罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

Release time:2024-05-17
author:AMEYA360
source:罗姆
reading:1799

  随着向无碳社会的推进以及能源的短缺,全球对可再生能源寄予厚望,对不断提高能源利用效率并改进逆变器技术(节能的关键)提出了更高要求。而功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC,可以进一步提高逆变器的功率转换效率,降低工业设备的功耗,从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件模拟IC的特性及特点。

  什么是具有节能效果的逆变器?

  逆变器是用来将直流电(DC)转换为交流电(AC)并有效地提供所需电力的设备。使用效率高的逆变器,可以更大程度地提高设施和设备的性能并降低能耗。

  提到逆变器,很多人通常可能会认为它是在FA应用中用来控制电机的技术,或者用来使电泵、风门、风扇、鼓风机、空调等平稳运行的技术。其实,有效地转换电能也是逆变器的一个主要用途,是使工业设备更节能的关键技术。特别是在追求无碳社会和碳中和的进程中,太阳能发电设施中使用的光伏逆变器市场和充电桩市场不断增长,从而对具有出色能量转换效率的逆变器的需求也日益高涨。接下来将围绕逆变器的功率转换进行具体说明。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  逆变器及其相关的功率元器件解决方案在促进包括太阳能发电系统在内的各种工业设施和设备的节能和效率提升方面发挥着核心作用。另外,逆变器的高效运作高度依赖于半导体技术的进步。通过使用先进的半导体,可以使逆变器更高效、更稳定地工作。此外,还可以延长设备的使用寿命,先进半导体产品能够带来诸多好处。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  为什么必须要使逆变器更加节能?

  逆变器本身已经不是一项新技术,大家所用的设施和电气设备中都有可能配有逆变器。然而,如今对使用中的设施和设备中的逆变器进行改进的需求越来越多。

  其主要原因之一是制造现场的用电量增加。目前,很多生产设施的自动化和智能化程度都越来越高。尽管单台设备都更加节能,但从设施整体看,用电量却在增加,这种情况屡见不鲜。要想更大程度地发挥出设施的节能性能,逆变器也需要具备相应的性能。

  另一个主要原因是设备电压提升以及对设备小型化、轻量化的要求提高。例如,在太阳能发电设施中,电压越来越高,功率调节器却越来越小、越来越轻,这就要求作为功率转换设备的逆变器能够满足这些需求。

  功率元器件是提高逆变器节能效果的关键所在

  使用逆变器进行功率转换时,大约有90%的功率损耗是由功率元器件造成的。

  因此,可以毫不夸张地说,功率元器件的性能决定了逆变器的性能。

  在工业设备领域,以往主流的Si功率元器件正在被SiC功率元器件GaN功率器件快速取代。在逆变器领域也呈现同样的趋势。

  那么,应该如何为逆变器选择合适的功率元器件呢?

  事实上,并不是仅仅更换为新的SiC元器件或GaN器件即可解决问题。这是因为设施的规模和需求不同,相应的解决方案也会不同。根据设施需求和用途选择合适的功率元器件解决方案,就可以实现性价比更高和能量转换效率更出色的逆变器,从而通过逆变器实现节能。

  例如,ROHM的功率元器件产品群具有以下特点:

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  解决不同课题和困扰的各种半导体产品的特点及优势

  理想的功率元器件解决方案会因逆变器的用途和需要解决的问题和困扰而有所不同。那么,具体而言,哪些需求更多呢?如果分得太细,涵盖的范围将非常广,所以在这里仅介绍具有代表性的需求以及相应的理想功率元器件解决方案。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  1. 希望优先提高转换效率

  当希望优先提高转换效率、提高发电量时,建议采用SiC MOSFETSiC SBD等SiC器件。SiC器件具有耐压高、导通电阻低和开关速度快的优异特性,因此用SiC器件替代Si器件可以提升转换效率,有助于提高发电量。

  例如,当要通过家用光伏逆变器提高平均照度下的发电量时,用SiC器件替代Si器件可将发电量提高3.4%左右,即1kW~2kW时的发电能力预计可改善约45W(全年210kWh)*。另外,对于支持高电压和大电流的逆变器的需求也与日俱增。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  *发电5kW时约为130W(全年570kWh)。

  2. 希望既能提高转换效率,又能降低成本

  既希望提高转换效率,又希望降低成本。Hybrid-IGBT可以满足这样的需求。Hybrid-IGBT是在传统IGBT的反馈单元(续流二极管)中使用了ROHM低损耗SiC SBD的Hybrid型IGBT,与传统的IGBT相比,可以大大降低导通时的开关损耗。

  该系列产品非常适用于诸如电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC-DC转换器、太阳能发电系统中的光伏逆变器等处理大功率的工业设备和汽车电子设备,具有功率损耗低于Si器件、成本效益优于SiC器件的优点。

  另外,对于太阳能发电设施中使用的逆变电路、图腾柱PFC电路和LLC电路,建议使用融入了Super Junction技术的PrestoMOS™。PrestoMOS™通过采用ROHM专利技术,同时实现了业界超快反向恢复时间和原本难以同时实现的低导通电阻,与同等的普通产品相比,更有助于逆变器节能。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  * PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  3. 希望有助于设备的小型化和轻量化

  不仅要求设备的节能性能出色,还希望设备的体积更小。尤其是在太阳能发电设施中,分布式系统的普及要求减轻设备重量以降低安装成本,因此相应的产品呈现小型化趋势。针对此类需求,建议采用GaN器件,这种器件在现有的集中式光伏逆变器中作为替代品已经开始普及,是非常适用于微型逆变器的器件。

  GaN器件具有出色的开关特性和高频特性,因而在市场上的应用日益广泛。不仅如此,其导通电阻也低于Si器件,在助力众多应用实现更低功耗和小型化方面被寄予厚望。

  在太阳能发电设施所用的光伏逆变器中,在其MPPT(Maximum Power Point Tracking)和蓄电单元采用GaN器件,与采用SiC器件时相比,可以进一步降低构成电路的线圈部件的电感值(L),从而能够减少绕线匝数、或使用尺寸更细的芯材,因此有助于大大缩小线圈的体积。另外,还可以减少电解电容器的数量,与Si器件(IGBT)相比,所需安装面积更小。ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并一直致力于进一步提高器件的性能。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  * EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  另一种推荐方法是利用上述第1节中介绍的SiC MOSFET在高温环境下优异的工作特性优势。由于这种器件的容许损耗低,发热量少,因此可通过与合适的外围元器件相结合来减小散热器件的数量和尺寸,从而减轻逆变器的重量。

  模拟IC

  与功率元器件一样,电源IC栅极驱动器模拟IC对逆变器的性能影响也很大。电源IC可以控制设备运行所需的电压,是相当于电气设备心脏的重要器件,起到将电压转换为合适的电压并稳定供电的作用。栅极驱动器可以控制MOSFET和IGBT的驱动,通过控制栅极电压来执行ON/OFF开关动作。由于大部分功率损耗发生在开关过程中,因此栅极驱动器对于提高节能性能而言是非常重要的器件。栅极驱动器不仅适用于使用大电流的工业设备,还适用于要求高耐压的应用。

  电源IC

  对于逆变器用的电源IC,推荐采用内置SiC MOSFET的电源IC。这种产品已经将SiC MOSFET内置于电源IC中,应用产品无需进行SiC MOSFET驱动电路设计,因此可以大大减少元器件数量,并且可以利用保护电路实现安全的栅极驱动。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  栅极驱动器IC

  虽然SiC MOSFET和GaN器件的性能很高,但它们的开关控制较难,因此离不开高性能的栅极驱动器IC。ROHM拥有可以更好地驱动上述各种功率器件的丰富的栅极驱动器IC产品群。例如,ROHM开发的GaN用栅极驱动器IC,可以更大程度地激发出GaN的高速开关性能,助力应用产品实现节能和小型化。

  分流电阻器

  在电流检测用途中使用的分流电阻器也是有助于大功率应用产品小型化的重要元件。随着应用产品的功率越来越高,对于能够处理大功率且阻值低的分流电阻器的需求也不断增长。

  分流电阻器的亮点在于其优异的散热性能和出色的温度特性。ROHM的产品阵容中包括支持高达4W~10W级额定功率的低阻值分流电阻器GMR系列,使用该系列产品,即使在大功率条件下工作也能实现高精度的电流检测,有助于设备的安全运行以及节能和小型化。

  总结

  为提高能源利用率,逆变器技术正在突飞猛进地发展,并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术,可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电,来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外,通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案,可以进一步提高逆变器的功率转换效率。ROHM通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用,来促进各种设备的节能,从而为实现可持续发展社会贡献力量。

("Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal.")

Online messageinquiry

reading
罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
  中国上海,2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,将于7月1日~3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时,罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位,集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案,以及丰富的应用案例。  当前,AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域,电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域,智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域,小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。  面对这些产业趋势,罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累,不仅提供丰富的硅功率元器 件,还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局,为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。  在本次electronica Shanghai 2026上,罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区,通过展示以下产品和解决方案,全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器:面向下一代数据中心电源架构提供高效支持  下一代AI服务器的配置  涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。  适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET  采用8mm×8mm小型封装,兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,可满足AI服务器电源热插拔电路对可  靠性和低损耗的要求,并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。  第5代SiC MOSFET  采用优化的器件结构与制造工艺,在高温(Tj=175℃)下,导通电阻比第4代降低约30%,适用于xEV2 / 2  牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用,计划2026年7月起提供样品。  具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT  实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力,助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用:助力智能座舱与ADAS系统发展  面向SoC的PMIC  罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC,符合ISO 26262及  ASIL-B功能安全等级,可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。  用于汽车多屏显示器的SerDes IC  支持成对双向高速长距离通信,适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。  搭载SiC模块的三相逆变器参考设计  覆盖5kW~100kW输出功率,提供完整设计数据,可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备:以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级  650V 耐压GaN HEMT  罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT,已被应用于AI服务器电源等领域,推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。  AC/DC用PWM方式DC/DC转换器  面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案,支持绝缘/非绝缘设计,可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。  此外,罗姆还将设立应用案例展区,集中展示先进产品在实际场景中的应用成果,通过系统化的方案演示,让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。  【展会信息】  时 间 :2026年7月1日(周三)~3日(周五)09:00~17:00 (3日观众开放时间截止到16:00)  会 场 :上海新国际博览中心N4馆  展位号: N4馆500号  地 址 :上海市浦东新区龙阳路2345号  <关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>  慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头,展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题,引入更多垂直领域的应用技术解决方案,聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台,共同见证全球电子产业发展趋势。
2026-06-18 14:38 reading:317
方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级
  随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升,市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长,这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域,各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中,三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。  针对这些需求,罗姆不断推出相应产品及解决方案,为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品,方便您查看。  1.高性能运算放大器  罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率,通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外,该产品支持轨到轨输入输出,能够充分利用电源电压范围,因此可确保更宽的动态范围。  当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后,下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策,尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。  2.完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”  该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器,以及支持系统引入的专用实用软件构成,具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。  当边缘AI做出决策后,需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中,电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是,如何让电机在响应指令的同时,兼顾高效与低噪,成为整个链路中不可忽视的关键环节。  3.三相无刷直流电机驱动器IC  适用于中等耐压系统(12V~48V系统)的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”,能够高速感测来自FET的电压信息,并实时进行栅极控制。  采用这种控制方式,不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量,同时还抑制了振铃的产生,实现了低EMI特性。经实际电机验证,与罗姆以往的恒流驱动产品相比,该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外,该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式(UQFN28)和引脚排列,有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。
2026-06-11 10:13 reading:356
罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
2026-06-03 10:41 reading:597
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
  中国上海,2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。  随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。  此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。  另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。  下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。  罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。  <关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能,以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接:  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET使用时的应用优势  ・白皮书:ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案  ・访谈文章:数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading:496
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
model brand To snap up
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below:

verification code