新洁能荣获中国半导体市场领军企业奖!

发布时间:2022-09-22 13:47
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:3108

  2022世界半导体大会(World Semiconductor Conference & Expo 2022)暨南京国际半导体博览会于2022年8月18日在南京国际博览中心胜利召开。

新洁能荣获中国半导体市场领军企业奖!

  在当天下午的创新峰会上发布了2022中国集成电路高质量发展“两优一先”遴选企业名单,无锡新洁能股份有限公司荣获“2021-2022中国半导体市场领军企业奖”,充分彰显了主办方对于新洁能在半导体功率器件领域所取得卓越成就的高度认可。

  新洁能是国内率先掌握超结理论技术并且在 12 英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量产的企业,同时也是全国首个推出品类最全光伏系列IGBT产品的企业,拥有业内最为专业、领先的研发团队。

  未来新洁能也将不断持续布局半导体功率器件最先进的技术领域,并投入对 SiC/GaN 宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,持续引领国内半导体功率器件的发展。


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
新洁能第三代40V SGT-MOS:定义中低压功率器件新标杆
  作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一,新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破,其研发团队持续创新,正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET,电压涵盖25-150V系列产品,构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级,为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。  新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术,芯片具有超高集成度,全面提升了器件的开关特性和导通特性,其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%,品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%,具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级,提高全温度区间Ron稳定性,突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比,Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%,在保持超低Ron的同时,实现温升效率行业领先,有效解决高温场景下的效率衰减难题,助力系统小型化与长期可靠性,重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比  全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向, 提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选,灵活匹配不同的应用领域,如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式,能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富,本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。  产品型号  产品特点  ◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)  ◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)  ◆ 更小阈值电压Vth Range,利于并联应用  ◆ 更优温升效率,有效解决高温场景下的效率衰减难题  ◆ 极高功率密度  ◆ 更优抗振荡能力  ◆ 更强鲁棒性  ◆ 更齐全的封装形式  ◆ 更齐全的电阻、电流型号规格  应用领域  ◆ 新能源汽车  ◆ AI算力  ◆ 通信服务器  ◆ 不间断电源UPS  ◆ 锂电池保护  ◆ 电动工具  ◆ 无人机  ◆ 适配器  新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力,重新定义中低压功率器件技术边界。
2025-06-09 09:58 阅读量:198
新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片
新洁能SJ MOSFET G4.0 800V and 900V产品介绍
新洁能:金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块
  在“双碳”目标驱动下,光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三电平(NPC)拓扑凭借更低的开关损耗、更高的电压利用率,成为中高压场景的主流方案。据《2025全球电力电子技术白皮书》预测,三电平模块市场年增长率将超18%,其中650V平台因适配1000V光伏系统,占据核心份额。  产品介绍  新洁能全资子公司:金兰功率半导体(无锡)有限公司推出LQ2系列105kW、125KW、135KW  INPC逆变储能一体模块,全方位助力客户应对能源高效化挑战。  产品特点  均采用焊接Pin的LQ2封装(兼容 Flow 2出针)  使用第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT,损耗更小  模块内外管均使用快管,集逆变储能应用为一体  封装材料 CTI > 500  紧凑型模块封装设计实现高功率密度  可根据客户特殊工况定制模块  核心技术  优异的动静态参数,低压降、低动态损耗,适配高频高功率应用场景  通过全套芯片级&封装级可靠性验证  低翘曲及优异底面导热硅脂涂覆效果  选用ZTA/AMB基材,保证更优异的散热能力和更好的可靠性  竞争优势  芯片优势:搭载第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT  定制化扩展:支持客户多功率段定制化需求  精益化生产:MES、ERP系统保障模块生产信息可追溯  应用领域  储能系统  光伏逆变器  其他三电平应用
2025-03-20 09:26 阅读量:475
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码