解读 | 从预防性维护转向预测性维护,ROHM通过Solist-AI™实现智能维护

发布时间:2026-03-10 16:34
作者:AMEYA360
来源:ROHM
阅读量:1216

  在制造业中,设备维护长期以来普遍采用“预防性维护(TBM:Time-Based Maintenance,定期检修,基于时间的维护)”方式,以固定的周期进行点检和零部件更换。然而,这种方法实际上会导致正常设备也会被迫定期停机,不仅会增加作业成本,还会加重现场作业负担。而且,过度的点检作业反而可能导致操作失误和人为差错。因此近年来,业界正加速向“预测性维护(CBM:Condition-Based Maintenance,状态检修,基于状态的维护)”方式转型,即实时监控设备状态,在设备出现“异常征兆”阶段就及时进行精准维护。

  本文将详细介绍ROHM为有效实现预测性维护而提出的AI解决方案“Solist-AI™”。

解读 | 从预防性维护转向预测性维护,ROHM通过Solist-AI™实现智能维护

  目录

  1. 从预防性维护(TBM)转向预测性维护(CBM)

  2. 从“云端型”转向“端点型”

  3. 预测性维护的理想解决方案——“Solist-AI™”

  4. 基于Solist-AI™的解决方案与应用

  5. 产品阵容、支持工具、生态系统合作伙伴及开发路线图

  6. 总结

  7. 产品介绍、详细信息、其他链接等

  01 从预防性维护(TBM)转向预测性维护(CBM)

  预防性维护(TBM)与预测性维护(CBM)的最大区别在于以什么为基准进行维护。

  预防性维护是指不论设备状态如何,均以“时间”为基准,定期进行检修和零部件更换的维护方式。而预测性维护则是一种仅在“真正需要时”才实施点检和修理的维护方式。通过传感器持续监测设备的温度、振动、电流等参数,并对采集到的大量时序数据进行处理,识别细微的模式变化,从而定量分析和把握异常征兆,这些都离不开AI技术的贡献。

  采用预测性维护方式,将无需再定期停止正常运行的设备。利用AI优化维护时机,可有效降低作业成本和现场负担,同时减少因过度点检导致的作业失误和人为差错。而且,这种方式不依赖技术人员的感觉和经验,可确保稳定的维护品质,因此作为应对熟练技术人员减少、人手不足等现场课题的有效对策而备受瞩目。

解读 | 从预防性维护转向预测性维护,ROHM通过Solist-AI™实现智能维护

  02 从“云端型”转向“端点型”

  但是,以往的云端AI系统存在诸多挑战,比如通信延迟、网络环境构建和运维管理负担、数据收发过程中的信息泄露预防对策等,这些课题会带来很大的负担。

  另外,由于需要预先收集并准备海量的训练数据,因此针对每台设备所处的不同现场环境以及个体差异进行不同的应对也很困难。此外,高精度AI处理需要CPU和GPU等运算资源,最终导致功耗也随之增加。

  因此,“端点型AI”正在加速取代“云端型AI”。如果是可通过装有传感器和微控制器的现场设备(端点)完成AI训练和推理的“端点型AI”,则可以灵活应对每台设备,在进行实时处理的同时保持低功耗。而且,因其不会将数据发送至云端,所以安全性更高。

  作为预测性维护的关键——边缘计算理想的端侧AI解决方案,ROHM开发出“Solist-AI™”。该名称源自“Solution with On-device Learning IC for STandalone-AI”,正如音乐术语“独奏者(soloist)”所象征的,寓意着无需依赖云端或网络,仅凭现场设备自身即可完成从AI训练到推理的全过程。

  *“Solist-AI™”是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。

解读 | 从预防性维护转向预测性维护,ROHM通过Solist-AI™实现智能维护

  另一方面,相较于以往AI(云端/边缘/端点型),Solist-AI™在同时处理大规模数据和处理图像数据方面表现略逊,因此在精密故障分析等高级解析场景中,云端型AI更具优势。

  但对于无需高级解析的应用场景而言,Solist-AI™在可大幅降低网络维护和云服务使用费等成本方面有显著优势。

  另外,还可通过增量训练功能可实时更新设备老化状态数据,并根据老化程度高精度判别正常与异常状态,这是Solist-AI™在替代以往AI时的一大优势。

  03 预测性维护的理想解决方案——“Solist-AI™”

  Solist-AI™与通用AI处理器不同,它是专为故障预警等特定用途设计的,能够根据用途和环境现场学习并优化最佳模型,因此可灵活应对不同设备的个体差异及环境变化。

  该解决方案的核心——Solist-AI™微控制器,搭载了ROHM自主研发的AI运算用加速器“AxlCORE-ODL)”。AxlCORE-ODL可通过硬件执行三层神经网络处理和FFT(快速傅里叶变换)处理,并可实时检测并预警现场发生的各种异常和变化。

  Solist-AI™解决方案的最大特色在于其简约性——仅需传感器和微控制器即可实现“独立AI”。以往的AI解决方案必须依赖云端和网络连接,而Solist-AI™则完全无需任何网络环境支持。因此,仅需加装在现场的设备或仪器上,即可轻松引入,它可以将通信延迟和信息泄露风险控制在非常低的程度。

  其机制通过内置的AI专用加速器“AxlCORE-ODL”即可实现。

  通过对传感器检测到的振动、温度、电流等数据进行实时训练与推理,将“不同于以往”的异常征兆量化为数值并发出预警。另外,Solist-AI™与以往的云端型AI(2W~200W)相比,仅需约40mW的超低功耗即可运行,因此很容易加装在电池驱动的设备或现有设施上。Solist-AI™广泛适用于工业机器人、电机、风扇等工业设备应用,非常有助于提高设备维护效率和运行效率。

  此外,ROHM还提供配套的支持工具以为客户引入Solist-AI™提供支持,包括用于预先验证AI适配效果的“Solist-AI™ Sim”,以及可将AI运行情况实时可视化的“Solist-AI™ Scope”。因此,即便不具备AI专业知识也能轻松引入和评估,可大幅降低应用门槛。

解读 | 从预防性维护转向预测性维护,ROHM通过Solist-AI™实现智能维护

  产品介绍、详细信息、其他链接等

  欲了解更多关于Solist-AI™及其相关产品的详细信息,请参阅以下链接:

  【产品和解决方案简介】

  Solist-AI™解决方案:https://www.ameya360.com/hangye/115949.html

  边缘计算AI微控制器产品信息:

  https://www.rohm.com.cn/products/micon/solist-ai?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=260304

  【技术信息、应用案例】

  Solist-AI™技术详解:

  https://www.rohm.com.cn/support/solist-ai/technology?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=260304

  【开发和评估支持工具、生态系统合作伙伴】

  集成开发环境 LEXIDE-Ω:

  https://www.rohm.com.cn/lapis-tech/product/micon/software?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=260304

  生态系统合作伙伴 | Solist-AI™解决方案:

  https://www.rohm.com.cn/support/solist-ai/partner?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=260304

  点击链接查看文章全部内容:

  https://esh.rohm.com.cn/s/esh-blog/solistai-main-20260106-MCIARA2JAOONDWZA2DV4CFQXIDJA?language=zh_CN&utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=260304

解读 | 从预防性维护转向预测性维护,ROHM通过Solist-AI™实现智能维护



(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC
  2026年10月29日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1(图腾柱PFC,以下简称“TP-PFC”)控制器IC“BM85060FV”,其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。  近年来,随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大,设备所需电力也不断增加,与此同时,对设备小型化和节能化的要求也越来越高。而且,在能效法规日趋严格的大背景下,不仅要提高产品工作时转换效率,还要降低无负载(空载)时的功耗。在这种情况下,与传统的Si(硅)功率半导体相比,可支持高频开关的GaN HEMT得到了越来越广泛的应用。此外,将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源,因其能显著降低功率损耗而被寄望成为追求高效率和小型化设备的有力电源解决方案。另一方面,传统的TP-PFC控制技术广泛使用MCU,但对于小型电源设备而言,除了功耗、电路规模和成本方面的挑战外,如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也成为亟需解决的难题。  针对这些课题,ROHM开发出能够以低功耗控制采用了GaN HEMT的TP-PFC电路、并支持MHz频段高频开关的专用控制器IC“BM85060FV”。新产品可在AC适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的300~500W级AC-DC电源中,在系统层面实现高达99%的转换效率。这不仅可抑制功率损耗和发热量,还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化,从而有助于电源电路更加节省空间。  另外,还实现了仅150μA的空载电流,与普通品相比降低了70%*。因此,使用该产品更容易降低系统的待机功耗,有助于构建满足DoE Level7*3和CoC Tier2*4节能要求的电源系统。  不仅如此,新产品还内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能,有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。  新产品已于2026年10月开始销售(样品价格670日元/个,不含税),并已开始网售(330W预设配置产品),客户可通过AMEYA360购买。另外,ROHM还准备了搭载“BM85060FV”的330W输出TP-PFC评估板,为采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发提供支持。  未来,ROHM将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体,以及与模拟IC相结合、能够更大程度地激发其性能的功率电子解决方案,为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。  *截至2026年10月27日ROHM调查数据  <应用示例>  非常适用于AC适配器、投影仪等消费电子设备,以及小型工业设备等以300~500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。  <术语解说>  *1)Totem Pole PFC(TP-PFC)  在AC-DC电源中,为了高效利用输入电源提供的电力所采用的一种PFC(Power Factor Correction:功率因数校正)电路方式。通过用开关器件替换传统PFC电路中使用的二极管整流桥,可降低导通损耗。  *2) GaN HEMT  GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。  与普通的半导体材料Si(硅)相比,其物性更优异,开关速度更快,支持高频率工作。  HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。  *3)DoE Level7  美国DoE(Department of Energy,美国能源部)针对电子设备外部电源实施的能效要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准,要求相应产品具备高节能性能。  *4)CoC Tier2  针对电子设备外部电源实施的欧盟CoC(Code of Conduct:行为准则)能率要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准,要求相应产品具备高节能性能。
2026-11-02 13:05 阅读量:275
明天15点开播!AMEYA360×ROHM:AI 服务器电源技术专场,海量好礼等你拿!
  AI 算力爆发,服务器功耗持续飙升,下一代800V/±400VDC 高压直流供电架构成为行业大势;工业机器人、自动化设备对电源器件效率、可靠性提出严苛考验。  AMEYA360 联合 IDM 大厂ROHM 罗姆,带来专场技术直播,深度拆解 Power Rack AI 服务器电源完整解决方案,同时分享功率器件在机器人领域落地实践,工程师不要错过!  扫描海报二维码即可预约直播,直播间福利多多,多重好礼等你拿!  直播信息  直播时间  10 月 30 日 15:00‑17:00   直播嘉宾  AMEYA360 PM Dean(主持人)  ROHM FAE Musk(原厂技术分享)  直播核心看点  AI 时代功耗危机  AI 服务器耗电量激增背景,传统电源架构瓶颈解析  下一代供电演进  800V 总线高压直流架构优势,降低线缆损耗、减重降铜材成本,DC‑Grid 可再生能源适配方案  ROHM Power Rack 完整方案  IDM 垂直整合优势,SiC MOSFET、GaN HEMT、模拟驱动 IC、分流电阻器全器件矩阵 ✅GPU 功耗迭代趋势:面向 1MW 高功率机架的电源系统设计思路  拓展应用  功率半导体在工业机器人、自动化装备的实际市场应用  在线答疑  设计难题现场问诊,和原厂 FAE 面对面交流  直播间福利  直播互动抽奖,电子周边、礼品等多重好礼等你来!  各位工程师朋友,为了确保中奖后奖品能顺利派发,请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格,这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!  在登记表下方,我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来,为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台:  什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?  ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料,并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持,助力工程师攻克研发难题,加速产品设计落地。  如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?  工程师可通过以下步骤注册 / 登录:  PC 端入口:  https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703  移动端入口:  1、点链接进入主页(图 1)点击右上角注册&登录  https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703图1  2、跳转到(图 2),点击新用户注册&登录图2  3、这个页面比较长要往下滑动才看得到注册按钮,找到注册按钮点击(不要直接填写邮箱登录)  4、 密码要设置的比较复杂,最好设置自己能记住的 (最后登录时需要输入密码) , 行业选项无法选中,可忽略不填   5、提交信息后,去注册邮箱收激活账号的邮件,点击链接激活    6、点击激活链接后,再重新到第一步,点击链接,用邮箱&密码进行登录(必须要登录一次才算有效注册)  https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN&utm_source=ichunt.com&utm_medium=referral&utm_campaign=250703   注:使用 PC 端进行 ESH 注册,邮箱激活后会自动跳转到 ESH 首页并登录,  若没有自动登录且跳转到首页或显示错误,还需要到首页自行登录一次  注册完成后必须要登录才算有效注册!!!      还没有预约直播的小伙伴,扫描海报二维码完成预约,10 月 29 日 14:00,我们直播间不见不散!
2026-10-29 17:08 阅读量:338
AMEYA360代理丨ROHM 实战篇:通过驱动器源极引脚改善开关损耗—有驱动器源极引脚的封装、有无驱动器源极引脚的差异及其效果
  在上一篇文章中,我们了解了传统的MOSFET驱动方法,这也是了解主题中的驱动器源极引脚效果的前提。在本文中,我们将一起了解有驱动器源极引脚的实际封装、具有驱动器源极引脚的MOSFET的工作情况和驱动器源极引脚的效果。  有驱动器源极引脚的封装  目前,ROHM有驱动器源极引脚的封装包括TO-247-4L和TO-263-7L两种  作为参考,在这里给出了每种封装的外形尺寸和结构。  TO-247-4L封装    TO-263-7L封装  有无驱动器源极引脚的差异及其效果  左下图是以往MOSFET的驱动电路,右下图是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路。不同的是驱动电路的回流线的连接方式,以往MOSFET是连接到源极(Source)引脚,而具有驱动器源极引脚的MOSFET是连接到驱动器源极引脚(Driver Source)引脚,其源极是一个单独的电源(Power Source)引脚。此外,每个蓝色箭头表示开关工作中的电压。    如蓝色箭头所示,两者在开关工作中的电压是相同的。再次提一下,MOSFET被施加VG并导通后,ID增加,LSOURCE沿图中(I)的方向产生VLSOURCE。由于电流IG流入栅极引脚,因RG_EXT产生压降VRG_EXT(I)。  如上所述,两者产生的电压是一样的,但在以往MOSFET的情况下,VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在导通时的驱动电路网中,因此MOSFET的导通工作所需的芯片上的电压VGS_INT会减少,最终导致导通速度降低。而在具有驱动器源极引脚的情况下,ID会流向电源(Power Source)引脚,不流向驱动器源极(Driver Source)引脚,这部分不包含在驱动电路网中,因此可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。  如果具备驱动器源极引脚,则可以去掉项(=VLSOURCE),可以看出这部分电压不会影响VGS_INT。这就是驱动器源极引脚的效果,可以提高导通速度。
2026-10-29 16:24 阅读量:346
AMEYA360代理丨ROHM SiC驱动技术篇:低边 SiC 开关开通 / 关断时,栅源电压如何优化?
  本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况和LS关断时的动作情况。  SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作  当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。公式(1)与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电,因此在LS会将VGS向下推,在HS会将VGS向负极侧拉,使之产生负浪涌(波形示意图VGS的T1)。  当ID的变化结束时,LS的VDS的电位降低(波形示意图T2)。所以,公式(2)中的电流就像等效电路图中的(II)-1、(II)-2那样流动,并且VGS会分别引发下列公式(3)、(4)中的电压上升。  VDS刚刚开始变化后,公式(3)的VGS上升为主,随着时间的推移,公式(4)的VGS也开始上升。也就是说,MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。  如等效电路图所示,HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此,本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时,就会与LS的导通工作重叠,致使HS和LS的MOSFET同时导通,从而引发直通电流。  ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束,并被积蓄在LTRACE中,但会在VSW变化结束的时间点消失,LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响,ICGD2可能会达到几安培,并且该电动势可能会增加。  受上述事件(I)、(II)、(III)的影响,LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外,图中VGS的虚线波形表示理想的波形。  外置栅极电阻的影响  下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω,(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。  VDS刚刚开始变化后,公式(3)的VGS上升为主,随着时间的推移,公式(4)的VGS也开始上升。也就是说,MOSFET的CGD/CGS比、驱动电路的RG_EXT、栅极驱动信号图形布线的电感值LTRACE具有很大影响。  如等效电路图所示,HS中的(II)-2的电流ICGD2处于VGS提升方向。因此,本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时,就会与LS的导通工作重叠,致使HS和LS的MOSFET同时导通,从而引发直通电流。  ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束,并被积蓄在LTRACE中,但会在VSW变化结束的时间点消失,LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_EXT等开关条件影响,ICGD2可能会达到几安培,并且该电动势可能会增加。  受上述事件(I)、(II)、(III)的影响,LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外,图中VGS的虚线波形表示理想的波形。  外置栅极电阻的影响  下面是SiC MOSFET桥式结构的LS导通时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω,(b)为10Ω。图中的(I)、(II)、(III)同前面相应编号的事件。  dVDS/dt带来的LS的VGS上升和HS的VGS负浪涌(波形示意图T4)是事件(IV)。  波形示意图的T4周期结束时,公式(1)所示的ICGD1消失时发生的浪涌是事件(V)。公式(1)与之前使用的公式相同。  然后,漏极电流发生变化(波形示意图T6),并发生公式(2)所示的LSOURCE引起的电动势,电流如等效电路的事件(VI)中所示流动。公式(2)也与之前使用的公式相同。  可以看出的动作是,由于该电流以源极侧为负极向MOSFET的CGS充电,因此在HS侧将VGS推高,在LS侧将VGS向正极侧拉升,以防止VGS下降。结果就产生了波形示意图所示的VGS动作。波形示意图中VGS的虚线表示理想的电压波形。  外置栅极电阻的影响  下面是SiC MOSFET桥式结构的LS关断时的双脉冲测试结果。(a)波形图的外置栅极电阻RG_EXT为0Ω时,(b)为10Ω。图中的(IV)、(V)、(VI)即前面提到的事件。  如波形图所示,可以看到事件(V)的浪涌非常明显。  尽管由VDS的变化引起的事件(IV)的影响很小,但由于HS中事件(IV)引起的负浪涌常常会超过额定值,在这种情况下,就需要对电路采取相应的措施。要想减少这种关断时的HS负浪涌,需要减小HS栅极电阻RG_EXT。然而,需要注意的是,在前文介绍过的常用栅极电阻调节电路中,事件(IV)在电阻值高的RG_ON侧较为突出。  关于由事件(VI)引起的VGS抬升,由于该时刻正好在关断(Turn-off)结束之前,所以即使HS进入导通(Turn-on)动作,SiC MOSFET桥式结构的LS也已经被关断,几乎不会造成什么问题。
2026-10-28 13:22 阅读量:322
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码