美方欲搅乱全球芯片供应？华为还有路可走吗？

Release time：2020-05-21
author：AMEYA360
source：与非网
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　　上周五，美国商务部宣布，将通过新修改的“外国直接产品规则”(FDPR)，进一步切断全球芯片产业链同华为的联系。这是美国对于我国芯片领域的断供再一次的升级，而他们这一次的目的是将切断全球芯片供应。

美方欲搅乱全球芯片供应？华为还有路可走吗？

　　从表面上来说是取得他们的认可，而实际上他们就是想要切断各个芯片公司对于我国芯片的供应。

　　而且美国这一次提出的计划是面向的整个地球，也就是说全世界的公司如果采用了美国的专利，那么要向我国提供零部件，就要取得他们的许可。意味着我国从以前的芯片研制技术被封锁，发展到了现在的芯片生产设备技术和软件的封锁。

　　反观全球智能手机芯片已经向着 5 纳米级迈进，但全球 7 纳米芯片的代工仅有台积电有能力量产，中国中芯国际目前也仅具备 14 纳米的批量生产能力。作为中国唯一一家研制出 7 纳米级芯片的企业，华为目前的 7 纳米芯片代工也只能交由台积电。而且在 2020 年下半年华为将首发的 5 纳米级芯片暂定为麒麟 1000 或麒麟 1020，是其与苹果、高通芯片竞争的资本。

　　如果台积电一旦受限于本次管制计划，华为下半年搭载 5 纳米芯片的 Mate40 能否按时发布或者量产我们都不得而知。

　　目前，华为智能手机和部分网络设备使用的芯片主要由海思设计，而芯片制造订单基本都被台积电接管，而中芯国际是近期华为转单的方向。一些业内专家对中芯国际是否需要遵守美国新的制裁而抱持怀疑的态度。

　　中国台湾芯片行业高管则辩称，美国政府此举将导致中美争夺技术霸主地位的斗争急剧升级，也许有厂商将接管海思在台积电的部分业务。

　　而在这时，如果有厂商挺身而出，几乎肯定会被美国列入黑名单之中，这样的发展可能是美国攻击华为供应链的更为广泛影响的一部分。

　　理论上，对于更先进的制程，很少有厂商能够替代台积电。

　　上个月，华为已经表示联发科的芯片是一个潜在替代来源。但华为在电信网络业务方面将面临不小的问题，为电信基站供电的 Asic 芯片目前还没有替代供应商。中国台湾半导体企业高管表示，过去一年，海思和华为都加大了库存，因此目前在中国大陆的 5G 订单可能能够完成，但前景难以预计。

　　因此，华为更可能的选择是向联发科购买手机芯片。联发科已为包括小米和 OPPO 在内的多家大陆企业供货，行业分析师表示，由于联发科的芯片不是定制的，因此不受美国针对华为的新管制措施。

　　2019 年至今美国以各种手段打压华为，但华为 5G 市场订单依然位居全球第一。而近期一份报告显示，在去年的“实体清单”后美国排名领先的半导体公司每季度收入中位数均下降 4%至 9%不等。

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工信部：加快突破训练芯片、异构算力等关键技术！
行业新闻

工信部：加快突破训练芯片、异构算力等关键技术！

　　1月21日上午10时，国务院新闻办公室举行新闻发布会，请工业和信息化部副部长张云明介绍2025年工业和信息化发展成效以及下一步部署。　　他表示，国内企业发布多款人工智能芯片产品，智能算力规模达1590EFLOPS，行业高质量数据集加速涌现，国内大模型引领全球开源生态。据有关机构测算，2025年我国人工智能企业数量超过6000家，核心产业规模预计突破1.2万亿元。目前，人工智能已渗透领航工厂70%以上的业务场景，沉淀了超6000个垂直领域模型，带动1700多项关键智能制造装备与工业软件规模化应用，形成一批具备感知、决策和执行能力的工业智能体，推动智能制造从“自动化”向“自主化”演进。　　近期，工信部联合7部门出台《“人工智能+制造”专项行动实施意见》，并配套制定了行业转型指引和企业应用指南。下一步，我们将以落实《实施意见》为抓手，加快推动人工智能产业高质量发展。抓好技术创新，加快突破训练芯片、异构算力等关键技术。抓好融合应用，聚焦软件编程、新材料研发、医药研发、信息通信等行业领域，体系化推动大小模型、智能体实现突破。抓好企业培育，激发涌现更多赋能应用服务商。抓好生态建设，加快制定行业急需标准，健全人工智能开源机制。抓好安全治理，强化算法安全防护、训练数据保护等攻关应用，提升企业伦理风险防范能力。
2026-01-26 17:52 reading：328
复旦大学研发出“纤维芯片”，攻克柔性电子核心瓶颈！
行业新闻

复旦大学研发出“纤维芯片”，攻克柔性电子核心瓶颈！

　　据科技日报报道，智能设备的“柔性化”始终卡在一个关键瓶颈：作为“大脑”的芯片，长久以来都是硬质的。复旦大学彭慧胜/陈培宁团队成功在弹性高分子纤维内部，构建出大规模集成电路，研发出全新的“纤维芯片”，为解决“柔性化”难题提供了新的有效路径。这项成果于1月22日发表在国际期刊《自然》上。图为成卷的“纤维芯片”。复旦大学供图　　传统芯片的制造，主要是在平整稳定的硅片上构建高密度集成电路。而复旦团队的思路是“重构形态”——他们提出“多层旋叠架构”。“这好比把一张画满精密电路的平面图纸，螺旋式地嵌入一根细线中。”论文第一作者、博士生王臻如此比喻。该设计使纤维内部的空间得到极致利用，实现了一维受限尺寸内的高密度集成。“纤维芯片”虚拟现实应用示意图和实物图。复旦大学供图　　然而，在柔软、易变形的纤维中制造高精度电路，难度无异于在“软泥地”里盖高楼。为此，团队开发了与目前光刻工艺有效兼容的制备路线。他们首先采用等离子体刻蚀技术，将弹性高分子表面“打磨”至低于1纳米的粗糙度，有效满足商业光刻要求。随后，在弹性高分子表面沉积一层致密的聚对二甲苯膜层，为电路披上一层“柔性铠甲”。这层保护膜不仅可以有效抵御光刻中所用极性溶剂对弹性基底的侵蚀，还能缓冲电路层受到的应变，确保纤维芯片在反复弯折、拉伸变形后，电路层结构和性能依然稳定。　　相关制备方法可与目前成熟的芯片制造工艺有效兼容，为其从实验室走向规模化制备和应用奠定了坚实基础。　　该成果有望为纤维电子系统的集成提供新的路径，有望实现从“嵌入”到“织入”的转变，助力脑机接口、电子织物、虚拟现实等新兴领域的变革发展。
2026-01-22 16:38 reading：351
二十年困局被破解！西电团队攻克芯片散热难题
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二十年困局被破解！西电团队攻克芯片散热难题

　　近日，西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破，成功解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题。相关成果已发表于国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》。　　该研究的核心在于改善半导体材料层间的界面质量，特别是第三代半导体氮化镓与第四代半导体氧化镓之间的高效集成。　　传统方法采用氮化铝作为中间层，但其在生长过程中会自发形成粗糙、不规则的“岛屿”结构，这一自2014年诺贝尔奖相关成果以来始终未能根本解决的难题，严重制约了射频芯片功率的提升。　　研究团队通过创新性地在高能离子注入技术，使晶体成核层表面变得平整光滑，从而将界面的热阻降低至原先的三分之一，有效解决了高功率半导体芯片的共性散热问题。　　基于此项突破，团队研制出的氮化镓微波功率器件，其单位面积功率较当前市面上最先进的同类器件提升了30%至40%。　　据团队成员周弘教授介绍，这项技术意味着未来探测设备的探测距离将显著增加，通信基站则可实现更广的信号覆盖与更低的能耗。　　对于普通用户，该技术也有望逐步带来体验升级。周弘指出：“未来若在手机中应用此类芯片，在偏远地区的信号接收能力会更强，续航时间也可能延长。”团队目前正进一步研究将金刚石等超高热导材料应用于半导体，如能攻克相关技术，半导体器件的功率处理能力有望再提升一个数量级，达到当前水平的十倍甚至更高。　　这项突破不仅打破了长期存在的技术瓶颈，也为未来半导体器件向更高功率、更高效率发展奠定了关键基础。
2026-01-20 13:15 reading：357
我国芯片制造核心装备取得重要突破
行业新闻

我国芯片制造核心装备取得重要突破

　　近日，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机(POWER-750H)成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。　　离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。　　长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快发展新质生产力提供强有力技术支撑。
2026-01-20 13:12 reading：330
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