每天谈论的芯片,到底是什么东西

Release time:2023-02-03
author:Ameya360
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  我们天天议论芯片,你可知道芯片究竟是什么?今天Ameya360电子元器件采购网将给大家进行介绍!

每天谈论的芯片,到底是什么东西

  1. 芯片的发明改变了人类生活方式

  1947 年 12 月 23 日,美国贝尔实验室 3 位科学家约翰·巴登、威廉·肖克利和瓦尔特·布拉顿发明了锗晶体三极管,电子世界进入半导体时代。晶体三极管的 3 位发明人获得 1956 年诺贝尔物理学奖。

  20 世纪 50 年代是半导体的黄金时期,几乎所有的半导体材料和基本工艺都是在这一时期研发出来的。

  1954 年 10 月 18 日,美国德州仪器公司发明了晶体管收音机,这个有 4 只晶体三极管的收音机小到可以装到口袋里。

  1958 年 9 月 12 日,德州仪器公司电子工程师杰克·基尔比(1923 年 -2005 年)发明了集成电路,并在 1959 年成功制造出世界上第一块集成电路,即芯片。该集成电路就是在一块锗片上蚀刻出 PNP 型晶体管(三极管)、电阻和电容,用外部导线把它们连接成电路。这块简陋的集成电路拉开了芯片产业的序幕,也把人类科技水平推向一个新的高峰,并彻底改变了人类的生活方式。

  芯片制造技术的不断进步让单个晶体管价格大降。1959 年,一块芯片上有 6 个晶体管,折合每个晶体管 10 美元;1971 年,一块芯片上有 2000 个晶体管,折合每个晶体管 0.3 美元;2004 年,一块芯片上有上百亿个晶体管,单个晶体管价格跌至十亿分之一美元。芯片性价比的提高,让芯片进入普通百姓家庭成为可能。

  芯片可谓 20 世纪最伟大的发明,其他很多发明也建立在芯片的基础上。今天,我们生活在一个被芯片包围的世界里,没有芯片寸步难行。

  百姓日常生活离不开芯片,手机、电脑、智能手表等智能设备有芯片,光猫、路由器、U 盘、储存卡、移动硬盘等网络设备和电脑外设有芯片,身份证、护照、银行卡、购物卡、消费卡等随身证件有芯片,电视、音响、投影仪、充电器、LED 灯、电子秤、空调、冰箱、微波炉、电磁炉、热水器等家用电器也有芯片,门禁、监控、太阳能电池等也需要芯片。如果谁发明一种代码让世界上所有的芯片失效,那人类生活将会停滞。

  杰克·基尔比因发明芯片获得 2000 年诺贝尔物理学奖。他也是手持计算器和热感打印机的发明人。基尔比被人称作科学家时,他谦虚地说:“科学家是解释事物的人,要有伟大的思想;而我是解决问题的人,就是个工程师,职责就是发明新工艺,制造新产品,而且还要从发明创造中赚钱。”

  2. 认识芯片必须首先了解“PN 结”

  从上文可知,在半导体材料上制作出二极管、三极管、电阻、电容等电子元件,再用导线把它们连接起来,这就是集成电路,也叫芯片。要想认识芯片,必须首先了解“PN 结”,它是半导体技术的核心。

  半导体材料掺入五价元素,电子浓度增大,形成 N 型半导体;半导体材料掺入三价元素,空穴浓度增大,形成 P 型半导体。“空穴”指的是共价键上的电子获得能量后摆脱共价键的束缚成为自由电子后,在共价键上留下的空位。

  P 型半导体与 N 型半导体紧密接触后,带负电的电子和带正电的空穴便向对方扩散;电子和空穴在扩散中导致接触面形成内电场,内电场又阻止这种扩散,让电子和空穴向回漂移。当电子和空穴的扩散速度和漂移速度达到动态平衡时,P 型半导体与 N 型半导体的接触面便形成“PN 结”。

  “PN 结”的主要性能就是“单项导电性”。如果把 P 型半导体端作正极,N 型半导体端作负极,电流便可通过 PN 结;如果把 N 型半导体端作正极、P 型半导体端作负极,电流则不能通过 PN 结。计算机用二进位就是由“PN 结”的性能决定的,电流通过“PN 结”代表“1”,电流不能通过“PN 结”代表“0”。

  “PN 结”就是二极管。如果让两块 P 型半导体中间夹着一块 N 型半导体,就构成三极管,也就是上文提到的 PNP 型三极管。当然,如果让两块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体,这就成了 NPN 型三极管。

  普通人是看不到芯片“真身”的,芯片小如人的头皮屑,大的也就像人的指甲盖,因为它太单薄,必须封装在密封的壳中才能连接到外部电路上。打开电脑、电视等电器,可以看到一块很大的电路板,电路板上有很多电子元件,那些有多个引脚的电子元件就是芯片,这些引脚连接着芯片的输入输出端,有的在芯片封装体的两侧,有的在四个面上,有的则是在底部成矩阵排列,密密麻麻,有 1000 多个引脚。

  3. 造芯片好比在一粒米上雕刻地球及所有道路建筑

  这里需要提及一个概念,那就是“摩尔定律”。1965 年,世界著名芯片制造商美国英特尔公司的创始人之一戈登·摩尔提出,单片芯片上的晶体管数量会每年翻一番。后来他更正为每两年翻一番。这一判断经过实践验证基本正确。2011 年,英特尔酷睿 i7 芯片上有 22.7 亿个晶体管。目前,一些高端芯片上的晶体管数量超过数百亿个。几年前,半导体厂商 Cerebras Systems 用台积电 16 纳米制程工艺生产的 AI 芯片 WSE,则集成了 1.2 万亿个晶体管!

  “制程”指的是芯片上晶体管栅极宽度,我们可以把它通俗地理解成晶体管的大小。制程越小,在一块芯片上制作的晶体管就越多,集成电路的规模就越大。

  芯片运算速度不断提高,得益于芯片的集成度越来越高。芯片的集成度越高,上面的电子元件就越小,各电子元件之间的导线也就越短,电流通过时用的时间随之缩短,能耗减少,处理速度加快。

  让一块芯片承载更多的晶体管,有三种方法,一是增加芯片面积,二是缩小晶体管体积,三是让集成电路立体化。增大芯片面积一般不被考虑,因为这会增加能耗,降低芯片的效率。现在,人们主要采取后两种方法增加芯片上的晶体管数量。

  芯片制造属于微观世界,上面的电子元件小到只有几个原子或几个分子大,要用更小的度量衡单位纳米和埃来衡量。一般尺子上的最小刻度是毫米,1 毫米等于 1000 微米,1 微米等于 1000 纳米,1 纳米等于 10 埃。人的头发直径是 7 万纳米,周长是 22 万纳米。用制程 5 纳米工艺制造芯片,就好比沿着一根头发修建 4.4 万条公路。

  缩小电子元件体积是有极限的,人们便考虑在一块芯片上搭建多层集成电路来增加晶体管数量。这就好比是建居民住宅,平房容纳的居民数少,盖成几十层高的楼房容纳的居民数就多。集成电路的叠加要比盖楼房复杂得多。楼房各层布局是相同的,而芯片各层电路是不同的,层与层之间的连接异常复杂。

  我们再进一步比喻,制造芯片就像在一颗米粒上雕刻出一个完整的地球,而且还要把地球上所有的道路和建筑都要雕刻出来。道路就是芯片上的导线,建筑就是芯片上的电子元件。通过这个比喻,读者便可想象,制造芯片该有多复杂,难度该有多大。

  4. 硅的提纯是芯片产业的基础

  半导体材料很多,但在实际应用中,九成以上都选用硅,因为硅的熔点是 1415 摄氏度,可在芯片加工中允许高温工艺。

  硅是从沙子冶炼来的,但要把沙子冶炼成能制造芯片的硅,需要极高的纯度。我们把纯度是 99.99%的金叫纯金(4 个 9),但制造芯片的硅的纯度至少要达到 11 个 9,即每 10 亿个硅原子里的杂质原子不得超过 1 个,这一纯度的硅 1955 年美国贝尔实验室就提炼出来了。目前一块芯片上有数以千亿计的电子元件,对硅的纯度要求更高,至少为 13 个 9,这是芯片制造的基础,不掌握硅的提纯技术,是不可能造出芯片来的!

  读者会问,为什么制造芯片的硅要求纯度这么高? 芯片上的电子元件非常微小,如果用 5 纳米制程工艺制造芯片,上面有 1 纳米的杂质就会把整块芯片废掉。我们不妨打个比方。如果一条公路 40 米宽,公路中间有块 1 米宽的大石头,汽车可避开这块石头走,不会造成交通拥堵。但是,如果一条公路只有 5 米宽,公路中间有块 1 米宽的大石头,汽车就避不开这块石头了,这条公路就堵死了。

  所以,制造芯片不但要求硅的纯度高,还要求制造工艺的各个环节是无尘的,其纯净度是医院外科手术室的 10 万倍,甚至有一半的工艺是在真空环境下进行的。正因为如此,新冠肺炎疫情下芯片制造厂无需停工抗疫,因为工作人员从头到脚全身防护,有的防护服甚至自带呼吸系统,以防人体新陈代谢的脱落物和呼出的气体污染芯片。

  5. 光刻机其实是集成电路投影仪

  “光刻机”这个名字翻译不准确,很有误导性,很多人误认为光刻机通过物理接触在晶体硅表面上“刻”出集成电路来,就像电脑刻字一样。其实,芯片不是“刻”出来的,而是“照”出来的。所以,光刻机叫“集成电路投影仪”更贴切。

  当制造芯片的晶圆进入光刻工艺阶段时,光刻机通过掩模版把集成电路图投影到晶圆表面的光刻胶上,光刻胶曝光后,通过化学药液把曝光区域蚀刻,然后清洗,这样,集成电路的图形就出来了。光刻过程和传统照相的照片冲印是一个道理,光线通过底片让相纸感光,然后把感光的相纸放在药液里显影、定影。

  一块芯片要经过数十次甚至数百次光刻,光刻后的若干工艺还需要几个星期,然后才能进入封装阶段。

  芯片制造技术日新月异,但芯片制造的大多数核心技术出自贝尔实验室,贝尔实验室为信息技术革命所做的贡献永垂青史。

  6. 有光刻机就能造芯片吗?

  很多读者对光刻机很感兴趣,认为有了光刻机就能造出芯片来。其实不然,虽然光刻机在芯片制造中占重要地位,但它仅是芯片制造 1000 多道工艺中的一道而已,有了光刻机但如果没能掌握其他工艺,照样造不出芯片来。

  1961 年,美国 GCA 公司制造出世界上第一台光刻机。目前,世界上有 4 个国家的 7 家公司可以制造光刻机,即荷兰的阿斯麦尔,美国的英特尔、超科技半导体、鲁道夫,日本的尼康、佳能,德国的速思微科。

  上文已述,芯片产业的基础是材料,也就是硅的提纯,不掌握硅的提纯技术,生产不出芯片级纯度的晶体硅,造芯片就无从谈起。

  再有,芯片上有数以千亿计的电子元件,这么庞大的电路靠人工是画不出来的,必须使用电子设计自动化软件 EDA。EDA 是诸多自然学科的综合运用,由美国凯登、新思科技和明导三家公司垄断。

  EDA 在芯片制造过程中起着决定性作用,芯片的功能和集成度,完全取决于 EDA 的设计能力。有了高纯度硅和光刻机,却没有 EDA 或不会使用 EDA,照样造不出芯片来。


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芯片Layout中的Guard Ring是什么?
  在芯片设计中,Guard Ring(保护环) 是一种环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围的版图结构,形成关键的“隔离带”。它的核心使命是提高电路的可靠性、性能和抗干扰能力,是复杂芯片(尤其是混合信号芯片、高可靠性芯片)成功量产的关键因素之一。  Guard Ring的物理构成  Guard Ring并非单一结构,而是由多个精心设计的物理组件协同构成:  1衬底接触环  采用高掺杂的P+区域(P型衬底)或N+区域(N型衬底/深N阱)。其核心作用是提供到半导体衬底的低阻连接。它能有效收集衬底中不需要的少数载流子,防止其干扰被保护电路,稳定衬底电位,减少衬底噪声耦合,并为潜在寄生电流提供泄放路径。  2阱接触环标题  采用高掺杂的N+区域(N阱)或P+区域(P阱)。它提供到阱的低阻连接点,稳定阱电位并收集阱中产生的少数载流子。在双阱工艺中,N阱接触环本身就能阻挡衬底中的少数载流子(空穴)进入N阱。  3隔离结构  通常指浅沟槽隔离或深沟槽隔离。它在物理上分隔保护环内外的区域,阻止表面漏电流路径,增加载流子从外部扩散进入保护区域的难度,是防止闩锁效应的关键物理屏障。  4连接线  通过通孔和金属层将衬底接触环和阱接触环连接到指定电位(VSS或VDD)。确保这些连接具有极低的电阻至关重要。  Guard Ring的核心作用  Guard Ring通过其物理结构实现多重关键保护功能:  1防止闩锁效应  这是Guard Ring最核心的作用。闩锁效应由芯片内部寄生的PNPN结构意外触发引发,可导致大电流、功能失效甚至芯片烧毁。Guard Ring通过提供低阻的阱和衬底接触,有效收集触发闩锁的寄生载流子,在其达到触发浓度前将其泄放。同时,隔离结构增加了载流子横向流动的阻力。它对包含NMOS和PMOS相邻放置的电路(如CMOS反相器、I/O驱动器)的保护尤为关键。  2抑制衬底噪声耦合  芯片上不同模块(尤其是数字模块与敏感的模拟/射频模块)工作时产生的噪声会通过公共硅衬底传播。连接到干净VSS的衬底接触环作为一个低阻抗的“汇”,能吸收和分流试图进入保护区域的衬底噪声电流,为被保护电路提供局部的“安静地”,显著降低噪声干扰。  3阻挡少数载流子注入  芯片某些区域(如开关状态的NMOS源/漏、反向偏置的PN结)可能向衬底注入少数载流子(电子或空穴)。这些载流子扩散到敏感区域(高阻节点、存储节点、精密基准源)会引发漏电流、电压偏移或数据错误。Guard Ring(尤其是反向偏置的阱接触环,如N阱环接VDD阻挡空穴)能收集这些扩散载流子,阻止其到达敏感区域。  4提高器件隔离度与可靠性  在需要高隔离度的应用(如RF电路、混合信号电路)中,Guard Ring有助于减少相邻器件间通过衬底的串扰。通过综合防止闩锁、减少噪声干扰和漏电流,Guard Ring显著提升了被保护电路的长期工作可靠性和稳定性。  设计与实现考量  Guard Ring的设计需结合具体工艺和电路需求:  必要性:为MOS器件提供衬底/阱电位(Bulk端)的Guard Ring是必不可少的。用于隔离噪声或防止Latch-up的Guard Ring则需评估实际需求(是否存在噪声源或对噪声敏感)。  结构选择:根据保护对象(PMOS/NMOS/DNW器件)选择对应的NWring、PSUBring或DNWring结构。其版图实现需严格遵循特定工艺的设计规则(Design Rule),例如有源区(AA/OD)与注入层(SP/PP/SN/NP)的包围关系、接触孔(CT/CONT)的尺寸和间距、金属层(M1)的连接等。  增强防护:有时会采用双层Guard Ring结构,以进一步降低阱/衬底的寄生电阻压降,增强隔离效果,更有效地降低Latch-up风险。  面积权衡:添加Guard Ring必然增加芯片面积。设计时必须在防护效果和成本(面积)之间进行仔细权衡。  Guard Ring是芯片版图设计中基础而关键的防护结构。其本质是通过在敏感电路周围精确构建阱接触环、衬底接触环和隔离结构,并将它们连接到合适的电源/地网络,共同形成一个高效的载流子收集阱和噪声隔离带。它从根本上防止了致命的闩锁效应,有效抑制了衬底噪声耦合,并阻挡了有害的少数载流子注入,从而极大提升了芯片的鲁棒性、性能和可靠性。
2025-10-30 14:49 reading:260
全球首款,我国芯片研制获重大突破!
  据《科技日报》报道,近日,清华大学电子工程系方璐教授团队在智能光子领域取得重大突破,成功研制出全球首款亚埃米级快照光谱成像芯片“玉衡”,标志着我国智能光子技术在高精度成像测量领域迈上新台阶。相关研究成果在线发表于学术期刊《自然》。  科研团队基于智能光子原理,创新提出可重构计算光学成像架构,将传统物理分光限制转化为光子调制与计算重建过程。通过挖掘随机干涉掩膜与铌酸锂材料的电光重构特性,团队实现高维光谱调制与高通量解调的协同计算,最终研制出“玉衡”芯片。“玉衡”光谱成像芯片概念图。图片来源:清华大学  “玉衡”芯片仅约2厘米×2厘米×0.5厘米,却可在400—1000纳米的宽光谱范围内,实现亚埃米级光谱分辨率、千万像素级空间分辨率的快照光谱成像,能在单次快照中同步获取全光谱与全空间信息,其快照光谱成像的分辨能力提升两个数量级,突破了光谱分辨率与成像通量无法兼得的长期瓶颈,为高分辨光谱成像开辟了新路径。  方璐表示,“玉衡”攻克了光谱成像系统的分辨率、效率与集成度难题,可广泛应用于机器智能、机载遥感、天文观测等领域,以天文观测为例,“玉衡”的快照式成像每秒可获取近万颗恒星的完整光谱,有望将银河系千亿颗恒星的光谱巡天周期从数千年缩短至十年以内,凭借微型化设计,它还可搭载于卫星,有望在数年内绘制出人类前所未有的宇宙光谱图景。
2025-10-16 14:25 reading:365
全球首款1.8纳米芯片发布!
  正在努力扭转艰难处境的老牌芯片厂英特尔,周四(10月9日)展示了即将亮相的新一代先进制程PC芯片,开始向苹果、高通、AMD、台积电等竞品发起反击。  公司发布的照片显示,今年3月履新的CEO陈立武站在亚利桑那工厂门口,捧着一块代号为Panther Lake的新一代酷睿处理器晶圆。这是首款采用英特尔18A工艺(18埃米,即1.8纳米)的芯片。  英特尔特别强调,18A工艺也代表着芯片行业两大创新技术的应用:全环绕栅极晶体管以及背面供电网络。与Intel 3相比,18A能够提供15%的频率提升,且晶体管密度提高1.3倍,或者在同等性能水平下降低25%的功耗。  据悉,新一代芯片与被称为“英特尔CPU能效巅峰之作”的Lunar Lake相比,相同功耗下性能提升50%。而在性能相同时,相较上一代Arrow Lake-H处理器功耗降低30%。  公司也在周四表示,除了个人电脑外,Panther Lake还将拓展至机器人在内的边缘应用领域。基于18A工艺的至强6+服务器处理器也将于2026年上半年发布。  英特尔世界首款 1.8nm 要点  1、世界首款:预览三代酷睿 Ultra(Panther Lake),首款 18A 制程客户端 SoC;  2、生产进展:Panther Lake 已投产,按计划推进,有望成热门 PC 平台;  3、服务器新品:首展至强 6+(Clearwater Forest),18A 制程,功耗性能大进;  4、核心制程:Intel 18A 是英特尔最先进半导体节点(1.8nm);  5、制造保障:亚利桑那 Fab 52 已运营,今年晚些时候 18A 量产,巩固领先。
2025-10-10 15:24 reading:338
芯片的分类以及IC设计的基本概念介绍
  什么是芯片?  “芯片”(Chip)是“集成电路”(Integrated Circuit, IC)的俗称,是一种微型化的电子器件。它将大量的晶体管、电阻、电容、电感等电子元器件以及它们之间的连接线路,通过半导体制造工艺(主要是光刻技术),集成在一块微小的半导体材料(通常是硅,Silicon)基片上,形成一个完整的、具有特定功能的电路系统。  ▌核心材料  硅(Silicon)。硅是一种半导体材料,其导电性介于导体和绝缘体之间,可以通过掺杂等方式精确控制其电学特性。  ▌制造过程  在晶圆(Wafer,即一大片圆形的硅片)上,通过复杂的光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等数百道工序,将电路图形一层一层地“雕刻”上去。  ▌最终形态  制造完成后,晶圆被切割成一个个独立的小方块,这就是裸芯片(Die)。裸芯片再经过封装(Package),加上引脚和保护外壳,就成为了我们通常看到的、可以焊接到电路板上的芯片。  ▌简单比喻  可以把芯片想象成一个“微型城市”。硅片是土地,晶体管是城市里的“开关”或“门卫”,负责处理信息(开/关,1/0);导线是城市的“道路”,连接各个区域;整个集成电路就是这个城市的“规划图”,规定了所有建筑(元器件)和道路(连接)的布局,使其能协同工作。  芯片的分类  ▌按功能分类  数字芯片 (Digital IC):  特点:处理离散的数字信号(0和1)。逻辑清晰,抗干扰能力强,易于大规模集成。  代表:  微处理器 (Microprocessor, MPU,GPU,CPU等)  计算机、手机等设备的“大脑”,执行指令和处理数据(如Intel CPU, Apple M系列芯片)。  微控制器 (Microcontroller, MCU)  集成了处理器、内存、I/O接口等功能的“单片机”,常用于嵌入式系统(如家电、汽车电子)。  存储器 (Memory)  用于存储数据和程序。  逻辑门电路/可编程逻辑器件 (PLD)  如FPGA(现场可编程门阵列)、CPLD(复杂可编程逻辑器件),用户可以自行编程实现特定逻辑功能。  RAM (随机存取存储器)  如DRAM(动态RAM,主内存)、SRAM(静态RAM,高速缓存),断电后数据丢失。  ROM (只读存储器)  如Flash(闪存,U盘、SSD、手机存储)、EEPROM,断电后数据不丢失。  模拟芯片 (Analog IC):  放大器 (Amplifier)  如运算放大器(Op-Amp),用于放大微弱信号。  电源管理芯片 (Power Management IC, PMIC)  负责电压转换(升压/降压)、稳压、充电管理、电源分配等(手机、电脑中常见)。  数据转换器 (Data Converter)  如ADC(模数转换器,将模拟信号转为数字信号)、DAC(数模转换器,将数字信号转为模拟信号)。  射频芯片 (RF IC)  处理高频无线信号,用于通信(如手机、Wi-Fi、蓝牙模块)。  特点:处理连续变化的模拟信号(如电压、电流、温度、声音)。设计难度高,对噪声和干扰敏感。  混合信号芯片 (Mixed-Signal IC):  特点:在同一芯片上同时集成了数字电路和模拟电路。现代芯片大多是混合信号芯片。  代表:很多传感器接口芯片、通信芯片(如基带处理器)、SoC(见下文)。  ▌按集成度分类  SSI (Small-Scale Integration, 小规模集成电路)  :集成几十个晶体管(如简单的逻辑门)。  MSI (Medium-Scale Integration, 中规模集成电路)  :集成几百个晶体管(如计数器、译码器)。  LSI (Large-Scale Integration, 大规模集成电路)  :集成几千到几万个晶体管(如早期的微处理器、存储器)。  VLSI (Very Large-Scale Integration, 超大规模集成电路)  :集成几十万到几百万个晶体管(现代大多数芯片都属于此范畴)。  ULSI (Ultra Large-Scale Integration, 特大规模集成电路)  :集成上千万甚至数十亿个晶体管(如现代高性能CPU、GPU)。  ▌按应用领域分类  通用芯片  设计用于广泛的应用场景,如CPU、GPU、标准存储器。  专用集成电路 (ASIC - Application-Specific Integrated Circuit)  为特定应用或客户定制设计的芯片,性能和功耗优化,但开发成本高。  系统级芯片 (SoC - System on Chip)  将一个完整系统的大部分甚至全部功能(如CPU、GPU、内存控制器、DSP、I/O接口、射频模块等)集成在单一芯片上。这是现代电子设备(尤其是移动设备)的核心,如手机的主控芯片(如高通骁龙、苹果A系列)。  IC设计的基本概念  IC设计是创造芯片的“蓝图”和“规划”的过程,是一个高度复杂、多学科交叉的工程。这里主要介绍数字IC的设计,分为两大阶段:  ▌前端设计 (Front-End Design)  专注于功能的定义、验证和逻辑实现。  规格定义 (Specification)  明确芯片需要实现的功能、性能指标(速度、功耗)、接口标准等。  架构设计 (Architecture Design)  设计芯片的整体结构,如采用何种处理器核心、总线结构、存储层次等。  RTL设计 (Register-Transfer Level Design):  使用硬件描述语言(HDL),如Verilog或VHDL,编写代码来描述芯片的行为和数据在寄存器之间流动的方式。这是前端设计的核心,将功能需求转化为可综合的逻辑描述。  功能验证 (Functional Verification):  通过仿真(Simulation)等手段,确保RTL代码在各种输入条件下都能正确实现预期功能。  这是设计过程中耗时最长、成本最高的环节之一,目标是“把错都找出来”。  逻辑综合 (Logic Synthesis):  使用EDA(Electronic Design Automation,电子设计自动化)工具,将RTL代码自动转换为由标准单元库(如与门、或门、触发器等)构成的门级网表(Netlist)。这个过程会考虑时序、面积和功耗的约束。  ▌后端设计 (Back-End Design)  专注于物理实现,将逻辑设计转化为可以在晶圆上制造的物理版图。  物理实现 (Physical Implementation):  布局 (Placement)  将门级网表中的所有标准单元在芯片版图上进行物理摆放。  布线 (Routing)  根据网表连接关系,在布局好的单元之间铺设金属导线。  静态时序分析 (Static Timing Analysis, STA)  在不进行仿真的情况下,分析电路中所有可能的时序路径,确保信号能在时钟周期内稳定传输,满足建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold Time)的要求。  物理验证 (Physical Verification):  设计规则检查 (Design Rule Check, DRC)  确保版图符合晶圆厂的制造工艺规则(如最小线宽、最小间距)。  版图与电路图一致性检查 (Layout vs. Schematic, LVS)  确保最终的物理版图与原始的门级网表在电气连接上完全一致。  电气规则检查 (Electrical Rule Check, ERC)  检查版图中的电气连接是否正确(如避免悬空引脚)。  寄生参数提取 (Parasitic Extraction)  提取布线产生的寄生电阻、电容等参数,用于更精确的时序和功耗分析。  最终交付  生成符合晶圆厂要求的GDSII或OASIS格式的版图文件,交付给晶圆厂进行制造。
2025-10-10 09:59 reading:402
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