01产品简介
DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL是ARK(方舟微)利用特有的UltraVt®专利技术开发的一款具有超高阈值电压的耗尽型功率MOSFET。该系列产品相对于DMZ(X)1015E产品,具有更高的击穿电压,其漏-源击穿电压(BVDSX)超过130V,且具有ESD防护设计,可在-55℃至150℃的温度范围内稳定工作。
DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用,利用其(超高)亚阈值特性,可直接将输入的高电压转换为稳定的低电压,给PWM IC等负载供电。
DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL专为满足IC在宽范围电压输入场景下的供电需求而设计,其简单易用的稳压特性,非常适合用于QC 2.0/3.0/4.0快充、USB Type-C PD快充、USB Type-C直充、具有宽输出电压范围的电源适配器等多种电源系统中,可有效简化PWM IC供电方案,提高电源系统的稳定性。
02产品特性
★ 产品类型:N沟道(超高阈值)耗尽型MOSFET。
★ 阈值电压:
DMZ(X)1315E:-27V|VGS(OFF)| >17V@ID=8μA);-11.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上:11.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。
DMZ(X)1315EL:-20V|VGS(OFF)| >13V@ID=8μA);-10.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上:10.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。
★ 高耐压:允许输入电压高达130V。
★ ESD能力:具有ESD防护能力。
★ 功能特点:具有可靠易用的稳压特性。
03应用领域
■ QC2.0/3.0/4.0快充系统
■ USB Type-C PD 电源系统
■ USB Type-C 直充系统
■ 宽输出电压范围电源适配器
■ 直流接触器
Online messageinquiry
model | brand | Quote |
---|---|---|
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
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