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存储行业终于迎来曙光？明年的NAND Flash市场将一鸣惊人

Release time：2019-12-05

author：AMEYA360

source：与非网

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　　NAND Flash 和 DRAM 市场在 2019 年可能不太景气，但是据相关调查机构研究发现，明年的 NAND flash 和 DRAM 将迎来强势增长。

　　IC Insights 预测，2020 年 NAND flash 和 DRAM 将强势成长，销售增幅在 33 种主要 IC 产品中，将分居第一、第三名。

　　IC Insights 表示，2020 年预测成长最快 IC 产品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。今年这两项商品的市场崩盘，2019 年 NAND flash 销售重挫 27%、估计 2020 年将强弹 19%。 2019 年 DRAM 销售狂摔 37%，表现在所有 IC 产品中垫底，2020 年 DRAM 买气将提高 12%。

存储行业终于迎来曙光？明年的NAND Flash市场将一鸣惊人

　　图片来源：IC Insights

　　明年高密度和高性能的 NAND flash 需求，会因固态运算提高。行动、数据中心、云端服务器的 5G 联网、人工智能、深度学习、虚拟现实的动能提高，车用和工业市场也持续畅旺，预料将带动 NAND flash 和 DRAM 大幅成长。

　　新车的电子组件不断增加，估计将让「汽车 - 特定用途逻辑芯片」(Auto—Special-Purpose Logic)在新一年持续有稳健表现。实际上，汽车 - 特定用途逻辑芯片和嵌入式微处理器(Embedded MPUs)，过去三年来，都是 IC 产品中成长最快的前五强。

　　近年来，汽车 IC 是好几项 IC 产品的成长推手，特别是汽车 - 特定用途逻辑芯片。能改善车辆表现、提升安全性、增添乘客便利性的电子系统，持续或强制加入新车种。自动驾驶功能进化和电动车普及，也让新车的平均半导体含量增加。

　　而 NAND Flash 在今年第三季度已有回温的势头，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2019 年第三季 NAND Flash 产业营收表现，受惠于年底销售旺季以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加，激励整体位元出货量成长近 15%，另一方面在供应商库存水位改善下，抑制了以低价对 Wafer 市场倒货的力道，进而带动合约价跌幅收敛，第三季产业营收季成长为 10.2%，达到约 119 亿美元。

　　DRAM 方面，根据集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2019 年下半年 DRAM 需求端的库存已回到较健康的水位，加上部分业者为避免日后可能加征关税带来的负面冲击，在第三季提前备货，带动 DRAM 供货商第三季的销售位出货量(salesbit)大增，连带推升 DRAM 总产值季成长 4%，达 154.5 亿美元。

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　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

2024-03-20 11:23 reading：904

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