瑞萨电子率先推出面向下一代服务器、存储和通信系统应用的I3C智能开关

Release time：2022-06-10
author：Ameya360
source：网络
reading：3241

    全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，率先推出面向下一代服务器主板和其它基础设施设备的I3C智能开关器件RG3MxxB12系列——全新芯片极大提升了可扩展性和可靠性，同时降低高性能系统设计的复杂性，使具有多个发起设备控制器（例如CPU和基板管理控制器/BMC）的I3C控制平面网络能够通过提高信号完整性和减少电容负载，来支持全速运行大型物理网络中的目标。新产品还通过为混合I2C/SMBus和I3C网络提供IO电平转换和协议转换来支持异构设计。

    MIPI I3C®总线作为一种可扩展控制总线接口，用于连接外设和处理器或其它管理控制器。具备高性能、更强的可靠性、极低的功耗和低电磁干扰（EMI）等优势。这些特性也使新的系统功能成为可能，如实现高级遥测、故障恢复、边带安全、组件认证和更快的启动时间。

瑞萨电子率先推出面向下一代服务器、存储和通信系统应用的I3C智能开关

    当前的系统设计通常采用传统的I2C协议和简单的场效应晶体管（FET）开关来连接主板上的发起设备及目标器件。这种方式无法扩展至I3C速度，也就从根本上将系统管理限制在最基本的功能上。瑞萨全新I3C智能开关产品家族允许以最大速度将两个发起设备（上行）端口扩展到四个、八个或更多的目标端口，同时具有完整的协议感知与合规性。新款瑞萨产品家族还提供I3C和I2C设备间的无缝转换，允许在控制平面网络上实现旧设备的即插即用兼容性。此款I3C智能交换机是瑞萨和英特尔团队密切合作的结晶。从概念构思、规范定义，和其它流片前的各环节开始，一直持续到流片后的软件开发、组件及系统级验证等工作。

    瑞萨电子数据中心事业部副总裁Rami Sethi表示：“瑞萨作为针对DDR5 DIMM市场I3C集线器和扩展器技术的先驱，一直坚信这项技术具备遍及整个平台的巨大潜力。我们很荣幸能与英特尔携手，通过全新的I3C智能开关产品家族来实现这一愿景。这些器件将让我们的用户和合作伙伴能够为机架内的每个子系统带来先进的平台管理功能。”

    英特尔副总裁兼平台硬件工程部总经理Vik Tymchenko表示：“我们很高兴瑞萨和英特尔展开了强有力的合作，共同为MIPI I3C基础应用不断扩大的用例定义基本电路解决方案。类似I3C智能开关产品家族这样的全新产品，有助于消除数据中心硬件中MIPI I3C接口所面对的基本限制。借助I3C开关，我们可以增加I3C网络所支持的电容与设备。”

    瑞萨作为高性能计算外设的全球领先者，其全新I3C智能开关产品家族将成为对瑞萨DDR5 I3C扩展器、寄存时钟驱动器（RCD）、电源管理IC（PMIC）、串行检测（SPD）中心、温度传感器和数据缓冲器等解决方案的有力补充。

    供货信息

    瑞萨I3C智能开关器件目前推出两种版本。其中一款具有两个上行端口和四个下行端口，另一款具备两个上行端口和八个下行端口。新器件现已向部分用户提供样品，并预计将在2023年一季度广泛供货。

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瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计
行业新闻

瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计

　　7月29日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E(MPU)。RZ/G3E作为一款通用型产品，针对高性能人机界面(HMI)应用进行优化，集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元(NPU)，可实现高性能边缘计算，并具备AI推理功能，从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能，该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统，包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。　　高性能边缘计算与HMI功能　　RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核，以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用，同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计，可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清(1920x1080)视频，其输出接口包括LVDS(双链路)、MIPI-DSI和并行RGB接口;此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口，可用于视频输入与感知应用。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上，增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU，我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力，满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。”　　RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口，包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0(2通道)、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2，以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。　　低功耗待机与快速Linux恢复　　从第三代RZ/G3S开始，RZ/G系列就包含先进的电源管理功能，可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时，功耗可低至约50mW;深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据，从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。　　全面的Linux软件支持　　瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包(VLP)，并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户，瑞萨提供Linux BSP Plus，支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外，Canonical的Ubuntu，以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。　　RZ/G3E的关键特性　　CPU：四核Cortex®-A55(最高1.8GHz)、Cortex®-M33　　NPU：Ethos™-U55(512GOPS)　　HMI：双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器　　内存接口：32位LPDDR4/LPDDR4X(带ECC)　　5G通信连接：PCIe 3.0(2通道)、USB 3.2 Gen2、USB 2.0x2、千兆以太网x2、CAN-FD　　工作温度：-40°C至125°C　　封装选项：15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA　　产品生命周期：根据产品生命周期计划(PLP)提供15年供货保障　　瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案　　瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统(SoM)解决方案——高性能边缘计算SoM丨瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案：例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM(Size-M规格)，以及MXT的OSM(Size-L规格)。　　成功产品组合　　瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合，开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。　　供货信息　　RZ/G3E和评估板套件现已上市;该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。如果你想购买相关产品，可咨询AMEYA360的销售人员。
2025-07-30 11:29 reading：211
瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
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瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

　　Gabriele Clapier，Power System Marketing Manager："随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。"　　GaN和Cascode D-Mode架构的优势　　与传统的硅基器件相比，GaN具有许多优势，包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷，这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率，从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。　　GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置，通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对，以创建常闭器件。　　这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性，同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性，使其成为高效电源应用的首选解决方案。　　主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车　　可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用，因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统，通过提供更快的充电和更高的能源转换率，实现便携性的设计目标。　　随着电动汽车的加速采用，智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面，了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。　　现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用，可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能，同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度，正在彻底改变功率转换，这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计，并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。　　GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能，在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如，在上述EV系统中，将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中，可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率，减小了尺寸和重量，最终延长了行驶里程和可靠性，这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。　　在不断增长的电动两轮车市场中，高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数，RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能，从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统，延长电池寿命并改善加速性能。　　总结　　GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术，瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步，这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。
2025-07-24 13:33 reading：370
瑞萨电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU，涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景
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瑞萨电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU，涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA2T1微控制器(MCU)产品群。该系列产品针对电机控制系统进行优化，专为风扇、电动工具、吸尘器、冰箱、打印机、吹风机等单电机应用而设计。　　专为电机控制优化的功能集　　全新RA2T1产品包含多项提升电机控制功能的设计，尤其适用于单电机系统。其显著特点之一是具备3通道S&H(采样保持)功能，可同时检测无刷直流(BLDC)电机的三相电流值。与顺序测量方式相比，这种方案可提高控制精度。RA2T1 MCU还提供具备互补脉宽调制(PWM)功能的定时器，可实现死区时间的自动插入和不对称PWM生成，这一针对逆变器驱动进行优化的功能，有助于控制算法的实施。　　RA2T1产品集成对电机控制应用至关重要的安全功能，包括端口输出使能功能和高速比较器。当检测到过流时，二者协同工作，能够快速关闭PWM输出。关断状态可根据逆变器规格进行配置。　　瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位　　瑞萨面向电机控制提供专用MCU已有超过20年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外，瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“历经多年实践验证，瑞萨电机控制解决方案已在数千个系统中赢得客户信赖。全新RA2T1 MCU凭借前沿的技术和低功耗运行特性，结合瑞萨在单电机系统领域优异的质量与安全标准，进一步巩固我们在该领域的卓越市场地位。”　　RA2T1产品群MCU的关键特性　　内核：64MHz Arm® Cortex®-M23　　存储：64KB闪存、8KB SRAM、2KB数据闪存　　模拟外设：12位ADC(带3通道采样保持)、温度传感器、内部参考电压、2通道高速比较器　　系统：高、中、低速片上振荡器;时钟输出;上电复位;电压检测;数据传输、事件链接和中断控制器;低功耗模式　　安全功能：PWM强制关闭、SRAM奇偶校验错误检测、ADC自诊断、时钟频率精度测量、非法内存访问检测　　工作温度范围：Ta=-40°C至125°C　　工作电压：1.6V至5.5V　　封装：48LQFP、32-LQFP、48-QFN、32-QFN、24-QFN(4mm x 4mm)　　全新RA2T1产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可轻松将现有设计迁移至其它RA系列产品。　　成功产品组合　　瑞萨将全新RA2T1 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合，创建广泛的“成功产品组合”，包括便携式电动工具、智能BLDC吊扇、无线吸尘器、无线吹叶机。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。　　供货信息　　RA2T1产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持，前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台，支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU，从而助力跨多个平台的IP迁移。有关所有这些产品的信息可点击阅读原文获取，客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。　　瑞萨MCU优势　　作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
2025-07-10 13:42 reading：313
瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
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瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项，使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。　　这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构，由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外，它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，以最大限度地减少功率损耗，并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。　　新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%，基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on))，较前代产品降低14%，并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本，减少输出电容，进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择，特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容，便于升级，同时保护已有的工程投入。　　这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装，为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择，满足热性能与布局优化的要求，还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT)，有助于降低外壳温度，方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外，常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量，以实现更高的功率。　　Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示：“Gen IV Plus GaN产品的成功发布，标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后，在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容，致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用，更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中，这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率，且总系统成本更低的产品设计方案。”　　独特的耗尽型常关断设计，实现可靠性与易集成性　　与此前的耗尽型GaN产品一样，瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置，拥有无缝的常关断操作，同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET，SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动，而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程，又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。　　为满足电动汽车(EV)、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求，基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比，它们具有更高的效率、更高的开关频率，和更小的尺寸。　　瑞萨在GaN市场上独具优势，提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案，这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前，瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件，累计现场运行时间超过300亿小时。
2025-07-04 10:41 reading：332
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