瑞萨电子宣布推出R-Car V4H片上系统 深度学习性能高达34 TOPS

发布时间：2022-04-19 10:13
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2355

　　近日，瑞萨电子集团宣布，推出R-Car V4H片上系统(SoC)——用于高级驾驶辅助(ADAS)和自动驾驶(AD)解决方案的中央处理。R-Car V4H的深度学习性能高达34 TOPS(每秒万亿次运算)，能够通过汽车摄像头、雷达和激光雷达(LiDAR)对周围物体进行高速图像识别与处理。

瑞萨电子宣布推出R-Car V4H片上系统 深度学习性能高达34 TOPS

　　R-Car V4H凭借一流IP与专业硬件优化的精心组合，造就了业界领先的性能功耗比，适用于自动驾驶应用大规模量产区间：即Level 2+和Level 3等级市场。

　　瑞萨电子宣布推出R-Car V4H片上系统 深度学习性能高达34 TOPS

　　得益于高度的集成性，R-Car V4H允许客户开发具有成本竞争力的单芯片ADAS电子控制单元(ECU)。这些控制单元可支持适合Level 2+和Level 3等级的自动驾驶系统，包括完整的NCAP 2025功能。R-Car V4H还支持环视和自动泊车功能，并具有优异的3D可视化效果实现逼真的渲染效果。

　　瑞萨电子汽车数字产品营销事业部副总裁吉田直树表示：“我们已经得到了众多客户对于瑞萨已量产的R-Car V3H和V3M的积极反馈，也很高兴看到R-Car V4H的问世更强化了我们的产品阵容。随着瑞萨扩展R-Car产品组合，我们期望看到尖端ADAS被用于从中档到入门级的所有车型。”

　　“成功产品组合”解决方案支持业界严格的ASIL要求

　　关于ISO 26262的功能安全性，SoC开发过程针对所有安全相关的IP提供ASIL D系统能力。R-Car V4H的信号处理部分有望实现实时域的ASIL B及D指标。

　　此外，瑞萨基于RAA271041前端稳压器和RAA271005 PMIC为R-Car V4H提供了专用电源解决方案。这使得R-Car V4H和外围存储器能够从车载电池的12V电源中获得高度可靠的供电。这些功能可实现低功耗运行，同时以极低的BOM成本实现ASIL D目标合规等级以满足系统和随机硬件故障的要求。有助于最大限度地减少硬件和软件开发工作量，同时缩减设计复杂性、成本和上市时间。

　　嵌入式软件平台开发为实现“软件定义汽车”铺平道路

　　R-Car V4H软件开发工具套件(SDK)也可助力更快、更轻松的启动设备评估和软件开发，包括深度学习算法移植。该SDK带来机器学习开发的全部功能，并对嵌入式系统的性能、电源效率和功能安全进行优化。套件提供完整的仿真模型，瑞萨独立于操作系统的软件平台使“软件定义汽车”的开发更加容易。

　　对于从零开始的开发场景，Fixstars的Genesis平台使工程师可以在任何地方通过他们的云解决方案评估R-Car，并可提供快速、简便的CNN基准测试结果。

　　R-Car V4H的关键特性

　　*四核1.8 Ghz Arm? Cortex?-A76内核，为ADAS/AD应用提供总计49KDMIPS的通用算力

　　*三个锁步1.4Ghz Arm? Cortex?-R52内核，提供9KDMIPS的总算力，以支持ASIL D等级实时操作，而无需外部微控制器

　　*专用深度学习和计算机视觉I/P，整体性能达34 TOPS

　　*用于机器和人类视觉并行处理的图像信号处理器(ISP)

　　*用于鱼眼畸变校正或其它数学运算的图像渲染器(IMR)

　　*图形处理器单元(GPU)AXM-8-256 @ 600MHz，整体性能超过150 GFLOPS

　　*专用车用接口：CAN、以太网AVB、TSN和FlexRay

　　*两个第四代PCIe接口

　　供货信息

　　R-Car V4H SoC样片即日起发售，并计划于2024年二季度开始量产。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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瑞萨电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU，涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景
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　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA2T1微控制器(MCU)产品群。该系列产品针对电机控制系统进行优化，专为风扇、电动工具、吸尘器、冰箱、打印机、吹风机等单电机应用而设计。　　专为电机控制优化的功能集　　全新RA2T1产品包含多项提升电机控制功能的设计，尤其适用于单电机系统。其显著特点之一是具备3通道S&H(采样保持)功能，可同时检测无刷直流(BLDC)电机的三相电流值。与顺序测量方式相比，这种方案可提高控制精度。RA2T1 MCU还提供具备互补脉宽调制(PWM)功能的定时器，可实现死区时间的自动插入和不对称PWM生成，这一针对逆变器驱动进行优化的功能，有助于控制算法的实施。　　RA2T1产品集成对电机控制应用至关重要的安全功能，包括端口输出使能功能和高速比较器。当检测到过流时，二者协同工作，能够快速关闭PWM输出。关断状态可根据逆变器规格进行配置。　　瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位　　瑞萨面向电机控制提供专用MCU已有超过20年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外，瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“历经多年实践验证，瑞萨电机控制解决方案已在数千个系统中赢得客户信赖。全新RA2T1 MCU凭借前沿的技术和低功耗运行特性，结合瑞萨在单电机系统领域优异的质量与安全标准，进一步巩固我们在该领域的卓越市场地位。”　　RA2T1产品群MCU的关键特性　　内核：64MHz Arm® Cortex®-M23　　存储：64KB闪存、8KB SRAM、2KB数据闪存　　模拟外设：12位ADC(带3通道采样保持)、温度传感器、内部参考电压、2通道高速比较器　　系统：高、中、低速片上振荡器;时钟输出;上电复位;电压检测;数据传输、事件链接和中断控制器;低功耗模式　　安全功能：PWM强制关闭、SRAM奇偶校验错误检测、ADC自诊断、时钟频率精度测量、非法内存访问检测　　工作温度范围：Ta=-40°C至125°C　　工作电压：1.6V至5.5V　　封装：48LQFP、32-LQFP、48-QFN、32-QFN、24-QFN(4mm x 4mm)　　全新RA2T1产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可轻松将现有设计迁移至其它RA系列产品。　　成功产品组合　　瑞萨将全新RA2T1 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合，创建广泛的“成功产品组合”，包括便携式电动工具、智能BLDC吊扇、无线吸尘器、无线吹叶机。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。　　供货信息　　RA2T1产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持，前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台，支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU，从而助力跨多个平台的IP迁移。有关所有这些产品的信息可点击阅读原文获取，客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。　　瑞萨MCU优势　　作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
2025-07-10 13:42 阅读量：312
瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
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　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项，使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。　　这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构，由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外，它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，以最大限度地减少功率损耗，并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。　　新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%，基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on))，较前代产品降低14%，并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本，减少输出电容，进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择，特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容，便于升级，同时保护已有的工程投入。　　这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装，为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择，满足热性能与布局优化的要求，还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT)，有助于降低外壳温度，方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外，常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量，以实现更高的功率。　　Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示：“Gen IV Plus GaN产品的成功发布，标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后，在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容，致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用，更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中，这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率，且总系统成本更低的产品设计方案。”　　独特的耗尽型常关断设计，实现可靠性与易集成性　　与此前的耗尽型GaN产品一样，瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置，拥有无缝的常关断操作，同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET，SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动，而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程，又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。　　为满足电动汽车(EV)、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求，基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比，它们具有更高的效率、更高的开关频率，和更小的尺寸。　　瑞萨在GaN市场上独具优势，提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案，这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前，瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件，累计现场运行时间超过300亿小时。
2025-07-04 10:41 阅读量：330
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