ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制GNE10xxTB系列

Release time：2022-09-14
author：Ameya360
source：网络
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    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 (GNE1040TB)”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制GNE10xxTB系列

    一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低，在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题，ROHM的新产品通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。这样，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压*3，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外，该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，这使得安装工序的操作更容易。

    新产品于2022年3月起开始量产，前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本京都市）。

    ROHM将有助于节能和小型化的GaN器件产品阵容命名为“EcoGaN™”*4”，并一直致力于进一步提高器件的性能。今后，ROHM将继续开发融入了“Nano Pulse Control™”*4”*4等模拟电源技术的控制IC及其模块，通过提供能够更大程度地发挥GaN器件性能的电源解决方案，为实现可持续发展社会贡献力量。

    名古屋大学研究生院工学研究科 山本真义教授表示：“今年，日本经济产业省制定了到2030年新建数据中心节能30%的目标，目前距实现该目标只有不到10年的时间。然而，这些产品的性能不仅涉及到节能，还关系到作为社会基础设施的坚固性和稳定性。针对未来的这种社会需求，ROHM开发了新的GaN器件，不仅更加节能，而且栅极耐压还高达8V，可以确保坚固型和稳定性。以该系列产品为开端，ROHM通过融合其引以为豪的模拟电源技术‘Nano Pulse Control™”*4’，不断提高各种电源的效率，在不久的将来，应该会掀起一场巨大技术浪潮，推进实现‘2040年在半导体和信息通信行业实现碳中和’的目标。”

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制GNE10xxTB系列

    ＜新产品特点＞

    1．采用ROHM自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V

    普通的耐压200V以下的GaN器件在结构上栅极驱动电压为5V，而其栅极-源极间额定电压为6V，其电压裕度非常小，只有1V。一旦超过器件的额定电压，就可能会发生劣化和损坏等可靠性方面的问题，这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制，因此，这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。

    针对这一课题，新产品通过采用ROHM自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。这使器件工作时的电压裕度得到进一步扩大，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制GNE10xxTB系列

    2．采用支持大电流且具有出色散热性的封装

    新产品所采用的封装形式，支持大电流且具有出色的散热性能，在可靠性和可安装性方面已拥有出色的实际应用记录，而且通用性强，这使得安装工序的操作更加容易。此外，通过采用铜片键合封装技术，使寄生电感值相比以往封装降低了55％，从而在设计可能会高频工作的电路时，可以更大程度地发挥出器件的性能。

    3．在高频段的电源效率高达96.5%以上

    新产品通过扩大栅极-源极间额定电压和采用低电感封装，更大程度地提升了器件的性能，即使在1MHz的高频段也能实现96.5%以上的高效率，有助于提高电源设备的效率和进一步实现小型化。

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制GNE10xxTB系列

    ＜应用示例＞

  • 数据中心和基站等的48V输入降压转换器电路

  • 基站功率放大器单元的升压转换器电路

  • LiDAR驱动电路、便携式设备的无线充电电路

  • D类音频放大器

    ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制GNE10xxTB系列

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ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”
行业新闻

ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”

　　2025年11月4日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出一款可检测高速移动物体的小型高精度接近传感器“RPR-0730”，该产品广泛适用于包括标签打印机和输送装置在内的消费电子及工业设备应用。　　随着工业设备和办公设备向更高性能、更多功能及自动化方向发展，对感测技术的精度提升提出了更高要求，特别是标签打印机、样本传送装置和复印机等应用，除了通过优化生产工艺等提升速度外，还需要具备能够更精准识别目标物的技术，因此引入高速且高精度的接近传感器变得至关重要。为应对这些需求，ROHM推出采用VCSEL作为发光元件、采用光电晶体管作为受光元件的模拟量接近传感器“RPR-0730”。该产品能够高速且高精度地感测传统LED光源难以识别的微细目标物。　　“RPR-0730”是一款反射式小型接近传感器(反射式光电传感器*1)。通过采用比LED指向性更优异的红外VCSEL*2作为发光元件，实现了对更微细目标物的检测。另外，通过采用具有模拟输出功能的光电晶体管*3作为受光元件，实现10微秒(µs)的高速响应性能。这两大优势相结合，能够高速且精确地识别出传统LED光源难以检测到的0.1mm宽的微细线体。作为以往数字输出型产品“RPR-0720”系列的新成员，本产品的应用范围更广泛，其中包括复印机和标签打印机的打印检测、电机和齿轮的旋转检测等需要更高速感测的应用。　　新产品的封装尺寸非常小，仅为2.0mm×1.0mm×0.55mm，并采用可见光截止滤光树脂，可有效抑制照明和太阳光等干扰光的影响。因此，即便在工厂、户外等光环境易变的场所，也能实现稳定的检测。另外，本产品还可轻松安装在需要在狭小空间内安装的设备(比如输送装置内部和精密仪器)中，因此其应用范围更广泛。　　新产品已于2025年10月开始量产(样品价格350日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可联系AMEYA360咨询。　　未来，ROHM将利用发光和受光元件的开发技术优势，继续开发满足客户需求的感测产品，助力各种设备提高便利性并实现小型化。　　<产品阵容>*1: Due to the resistor value in the later stage *2: Detection distance d=3mm　　<应用示例>　　・标签打印机、复印机、碎纸机的打印检测和送纸/卡纸检测等　　・输送设备、自动检测装置的行李/样本等物体检测、工件位置检测等　　・工业设备用机器人的电机和齿轮的旋转检测等　　<术语解说>　　*1) 反射式光电传感器　　一种发光元件和受光元件相结合的光传感器。通过向目标物照射光线并检测其反射光强度，可以判断物体的存在与否或测量距离。　　*2) VCSEL　　Vertical Cavity Surface Emitting LASER(垂直腔面发射激光器)的缩写。激光光源的一种，是可以从表面直接发射光的半导体激光器。与LED相比，其指向性更好，适合高精度感测应用。最初主要用于光通信领域，近年来也越来越多地被用作接近传感器和测距传感器的发光光源。　　*3) 光电晶体管　　将光信号转换为电信号的晶体管型光电转换器件。集光电二极管与晶体管于一体，通过光来控制基极电流，并输出被放大的集电极电流。
2025-11-04 16:31 reading：191
ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC
行业新闻

ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC

　　2025年10月23日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于中等耐压系统( 12V ～ 48V 系统) 的采用“TriC3™” 技术的三相无刷直流电机驱动器 IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。　　电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来，对高效率控制且精密控制的需求日益高涨，MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面，三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系，长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题，ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术，成功开发出可同时抑制“功耗”和 “噪声”的新技术“TriC3™”。　　新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃*2的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与ROHM以往的恒流驱动产品相比，新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。此外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD67871MWV-EVK-003)。本产品也已开通电商销售路径，可通过AMEYA360购买。　　另外， ROHM 还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品，ROHM可 提供满足客户多样化需求的丰富产品群，未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机　　・消费电子：吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车　　<TriC3™>　　ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流，实现高速且高效运行，同时抑制振铃现象，有助于降低噪声并实现稳定工作。　　“TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) EMI(Electromagnetic Interference：电磁干扰)　　EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。　　*2) 振铃　　开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时，电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。
2025-10-23 14:15 reading：287
体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-10-20 11:02 reading：358
实现业界超高额定功率！ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列
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实现业界超高额定功率！ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ～100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。　　在电流检测领域，无论是车载市场还是工业设备市场，都要求分流电阻器能够应对更大功率。另外，车载市场对高接合可靠性的需求、工业设备市场对更高精度的需求也逐年高涨。ROHM为满足这些多样化的需求，一直在大力开发适配度高的分流电阻器，为客户提供电流检测方面的出色解决方案。　　新产品是利用烧结工艺在氧化铝基板上形成铜基电阻体制作而成的。通过优化散热结构，与包括厚膜型*1和金属板型*2产品在内的同等尺寸产品相比，其额定功率高1倍，达到1.0W和1.25W。这不仅能满足客户替换长边电极结构*3产品和更大尺寸产品的需求，还可实现设备小型化并减少元器件数量。　　而且，通过采用金属电阻体，还实现了低TCR*4(0 to +60ppm / ℃)特性。由于能够抑制温度变化导致的误差，因此可实现高精度的电流检测。　　此外，在温度循环可靠性方面，新产品也实现了与金属板型同等的耐久性(-55℃ /+155℃ 1000次循环)。因此，即使在车载等温度变化剧烈的应用场景中，也能确保高接合可靠性，可长期稳定使用。另外，新产品还完全无铅，在RoHS不要求的部位也不含铅材料，可减轻环境负荷。　　新产品已于2025年9月份开始提供样品。如需样品或了解相关事宜，欢迎联系AMEYA咨询。　　ROHM也已开始着手开发3216尺寸(2W)金属烧结分流电阻器“UCR18C系列”，不断扩充大功率、高精度、高可靠性兼具的产品阵容。　　<应用示例>　　车载、工业设备、消费电子等各种电流检测用途　　<术语解说>　　*1) 厚膜型　　采用金属玻璃材料作为电阻体的贴片电阻器。除成本优势外，因其电阻体覆膜较厚，在应对脉冲和浪涌方面具有出色的耐受性。　　*2) 金属板型　　采用金属板作为电阻体的贴片电阻器。其散热性能出色，因低TCR特性而可实现高精度，在性能方面更具优势。　　*3) 长边电极结构　　沿贴片电阻器本体的长边配置电极的结构。相较于沿短边配置电极的一般结构，这种结构的散热效率更好，可支持大功率应用。　　*4) TCR(Temperature Coefficient of Resistance：电阻温度系数)　　表示电阻器的阻值随温度变化而变化多少的指标。数值越低，相对环境温度变化的电阻值变化越小，性能越稳定。　　UCR10C的TCR因阻值而异。另外，所提供的TCR为10mΩ产品在+25/+155℃范围内的保证值。
2025-10-15 13:11 reading：478
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