英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

Release time：2024-06-17
author：AMEYA360
source：英飞凌
reading：1088

　　在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™ 第2代(G2)技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中高档开关模式电源(SMPS)，如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。

英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

　　该系列的Thin-TOLL封装外形尺寸为 8x8 mm，具有市场上同类产品中领先的板上热循环(TCoB)能力。TOLT 封装是一种顶部散热(TSC)封装，其外形尺寸与 TOLL相似。这两种封装都能为开发者带来诸多优势。例如，在AI和服务器电源装置(PSU)中采用这两种封装，可以减少子卡的厚度和长度并允许使用扁平散热器。微型逆变器、5G PSU、电视 PSU 和 SMPS通常采用对流冷却，Thin-TOLL 8x8封装用于这些应用时，可以更大程度地减少主板上电源装置所占的PCB面积。与此同时，TOLT还能控制设备的结温。此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 750 V这一顶部散热CoolSiC™ 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。

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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电
2025-06-16 11:55 reading：776
英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：791
英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
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英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块

　　英飞凌EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。　　EasyDUAL™ 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。　　产品型号：　　■ FF75R12W1T7E_B11　　■ FF100R12W1T7E_B11　　■ FF150R12W2T7E_B11　　■ FF200R12W2T7E_B11　　■ FF300R12W2T7E_B11　　产品特点：　　高度为12毫米的Easy系列模块　　杂散电感极低　　采用IGBT T7技术过载能力高达175°C　　PressFIT针脚　　应用价值：　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　产品优势：　　采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP™ IGBT T7技术的共射极结构，尤其适用于矩阵变换器应用。　　该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。　　应用领域：　　矩阵变换器
2025-05-19 10:48 reading：812
英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
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英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

　　英飞凌1200V 500A NPC2三电平模块，采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。该模块采用大电流PressFIT压接式引脚，配备NTC温度传感器，并针对储能应用进行了优化，非常适用于1000 VDC 100kW功率变换系统。　　产品型号：　　■ F3L500R12W3H7_H20　　产品特点：　　高度为12mm的Easy系列模块　　杂散电感极低　　过载时允许最高工作结温175°C　　低Vce,sat饱和压降　　耐湿性　　大电流引脚　　应用价值　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　竞争优势：　　降低系统成本　　易于设计的产品　　逆变器和Boost升压电路设计自由度高　　最高功率密度　　应用领域：　　储能
2025-05-19 09:50 reading：1008
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