Littelfuse:实现稳健的车载通信

Release time:2024-03-26
author:AMEYA360
source:Littelfuse
reading:1677

  不断发展的汽车架构在增强安全性、便利性和舒适性的同时,正以经济高效的方式简化设计。这些高性能系统需要强大、可靠的电路保护。

  TVS二极管阵列

  保护敏感汽车电子产品免受ESD(静电放电)的损坏,符合OPEN Alliance 100/1000 BASE-T1以太网标准。

Littelfuse:实现稳健的车载通信

  AQ24ETH-02HTG双向TVS采用专有硅雪崩技术制造,可保护敏感汽车电子设备免受 ESD(静电放电)的损坏,符合OPEN Alliance 100/1000 BASE-T1以太网和其他高速数据网络应用的要求。

  耐用型器件可安全重复吸收1000次ESD冲击(OPEN Alliance标准),具有ISO10605中定义的±30 kV接触放电(放电存储电容器C=150 pF和放电电阻器R=330Ω),而不会出现任何性能降级。

  功能与特色:

  · ESD, IEC 61000-4-2, ±30 kV 接触放电/空气放电;

  · ESD, ISO10605 150 pF 330Ω, ±15 kV接触放电1000次(OPEN Alliance 标准);

  · ESD, ISO10605 330 pF 330Ω, ±30 kV 接触/空气放电;

  · EFT, IEC 61000-4-4, 40 A(5/50 ns);

  · 最大浪涌电流,IEC 61000-4-5 第2版, 3 A(8/20 μs);

  · 低漏电流,0.1 μA(最大) @24 V;

  · 高触发电压,100 V(最小) @Vt1;

  · 无卤素,无铅,符合 RoHS 标准;

  · 湿度灵敏性等级(MSL-1);

  · 符合AEC-Q101与PPAP标准;

  应用:

  · 100/1000BASE-T1 以太网(OPEN Alliance标准);

  · 高速数据网络;

  · 低电压差分信号 (LVDS);

  TVS二极管SOD-123FL中的汽车表面贴装式400W单向/双向瞬态抑制二极管,设计用于保护敏感汽车系统或器件免受高电压、高能量瞬变的损坏。

  SZSMF4L系列专为保护敏感系统或器件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速响应时间、低齐纳阻抗、高浪涌能力和出色的箝位能力。由于外形小巧,因此适合用于汽车电子产品应用。

  功能与特色:

  · 齐纳瞬态过压抑制器;

  · 峰值工作反向电压范围:5 V~78 V(单向),10 V~78 V(双向);

  · 峰值功率: 400 W @ 1 ms;

  · 具有低泄漏电流性能的平面芯片设计;

  · 典型响应时间 < 1 ns;

  · 人体模型3类ESD额定值(> 16 kV);

  · IEC-61000-4-2 ESD 30 kV (空气),30 kV (接触);

  · 带式包装中的引线方向: 阴极引线朝向定位孔;

  · 无铅组件,符合RoHS;

  · SZ前缀针对汽车和其他有控制变更要求的应用;符合AEC-Q101与PPAP标准;

  应用:

  瞬态抑制器件非常适合保护输入/输出接口、VCC总线和其他用于汽车应用的易损电路。

  XTREME-GUARD™ESD抑制器

  AXGD系列XTREME-GUARD™静电放电抑制器保护敏感电子设备免受极端ESD情况,用于高速通信协议的超低电容聚合物 ESD 保护器,ESD 瞬态电压高达 30 kV。

  AXGD系列XTREME-GUARD™静电放电抑制器是一款汽车用聚合物ESD保护器件。保护灵敏的电子器件免受ESD损坏——从8 kV到高达30 kV接触/空气放电的极端条件。适用于额定电压不超过32 VDC的应用,极低的电容可确保与高速数据线应用兼容。AXGD系列符合AEC-Q200标准,适合汽车应用,例如信息娱乐系统、汽车天线、RF天线系统以及中高端电子产品。符合RoHS标准,无卤素,无铅。

  功能与特色:

  · 符合AEC-Q200标准;

  · 高达30 kV接触/空气放电的ESD额定值;

  · 符合RoHS标准,无卤素,无铅;

  · 超低电容;

  · 泄露电流低;

  · 快速响应时间;

  · 双向;

  · 可耐受多次ESD冲击;

  · 兼容拾放操作;

  · 可提供每卷1000、5000和10000个的封装形式(EIA-RS481);

  · 最高可达32 V的额定电压;

  · 高达125 ºC的工作温度;

  应用:

  · 信息娱乐系统

  · 汽车应用

  · 高速接口

  · 高频产品(RF、天线系统、以太网、USB、DVI和LVDS)

  自恢复保险丝PPTC

  为汽车电子产品提供节省空间、表面贴装的可复位过流保护解决方案。

  PPTC器件有助于减轻电线束的重量,其分布于支持更小线径的电路中。 您可将保护器件安装于大小适当的任何地方,而不必再将线束围着保险丝盒来回缠绕。PPTC器件的固态成分有助于确保其可靠运行。

  功能与特色:

  · 符合RoHS标准

  · 产品符合相应的汽车行业标准

  · 兼容大批量电子组装件

  · 来自全球领先自恢复过流保护设备制造商的专业知识

  · 广泛的汽车专用表面贴装式和径向引线式自恢复过流保护器件

  应用:

  · 汽车和工业运输

  · 驱动电机和中型电机

  · PCB走线保护

  · 线束/接线盒保护

  · 供电输出

  · 电子控制模块

  · 信息通信/信息娱乐系统

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Littelfuse推出快速切换、低输入电流紧凑型继电器CPC1056N
  Littelfuse宣布推出固态继电器CPC1056N,这是一款紧凑、高性能的60V、75mA 1-A型固态继电器(SSR),旨在满足下一代电子系统对快速、高效和节省空间的开关解决方案日益增长的需求。  CPC1056N固态继电器  CPC1056N采用无活动部件的固态设计,可提供安静、免维护的运行,并避免EMI/RFI干扰。该器件提供高输入输出隔离(1500VRMS)和3ms的快速切换速度。超低LED触发电流仅为0.5mA,支持低功耗TTL或CMOS逻辑直接驱动,无需额外电路。  CPC1056N采用紧凑的4引脚SOP封装,符合EN50130-4、UL1577和EN62368-1标准,是安防、医疗、工业自动化、智能电表和电动汽车充电基础设施应用的理想选择。  “CPC1056N的推出使我们的客户能够在不影响性能的情况下简化其设计,并且有助于开发高效、紧凑、可靠的电子系统。”Littelfuse产品营销经理Hugo Guzman表示,“通过在紧凑的封装中结合快速开关、超低输入电流和强大的隔离性,这种固态继电器解决了空间有限和能源敏感型应用的关键挑战。它能帮助工程师降低复杂性、提高能源效率,并加速产品在安防、工业自动化及电动汽车基础设施等广泛行业中的上市进程。  功能与特色  · 60V、75mA连续额定负载:适用于低压信号和控制电路;  · 低LED触发电流(0.5mA):允许与TTL/CMOS逻辑和低功耗微控制器直接连接;· 快速切换(3ms ton/toff):以最小的延迟支持快速应用;  · 1500VRMS输入到输出隔离:为敏感系统提供基本的电流隔离;  · 紧凑型SOP-4封装:在密集型设计中节省宝贵的电路板空间;· 静音固态操作:无机械磨损或可闻噪音;避免电磁干扰/射频干扰;· 符合行业标准:符合EN50130-4(安全)、UL1577和EN62368-1关于系统安全与电磁兼容性的标准。  市场与应用  · 安防系统:PIR运动检测器、数据信号、传感器控制;  · 医疗器械:患者和设备隔离,低噪声开关;  · 工业自动化:工厂控制、多路复用器和测试设备;  · 电动汽车充电基础设施:智能充电器中的信号切换和继电器逻辑结合Littelfuse保护解决方案;  · 智能水电表:控制电力消耗、水流和气体流量;  · 楼宇自动化和消费电子产品:智能家电和控制系统中的紧凑、高效开关。  CPC1056N扩展了Littelfuse固态继电器产品组合,补充了现有的光隔离和功率SSR,助力客户实现高可靠性、高能效及紧凑型设计目标。
2025-12-18 11:46 reading:103
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET
  Littelfuse宣布推出MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200V、480A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低,仅为1.99mΩ,可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。  MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装,配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比,该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on),使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。  功能与特色:  · 200V阻断电压,1.99mΩ超低RDS(on),可将传导损耗降至最低;  · 高电流能力 (ID=480A) 减少了所需并联器件的数量;  · 紧凑型SMPD-X隔离封装,具有2500V隔离和改进的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) ;  · 低栅极电荷 (Qg=535nC) 降低了栅极驱动功率要求;· 采用顶部冷却式封装,简化热管理。  这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程,有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。  应用:  该MMIX1T500N20X4非常适合:  · 直流负载开关;· 电池储能系统;  · 工业和过程电源;  · 工业充电基础设施;· 无人机和垂直起降飞行器 (VTOL) 平台。  “新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中,从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道,“这有助于提高系统可靠性,简化栅极驱动器的实施,同时提高功率密度和PCB空间利用率。”  常见问答 (FAQ)  1. 与现有解决方案相比,MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率?  MMIX1T500N20X4提供1.99mΩ的超低RDS(on),额定电流为480A,可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET,可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。  2. 这款MOSFET最适合哪些应用场景?  该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。  3. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势?  高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) 和2500VRMS隔离性能,可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理,减小了系统尺寸,并增强了长期可靠性。
2025-12-15 14:56 reading:358
Littelfuse荣获功率器件卓越奖
Littelfuse新型TMR开关提供超低功耗磁感应
  Littelfuse宣布推出两款下一代隧道磁阻(TMR)磁性开关:LF21112TMR全极开关以及LF11215TMR双极开关。这两款紧凑型器件具有出色的磁灵敏度、热稳定性和超低功耗,为智能电表、可穿戴设备、消费电子产品、工业自动化和家庭安全系统提供节能传感解决方案。LFxxxxxTMR开关  扩展TMR传感器产品组合  通过将TMR技术与超低功耗CMOS设计相结合,这两款开关相较于传统的霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术,均展现出卓越的性能表现。这些产品的推出标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的重大拓展。  · LF21112TMR:公司首款全极TMR开关,能够同时检测南北磁极,使磁体放置更灵活,并简化了设计。典型电流消耗仅为200nA,是超低功耗应用的理想选择。  · LF11215TMR:一款双极数字TMR开关,以1.5μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度提供高速、精确检测。在需要定向检测的更复杂传感应用中表现出色。  双极与全极有何区别?  全极开关(如LF21112TMR)在暴露于任一磁极时都会触发响应,非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对准的应用。双极开关(如LF11215TMR)由特定磁极(通常为北极)触发,并由相反磁极(南极)复位。这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用非常有利。  主要功能与特色  两种器件均采用紧凑型SOT23-3封装,并具有以下特点:  · TMR技术可实现更高的灵敏度和热稳定性;  · 推挽式CMOS输出,提供干净的数字信号;  · 施密特触发器输入可降低噪声并提高可靠性;  · 出色的抗外磁干扰能力;· 宽工作电压:1.8V-5.0V。  这些开关可帮助工程师设计出更小、更智能、更节能的产品,同时降低机械复杂性并延长电池寿命。  市场与应用  这些创新型开关非常适用于:  · 智能水电表(煤气、水、热);· 电池供电的可穿戴设备和物联网传感器;  · 电器和电动工具的盖板与盖罩检测;  · 家庭和楼宇自动化中的篡改检测;· 轻型工业和机器人设备中的旋转和线性位置传感。  “LF21112TMR和LF11215TMR扩展了Littelfuse TMR传感器产品组合,这些解决方案致力于应对当今紧凑型、电池供电和常开设备中的关键设计挑战。”Littelfuse全球产品经理Julius Venckus表示,“两款开关都集成了隧道磁阻技术和超低功耗CMOS设计,在业界领先的电流水平下实现卓越的磁灵敏度与热稳定性 — 全极性检测仅为200nA,双极性检测则为1.5μA。这些创新使工程师能够延长电池寿命,简化磁对准,并确保在嘈杂、热要求苛刻的环境下进行可靠传感。从智能电表和可穿戴设备到工厂自动化和家庭安全系统,无论您是需要灵活的电极检测还是精确的方向切换,这些TMR解决方案都能提供设计更智能、更持久的应用所需的性能和效率。”  常见问答:TMR磁性开关  1. 与霍尔效应传感器相比,TMR开关有何优势?  与霍尔效应传感器相比,隧道磁阻(TMR)开关具有更高的磁灵敏度,功耗也大大降低。这种组合可延长电池寿命,并确保在智能电表和可穿戴设备等紧凑型常开设计中实现可靠的传感性能。  2. 全极和双极TMR开关有何不同?  全极开关(如LF21112TMR)可响应任一磁极,从而简化对准并带来更大的设计灵活性。与LF11215TMR一样,双极开关由一个电极激活,相反电极复位,从而实现精确的方向或旋转感应。  3. 是什么让这些开关成为电池供电和物联网设备的理想选择?  其超低功耗(全极仅为200nA,双极仅为1.5μA)使其成为能量敏感型应用的理想选择。该器件采用集成式CMOS设计,可保持高响应能力,同时延长可穿戴设备、传感器和计量设备的产品使用寿命。  4. LF21112TMR和LF11215TMR最适合哪些应用?  这些开关非常适合电池供电应用和空间受限的环境,例如智能水电表、可穿戴设备、物联网设备、家电和自动化系统。其紧凑的SOT23-3封装、1.8-5.0V的宽工作电压范围和强大的抗磁干扰能力,均有助于轻松集成到现代紧凑型电子产品中。  5. 这些TMR开关能否取代现有设计中的霍尔效应传感器?  可以。这两种型号通常都可以直接集成到现有的霍尔效应开关电路中,无需进行重大重新设计。推挽式CMOS输出和标准的SOT23-3尺寸简化了替代过程,而宽电压范围和增强的灵敏度可帮助工程师提升性能并降低功耗。TMR的激活方向在“X”轴上,而霍尔效应则是在“Z”轴上。
2025-11-25 16:39 reading:402
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