纳芯微高集成单芯片SoC如何高效智能控制车载步进电机?

发布时间:2024-08-01 09:05
作者:AMEYA360
来源:纳芯微电子
阅读量:2125

  随着现代汽车电子技术的快速发展,步进电机作为一种精确且可靠的执行元件,在汽车电子系统中的应用日益广泛。为了实现车载步进电机应用的精确控制,纳芯微推出了集成LIN和MOSFET功率级的单芯片车用小电机驱动SoC——NSUC1610,可以帮助客户实现安全可靠的车载电机控制。

  本文将结合步进电机的结构与驱动方法,重点介绍基于NSUC1610的步进电机控制原理及其实际应用

  步进电机结构及其驱动方法

  与人们熟知的大部分电机一样,步进电机的结构也是由定子和转子组成。转子由轴承、铁芯、磁钢等构成。转子铁芯带有齿轮,是步进电机单部步距的行程;定子是由铁芯、定子绕组和支撑结构构成。

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  步进电机结构

  根据绕组方式,步进电机主要分为两大类:一类是单极性步进电机,它是由带中心抽头(公共线)的单绕组组成,其电流均由1、2、3、4四根线的相线流入中心抽头公共线,因此电流方向是单向的。另一类是双极性步进电机,由没有中心抽头的绕组构成,其电流方向是双向的。

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  步进电机的分类

纳芯微高集成单芯片SoC如何高效智能控制车载步进电机?

  单极性步进全步运转示意图

  单极性步进电机和双极性步进电机的驱动方式不尽相同,上图中单极性步进电机的A、B、C、D分别是两相四线,5为抽头的公共线。在驱动电机全步运行时,步骤如下:

  第一步:

  A相通电,B、C、D相不通电,A相产生磁场,且磁极是S极,吸引转子的N极;

  第二步:

  A、B相全部通电且电流相同,产生相同的磁极,两个S极磁场矢量合成,吸引转子向A、B相之间旋转;

  第三步:

  B相通电,A相断电,B相产生磁场,且磁极是S极,吸引转子的N极;

  第四步:

  B、C相通电且电流相等产生相同的磁性,两个S极磁场矢量合成,即可吸引转子向BC相之间旋转。

  依次类推五六七八步,使整个步进电机旋转起来。

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  双极性步进全步运转示意图

  双极性步进电机的驱动是直接驱动A+、A-、B+、B-两相四根线来实现运转的。步骤如下:

  第一步:

  A相通电,B相不通电,A相产生磁场且A+磁极是S极,A-磁极是N极,吸引转子的N极至A+,S极至A-;

  第二步:

  A、B相全部通电且电流相同,产生相同的磁极,两个S极的N极磁场矢量合成,吸引转子N极向A+、B+相之间旋转;

  第三步:

  B相通电,A相断电,B相产生磁场且磁极是S极,吸引转子的N极至B+;

  第四步:

  B相通电,A相断电且电流相等,产生相同磁性,两个S极磁场矢量合成,吸引转子N极,向B+、A-相之间旋转。

  依此类推五六七八步,整个步进电机便旋转起来。

  基于NSUC1610的步进电机控制

  纳芯微NSUC1610采用数字恒流控制技术,由PWM 100%控制每个周期的电流输出,实现对输出电流的精确调节。这意味着,在输出电流未达到设定电流值之前,PWM输出on,一旦达到设定电流值便输出off;如果在输出off之后的输出电流低于设定值,就会在下一个周期重新输出高电平,继续增加输出电流,以便在PWM输出off时使电流及时衰减至设定值。

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  硬件电流控制

  NSUC1610的电流控制采用三种衰减方式,以适应不同类型和需求的步进电机。第一种是慢衰减(slow decay)方式,打开电流输出时,上桥臂输出PWM波,下桥臂输出常高;关闭电流时,关闭上桥臂,下桥臂保持常高,通过MOSFET的体二极管实现泄放。这种方式是将电流的电能转化为热能,但泄放能力有限。

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  异步慢衰减

  第二种是快衰减(fast decay)方式,打开电流输出时,上下桥臂均输出PWM波;关闭电流输出时,通过打开反向的上下桥臂,直接将能量泄放至电源充电,此时泄放能力较大。

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  同步快速衰减

  第三种是混合衰减(mix decay)方式,它结合了前两种方式,一段时间采用慢衰减方式,一段时间采用快衰减方式,并调控两者的时间比例。

  至于具体采用哪一种衰减方式来衰减电流,需要根据电机的电感参数及电机的转速等合理选择。

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  混合衰减

  在采用NSUC1610驱动双极性步进电机时,只需将电机的A+、A-、B+、B-四根线直接与MOUT0、MOUT1、MOUT2、MOUT3相连,VSS、ISNS管脚直接接地,外围电路只需加一些必要的电容、电阻及二极管等被动元件,即可实现用单芯片控制双极性步进电机,同时还可以实现与LIN主机的通信,大大地提高系统的集成度和可靠性。

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  基于NSUC1610的步进电机图

  从步进电机的驱动原理来看,通过给电机的两相通上交流电流即可使电机旋转。实际上,这是比较粗糙的步进电机控制方式,这种控制方式产生的电流突变点较多,转距不恒定,旋转也就不太平顺。

  为了让电机较为平顺丝滑地旋转,通常采用微步驱动方式。微步驱动方式不同于全步驱动方式,它是在8步全步中去掉了4步,插入了中间点临界电流,即0电流。通过不断类推,不断插入中间电流,即可减小电流突变,细化电机的电流变化,使之接近正弦,从而实现微步。微步的目标是产生A、B相位差90°的正弦电流。

纳芯微高集成单芯片SoC如何高效智能控制车载步进电机?

  微步原理

  NSUC1610利用数字恒流控制实现了微步正弦电流控制,具体实现原理是采用比较器恒流控制。方法是在正端接入一个桥臂电流采样信号,负端接入一个DAC输出电压信号,在每一个微步控制期间触发固定的DAC输出。

  如果桥臂电流信号大于DAC,则打开相应的桥臂输出;如果桥臂电流小于DAC值,则关闭相应的桥臂输出,这样即可实现每一个微步期间的闭环恒流控制。在整个步进区间中,根据正弦公式改变DAC输出,即可实现电流信号的正弦输出,从而实现步进电机的微步控制。

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  步进电机微步电流控制

  在电机旋转过程中,会出现一定概率的堵转而导致电机失步。为了检测电机是否出现堵转失步,可以通过测量电机的反电动势来判定。由于电机的反电动势与其转速成正比,因此需要为测量到的反电动势设定一个合理的阈值,小于设定阈值即可认为电机出现了失步。

  在整个电流控制区间,电机的反电动势大部分是不可测量的。只有当电流为0,桥臂没有导通驱动电机时,测量的两个桥臂电压才是真实反电动势。

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  步进电机失速检测

  电机的启动和停止时速度为0,如果直接满速启动或停止,那么电机的启停就会很突然,出现不平顺。为了实现较为平缓的速度控制,可以采用梯形加减速的方式实现位置控制。由于速度控制的曲线是梯形,位移曲线就是S型。从图中可以看到,电流波形在加速减速阶段较为稀疏,而在匀速阶段较为密集。一般步进电机停止前,会有一段大的稳定电流,旨在防止电机转到目标位置时出现过冲;接着进入hold状态,利用一个小的hold电流可使扭矩保持不变。

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  步进电机位置控制

  更高效智能的车载步进电机控制

  通过采用数字恒流控制技术,NSUC1610实现了对步进电机电流的精确调节,以适应不同类型和需求的步进电机。NSUC1610还支持微步驱动方式,使步进电机的旋转更加平顺丝滑。


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2026-09-15 11:06 阅读量:217
充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
  随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。  本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开,剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。  GaN市场迎来跃迁:  从消费电子走向高端高功率场景  GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景,AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场,同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域,也在加速导入GaN方案,充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。  数据中心供电:  功率密度激增,GaN的核心战场  AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops,迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops,算力提升12倍的同时功耗提升6倍,算力与功耗同步高速增长。  行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代,计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内,单机柜功率由60kW一路走高至600kW,未来规划将迈向1MW机柜,然而机柜物理体积并没有同步放大,对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。  以数据中心PSU电源单元为例,当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步,高压上板的板载DC‑DC模块,功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标,也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。  机器人关节:  下一个高功率密度主战场  人形与四足机器人属于电池供电移动式设备,自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴,要在极小的结构空间里面实现全部性能,GaN凭借高频小型化的能力,成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线,目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。  综合两大场景可以看到,消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景,系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益,GaN的产业重心已经发生明显迁移。  GaN工程落地痛点:  驱动IC如何破解器件固有难题  GaN材料拥有优异的理论性能,但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行,需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作,这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求:高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。  针对上述工程挑战,纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵,通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装,搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术,从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险,帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能,降低整机系统的设计调试门槛。  痛点一:  高频高速工况,对驱动抗扰、延时、  封装提出极限要求  GaN开关速度极快,节点电压可在纳秒级别大幅跳变,电磁环境恶劣,驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低,匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力,最小传输延时低至2.6ns。  极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件,而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套,封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017,此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格,覆盖从激光雷达高频小体积,到大功率工业电源的多元布板需求。  痛点二:  导通阈值低,易发生误导通风险  主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右,很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启,带来系统损坏风险。  传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降,器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V,距离1.1V阈值十分接近,电路任何微小扰动,都可能造成GaN误导通。  纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道,硬件层面舍弃关断二极管,从根源降低误导通风险,该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。  为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断,行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类:  双绕组变压器方案:正负绕组分别输出正压、负压,性能好,但绕组数量多,成本高;  单绕组搭配稳压管方案:绕组数量减少,成本折中,但正负电压互相牵制;  自举搭配分立器件方案:成本最低,但需要持续发波建立负压,对半桥占空比存在限制,工况适配范围受限。  三类分立方案各有短板,很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动,芯片内部集成负压生成电路,无需外部复杂分立负压网络,一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。  针对双向GaN开关应用,驱动调试难度更高,纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB,为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案,大幅简化双向拓扑硬件设计。  痛点三:  第三象限反向导通,  带来自举上管VGS过压隐患  GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时,SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电,造成上管栅源电压VGS被充到7V附近,对GaN的稳定运行带来高风险。  行业传统分立解决思路存在明显短板:一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位,会带来额外损耗、温升,占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管,试图拉低反向负压,却会增加寄生参数,牺牲功率密度,违背选用GaN器件的初衷。  理想的解决思路是在GaN反向导通阶段,直接切断自举充电通路,阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高,分立器件很难落地,却是集成电路的优势所在。  纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关,在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路,规避VGS过压风险,且集成米勒钳位功能,有效避免误导通,在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外,半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压,不依赖外部自举供电,同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题,排除寄生电容影响,提升开关速度。  纳芯微提供完整产品矩阵,  赋能超高功率密度系统开发  针对不同应用场景,纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵,客户可以按需选型:  NSD2017:WLCSP 1.2×0.8mm超小封装,2.6ns超低延时,适配激光雷达等高频、极致小型化应用;  NSD2123:110V半桥驱动,集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关,面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;  NSD2012N:单管GaN驱动,集成LDO+负压关断,QFN 3×3mm小封装;  NSD2622N:700V高压半桥驱动,集成LDO与负压关断,面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;  NSD2621:700V半桥驱动,芯片内集成LDO稳压。  同时需要注意的是,GaN带来的系统升级,挑战不只来源于功率器件本身,也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代:采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构,系统隔离性能也需要同步匹配。  作为全品类数模混合信号芯片提供商,除了GaN驱动以外,纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动,同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片,覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求,帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。
2026-09-11 10:37 阅读量:265
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