川土微电子CA-IS3212有源米勒钳位CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器

Release time:2025-02-25
author:AMEYA360
source:川土微电子
reading:422

  川土微电子CMOS输入、带有源米勒钳位(可选)单通道隔离式栅极驱动器新品发布,该系列产品为驱动SiC、IGBT和GaN功率管而优化设计。

  01产品概述

  CA-IS3212是一系列CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器,可提供4A拉、5A灌峰值驱动电流能力,具有出色的动态性能和高可靠性,适用于逆变器、电机控制或隔离开关电源等系统中的大功率Si、SiC、IGBT和GaN功率管的驱动应用。

  CA-IS3212提供窄体SOIC8和宽体SOIC8两种封装选型,在控制侧和驱动侧之间采用基于SiO2电容隔离技术,其中宽体SOIC8封装的器件隔离耐压高达5.7kVRMS(1分钟),增强绝缘等级,支持高达2121VPK的长期隔离工作电压和12.8kVPK的浪涌电压;窄体SOIC8封装的器件隔离耐压是3.75kVRMS(1分钟),基本绝缘等级,支持990VPK的长期隔离工作电压和6.5kVPK的浪涌电压。CA-IS3212的最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为150kV/μs,确保在恶劣的运用环境中信号在隔离栅之间的正确传输。

  CA-IS3212针对Si、SiC、IGBT和GaN功率管的不同特性提供不同的功能版本,如下所示:

  CA-IS3212Mxx型号内部集成5A有源米勒钳位功能;

  CA-IS3212Sxx型号提供OUTH和OUTL分离输出;

  CA-IS3212Vxx型号提供COM引脚,以支持驱动侧的双电源供电;

  控制侧电源(VCC)和驱动侧电源(VDD-VEE)均内置监测欠压状况的功能,并提供驱动侧不同的欠压锁定(UVLO)检测阈值选项,其中CA-IS3212MYS驱动侧UVLO电压低至4V,专门为GaN功率管的驱动而优化设计。

川土微电子CA-IS3212有源米勒钳位CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器

  本次发布CA-IS3212SCS和CA-IS3212MCG,可提供工程送样,两款器件的特性对比如下:

川土微电子CA-IS3212有源米勒钳位CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器

  02产品特性

  • 驱动高达2121VPK工作电压的功率管

  • 4A峰值拉电流和5A峰值灌电流

  • 宽电源电压范围:

  - 输入端VCC供电范围:3.0V至5.5V

  - 不同欠压锁定(UVLO)选项下的输出驱动供电(VDD–VEE)高达33V:

  Y版本:4V

  A版本:6V

  B版本:8V

  C版本:12V

  • 多功能选项:

  - CA-IS3212M 集成5A有源米勒钳位

  - CA-IS3212V 提供COM引脚,支持双电源供电

  - CA-IS3212S 提供OUTH和OUTL分离输出

  • 40ns(典型值)输入毛刺滤波器

  • 匹配的传播延迟:

  - 85ns传播延迟(典型值)

  - 器件间最大15ns传播延迟失配

  - 最大15ns脉冲宽度失真

  • 封装选项:

  - 8脚宽体SOIC封装,爬电距离和电气间隙>8mm

  - 8脚窄体SOIC封装,爬电距离和电气间隙>4mm

  • 强大的电气隔离:

  - 长寿命:额定电压下超过40年

  - 宽体封装下最高可达5.7kVRMS的隔离耐压

  - 能承受最高12.8kVPK的浪涌

  - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于±150kV/μs

  • - 40°C至150°C工作结温(TJ)范围

  03应用

  • 电机驱动器

  • 光伏逆变器

  • 车载充电器

  • 功率转换系统

  • 充电桩电源模块

  • 伺服驱动器

  • 变频器

  • 不间断电源(UPS)

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