ROHM开发出1kW级高输出功率红外激光二极管“RLD8BQAB3”!

Release time:2024-09-26
author:AMEYA360
source:ROHM
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  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)针对内置测距和空间识别用LiDAR*1的车载ADAS(高级驾驶辅助系统)等目标应用,开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD8BQAB3”。将先向无人机、扫地机器人、AGV(无人搬运车)和服务机器人等消费电子和工业设备领域用户提供新产品样品。

ROHM开发出1kW级高输出功率红外激光二极管“RLD8BQAB3”!

  近年来,除了车载ADAS领域外,在AGV、无人机和扫地机器人等需要自动化工作的广泛应用中,可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。在这种背景下,为了“更远”、“更准确”地检测到信息,对于作为光源的激光二极管有“希望产生千瓦级的高输出功率”、“希望多个光源以很短的间隔发光”等需求。ROHM已经拥有可实现更窄激光线宽的自有专利技术,有助于LiDAR支持更远的距离并实现更高的精度。2019年,ROHM推出了输出功率25W的“RLD90QZW5”;2023年,又开发出输出功率高达120W的激光二极管“RLD90QZW8”。此次,利用该技术,ROHM又开发出125W、8ch(1kW级)阵列型新产品,满足了市场对高输出功率和高性能激光二极管的需求。

  这款新产品是针对使用3D ToF系统*2进行测距和空间识别的LiDAR开发的超小尺寸表面贴装型125W×8ch高输出功率红外激光二极管阵列。采用的是在带有优异散热性能基板的底座*3上安装1个器件,即有8个发光区域(线宽均为300μm)的红外激光二极管的结构。封装的发光面采用由透明玻璃制成的玻璃盖,这在表面贴装型激光二极管业界内也是首次*应用。这种封装结构无需担心树脂密封型等产品容易出现的切割伤痕导致的光散射问题,可实现高质量光束。各发光区域以共阴极的方式进行布线,从增加发光点数的单独发光到1kW级业界超高输出功率的同时发光,客户可根据应用产品的需求自由选择发光方式。

  另外,新产品还继承了ROHM以往激光二极管产品的特点——在整个线宽范围发光强度均匀和低至0.1nm/℃的波长温度依赖性(普通产品约为0.26~0.28nm/℃)。不仅可以缩小通道间发光强度降低的区域,还可使用带通滤波器*4将太阳光等环境光干扰降到更低,有助于LiDAR实现远距离检测和更高分辨率。

ROHM开发出1kW级高输出功率红外激光二极管“RLD8BQAB3”!

  新产品已于2024年8月份开始提供样品。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(京都总部),后道工序的生产基地为ROHM Wako Co., Ltd. (日本冈山县)。两家生产基地的流程已获得国际汽车行业质量管理体系IATF 16949*5标准的认证。另外,本产品也计划于2024年内取得车规标准(AEC-Q102*6)认证,目前正在做相应的准备工作。

  关于样品信息,请联系我们的授权代理商AMEYA360或通过ROHM官网“联系我们”进行垂询。

      <LiDAR用高输出功率激光二极管产品阵容>

ROHM开发出1kW级高输出功率红外激光二极管“RLD8BQAB3”!

  <应用示例>

  车载设备:ADAS

  消费电子设备:无人机、扫地机器人、高尔夫激光测距仪等

  工业设备:AGV、服务机器人、3D监控系统(人和物体检测用的传感器)等

  <术语解说>

  *1) LiDAR(激光探测与测距)

  Light Detection And Ranging的缩写,由ToF系统(光源、ToF传感器、图像传感器)等组成,是用来感测周围情况的一种应用。

  *2) 3D ToF系统

  ToF是“Time of Flight”的缩写,是一种通过测量作为光源的光的飞行时间来计算距离并感测空间的手法。ToF系统即使用了该手法的3D(三维)空间识别和测距系统。

  *3) 底座

  由高导热材料制成的表面平坦的小型板状安装底座。

  *4) 带通滤光片

  仅允许特定波长的光通过的滤光片。在光学元器件中,如果带通滤光片的通带较窄,可以有效地仅提取接近峰值波长的光,从而更大程度地减少阳光等环境光干扰的影响。这样,相同的检测距离功耗更低,相同的输出光功率可以延长检测距离。

ROHM开发出1kW级高输出功率红外激光二极管“RLD8BQAB3”!

  *5) IATF 16949

  IATF是“International Automotive Task Force”的首字母缩写,是汽车行业质量管理体系之一。该体系在ISO 9001国际标准的基础上,增加了专门针对汽车行业的具体要求。汽车制造商和供应商通过遵守IATF 16949,可以满足国际品质标准。

  *6) AEC-Q102

  AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q102是专为光电元器件制定的标准。

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ROHM PLECS Simulator上线!实现电力电子电路的快速验证
  中国上海,2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”,该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况,非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。  “ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件,在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段,该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑,并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。  本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册,即可免费使用。另外,在专题页面上,除了该仿真工具的访问入口外,还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。  在电路设计时,尤其是在电力电子电路中,通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”,并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型,用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形,这一点获得了广泛好评。另一方面,用户还希望在开发初期阶段,能够基于损耗和发热验证,在短时间内选出理想的功率器件。  针对这一需求,ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”,专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨,运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证,并根据不同的开发阶段进行区分使用,进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。  <术语解说>  *) PLECS®  为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算,能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。  PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
2026-04-23 16:21 reading:456
ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%!
  中国上海,2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”,该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。  ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中,通过改进器件结构并优化制造工艺,与以往的第4代产品相比,成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,该产品有助于缩小单元体积,提高输出功率。  第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品,并于2026年3月完成开发。  另外,ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来,ROHM将进一步扩大产品阵容,同时完善设计工具,并强化针对应用产品设计的支持体系。  <开发背景>  近年来,在工业设备领域,随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及,用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高,引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策,将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注,但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中,除了延长续航里程和提升充电速度之外,还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此,在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中,能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。  ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET,并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群,通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中,助力降低能源损耗。此外,第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品,并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容,目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗,将进一步扩大SiC的应用领域。  未来,ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容,同时,通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用,为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。  <应用示例>  车载设备:xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机  工业设备:AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)  eVTOL、AC伺服  <关于“EcoSiC™”品牌>  EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <术语解说>  *) 牵引逆变器  电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
2026-04-22 09:07 reading:390
ROHM课堂 | 欧姆定律:电压、电流及电阻之间的关系
  欧姆定律是电路的基本原理,用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大,而电阻越大则电流越小。例如,在将干电池与灯泡串联连接的电路中,电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发,利用计算工具和公式等,介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。  欧姆定律的基本原理(直流)  欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用,被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”,然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制,其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具,通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。  串联电路和并联电路中的欧姆定律  串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路,电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。  串联电路  在串联电路中,电阻等元器件按顺序连接,共享同一通路。其特点如下:  ・电流:串联电路中所有元器件流过的电流相同。  ・分压:电压被分配给各元器件。根据欧姆定律,在串联电路中,由于所有元器件流过相同电流,因此各元器件的电压降遵循=关系式,与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。  ・总电阻计算:串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说,合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。  欧姆定律在电路中的作用  欧姆定律绝非单纯的理论,通过将电路分解为线性和稳态区间,便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系,能够正确操作电路元器件,准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例,讲解如何求解相关参数。  电阻器和导体实例  电子设备中存在各种元器件,其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值,这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流,可通过公式“V=IR”立即计算得出。  在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下,电流I也将保持恒定。然而,由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻,在高精度应用和大功率应用场景,需要考虑到这些“残余电阻”。例如,在驱动远端设备的长距离布线电路中,导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。
2026-04-16 09:52 reading:463
ROHM课堂 | 什么是分流定律(分流电路)?
  分流定律是定量表示在并联连接的电路(分流电路)中电流如何分配的基本原理。分流定律根据各路径的电阻或负载决定电流量,因此有助于提高设计精度,并防止出现过热和超出元器件额定值等问题。  例如,当多个电阻并联连接时,该定律也有助于确定电流集中在部分路径的原因。与分流定律成对的分压定律,处理的是串联电路中的电压分配。通过将两者结合起来理解,可以系统地梳理出“并联时的电流、串联时的电压”是如何决定的,并有助于提高复杂电路的工作分析和电路仿真的精度。  本文将以分流定律为出发点,详细介绍分流电路的原理、具体的计算方法以及设计上的注意事项等内容。  分流定律(分流电路)的基础知识  要了解分流定律,首先需要掌握分流电路(并联电路)的特点。在分流电路中,施加在各路径两端的电压相同,并且各电流的总和等于电源电流,这正符合基尔霍夫电流定律(KCL)。分流定律正是对“电流被分流”这一性质的简洁表达。  了解分流定律  分流定律是计算并联电路中各路径电流的便捷规则。该规则阐述了“如何计算分流电路中各电阻的电流”,是电路设计中的重要指南。  分流定律中的反比关系  在分流电路中,从公式中解读出“电阻值越小,电流越大”这一特性非常重要。在并联电路中,由于各路径上施加的电压相同,因此电阻值越小的路径流过的电流越大。这可以通过欧姆定律直接推导出来。  为什么是反比关系  在并联电路中,由于各路径上施加的电压相同,将欧姆定律V=I×R变形为RtI=V/R后可知,R越小,I越大。例如,当R1<R2时,i1大于i2,并且以i1+i2=It的形式与总电流保持一致。  合成电阻变小的原因  并联连接的电阻数量越多,电流的流通路径越多,电流就越容易流过整个电路,因此合成电阻会变得更小。这与水路分成多条支流后水流增加的情形类似,对于流通大电流时的设计和应用有很大帮助。
2026-04-10 10:32 reading:672
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