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罗姆ROHM采用自有的电路和器件技术“TDACC™” 开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件 通过替代机械继电器和MOSFET

Release time：2022-12-16
author：Ameya360
source：网络
reading：3748

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLC（Programable Logic Controller）等工业设备，开发出40V耐压单通道和双通道输出的智能低边开关*1（Intelligent Power Device，以下简称IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款产品。

罗姆ROHM采用自有的电路和器件技术“TDACC™” 开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件 通过替代机械继电器和MOSFET

　　近年来，在汽车和工业设备领域，围绕自动驾驶（自动化）的技术创新日新月异，对安全性的要求也越来越高。在进行设备开发时，必须考虑到如何在紧急情况下确保功能安全*2。传统上，通常采用机械继电器或MOSFET来执行电子电路的ON/OFF控制，但它们在系统故障时不具备相应的保护功能。

       从功能安全的角度来看，IPD具有保护功能，而且在寿命和可靠性方面也表现非常出色，因而得以日益普及，其市场规模正在不断扩大。针对市场对提升可靠性的需求，ROHM早在2014年就开始构建IPD专用工艺。此次通过进一步提高专用工艺的电流承载能力，并结合ROHM的模拟设计技术优势，打造了更广泛的产品阵容。

　　IPD不仅可以进行电子电路的ON/OFF控制，还内置有保护功能，可保护电路免受电气故障（异常时的过电流）的影响，有助于构建安全且可靠性高的系统。新产品配置在电机和照明等被控设备的下侧（接地侧）电路中，从电路结构方面看，具有可轻松替代机械继电器和MOSFET、易于设计的优点。

　　IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势*3而发热，新产品采用ROHM自有的电路和器件技术“TDACC”*4，通过优化控制流过电流的通道数量，在保持小型封装的前提下抑制了发热量并实现了低导通电阻*5，这些特性在小型IPD中是很难同时兼顾的。这将非常有助于各种设备的安全运行和减少功率损耗。

       采用TDACC技术可以进一步缩小封装，从而成功地实现了业界尚不多见的SOP-J8封装双通道输出40mΩ（导通电阻）的产品。单通道和双通道产品均有40、80、160、250mΩ多种导通电阻值可选，能够满足客户多样化的需求。另外，新产品的接触放电耐受能力（表示对过电流浪涌的耐受能力）也高于普通产品，这将有助于各种设备的安全工作。

　　新产品已于2022年10月开始暂以系列合计月产60万个（样品价格320日元/个，不含税）的规模投入量产。现已开始网售，可从Ameya360电商平台购买。

　　未来，ROHM计划将采用TDACC技术的IPD专用工艺进一步微细化，开发更低导通电阻、更小型、更多功能、更多通道的系列IPD产品，通过丰富的产品阵容为汽车和工业设备应用的安全、安心和节能贡献力量。

　　＜应用示例＞

　　◇BCM（Body Control Module）、外饰灯和内饰灯、引擎、变速箱等车载电子设备

　　◇PLC（Programable Logic Controller）等工业设备

　　以及其他各种应用。


（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

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2026-06-22 10:06 reading：163
ROHM | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列
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　　RESDxVx系列是一款兼具超低电容与低动态电阻特性、专为高速通信设计的ESD保护二极管。　　无论是消费电子、车载还是工业设备，即使在Gbps级高速接口应用中，也能将对通信信号的影响控制得更低，同时实现出色的IC保护性能。　　本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。另外，还可前往官网查看产品新闻。　　超低电容可有效抑制信号劣化，同时兼顾高速通信的信号质量和IC保护　　实现高速接口规格所需的超低电容(0.2pF级)　　低动态电阻(Rdyn)，高箝位保护性能，实现业界先进的保护性能　　不仅实现了低电容量，还降低了与其存在权衡关系的动态电阻Rdyn(0.3Ω以下)，从而实现了更出色的钳位性能。　　适用于车载设备、消费电子及工业设备等广泛的市场领域　　产品阵容中新增两种小型封装产品
2026-06-18 09:58 reading：302
ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流
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ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流

　　单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长，数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限，业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性，并阐述下一代电源架构的应用方法路径。　　AI功耗爆增：　　48VDC正面临物理壁垒　　全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮，为更大程度地提升每平方米的算力，服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。　　图1：预计到2030年，全球AI服务器的耗电量将超过800TWh，接近1000TWh。出处：国际能源署(IEA)　　解决方案就在欧姆定律中：　　提高电压即可降低电流　　减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下，电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时，所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比，因此，从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。　　在这种情况下，目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。　　两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴，但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言，必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。　　HVDC改变电源电路：　　SiC和GaN所发挥的作用　　一旦电压架构发生变化，电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中，转换效率即使微幅提升，都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%，便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。　　提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比，这些宽带隙半导体的开关速度更快，损耗更低。　　实现示例：适用于800VDC的　　电源单元电路结构　　ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下：　　图3：ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT　　图4：适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化
2026-06-18 09:47 reading：303
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

　　中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 × 2.3mm)两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。　　在特性方面，将MOSFET导通所需的栅极阈值电压(VGS(th))设定在一般产品广为使用的3V~5V区间，能够支持更广泛的驱动条件。而且，通过改善跨导特性*2，使该特性较现有系列产品更为优异，实现了更高通用性和更低损耗。另外，关于表贴型封装，通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案，确保了非常高的通用性，便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。　　新产品的产品阵容包括“R60xxXNx系列”21款高速开关型产品，以及“R60xxWNx系列”11款具有业界超高速反向恢复特性的PrestoMOS™型产品。从重视兼容性的设计到重视低损耗的设计，客户可根据应用需求选择合适的产品。　　新产品已于2026年6月开始逐步量产(样品价格900日元/个，不含税)。网售平台已开始供应TOLL封装产品(型号：R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6024WNJ2、R6035WNJ2)，电商平台均可购买。　　ROHM今后将继续扩充超级结MOSFET 产品阵容，并计划量产650V耐压产品以及下一代产品。　　<开发背景>在数据中心和工业设备领域，随着处理负荷的增加，电力需求不断攀升。为降低功耗和发热量，市场对电源的效率提升有迫切需求。另外，在设备的小型化发展趋势下，要在有限的空间内实现高输出功率，就必须进一步提高电源电路的功率密度并更加节省空间。　　为满足这些要求，超级结 MOSFET也需要进一步降低损耗并提高热性能，因此，散热性优异的表贴型封装产品备受青睐。此外，近年来，从降低采购风险的角度出发，多源设计和确保第二供货源至关重要，因此与现有通用产品的高度兼容性也成为了重要考量条件。　　ROHM于2022年开始量产内置高速恢复二极管的PrestoMOS™型“R60xxVNx系列”以及高速开关型“R60xxYNx系列”，作为有助于降低应用产品功耗的产品，赢得了客户高度好评。这次开发出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不仅继承了原有系列低损耗特性和高可靠性，还采用了散热性能优异的表贴型封装，并具备与常用产品之间的高度兼容性，有助于提高电源设计的灵活性。　　☆：开发中　　<应用示例>・AI服务器和数据中心用的电源　　・工业设备和消费电子设备用的电源(LLC、PFC、FlyBack等)　　・风扇、AC伺服等的电机、逆变器　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<关于PrestoMOS™>Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。　　PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。　　・PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 超级结MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同，又可细分为平面MOSFET、超级结MOSFET等不同种类的产品。与平面MOSFET相比，超级结 MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。　　*2) 跨导特性　　表示MOSFET中电流相对于输入栅极电压的易流动程度的特性。通过改善该特性，可提高对栅极控制的响应性，降低开关时的损耗，同时能够适配更广泛的电路条件，从而提升通用性。
2026-06-17 13:24 reading：297
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