斥资约61亿元 联电拟扩充8,12英寸产能

Release time：2018-12-14
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source：黄敬哲
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近日，晶圆代工大厂联电召开董事会，通过资本预算，预计投资 274.06 亿新台币（约合人民币61.3亿元），将用来扩充 8、12英寸晶圆厂产能。

联电表示，目前 8英寸厂产能优化，将会以子公司苏州和舰科技为主，预计将扩充 1 万片，而 12 英寸厂则是厦门联芯，将从 1.7 万扩充到 2.5 万片，计划提升近 47%。主要工程在于去瓶颈化及自动化以强化生产效率。去瓶颈化是指在现有制程中因设备能力限制了产能的部分加以扩大或改建，相较新建工厂的成本较低。

另外也有计划扩充新加坡及南科厂的产能，同样也会进行去瓶颈化，以迎合市场需求。联电这次揭露的资本预算，主要是编列今年与明年可预见要执行投资的金额，至于实际支出的时间点，则要视相关执行进度而定，且市场目前杂音仍重，可能还会有变量。

整体而言，明年支出应与今年差距不大。联电表示，目前 8英寸产能仍然满载，12 英寸成熟制程也相当稳健，不过先进制程方面利用率则较低，本季整体产能利用率可能低于 9 成。市场预期，联电本季营收将可能降低近一成，而明年还要面临传统淡季，业绩表现并不乐观。

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联电、世界先进、力积电等厂商纷纷调整产线
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联电、世界先进、力积电等厂商纷纷调整产线

　　据报道显示，三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等韩国晶圆代工厂，近期的成熟制程产能利用率都仅有40%至50%。由于终端需求持续疲软，上述三家韩国晶圆代工厂已决定关掉某些成熟制程设备，进行“热停机”。　　据悉，电子制造业的生产线非常复杂，涉及到许多设备和机器。当需求不振时，制造商会采取“热停机”(Warm Shutdown)策略，关闭一些闲置产能设备。尽管这些设备仍然处于“通电”状态，但生产线上的工作人员不会让它们生产，因为这会导致设备的能耗大幅增加。如果必须生产，他们会尽可能地缩短生产时间，以免需要重新检查设备。一旦设备断电，重新启动需要一段时间进行调整。现在，晶圆代工业者开始出现热停机现象，这意味着这些制造商不看好短期内的订单情况。　　该报道指出，联电先前在法说会上坦言，本季没有看到市场需求强劲的复苏迹象，其中，8英寸晶圆厂产能利用率比12英寸晶圆厂低，因此，该公司确实会有策略性管理产线的措施，订单上则和客户配合。　　世界先进方面，该公司先前已于法说会表示，本季整体终端需求仍弱，客户备货保守、订单能见度维持三个月。　　力积电则说，在产能利用率不是太高的状态下，一切成本也要将电费纳入考虑，该公司会重新整理、管理生产线，进行成本上调控，这段时间公司除了要节约，还要“练兵”，储备研发量能。　　除了调整产线措施外，近期市场传出，继台积电、世界先进之后，今年韩国8英寸晶圆代工行业也纷纷下调价格，原因是IT需求低迷导致代工利用率下降以及向12英寸工艺的转换产生了影响。
2023-08-23 09:15 reading：2790
联电再度发澄清声明:和美光DRAM技术完全不同
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联电再度发澄清声明:和美光DRAM技术完全不同

　　近日台湾地区联华电子在其公司网站上发布有关近期和美光及美国法律案件的后续声明，表示联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。对于和福建晋华的合作，联华电子表示，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易。　　联华电子表示，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。这和美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象相反。　　联华电子表示，38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14纳米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32纳米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。　　联华电子表示，社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。　　另一个实例则是： Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。　　联华电子称，另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米DRAM技术。　　而对于和福建晋华的合作，联华电子表示，同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾当局正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。　　联华电子称，自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。　　联华电子最后表示：不要“在报刊上”进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。
2018-11-14 00:00 reading：2209
TDDI市场爆发,联电计划将80nm工艺产能翻倍
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TDDI市场爆发,联电计划将80nm工艺产能翻倍

据台湾产业界人士透露，联电计划在2018年第四季度将其80nm工艺产能翻倍，以满足日益增长的TDDI芯片需求。而这一芯片的主要增长点就是在全面屏智能手机市场。瑞士信贷指出，预计今年TDDI芯片在智能手机中的渗透率将会达到20%到30%，明年将会有更多的智能手机导入全面屏，渗透率甚至会达到40%。CINNO Research预计，今年TDDI芯片的实际出货量将超过3亿颗，比2017年增长70%，2020年TDDI市场规模可望达到55亿元，比2018年的30亿元增长近一倍。包括联咏、硅创、谱瑞、敦泰等在内的IC设计厂，尤以联咏TDDI发酵，推升了第二季度盈利。有外媒分析称，联咏第三季度TDDI预计出货3500至4000万颗，加上SoC与大尺寸面板DDI产品贡献，单季营收有机会季增5%，创近四年高。未来随全面屏渗透提升，联咏市占与ASP还有成长空间。据了解，中国台湾地区很多TDDI供应商都是采用联电的80nm制程技术生产TDDI芯片，随着TDDI市场爆发，供应商对此的需求势必迎来暴涨。而目前TDDI芯片供应商采用联电80nm制程生产的晶圆数量在2018年上半年大概维持在20000片/月。联电的扩产计划或将能够帮助供应商从第四季度开始增加TDDI芯片的供应量。
2018-08-30 00:00 reading：1868
联电美光法律大战,看3个重点
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联电美光法律大战,看3个重点

联电和美光打全球法律大战，会不会对联电未来营运投下变量？今年 6 月，美光和联电的法律纠纷登上《纽约时报》。 目前，美光在台湾指控联电 3 名员工和联电窃取美光的营业秘密，在美国则同时控告联电和晋华。 联电则拿出 2 项半导体专利，在福州反告美光侵害联电的专利权，福州法院也以近似台湾假处分的「诉中禁令」，禁止美光在中国销售部分产品。根据《纽约时报》的报导，「美光科技在诉讼中表示，联电和晋华没有开启设计芯片所需的漫长旅程，而是决定采取盗窃的方式。 」联电官方发言管道则表示，联电有自主研发能力，严肃否认美光指控对这场官司，联电很有信心。《财讯》取得美国和台湾案件的起诉书，采访寰瀛法律事务所执行长李立普律师，他在涉外诉讼有多年经验。李立普说目前 2 家公司在法律战上是各擅胜场。 「站在美光的立场，如果发现公司的营业秘密受损，他一定要告，否则就是没尽到保护营业秘密的责任。 」这场法律大战的第一个重点，是联电是否有授意员工偷美光的营业秘密，「联电既然也对这名员工提告，应该是表达联电并没有授意员工这么做，因此采取这个策略。 」「就像我聘一个人替我煮牛肉汤，他的原东家说他偷了食谱，在我这里发现了食谱，也发现了牛肉汤，但这碗牛肉汤是不是就是根据食谱煮出来的？ 不一定。 」他认为，第二个重点是，是否有直接证据证明联电用了美光的技术。在美国诉讼部分，李立普分析，美光是用违反营业秘密和加州民事反勒索及受贿组织法（Civil RICO）等依据，控告晋华和联电，关键仍在于是否侵犯营业秘密。「在美国，约 90% 的诉讼最后都和解」他分析，第三个重点，是双方谈判的状况，因为，美光在美对联电提出诉讼，如达成和解，是可撤回的，台湾的诉讼也可能因此从轻发落。 相对的，联电在中国对美光提出侵害专利权的诉讼，让美光部分产品在中国禁售，如果必要，联电还能再拿手上的专利在中国控告美光的其他产品或相关客户，扩大禁售范围。 美光要告联电，就得把中国市场的损失也考虑进去，联电如果把经营晶圆代工累积的专利都用上，美光也必须考虑可能的代价。「这个诉讼就是两个公司对营业秘密及商业策略的争执与交锋，本质跟中美贸易没有直接的关系。 」李立普说，最终可能还是要靠两家公司坐下来摊牌谈条件，才会尽速落幕。
2018-08-20 00:00 reading：1977
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