亿美元，但 5G 手机出货的暴涨将能带动 2020 年总收入达到 4480 亿美元，年增 5.9%。而目前，三星和 SK 海力士都已计划开始大规模生产第五代低功耗 DDR，此举可能会加速韩国内存市场复苏。
2019-11-27 00:00 reading：2040
DRAM第一季度恐跌价20% 问题出在库存高
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DRAM第一季度恐跌价20% 问题出在库存高

1月15日，DRAMeXchange最新报告指出，今（2019）年第一季度DRAM的合约价将由原先预估较前一季衰退15%，扩大到近20%，尤其以服务器存储器的下滑最为明显。去(2018)年12月正处于欧美的新年节假日时期，DRAM成交量低迷，因此不列入合约价计算，这意味着12月的DRAM合约价与11月大致持平，主流模组8GB均价仍在60美元，而4GB约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。DRAMeXchange指出，今年第一季度合约价已于去年12月开始议定，考虑到库存过高、需求低于预期以及短中期经济展望不明朗等因素， 8GB的合约价已经降至55美元或更低水平，预计1月份合约价将较上一个月下跌至少10%，且2、3月价格持续下滑的可能性极高。整体来看，第一季度价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%，扩大到到近20%，其中，用于服务器的存储器价格下滑最明显。DRAM目前面临的最大问题不是供给端的增加，而是因为去年第四季度进入淡季所导致的库存攀高。在所有供应商中，美光为了去库存而降价的幅度最大，而韩厂由于降价幅度小，导致了出货量少，今年第一季度库存攀升问题越来越严重。因此，库存水位的不断上升成为了DRAM价格的最大阻力，预计从去年第四季度开始的DRAM跌价将会延续一年以上。DRAMeXchange指出，虽然DRAM从去年下半年便开始走低，但由于产业集中度高，低价竞争会损失巨大的营收，因此各大存储器厂商今年都开始减少资本支出，来维持DRAM价格的稳定和市场供需的平衡。另外，产业上游的原厂利润太高，导致了下游的存储器模组厂和客户的获利空间受到压缩。在2017年，由于模组厂手中持有低价库存，在DRAM价格短期飞涨的情况下大赚了一笔，但是随着价格不断走高，单位价差获利空间变小，模组厂只能从加工费用中获利。DRAM价格开始下跌后，下游模组厂的库存损失惨重，很多下游厂商在去年的获利想要于2017年仅剩一成水平，有的还遭遇了亏损。预计DRAM今年将会持续低迷，下游厂商亦将面临更大的考验。
2019-01-16 00:00 reading：1748
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