华润微第七代高性能IGBT系列产品，助力工业应用提频增效

发布时间：2025-04-30 16:35
作者：AMEYA360
来源：华润微
阅读量：439

　　基于华润微电子12吋功率器件晶圆产线的先进工艺能力，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)快速开发并成功推出第七代(Trench FS Ⅶ)高性能IGBT系列产品，覆盖650/750/1200V电压平台，为光伏逆变器及储能系统、UPS、SVG等应用领域提供了有效的提频增效解决方案。

华润微第七代高性能IGBT系列产品，助力工业应用提频增效

　　PDBG第七代IGBT介绍

　　PDBG第七代IGBT采用微沟槽工艺，通过优化元胞设计和寄生电容参数，同时在更薄芯片的基础上调制背面FS层轮廓，有效降低导通压降和开关损耗，显著提升高温特性、可靠性、鲁棒性及并联适配性。

　　PDBG第七代IGBT产品优势

　　以图3和图4所示650V 120A器件为例，解析PDBG第七代IGBT的正向导通压降和开关损耗。在常温及高温情况下，相较于行业同规格产品，第七代IGBT具有更优的饱和压降，更小的温度变化率。在Ic=120A条件下，第七代IGBT在常/高温下Eon、Eoff、Etotal均为最优，总开关损耗较友商低至少15%。由此，PDBG第七代IGBT在温升改善和效率提升方面展现出明显的性能优势，高度适配光伏、储能应用场景。

　　PDBG第七代IGBT芯片搭配高性能第三代FRD，产品Vth、Vcesat、Vf 等参数一致性表现优异，高压开关波形稳定平滑，确保并联应用高可靠性。产品已在储能及光伏逆变器、UPS等领域完成验证，并实现头部客户批量供货。

　　在光伏应用领域，PDBG可提供全套功率器件解决方案。以一台20kW裂相机T型三电平光伏逆变器为例，其逆变拓扑中共使用8颗第七代IGBT，分别为4颗650V 120A H系列IGBT和4颗750V 120A H系列IGBT(见下表)。

华润微第七代高性能IGBT系列产品，助力工业应用提频增效

　　依托12吋先进工艺平台与持续的研发投入，PDBG快速完成第七代IGBT产品系列化，已拓展650V、750V、1200V三个电压平台，电流覆盖40A~160A，该系列产品可有效降低系统损耗、显著提升系统效率，助力工业应用提频增效。PDBG第七代IGBT系列化产品的推出既丰富了公司IGBT产品矩阵，更标志着公司具备量产高端IGBT的能力。未来，PDBG将以核心技术突破驱动产品迭代，以全流程品控保障产品性能稳定，以多元产品满足不同领域客户需求，以高效响应的服务为客户创造价值。


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　　6月24日，重庆市经济和信息化委员会公示了2025年重庆市先进级智能工厂及基础级智能工厂最终名单，华润微电子重庆12吋功率半导体晶圆制造先进级智能工厂凭借优异的智能化建设成果成功入选，荣获“2025年重庆市先进级智能工厂”称号。　　作为华润微电子重庆12吋项目的关键实施主体，润西微电子(重庆)有限公司肩负着打造国内领先的车规级半导体平台的重任，其在此次评选中的脱颖而出，无疑彰显了华润微电子在智能制造领域深耕所取得的斐然成效。“先进级智能工厂”荣誉作为重庆市在智能制造领域认定的最高等级之一，此次获奖意味着公司在智能制造、智慧运营、质量管控以及仓储物流等核心业务环节的数字化转型工作已取得显著成果，成功树立起重庆市乃至全国功率半导体制造领域的智能化标杆。　　早在2025年1月，重庆市经信委便启动了2025年重庆市先进级智能工厂的申报工作，历经企业自主申报、区县经信主管部门的严格初审、专家的专业评审以及现场核查等多道严谨程序，华润微电子重庆12吋晶圆制造工厂最终成功上榜。这一荣誉的获得，既充分体现了重庆市政府对华润微电子在智能制造建设方面所取得成果的高度认可，更是华润微电子智能化发展历程中的关键里程碑事件。　　在智能制造的探索与实践中，华润微电子积极推动前沿技术与先进智能装备的深度融合，将5G通信、数字孪生、大数据分析及人工智能等前沿科技与生产制造紧密结合，成功构建起具有显著行业示范效应的智能制造创新模式，实现了生产效率的大幅提升与运营成本的显著降低，充分展现了智能制造所蕴含的巨大价值优势。　　一、先进智能装备配置齐全　　华润微电子通过引入自动化天车系统(AMHS)、智能检测系统、自动化立体仓库等一系列先进智能装备，有力地推动了12吋晶圆生产线生产效率与工艺精度的显著提升，为高质量产品的稳定产出提供了坚实硬件支撑。　　二、全流程数字化管理　　华润微电子精心打造了一个集成制造执行系统(MES)、实时派工系统(RTD)、先进制程控制系统(APC)、良率管理系统(YMS)等核心信息系统的一体化平台，成功实现了12吋晶圆生产线从生产计划下达、物料配送、工艺执行到产品检验等全流程的数字化管理与全自动化运行，极大提高了生产运营的协同性和精准性。　　三、打通研发生产数据壁垒　　华润微电子通过搭建数据中台并接入集团公有云平台，成功打破了研发、生产、物流等环节与核心信息系统之间的数据隔阂，实现海量数据的互联互通与融合应用。这不仅为深度的大数据分析、智能决策以及预测性维护提供了丰富而精准的数据基础，更成功催生了多个智能制造典型应用场景，进一步推动了公司智能化水平的全面提升。　　数智化已成为新型工业化的显著标志，更是加快新质生产力发展的重要驱动力。华润微电子重庆园区在智能化领域硕果累累。早在 2020 年，华润微电子(重庆)有限公司的 8 英寸晶圆生产智能工厂就已获评“重庆市智能工厂”荣誉;2024 年，华润润安科技(重庆)有限公司的功率半导体封测智能工厂同样载誉而归，获得“重庆市智能工厂”称号。这些荣誉不仅是对华润微电子过往智能化建设成果的高度肯定，更是公司持续推进智能化升级的有力见证。　　展望未来，华润微电子将继续坚定不移地深化数智技术在企业生产运营各环节的应用，持续助力提升车规级功率器件产品的迭代速度和量产效率，加速推动公司整体向高端化、智能化、绿色化的方向迈进。同时，华润微电子也将积极携手上下游企业，共同构建开放协同的智能生态体系，不断夯实高质量发展的根基，携手共筑产业创新发展的全新格局，为我国半导体产业的智能化升级贡献更大力量。
2025-06-30 11:56 阅读量：681
华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行
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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。
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