DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

Release time：2019-02-27
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source：集微网
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这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。

 

根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。

 

由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。

 

目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。

 

另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。

 

之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。

 

DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

 

同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。

 

之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。

 

DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？


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如何选择反射内存卡
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如何选择反射内存卡

　　选择反射内存卡时，需要考虑以下几个关键因素：　　1.传输速度和延迟：根据您的应用对数据实时性的要求，选择具有合适传输速度和低延迟的反射内存卡。如果是对时间要求极为苛刻的系统，如航空航天仿真、高速工业控制等，应优先选择具有纳秒级延迟和高传输速率的产品。　　2.内存容量：确定所需的内存容量，以满足系统在特定时间段内存储和共享数据的需求。如果数据量较大或者需要长时间保存数据，应选择具有较大内存容量的反射内存卡。　　3.节点数量支持：考虑您的系统中需要连接的节点数量。不同型号的反射内存卡支持的节点数量有所不同，确保所选产品能够满足您的网络规模需求。　　4.接口类型：常见的接口类型包括 PCI、PCIe 等。需要确保反射内存卡的接口与您的计算机或设备的总线兼容。　　5.工作环境：如果应用场景存在特殊的环境条件，如高温、高湿度、强振动等，应选择具有相应工业级防护和稳定性的反射内存卡。　　6.操作系统兼容性：确保所选的反射内存卡能够与您使用的操作系统(如 Windows、Linux、VxWorks 等)兼容，并提供相应的驱动程序和软件支持。　　7.可靠性和容错性：一些反射内存卡具有冗余传输模式、错误检测和纠正功能等，以提高数据传输的可靠性和容错能力。在关键应用中，这些特性尤为重要。　　8.品牌和售后服务：选择知名品牌的反射内存卡，通常能保证产品质量和性能。同时，良好的售后服务可以在出现问题时提供及时的技术支持和维修保障。　　9.成本预算：根据项目预算，在满足性能和功能需求的前提下，选择性价比高的产品。　　10.扩展性：如果未来可能会对系统进行扩展或升级，选择具有良好扩展性的反射内存卡，以便能够轻松适应新的需求。　　例如，如果您正在开发一个航空航天领域的实时仿真系统，对数据传输的实时性和准确性要求极高，同时需要连接多个节点，并且系统运行环境较为复杂。在这种情况下，您可能会选择一款具有高传输速度、低延迟、大容量内存、支持较多节点、具备容错功能、能在恶劣环境下稳定工作，并与您所使用的操作系统兼容的工业级反射内存卡，尽管其价格可能相对较高，但能满足系统的关键性能需求。 总之，选择反射内存卡需要综合考虑上述因素，并根据具体的应用场景和需求来权衡各方面的利弊，以找到最适合的产品。
2025-07-21 15:42 reading：233
内存的种类都有哪些?有什么区别
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内存的种类都有哪些?有什么区别

　　在计算机领域中，内存是一种关键的硬件组件，用于存储数据和程序代码，以便 CPU 快速访问。不同类型的内存具有各自独特的特点和用途，本文将详细介绍几种常见的内存类型及它们之间的区别。常见的内存类型　　1. RAM　　RAM 是计算机中最常见的内存类型之一，用于临时存储正在运行的程序和数据。RAM 可以快速读写数据，但是当电源关闭时数据会被清空。RAM 主要分为以下两种类型：　　DRAM(Dynamic RAM)：DRAM 需要定期刷新以保持数据的有效性，是最常见的 RAM 类型之一。　　SRAM(Static RAM)：相比 DRAM，SRAM 不需要刷新，速度更快，但成本更高，通常用于高速缓存。　　2. ROM　　ROM 是另一种类型的内存，其中的数据通常由制造商预设并固化在芯片中，用户无法直接修改。ROM 中的数据在断电后仍然保持不变，因此常用于存储启动程序和固件。　　3. EEPROM　　EEPROM 具有可擦写功能，允许用户多次写入和擦除数据，通常用于存储设备配置信息和小程序。　　4. Flash Memory　　Flash 存储器类似于 EEPROM，但更快、更便宜，广泛用于移动设备、SSD 和 USB 驱动器等应用。　　5. Cache Memory　　高速缓存内存在 CPU 和主内存之间起到桥梁作用，加快数据访问速度。Cache 分为多级，包括 L1 Cache、L2 Cache 和 L3 Cache 等。　　2.内存种类之间的区别　　1. 存储速度　　不同类型的内存具有不同的存储速度。例如，Cache Memory 是最快的，而 ROM 在读取数据时速度较慢。　　2. 数据保持性　　RAM 是易失性内存，关机后数据丢失，而 ROM 和 Flash Memory 是非易失性内存，数据可以长时间保持。　　3. 擦写能力　　EEPROM 和 Flash Memory 具有擦写能力，用户可以多次修改其中的数据，而 RAM 和 Cache Memory 只能暂时存储数据。　　4. 用途　　不同类型的内存用途各异，例如 RAM 用于运行程序，Cache Memory 用于提高数据访问速度，ROM 用于存储程序固件等。　　内存是计算机系统中重要的组件，不同类型的内存各有优劣，适用于不同的场景和需求。了解各种内存类型的特点和区别，可以帮助人们选择适合其需求的存储解决方案，并更好地理解计算机系统的工作原理。
2024-09-14 09:25 reading：1151
华为内存芯片订单出现高峰，三星Q3净利大涨58.1%
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华为内存芯片订单出现高峰，三星Q3净利大涨58.1%

与非网 10 月 9 日讯，全球最大的内存芯片和个人电子产品制造商三星电子于周四发布了未经审计的初步业绩预报。据报告显示，其第三季度营业利润同比大增 58.1%至 12.3 万亿韩元(106 亿美元)，超过市场预期的 10.5 万亿韩元（约合 90.7 亿美元） 三星预计，第三季度的综合销售额约为 66 万亿韩元，较上年同期增长约 6.5%。尽管该公司没有提供每个业务部门的业绩明细，但一些分析师此前预测，第三季度业绩将受到 2020 年下半年智能手机销量上升和整体内存相关收益上升的推动。三星公布，在 4 月至 6 月的三个月里，营业利润增长了近 23%，达到 8.1 万亿韩元(约合 70 亿美元)。本月晚些时候，三星将公布第三季度业绩。 分析师认为，三星业绩提振是由于美国要在 9 月 15 日之后实施对华为的制裁，使华为增加了内存芯片的订单。野村高级分析师 CW Chung 在接受日经亚洲评论采访时表示，“我们认为，由于美国的制裁，华为的订单出现了高峰。华为的额外订单似乎比我们之前估计的要大。”  华为是内存业务的采购大户，每年都要花费约 10 万亿韩元（约合 81 亿美元）从包括三星电子、SK 海力士等在内的韩国供应商购买内存和闪存芯片。在 9 月 15 日美国禁令生效之前，华为已经储备了大约六个月的额外库存。」三星证券分析师 MS Hwang 在接受彭博社采访时表示。 在上个月美国制裁启动前，华为囤积了大量半导体产品，三星电子的内存业务也从中受益。HI Investment&Securities 分析师 Song Myung-sup 也表示：华为 8 月下旬的紧急订单推高了三星的 DRAM 和 NAND 芯片出货量，抵消了业务疲软的影响，并阻止了本季度半导体利润的下降。 除内存业务受益之外，三星电子的智能手机业务利润也有可能会大幅增加。 受上半年疫情抑制手机销售的影响，下半年智能手机销售将出现反弹。据市场研究机构 Counterpoint Research 的数据显示，第三季度三星智能手机出货量可能比第二季度增长 48%，从 5420 万部增至 8000 万部。 目前苹果公司的 5G iPhone 上市时间推迟到 10 月，而华为也被削弱，在第三季度里，三星的外部竞争压力相对较小。得益于大流行期间营销费用的减少，三星电子的整体盈利能力将显著提高。
2020-10-09 00:00 reading：1993
4800MHz频率起跳 DDR5内存标准正式公布
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4800MHz频率起跳 DDR5内存标准正式公布

JEDEC固态存储协会于今日正式发布了DDR5SDRAM标准（JESD79-5），为全球计算机拉开新时代序幕。简言之，DDR5内存芯片Bank数量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD电压从DDR4的1.2V降至1.1V，也就是减少功耗。此外，芯级ECC、更好的设计伸缩性、更高的电压耐受度等都保证了性能、产能、工艺水准等。按照JEDEC的说法，DDR5内存的引脚带宽（频率）是DDR4的两倍，首发将以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的标准频率3200MHz增加了50%之多，总传输带宽提升了38%，未来将最高摸到8400MHz左右。基于新标准的硬件预计将于2021年推出，先从服务器层面开始采用，之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。更快：一个DIMM，两个通道DDR5再次提高了内存带宽。每个人都希望获得更高的性能（尤其是在DIMM容量不断增长的情况下），这也是这次DDR5提升的重点。对于DDR5来说，JEDEC希望比通常的DDR内存规范更积极地开始工作。通常情况下，新的标准是从上一个标准的起点开始的，例如DDR3到DDR4的过渡，DDR3正式停止在1.6Gbps，DDR4从那里开始。然而对于DDR5来说，JEDEC的目标要高得多，预计将以4.8Gbps的速度推出，比DDR4官方3.2Gbps最高速度快了50%左右。而在之后的几年里，当前版本的规范允许数据速率达到6.4Gbps，比DDR4的官方峰值快了一倍。这些速度目标的基础是DIMM和内存总线的变化，以便在每个时钟周期内提供和传输更多数据。对于DRAM速度来说，最大的挑战来自于DRAM核心时钟速率缺乏进步。专用逻辑仍然在变快，内存总线仍然在变快，但支撑现代内存的基于电容和晶体管的DRAM时钟速度还不能超过几百兆赫。因此，为了从DRAMDie中获得更多的收益--维持内存本身越来越快的假象，并满足实际速度更快的内存总线--已经需要越来越多的并行性。而DDR5则再次提升了这一要求。这里最大的变化是，与LPDDR4和GDDR6等其他标准情况类似，单个DIMM被分解为2个通道。DDR5将不是每个DIMM提供一个64位数据通道，而是每个DIMM提供两个独立的32位数据通道（如果考虑ECC因素，则为40位）。同时，每个通道的突发长度从8个字节(BL8)翻倍到16个字节(BL16)，这意味着每个通道每次操作将提供64个字节。那么，与DDR4DIMM相比，DDR5DIMM以两倍的额定内存速度（核心速度相同）运行，将在DDR4DIMM提供的操作时间内提供两个64字节的操作，使有效带宽增加一倍。总的来说，64字节仍然是内存操作的神奇数字，因为这是一个标准缓存线的大小。如果在DDR4内存上采用更大的突发长度，则会导致128字节的操作，这对于单条高速缓存线来说太大，如果内存控制器不想要两条线的连续数据，充其量也会导致效率/利用率的损失。相比之下，由于DDR5的两个通道是独立的，一个内存控制器可以从不同的位置请求64个字节，这使得它更符合处理器的实际工作方式，并避免利用率的损失。对标准PC台式机的净影响是，取代了DDR4系统模式，即2个DIMM填满2个通道进行2x64bit设置，而DDR5系统的功能将是4x32bit设置。这种结构上的变化在其他地方有一些连锁效应，特别是要最大限度地提高这些小通道的使用率。DDR5引入了更细粒度的Bank存储体刷新功能，这将允许一些k存储体在其他使用时进行刷新。这就能更快地完成必要的刷新（电容补给）、控制延迟、并使未使用的存储库更快可用。存储体组的最大数量也从4个增加到8个，这将有助于减轻顺序内存访问的性能折扣。
2020-07-17 00:00 reading：1945
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