上海贝岭:超小封装物联网能效监测芯片BL0971

Release time:2024-11-20
author:AMEYA360
source:上海贝岭
reading:644

  随着新能源汽车产业的发展,对充电设施的便利、安全、智能化等方面均提出了更高的要求。许多新车型开始采用800V架构,一辆搭载100kWh电的电动汽车,只需要15min即可完成30%~80%的充电,大大缩短了充电时间,使得当前消费者的快速充电需求得以满足。在同样充电功率时800V电池平台相比400V电池平台,只需要400V时充电电流的一半,减少了导线和电气组件的热损耗,提高了系统的能效和安全性。为实现安全、有序充电,固定充电桩设备需要对直流电压/电流、能效、温度等物理量进行实时监控,在保证测量精度足够高,电能计费准确的同时,充电中一旦出现异常,可立即实施保护断开。另外,在新能源车随车充的应用中,由于空间紧凑,需要更小的芯片体积。

  ·BL0971产品介绍·

  为实现这些监测及应用需求,上海贝岭在之前的物联网能效监测芯片BL0972的基础上,针对直流充电桩的应用需求,推出了超小封装的BL0971交直流能效监测芯片。

上海贝岭:超小封装物联网能效监测芯片BL0971

上海贝岭:超小封装物联网能效监测芯片BL0971

  BL0971是一颗内置时钟/外接晶振的单相交直流能效监测芯片。可用于交/直流断路器、交/直流照明能耗监控、交/直流物联网仪表或终端等产品。

  ·产品特性·

  1U1I模式,1路电流,1路电压测量 ;2I模式,2路电流测量;

  高精度,在输入动态范围(5000:1)内,交流有功电能非线性测量误差小于0.1%;

  交流电压和电流有效值,测量动态范围(2500:1)内,有效值非线性误差小于0.1%;

  可选直流信号测量,输入范围2000:1,测量误差<±1%;

  对于输入波形,可以通过选择不同滤波器,来获得全波、交流或直流的有效值及功率;

  内置波形寄存器,可以用于波形分析;

  测量电流、电压有效值、有功功率、无功功率、有功电能、无功电能等参数;

  批次出厂增益误差小于 1%,外围元件满足一定条件下可以免校准;

  SPI/UART 通讯接口,满足交/直流计量、检测、故障监控时高速率的数据交互需要;

  内置基准参考电压源;

  支持内置时钟或外接晶振,可根据应用场景选择;

  单工作电源3.3V,低功耗15mW(典型值);

  过流、过压、欠压快速检测、中断输出可配置,满足直流充电桩保护的需求;

  可用于保险丝保护,最快10ms产生中断输出;

  QFN20封装,4*4mm,体积小。

上海贝岭:超小封装物联网能效监测芯片BL0971

  ·上海贝岭选型方案·

  上海贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择。以下为部分汽车充电桩应用的产品型号。

上海贝岭:超小封装物联网能效监测芯片BL0971

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上海贝岭150V SGT新品发布
  概述  上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺,使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能;采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构,使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss;采用屏蔽栅极结构,器件获得优良的开关性能,使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。  上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用于:  通信和数据中心服务器电源  叉车和轻型电动车电机驱动器  光伏储能以及电池管理系统 (BMS)  不间断电源 (UPS)  二  器件优势  超低导通电阻Rds(on)  贝岭可提供国内业界极低导通电阻的150V SGT MOSFET系列产品。例如,BLP038N15的导通电阻典型值仅为2.9mΩ,相比于市场主流厂商同类低导通电阻产品,导通电阻降幅高达23%,可有效地降低功率器件在导通期间的损耗,显著提升系统整机效率。贝岭产品具有优良的Rds(on) 一致性,适合大功率并联场景。  低FOM 值  性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on)×Qg,Rds(on) 为器件导通电阻,Qg为器件栅极总电荷),简称FOM值,是评估MOSFET综合性能的一个重要指标。较低的导通电阻代表SGT MOSFET在导通状态下具有更低的损耗和更高的效率。较低的栅极总电荷代表SGT MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换,从而减少功耗和提高性能。上海贝岭BLP038N15在保证超低的导通电阻优势下,极力控制器件栅极总电荷,使得该器件FOM值相较国内厂商同电压等级产品具有显著优势。  器件封装  为了满足客户在不同应用场景下的使用需求,上海贝岭150V SGT产品在封装选择上,可以提供TO-220,TO-247为代表的插件安装形式。与此同时,还提供以TOLL和TO-263-7代表的贴片安装形式。对于高功率密度、电流密度设计,贝岭推荐使用TOLL封装的150V SGT 产品。TOLL封装的典型占位面积为9.8mm * 11.73 mm与TO-263封装相比,PCB面积可节省30%。TOLL封装的外形高度仅为2.3 mm,占用的体积较TO-263减少60%,实现节省用户PCB空间,使客户产品更具成本优势。  优良的抗电流冲击能力  贝岭150V SGT产品具有高雪崩能力、低热阻的特点,在电机应用中可以满足电机短路大电流关断的需求。  三、BLP038N15应用表现  贝岭针对大功率电机控制应用,基于贝岭150V SGT产品, 设计20kW电机控制器验证平台,最高可支持96V电池应用,控制器实物如图4左所示。贝岭电机控制器验证平台采用叠层设计,上层为控制级,下层为功率级。功率级布局如图4右所示,采用TO-263-7封装,单相5管并联。  四、贝岭功率器件选型方案  上海贝岭功率器件150V产品线,欢迎垂询!具体型号参考表1。对于多管并联应用场景,可提供需求栅极阈值电压Vth档位筛选服务。  表1 功率器件选型列表
2025-01-03 13:50 reading:598
上海贝岭:广泛应用于大家电、工业设备等多种领域的低噪声运算放大器系列
  低噪声运算放大器是运放放大器系列中应用比较广泛的一个系列。相比于通用运放,此系列的运放它的独特之处在于它的噪声很小,这使得它非常适合应用在需要高精度、低噪声信号放大的场合。在本文中,我们将深入探讨低噪声运算放大器的关键指标特点、优势和应用场景。  1、低噪声  应用场景1:  在大部分高精度放大的应用中,都需要外部增加一款运放进行电流采样放大,而在电路应用系统中一般输入信号幅值比较小,这样就要求运放自身的噪声要远低于输入信号的幅值(降低信噪比),BL370x/371x具有极低的等效输入噪声1.2uV如下图1(测试电路采用低通滤波放大100000倍)所示。  图1 低频输入噪声测试图  2、低失调电压VOS  应用场景2:  针对在一些小信号放大的应用时(见图2),如运放自身的失调电压VOS太大,会影响电路的静态输出,导致信号动态输出范围缩小。  图2 小信号放大器应用图  在不考虑运放自身的VOS的情况下如Vin输入10mV的信号放大100倍理论上输出电压Vout应该是1000mV,如果运放的自身失调电压VOS过大比如5mV的话这样输出只有500mV,低于实际输出电压导致后级电路工作异常。因此需要选择更低VOS的运放。BL370x/371X系列运放的VOS低至±0.6mV,可以满足大部分应用。  3、输入轨到轨  应用场景3:  在许多单电源供电的应用要求输入共模电压范围扩展到一个电源轨(通常为地)。低边电流检测应用就是这样的例子(如图3)。  图3 低边检测应用原理图  在单电源供电的应用中,通常没有足够多的电源给芯片提供+VS/2的共模电压(运放理想工作状态)。一般共模工作电压通常为地,这样就要求芯片能够工作比较宽的输入共模电压范围,BL370x/371x可以支持-0.1~+VS+0.1的宽共模输入电压范围。  4、超强的驱动能力  应用场景4:  在部分应用领域的负载有可能是比较大的容性负载,如果运放自身的驱动能力不够,这样就要额外增加一级驱动放大电路,BL370x/371x具有高达100mA(Typ)超强的电流驱动能力,无需增加驱动放大电路。全温度范围驱动能力如下图4。  图4 全温度范围驱动能力测试结果  5、宽工作温度范围  应用场景5:  在大部分工业应领域对芯片的工作温度范围要求极高。BL370x/371x系列在-40~125℃的工作温度范围内的关键电性能指标(IQ、Vos、Isink、Isoure、VOH、VOL)随温度变化很小,满足工业应用需求。  6、多种封装形式  BL370x/371x系列提供一系列市场上主流封装形式可供客户选择,如下图5所示。  上海贝岭推出的低噪声运放系列支持输入、输出轨到轨,宽工作电压范围:2.1V-5.5V,具有低至0.25mV(典型值)的失调电压以及6.5nV/ @1kHz的噪声谱密度,这些优异的特性使得BL370x/371x系列运放成为低噪声系统设计的理想选择(表1低噪声运放系列选型表),可以支持工业级温度范围(-40℃至+125℃),适应于更苛刻的工作环境。  主要应用领域:  电机控制  大家电  储能电源  激光测距仪  工业自动化
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