AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

发布时间:2025-04-28 11:36
作者:AMEYA360
来源:兆易创新
阅读量:1762

  在人工智能技术重构全球算力格局的当下,AI服务器作为支撑大模型训练、云端推理及边缘计算的核心基础设施,正迎来部署规模的爆发式增长。其硬件架构的复杂化与性能需求的指数级提升也对存储组件提出了多维度挑战:从启动引导的低延迟读取到算力核心的高频数据交互,从紧凑空间的高密度集成到高温环境的长期稳定运行。而SPI NOR Flash凭借在高速读写、功耗控制及可靠性上的综合优势,正在成为AI服务器硬件生态中不可或缺的关键一环。

  在AI技术浪潮的驱动下,全球AI计算硬件市场呈现爆发式增长。2024年成为AI PC元年,行业渗透率在2025年有望突破50%。同时,AI服务器与DS一体机产品亦迎来全面爆发。据Gartner与集邦咨询(TrendForce)数据显示,2024年全球AI服务器出货量约165.3万台,在2,164亿美元全球服务器市场中占比高达65%,远超通用服务器。另有机构预测,2028年全球服务器市场规模将增至3,328.7亿美元,AI服务器份额将进一步提升至近70%,持续主导市场增长。

  从产业链上游资本动向观察,微软、谷歌等头部云服务商正加速AI服务器布局:2024年微软AI服务器出货占比预计达20.2%;谷歌2025年GB200服务器采购量或达 7,000-8,000 台;Meta将2024年资本支出提升至380-400亿美元,其中AI服务器采购占比预计10.8%。此类战略性投入直接推动AI服务器对高性能存储组件的需求呈指数级增长。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  兆易创新市场部产品经理田玥表示,AI服务器将为SPI NOR Flash提供多重应用空间,包括启动引导、算力核心、网络交互、管理监控等关键环节。在主板BIOS/UEFI固件存储中,SPI NOR Flash通常用于存储服务器启动引导程序、硬件配置及底层驱动等相关数据。在GPU加速器中,SPI NOR Flash用于存储AI芯片固件、驱动及轻量化模型参数碎片,满足训练、推理过程中频繁调用的需求。而在智能网卡(DPU)与网络控制器中,SPI NOR Flash承载网卡固件、协议栈及卸载引擎配置,凭借SPI/QPI接口与控制器的强兼容性,可快速加载协议栈以减少高速数据传输延迟;针对基板管理控制器(BMC)与管理子系统,SPI NOR Flash存储独立于主 CPU 运行的监控固件及状态参数,满足数据中心复杂环境下监控的需求。

  GPU和DPU将是SPI NOR Flash应用增长最快的领域。在云端AI服务器的高密度GPU运算场景中,高频数据交互催生SPI NOR Flash的差异化需求,如8个英伟达A100组成的GPU模组中,就有4种不同容量组合的SPI NOR Flash在使用,以保障高速数据传输与计算协同稳定性。与此同时,作为云端服务器标配的数据处理单元DPU,因云端处理与GPU加速的异构计算特性,对存储方案提出分级需求:256Mb至2Gb容量适配数据缓存与临时存储的高频交互场景,8Mb至32Mb容量则满足轻量化控制代码的存储需求,通过精准匹配任务负载的分级策略,实现数据处理效率与硬件成本的优化平衡。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  通过参与开放计算项目(OCP)等开源硬件生态,SPI NOR Flash产品也在加速融入全球 AI 基础设施供应链。以2012年由 Facebook发起的OCP NIC项目为例,其标准化OCP接口设计支持面板级模块化插入服务器机箱,通过开源硬件架构推动数据中心基础设施的高效构建。在此项目中,兆易创新的GD25LB256E 等产品与 DPU 芯片形成协同方案,为数据处理单元提供适配的存储支持,进一步释放开源硬件生态下的市场机遇。

AI+时代,兆易创新存储助力AI服务器创新升级

  AI服务器的技术演进推动SPI NOR Flash需求持续升级:针对紧凑空间设计,需提供小尺寸封装与高容量集成的产品方案;耐高温性能适配数据中心高温环境;面对高速信号传输中的干扰与衰减问题,需强化驱动能力以保障信号完整性;针对高安全敏感市场,数据加密功能需求显著提升;同时,BMC管理模块与DPU卡等场景对8-32Mb小型容量闪存的需求持续增多,推动产品向轻量化、定制化方向发展。

  当前,兆易创新拥有业界领先的SPI NOR Flash产品矩阵,涵盖从512Kb到2Gb的全容量范围,支持3V、1.8V、1.65~3.6V、1.8V VCC&1.2V VIO、1.2V等多电压方案,并具备RPMC(可靠电源管理控制)、SFDP(串行闪存接口协议)等先进技术,满足AI服务器在高温、高负载环境下的稳定性要求。

  以具体产品为例,兆易创新针对低电压应用需求推出1.2V SPI NOR Flash两大产品系列:若追求极致低功耗,可选用VCC与VIO均为1.2V的GD25UF系列;若需兼顾低功耗与性能表现,则推荐采用1.8V VCC搭配1.2V VIO的GD25/55NF系列。此外,在高速数据传输领域,GD25/55T及GD25/55LT系列可提供高达200MB/s的数据吞吐量,而GD25/55X与GD25/55LX 系列则进一步将吞吐量提升至400MB/s,满足不同场景下的高速读写需求。

  自2008年推出国内首颗SPI NOR Flash以来,兆易创新历经多年的研发和市场拓展,已成为SPI NOR Flash全球市场占有率排名第二的芯片厂商,凭借270亿颗累计出货量的成熟经验,为AI服务器厂商提供可靠的量产保障与定制化解决方案。

  这一成绩源自兆易创新构建的稳定高效全球供应链体系。兆易创新已建立 ESG 风险管理体系,目标是2030年实现 50%以上供应商通过 RBA(责任商业联盟)认证。其全球供应链网络覆盖15+顶尖晶圆及封测厂商,并且公司依托合肥产品测试中心的27项核心测试能力,持续确保产品性能与交付稳定性。田玥表示,兆易创新通过多元化供应商策略与本地化生产布局,为AI服务器厂商提供稳定的供应链支持,助力全球AI算力基础设施在稳定性与绿色低碳目标上实现平衡发展。

  田玥最后表示,兆易创新凭借对AI服务器存储需求的深度理解、领先的产品矩阵及前瞻性布局,正成为AI算力革命的核心存储合作伙伴,其技术创新与生态协同将持续赋能全球AI基础设施的规模化落地与升级。


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 如果把光模块从400G、800G到1.6T的演进简单理解为“传输速度越来越快”,很容易低估它给外围芯片带来的变化。  对于MCU而言,整个光模块的系统管理复杂度是增加的。光模块内部需要监控的对象越来越多,协议不断升级,器件密度、功耗和热密度持续提高,而模块尺寸却没有同步放大。这意味着MCU必须在有限的面积和功耗预算下,承担更多监控、通信、配置和故障处理任务。  随着光模块速率提高,配套DSP发生变化,MCU需要管理的Flash、RAM以及相关固件资源也会变化;如果未来模块架构进一步转向CPO、NPO,一些传统功能还可能被重新拆分。  一个很典型的变化,是管理接口开始从I²C向I3C演进。  长期以来,I²C一直是光模块内部最常见的管理通信接口之一。它技术成熟、成本低,也已经形成庞大的产业生态。但随着高速光模块需要监控和管理的数据快速增加,传统I²C逐渐暴露出带宽和响应效率上的局限。  Jeff提到,随着CMIS协议不断升级,光模块需要监控和上报的参数已经从过去的十几个增加到数百个。传统I²C主要采用轮询方式,每一次命令和数据读取都需要一定时间。当监控项目越来越多之后,整个状态刷新周期也会被拉长。更重要的是,高速光模块内部包含价值更高、功耗更大的光电器件,一旦出现光功率异常、温度异常或者其他故障,管理系统需要更快速地响应,传统轮询机制带来的延迟就可能成为问题。  这也是兆易创新在GD32E511/512中加入I3C的重要背景之一。据介绍,GD32E512引入I3C高性能通信接口,主要就是为了满足高速光模块在高带宽、低时延和高密度通信方面的新需求。  不过,Jeff并不认为I3C的价值只是“跑得更快”。“一定是速率,但是速率背后的原因是这几个。”在他看来,接口升级背后至少涉及三层变化:第一,监控参数增加,需要更大的数据吞吐能力;第二,异常事件需要更快速的响应;第三,高速模块的功耗和热设计越来越严格,通信接口本身也要考虑能效。  当然,这种升级不会在短时间内完成。光通信产业存在大量已经成熟的设计和客户平台,I²C仍然拥有极强的兼容性优势。因此,新一代光模块MCU必须同时支持新旧接口。Jeff提到,目前行业实际上处在I²C向I3C过渡的阶段,产品不能只偏向其中一边,还需要兼顾SPI、MDIO等不同内部通信方式。  除了通信接口,另一个越来越突出的矛盾,是功能不断增加,但留给MCU的空间并没有变大。  高速光模块仍然大量采用QSFP-DD等紧凑封装。速率从400G提高到800G、1.6T之后,内部DSP、光器件、电源和其他辅助芯片的要求持续增加,但PCB面积并不会跟着翻倍。对于MCU来说,这意味着一方面需要更大的Flash、更丰富的接口和模拟资源,另一方面又要继续缩小封装并控制功耗。  兆易创新GD32E512做到3mm×3mm封装,同时集成ADC、DAC、比较器、OPA等多种模拟外设,正是在应对这种工程约束。Jeff谈到,小封装并不只是简单把芯片“做小”,而是在Flash容量、模拟IP、功耗、成本和版图之间不断取舍。随着光模块速率提高,MCU需要的存储和功能资源越来越多,但物理尺寸反而要求进一步压缩,这对芯片定义和版图设计提出了更高要求。  这也解释了为什么光模块MCU并不适合简单地按照通用MCU的思路“堆性能”。 因此,未来光模块MCU真正比拼的,很可能是单位面积和单位功耗下能够完成多少系统管理功能。  最后,如果未来光互联从可插拔光模块逐渐转向NPO、CPO,传统光模块的形态发生变化,那么今天这些光模块MCU的角色是否同样会发生变化?  Jeff的判断是,MCU承担的功能很可能重新分配。传统高速光模块中,MCU需要配合DSP运行,管理固件、状态信息以及大量数字资源。而在部分CPO架构中,DSP、内置光源等器件可能被重新布局,甚至外移。在这种情况下,MCU的数字资源压力可能下降,但对系统监测、模拟检测、通信接口和安全功能的要求反而会提高。  换句话说,CPO并不是简单把今天的光模块“搬到芯片旁边”,而是在重新划分光、电、控制和管理功能之间的边界。对于MCU厂商而言,未来的挑战不只是跟着光模块速率升级产品,而是要提前判断哪些功能会留下,哪些功能会被外移,以及新的系统架构中还会增加哪些控制需求。  从静态角度看,如果一个400G模块需要一颗MCU,那么理论上达到同样总带宽时,1.6T模块数量只需要原来的四分之一,MCU需求似乎也应该下降。但Jeff认为,这种算法忽略了AI数据中心总带宽本身正在快速增长。单只模块速率提高的同时,GPU集群规模、互联密度以及东西向流量也在扩张,因此高速率并不必然意味着MCU总量减少。采访中他明确表示,从目前客户需求和行业演进来看,整体高速光互联MCU需求仍然在扩张。  总结:谁能参与下一代光模块定义?  从早期PON、前传,到400G、800G、1.6T,再到正在推进的CPO,光模块内部的控制需求已经发生了明显变化。对于MCU厂商来说,未来的竞争也不再只是围绕性能参数展开,而是要跟随甚至提前理解光模块架构的变化。  兆易创新过去几年的路径,某种程度上反映了这一趋势:一方面通过GD32E251/252继续覆盖成熟的低速光通信市场,另一方面用GD32E511/512切入400G至1.6T高速光模块,并同步拓展Flash和模拟产品的市场覆盖。  笔者认为,光模块MCU并不是一类可以“以不变应万变”的产品。速率在变,模块形态在变,DSP、光源和通信协议也在变,相应的MCU资源配置同样需要不断调整。对于国产MCU厂商而言,过去更多解决的是供给问题,在AI光互联快速演进之后,竞争正在进入新的阶段:能不能提前理解1.6T、3.2T乃至CPO架构下的系统需求,并把这些需求提前写进芯片定义,正在成为新的分水岭。
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2026-09-17 15:07 阅读量:223
数模协同赋能新型电网!兆易创新无FPGA低功耗行波测距方案破局而出
  随着分布式能源的大规模接入、配电网络拓扑的日益复杂化以及全社会对高质量电能的依赖度不断攀升,供电可靠性已不再仅仅是衡量电网服务水平的一项常规指标,而是维系工业生产与现代社会运转不可逾越的生命线。在这一演进过程中,如何在线路发生突发故障的瞬间,实现秒级感知、米级定位,成为了新一代智能电网建设亟待攻克的关键技术高地。  面对挑战,兆易创新依托自研高性能MCU与完整模拟信号链,创新推出高集成、低功耗的行波测距参考方案,为电网设备自主可控与智能化演进筑牢根基。近日,兆易创新PMU事业部资深工程师舒先来在专题演讲中深入剖析了该方案特性,全面展现了公司赋能电网技术升级的决心与准备。  原理与趋势:行波测距的核心价值  在智能电网设备生态中,继电保护、FTU/DTU 及融合终端共同维系电网安全运行,而行波测距技术因能快速精准定位故障点、大幅提升抢修效率,占据不可替代的核心地位。  其物理原理在于捕捉故障瞬间激发的暂态阶跃信号(行波)。该信号沿线路高速传播,架空线与电缆中波速分别约为 300m/μs 和 200m/μs。通过在关键节点部署高精度采集设备记录到达时间差,结合单端法(波速与往返时差)或双端法(线路总长与两端时差)即可计算故障位置。随着 2025 年 3 月《配网分布式行波测距系统技术规范》全面推行,该技术市场正迎来爆发式增长。  行波测距的工程化落地面临多重技术挑战。行波信号是持续时间极短的暂态高频信号,其波头时刻的准确捕捉对采样率提出了极高要求——采样率越高,理论定位精度越高,但实际测距误差还受到波速估计、时钟同步、前端带宽及算法性能等因素的综合影响。传统方案多依赖FPGA实现高速数据采集与处理,导致成本高、功耗大、开发难度高等问题。正是在这一背景下,兆易创新推出了基于自研高性能MCU与高速ADC的完整行波测距解决方案。  架构突破:无FPGA低功耗创新方案  兆易创新的行波测距方案不仅实现了低成本与低开发门槛的统一,更将系统总功耗严格控制在1瓦以内。同时,兆易创新通过提供从核心器件到参考设计的全方位支持,为电网设备厂商筑牢了供应链安全防线。该方案还集成高精度GPS时间同步功能以兼容单、双端测距场景,并为客户复杂的定制化算法预留了充足的底层算力资源。  舒先来表示,该方案的系统架构高度贴合工业级应用要求。其前端支持12~36伏宽压输入,完美兼容电网最常用的24伏供电环境。4路行波信号经专用前端滤波与缓冲网络后,进入高精度ADC进行同步采样。为妥善处理瞬态数据流,系统外扩了一颗32MB的SDRAM,并预留了以太网、串行外设接口(SPI)、通用异步收发传输器(UART)及USB等丰富的通信接口。  兆易创新配套推出的PCB开发板在实测中展现出优异的性能。行波通带精准设定在200Hz~1MHz,有效滤除带外噪声;在1000Hz条件下的SINAD达72.54dB,总谐波失真(THD)低至-78.46dB。更重要的是,在保障海量数据吞吐的前提下,系统峰值总功耗仅为989mW(其中MCU及内存占531mW,ADC占111mW),从根本上缓解了终端设备的散热压力。  在开发支持方面,兆易创新还为客户提供了完整的评估套件,包括行波测距评估板及使用指南、原理图与PCB图纸、参考源代码、测试报告以及全流程的技术支持服务。从器件选型到参考设计,兆易创新实现了系统级的全链路支持。  硬件基石:全链路自研芯片矩阵  行波测距方案的性能优劣,归根结底取决于核心器件的水平。兆易创新在这一方案中汇集了其模拟与数字产品线的多款自研芯片,涵盖高速ADC、高精度基准源、高速运算放大器、低噪声放大器以及完整的电源管理器件。  在模拟信号采集前端,方案采用了GD30AD3584作为核心ADC。该芯片具备16bit分辨率与4MSPS采样率,支持4通道同步采样和全差分输入,共模输入范围为0.2V~VREF-0.2V。其片内支持过采样以及18bit高精度模式,动态范围达93dB,SFDR为-105dB,THD为 -103dB,并配备4SPI高速串行接口与超出范围告警功能。  围绕ADC的信号链调理,GD30AP8054高速放大器承担了关键任务,该器件具备102M增益带宽积与105V/us压摆率,输出电流达±60mA,且建立时间到0.1%仅需66ns。配合使用的GD30AP721/722/724系列运放支持轨到轨输入和输出(RRIO),具备11MHz增益带宽积,并内置RF/EMI滤波器。  GD30VR3100高精度电压基准源具备0.05%的高精度与3ppm/°C的低温漂,低噪声达1.5uVpp/V,长期稳定性优异。在系统电源管理方面,GD30LD3137低噪声LDO输出电流可达1.2A,具备4.4uVrms超低噪声与40dB@500KHz的高PSRR,并支持可配置软起动,确保了系统的稳定运行。  构成整个方案中枢的是GD32H757高性能M7处理器。该MCU主频高达600MHz,能够将80%的庞大算力完全留给用户进行算法开发。此外,芯片内部还保留了大量可用外设资源,包括1个SPI、4个UART、38个ADC通道、11通道DMA及13个定时器,为系统的后续扩展提供了充足的空间。  兆易创新作为国内少数同时具备MCU与模拟芯片研发能力的半导体企业,在行波测距方案中实现了从数字处理器到模拟信号链的全链路自研。这种协同设计能力使其能够率先响应电网新标准的要求,并针对客户痛点快速推出定制化方案。  在新型电力系统加速构建、电网关键设备国产化替代需求日益迫切的时代浪潮下,兆易创新正以全方位的系统级支持,为行业客户铺就一条安全、可靠、高性能的完整产品落地路径,持续为中国智能电网的自主可控与高质量跨越式发展注入强劲的国产“芯”动能。
2026-09-10 10:10 阅读量:269
兆易创新三大产品线亮相2026光博会,共筑算力光联基座
  9月9日,兆易创新(GigaDevice)携MCU、Flash、模拟三大产品线的光模块解决方案出席9月9日至11日在深圳国际会展中心举办的第27届中国国际光电博览会(CIOE 2026,展位号:13号馆13A17)。其中,今年发布的GD32E511/512、GD32E251/252系列光模块专用MCU将在本次展会上集中展示;截至目前,兆易创新光模块专用MCU累计出货量已近亿颗,稳居光模块MCU核心供应商之列。  AI大模型训练与推理集群的规模化部署,正在将数据中心光互联推向新的量级。从800G规模商用到1.6T加速落地,光模块作为算力网络的核心连接节点,其速率迭代与技术演进节奏明显加快,对系统DFM、存储与电源管理芯片在高性能、可靠性、小封装等方面提出了更高要求。兆易创新依托MCU、Flash、模拟三大产品线协同优势,为光模块客户提供多元芯片解决方案。  GD32光模块专用MCU  近亿颗出货构筑核心市场优势  兆易创新自2020年推出首颗光模块专用MCU以来,持续深耕光通信赛道,产品全面覆盖海内外主流光模块与设备客户。本次展会重点展示GD32E512/E511与GD32E252/E251系列MCU及相关光模块应用。其中,GD32E511/512系列MCU搭载Arm® Cortex®-M33高性能内核,支持小封装、大容量双Bank Flash、I3C通信协议等关键规格,适用于400G~1.6T高速场景;GD32E251/252系列MCU 则搭载Arm® Cortex®-M23内核,集成多路DAC、高精度温度传感器等,适用于接入网、前传等低速场景。  采用GD32E511 MCU的800G QSFP-DD光模块  传输距离可达2km至40km,支持 FlexO灵活光传送网多模式封装,符合CMIS Rev4.0、IEEE 802.3bs高速电接口及QSFP-DD MSA标准,具备数字光学监测能力,提供强大的诊断功能。  采用GD32E511 MCU的50G PON ONU光模块  符合ITU-T及IEEE 802.3标准,采用QSFP封装,支持上行50G/下行25G速率,具备数字光学监测能力。  采用GD32E252 MCU的XGS-PON & GPON Combo光模块  采用可热插拔SFP规格,支持上行9.95/2.48/1.24Gbps和下行9.95/2.48Gbps比特率,功耗小于3.5W,单模光纤最大链路长度20公里,符合ITU-T G.9807.1和ITU-T G.984.2标准。  GD25系列高可靠SPI NOR Flash  护航光模块固件存储  在光模块应用中,SPI NOR Flash承担存储固件与关键数据的功能,为DSP固件等高可靠数据提供存储空间。兆易创新GD25/55 SPI NOR Flash凭借全容量覆盖、高性能、高可靠性及超小封装等优势,已成为光通信设备的理想存储解决方案,目前已在国内外头部客户大批量出货。  本次展会重点展示GD25WD/WQ系列SPI NOR Flash产品,覆盖4Mb至16Mb容量,采用1.65~3.6V宽电压设计,支持工业级-40℃至+105℃宽温运行,具备WP写保护、OTP保护等功能,采用USON8 3mm×2mm超小封装,可充分满足光模块对高温运行和空间受限的设计需求。  此外,兆易创新还可提供GD24CL系列I²C EEPROM、GD25/55系列中大容量SPI NOR Flash、GD5F SPI NAND Flash和GD9F Parallel NAND Flash的产品阵列,为光放大器以及NPO/XPO等新兴光通信应用的技术演进提供更丰富的存储产品支持。  GD30系列高效电源管理  驱动光模块能效升级  随着光模块速率不断提升,功耗与热管理压力持续增大,高效、紧凑的电源管理方案成为光模块设计的关键环节。兆易创新模拟产品线重点展示了多款电源方案板:  GD30DM1113/GD30DM1116B高速光模块DSP降压电源模块  分别支持3A/6A连续工作电流,适用于400G及以上高速光模块,具备优越的动态响应能力、超低输出电压纹波和高效率,集成电感的超小封装有效节省PCB面积,并提供多种小封装选项。  GD30LS4171带电流监控功能的负载开关  支持7A连续工作电流,适用于400-800G高速光模块,实时输出电流监测精度高达±3%,具备200ns快速短路保护,输出电压上升速率与过流保护门限可调,采用QFN-2mm×2mm封装。  全栈协同,芯启高速光联未来  不同于单一芯片供应商,兆易创新在光模块领域的独特优势在于MCU、Flash、模拟三大产品线的协同能力,客户可同时完成控制、存储、电源管理等核心芯片的选型与适配,有效缩短研发周期、降低供应链管理成本,与此同时,兆易创新全流程的质量管理体系也可为光模块客户带来长期稳定的高品质产品体验。  未来,兆易创新将持续深化在光通信细分赛道的布局,以硬核技术驱动产品创新升级,依托全场景的产品生态与稳健的供应链保障,加速打通高速互联关键链路,为AI算力中心及下一代网络基础设施的高速光互联产业升级筑牢算力根基,注入澎湃发展动能。
2026-09-09 11:15 阅读量:281
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