工业、汽车芯片市场,出现复苏信号

Release time:2025-05-12
author:AMEYA360
source:网络
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工业、汽车芯片市场,出现复苏信号

  功率芯片大厂在2024年全面掉出了全球排名前十的阵营。根据Gartner的数据,美光和联发科的高成长,在2024年的统计中成功替代德州仪器、意法半导体,上榜全球TOP10。

  全球排名变动的背后,是汽车和工业市场销售疲软导致。然而,最近不少信号都在暗示:下半年汽车、工业领域半导体都会复苏。

  TI发布了最新的第二季度财报,TI CEO哈维夫·伊兰(Haviv Ilan)说到:“越来越多的证据和信号表明,所有渠道、所有地区的工业市场都正在复苏。”

  无独有偶,意法半导体也表达了类似的信号。意法半导体在发布财报后表示,公司对未来的营运状况持乐观态度,认为“谷底已过”。

  01四大巨头,财报飘绿

  我们来分别看一下,德州仪器、意法半导体、恩智浦和瑞萨,这四大巨头的财报数据。

  德州仪器第一季度营收达到了40.7亿美元,同比增长11%,净利润11.8亿美元。除了个人电子产品出现季节性的下滑,其他细分市场都实现了环比增长。模拟芯片业务是主要驱动力,营收达到32.1亿美元,同比增长13%,营业利润12.06亿美元,同比增长20%。模拟芯片的强劲表现,是因为汽车、工业和通信设备等领域的增长。

  嵌入式处理业务营收6.47亿美元,同比微降1%,营业利润下降62%,面临的市场竞争和需求波动。其他业务(包括DLP产品和计算器)营收2.12亿美元,同比增长23%,但营业利润受重组费用等因素影响下降55%。

  对于第二季度的营收,德州仪器预计在41.7亿美元至45.3亿美元之间。这一数字远超华尔街平均预期的41.2亿美元。也正是因为预期的增长,在财报公布的当天,TI的股价上涨了5%。

  意法半导体的第一季度数据不是很理想。Q1营收25.17亿美元,同比下降27.3%,环比2024年Q4下降24.2%,远超费城半导体指数成分股平均15%的营收降幅。

  其中,APMS产品组营收14.66亿美元,同比下降28%,其中功率与离散产品收入暴跌37.1%至3.97亿美元,运营利润从去年同期的7700万美元逆转为亏损2800万美元,主要受工业控制与新能源汽车充电桩订单延迟拖累;

  模拟、MEMS与传感器板块收入10.69亿美元,同比下降23.9%,智能手机MEMS传感器出货量下降18%反映了消费电子库存调整的持续影响。

  MDRF产品组营收10.48亿美元,同比下降26.5%,嵌入式处理板块(通用微控制器)收入下降29.1%,射频与光通信板块收入下降19.2%,汽车雷达芯片与手机射频前端需求双双疲软。

  恩智浦最新的业绩表现不佳。恩智浦本季度营收为28.4亿美元,符合指导区间中值,同比下降9%,环比下降9%。从具体的市场来看,占比最大的汽车市场本季度营收为16.74亿美元,同比下滑7%,环比下滑6%;工业与物联网市场本季度营收为5.08亿美元,同比下滑11%,环比下滑2%。

  瑞萨的财报也不太好看。瑞萨2025年第一季度(1 月-3 月)的财务业绩(基于非 GAAP)显示,销售额同比下降 12.2% 至 3088 亿日元,毛利率同比增长 0.1 个百分点至 56.7%。

  其中,占比最大的车用市场营收为1553亿日元,同比下滑12.8%,环比增长4.4%。虽然和上季度相比有所增长,但与2024年Q3之前不断增长的车用市场相比,有明显的萎缩。瑞萨CEO表示,就汽车业务而言,市场仍较为保守,主要处于观望状态。

  02工业、汽车市场,出现复苏信号

  尽管四大巨头财报,并不是非常亮眼,但对于下半年的汽车、工业市场,都表达了乐观的想法。

  德州仪器表示,从周期角度来看,我们在第一季度持续复苏,上次提及有三大终端正在实现同比增长并呈现复苏态势,分别是个人电子市场、企业系统和通信设备。工业也加入了复苏行列,而工业对我们而言是一个规模庞大的市场。我们在24Q4已经看到了一些复苏迹象,但基于25Q1的情况来看,我认为这种复苏与关税无关。

  意法半导体认为汽车市场呈现一些好转迹象。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery指出:“公司订单出货比(book-to-bill ratio)高于1,订单量环比显著增长。”并且,对于整体面向汽车行业的发展策略,Jean-Marc Chery提到,意法半导体在持续推进汽车电子化和汽车数字化相关策略。

  数字化方面,汽车微控制器(MCU)是公司中期以来的营收增长驱动力之一。在中国、欧洲、中东、非洲以及美洲地区,无论是OEM厂商还是Tier1供应商,都有强劲的产品导入(design-in)势头。

  实际上,不少数据机构之前都预测,下半年汽车和工业芯片将迎来复苏拐点。

  IDC最新报告显示,2025年全球半导体市场年增15.9%,该数据虽较去年20%成长率略有放缓,但仍整体将维持健康发展,其中车用及工业用领域半导体则有望在今年下半年(H2)触底。

  另一家分析机构TechInsights也预测称,2025年通信、工业和车用等领域的库存水位有望降低,下半年需求可望复苏,预计包括功率半导体,IC等广泛意义的半导体市场整体预计将呈现低个位数的增长。

  汽车市场在今年出现了两极分化的情况。

  类似MCU、PMIC等通用型芯片,因为产能过剩及传统燃油车需求疲软,库存压力持续至2025年二季度末,预计三季度初趋近历史平均水平。

  功率器件方面,碳化硅(SiC)供需缺口因产能扩张收窄,仅高端IGBT维持结构性短缺,市场复苏节奏分化——功率器件于二季度反弹,通用芯片延迟至三季度。

  现货市场的情况又如何?

  根据Quiksol的消息,受电动汽车及智能驾驶需求爆发,NXP车规级MCU及雷达芯片需求上涨,目前原厂交付周期变长。MCU在市场上的现货价已经环比上涨10%~15%。其余产品的需求较为平稳。

  而ST近期在现货市场比较火热,尤其是通用料。3月,ST通用料相较年初已有进一步涨价,但价格倒挂的现象仍未完全消除,仅是有所缓解。涨价更像是一种理性回调,价格逐步恢复至相对合理的水平。此外,最近几周受关税影响,ST也出现了涨价情况。

  工业芯片市场在今年温和复苏。主要的核心动力是:中国“新基建”投资及欧美制造业回流。

  尽管2024年库存仍高于历史水平,但随着库存消化在二季度完成、政策驱动需求三季度回升,工业芯片市场将于下半年实现库存优化,降息对需求的提振则需至年底显现。

  德州仪器财报显示,工业领域在连续七个季度环比下滑后,收入实现高个位数环比增长;此外,企业级系统增长中个位数百分比,通信设备环比增长约10%。

  Jean-Marc Chery在业绩交流会上则提到,目前较为确定工业领域在第一季度将是触底的收入表现,第一季度订单相比第四季度已经有所增长,整体库存水平在逐渐下降,尤其是智能工业领域表现明显,电力与能源领域的库存下降幅度相对较小。

  03关税影响,仍然存在

  从目前的情况来看,尽管全球市场有所回升,但今年的关税影响还是非常大的。由于美国关税的影响,目前大部分机构,都认为2026年全球半导体市场会出现萎缩。TechInsights预测萎缩的市场大概会在34%左右。

  TI也回应了关税的影响。TI表示,在中国的重要客户占据去年总营收的19%,在今年Q1占据了20%,中国市场至关重要。我们正在与客户密切合作,了解他们各自的需求,以便在第一时间为他们提供支持,缓解他们对2025年下半年乃至2026年可能出现情况的担忧。

  目前TI为了支持客户,库存支持上一部分是寄售库存。还有一部分是存放在距离客户制造工厂很近的地方。简单来说,德州仪器会具备一定的灵活性,具体操作需视不同客户的情况而定。

  Counterpoint研究副总监Brady Wang对记者分析,“由于宏观经济疲软及关税政策带来的不确定性加剧,我们已将汽车半导体需求复苏的预测时间从2026年第一季度推迟至2026年第二季度。近期多家汽车半导体企业的大规模裁员已印证这一调整。”

  几天前,意法半导体宣布未来三年将在全球裁员约2800人,旨在调整企业布局和削减成本。这次裁员比例达6%左右,预计意大利和法国的业务都将受到影响。

  美国投行杰富瑞集团在一封给客户的信里写道,关税带来的任何中断和不确定性都可能打压传统芯片的需求,从4月份开始,预计半导体需求和销售将以比此前预期更快的速度放缓,所以分析师决定下调英飞凌2025财年的业绩预期,对意法半导体、奥地利微电子(AMS)的业绩前景更是持“高度谨慎”的态度。


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芯片Layout中的Guard Ring是什么?
  在芯片设计中,Guard Ring(保护环) 是一种环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围的版图结构,形成关键的“隔离带”。它的核心使命是提高电路的可靠性、性能和抗干扰能力,是复杂芯片(尤其是混合信号芯片、高可靠性芯片)成功量产的关键因素之一。  Guard Ring的物理构成  Guard Ring并非单一结构,而是由多个精心设计的物理组件协同构成:  1衬底接触环  采用高掺杂的P+区域(P型衬底)或N+区域(N型衬底/深N阱)。其核心作用是提供到半导体衬底的低阻连接。它能有效收集衬底中不需要的少数载流子,防止其干扰被保护电路,稳定衬底电位,减少衬底噪声耦合,并为潜在寄生电流提供泄放路径。  2阱接触环标题  采用高掺杂的N+区域(N阱)或P+区域(P阱)。它提供到阱的低阻连接点,稳定阱电位并收集阱中产生的少数载流子。在双阱工艺中,N阱接触环本身就能阻挡衬底中的少数载流子(空穴)进入N阱。  3隔离结构  通常指浅沟槽隔离或深沟槽隔离。它在物理上分隔保护环内外的区域,阻止表面漏电流路径,增加载流子从外部扩散进入保护区域的难度,是防止闩锁效应的关键物理屏障。  4连接线  通过通孔和金属层将衬底接触环和阱接触环连接到指定电位(VSS或VDD)。确保这些连接具有极低的电阻至关重要。  Guard Ring的核心作用  Guard Ring通过其物理结构实现多重关键保护功能:  1防止闩锁效应  这是Guard Ring最核心的作用。闩锁效应由芯片内部寄生的PNPN结构意外触发引发,可导致大电流、功能失效甚至芯片烧毁。Guard Ring通过提供低阻的阱和衬底接触,有效收集触发闩锁的寄生载流子,在其达到触发浓度前将其泄放。同时,隔离结构增加了载流子横向流动的阻力。它对包含NMOS和PMOS相邻放置的电路(如CMOS反相器、I/O驱动器)的保护尤为关键。  2抑制衬底噪声耦合  芯片上不同模块(尤其是数字模块与敏感的模拟/射频模块)工作时产生的噪声会通过公共硅衬底传播。连接到干净VSS的衬底接触环作为一个低阻抗的“汇”,能吸收和分流试图进入保护区域的衬底噪声电流,为被保护电路提供局部的“安静地”,显著降低噪声干扰。  3阻挡少数载流子注入  芯片某些区域(如开关状态的NMOS源/漏、反向偏置的PN结)可能向衬底注入少数载流子(电子或空穴)。这些载流子扩散到敏感区域(高阻节点、存储节点、精密基准源)会引发漏电流、电压偏移或数据错误。Guard Ring(尤其是反向偏置的阱接触环,如N阱环接VDD阻挡空穴)能收集这些扩散载流子,阻止其到达敏感区域。  4提高器件隔离度与可靠性  在需要高隔离度的应用(如RF电路、混合信号电路)中,Guard Ring有助于减少相邻器件间通过衬底的串扰。通过综合防止闩锁、减少噪声干扰和漏电流,Guard Ring显著提升了被保护电路的长期工作可靠性和稳定性。  设计与实现考量  Guard Ring的设计需结合具体工艺和电路需求:  必要性:为MOS器件提供衬底/阱电位(Bulk端)的Guard Ring是必不可少的。用于隔离噪声或防止Latch-up的Guard Ring则需评估实际需求(是否存在噪声源或对噪声敏感)。  结构选择:根据保护对象(PMOS/NMOS/DNW器件)选择对应的NWring、PSUBring或DNWring结构。其版图实现需严格遵循特定工艺的设计规则(Design Rule),例如有源区(AA/OD)与注入层(SP/PP/SN/NP)的包围关系、接触孔(CT/CONT)的尺寸和间距、金属层(M1)的连接等。  增强防护:有时会采用双层Guard Ring结构,以进一步降低阱/衬底的寄生电阻压降,增强隔离效果,更有效地降低Latch-up风险。  面积权衡:添加Guard Ring必然增加芯片面积。设计时必须在防护效果和成本(面积)之间进行仔细权衡。  Guard Ring是芯片版图设计中基础而关键的防护结构。其本质是通过在敏感电路周围精确构建阱接触环、衬底接触环和隔离结构,并将它们连接到合适的电源/地网络,共同形成一个高效的载流子收集阱和噪声隔离带。它从根本上防止了致命的闩锁效应,有效抑制了衬底噪声耦合,并阻挡了有害的少数载流子注入,从而极大提升了芯片的鲁棒性、性能和可靠性。
2025-10-30 14:49 reading:252
全球首款,我国芯片研制获重大突破!
  据《科技日报》报道,近日,清华大学电子工程系方璐教授团队在智能光子领域取得重大突破,成功研制出全球首款亚埃米级快照光谱成像芯片“玉衡”,标志着我国智能光子技术在高精度成像测量领域迈上新台阶。相关研究成果在线发表于学术期刊《自然》。  科研团队基于智能光子原理,创新提出可重构计算光学成像架构,将传统物理分光限制转化为光子调制与计算重建过程。通过挖掘随机干涉掩膜与铌酸锂材料的电光重构特性,团队实现高维光谱调制与高通量解调的协同计算,最终研制出“玉衡”芯片。“玉衡”光谱成像芯片概念图。图片来源:清华大学  “玉衡”芯片仅约2厘米×2厘米×0.5厘米,却可在400—1000纳米的宽光谱范围内,实现亚埃米级光谱分辨率、千万像素级空间分辨率的快照光谱成像,能在单次快照中同步获取全光谱与全空间信息,其快照光谱成像的分辨能力提升两个数量级,突破了光谱分辨率与成像通量无法兼得的长期瓶颈,为高分辨光谱成像开辟了新路径。  方璐表示,“玉衡”攻克了光谱成像系统的分辨率、效率与集成度难题,可广泛应用于机器智能、机载遥感、天文观测等领域,以天文观测为例,“玉衡”的快照式成像每秒可获取近万颗恒星的完整光谱,有望将银河系千亿颗恒星的光谱巡天周期从数千年缩短至十年以内,凭借微型化设计,它还可搭载于卫星,有望在数年内绘制出人类前所未有的宇宙光谱图景。
2025-10-16 14:25 reading:364
全球首款1.8纳米芯片发布!
  正在努力扭转艰难处境的老牌芯片厂英特尔,周四(10月9日)展示了即将亮相的新一代先进制程PC芯片,开始向苹果、高通、AMD、台积电等竞品发起反击。  公司发布的照片显示,今年3月履新的CEO陈立武站在亚利桑那工厂门口,捧着一块代号为Panther Lake的新一代酷睿处理器晶圆。这是首款采用英特尔18A工艺(18埃米,即1.8纳米)的芯片。  英特尔特别强调,18A工艺也代表着芯片行业两大创新技术的应用:全环绕栅极晶体管以及背面供电网络。与Intel 3相比,18A能够提供15%的频率提升,且晶体管密度提高1.3倍,或者在同等性能水平下降低25%的功耗。  据悉,新一代芯片与被称为“英特尔CPU能效巅峰之作”的Lunar Lake相比,相同功耗下性能提升50%。而在性能相同时,相较上一代Arrow Lake-H处理器功耗降低30%。  公司也在周四表示,除了个人电脑外,Panther Lake还将拓展至机器人在内的边缘应用领域。基于18A工艺的至强6+服务器处理器也将于2026年上半年发布。  英特尔世界首款 1.8nm 要点  1、世界首款:预览三代酷睿 Ultra(Panther Lake),首款 18A 制程客户端 SoC;  2、生产进展:Panther Lake 已投产,按计划推进,有望成热门 PC 平台;  3、服务器新品:首展至强 6+(Clearwater Forest),18A 制程,功耗性能大进;  4、核心制程:Intel 18A 是英特尔最先进半导体节点(1.8nm);  5、制造保障:亚利桑那 Fab 52 已运营,今年晚些时候 18A 量产,巩固领先。
2025-10-10 15:24 reading:337
芯片的分类以及IC设计的基本概念介绍
  什么是芯片?  “芯片”(Chip)是“集成电路”(Integrated Circuit, IC)的俗称,是一种微型化的电子器件。它将大量的晶体管、电阻、电容、电感等电子元器件以及它们之间的连接线路,通过半导体制造工艺(主要是光刻技术),集成在一块微小的半导体材料(通常是硅,Silicon)基片上,形成一个完整的、具有特定功能的电路系统。  ▌核心材料  硅(Silicon)。硅是一种半导体材料,其导电性介于导体和绝缘体之间,可以通过掺杂等方式精确控制其电学特性。  ▌制造过程  在晶圆(Wafer,即一大片圆形的硅片)上,通过复杂的光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等数百道工序,将电路图形一层一层地“雕刻”上去。  ▌最终形态  制造完成后,晶圆被切割成一个个独立的小方块,这就是裸芯片(Die)。裸芯片再经过封装(Package),加上引脚和保护外壳,就成为了我们通常看到的、可以焊接到电路板上的芯片。  ▌简单比喻  可以把芯片想象成一个“微型城市”。硅片是土地,晶体管是城市里的“开关”或“门卫”,负责处理信息(开/关,1/0);导线是城市的“道路”,连接各个区域;整个集成电路就是这个城市的“规划图”,规定了所有建筑(元器件)和道路(连接)的布局,使其能协同工作。  芯片的分类  ▌按功能分类  数字芯片 (Digital IC):  特点:处理离散的数字信号(0和1)。逻辑清晰,抗干扰能力强,易于大规模集成。  代表:  微处理器 (Microprocessor, MPU,GPU,CPU等)  计算机、手机等设备的“大脑”,执行指令和处理数据(如Intel CPU, Apple M系列芯片)。  微控制器 (Microcontroller, MCU)  集成了处理器、内存、I/O接口等功能的“单片机”,常用于嵌入式系统(如家电、汽车电子)。  存储器 (Memory)  用于存储数据和程序。  逻辑门电路/可编程逻辑器件 (PLD)  如FPGA(现场可编程门阵列)、CPLD(复杂可编程逻辑器件),用户可以自行编程实现特定逻辑功能。  RAM (随机存取存储器)  如DRAM(动态RAM,主内存)、SRAM(静态RAM,高速缓存),断电后数据丢失。  ROM (只读存储器)  如Flash(闪存,U盘、SSD、手机存储)、EEPROM,断电后数据不丢失。  模拟芯片 (Analog IC):  放大器 (Amplifier)  如运算放大器(Op-Amp),用于放大微弱信号。  电源管理芯片 (Power Management IC, PMIC)  负责电压转换(升压/降压)、稳压、充电管理、电源分配等(手机、电脑中常见)。  数据转换器 (Data Converter)  如ADC(模数转换器,将模拟信号转为数字信号)、DAC(数模转换器,将数字信号转为模拟信号)。  射频芯片 (RF IC)  处理高频无线信号,用于通信(如手机、Wi-Fi、蓝牙模块)。  特点:处理连续变化的模拟信号(如电压、电流、温度、声音)。设计难度高,对噪声和干扰敏感。  混合信号芯片 (Mixed-Signal IC):  特点:在同一芯片上同时集成了数字电路和模拟电路。现代芯片大多是混合信号芯片。  代表:很多传感器接口芯片、通信芯片(如基带处理器)、SoC(见下文)。  ▌按集成度分类  SSI (Small-Scale Integration, 小规模集成电路)  :集成几十个晶体管(如简单的逻辑门)。  MSI (Medium-Scale Integration, 中规模集成电路)  :集成几百个晶体管(如计数器、译码器)。  LSI (Large-Scale Integration, 大规模集成电路)  :集成几千到几万个晶体管(如早期的微处理器、存储器)。  VLSI (Very Large-Scale Integration, 超大规模集成电路)  :集成几十万到几百万个晶体管(现代大多数芯片都属于此范畴)。  ULSI (Ultra Large-Scale Integration, 特大规模集成电路)  :集成上千万甚至数十亿个晶体管(如现代高性能CPU、GPU)。  ▌按应用领域分类  通用芯片  设计用于广泛的应用场景,如CPU、GPU、标准存储器。  专用集成电路 (ASIC - Application-Specific Integrated Circuit)  为特定应用或客户定制设计的芯片,性能和功耗优化,但开发成本高。  系统级芯片 (SoC - System on Chip)  将一个完整系统的大部分甚至全部功能(如CPU、GPU、内存控制器、DSP、I/O接口、射频模块等)集成在单一芯片上。这是现代电子设备(尤其是移动设备)的核心,如手机的主控芯片(如高通骁龙、苹果A系列)。  IC设计的基本概念  IC设计是创造芯片的“蓝图”和“规划”的过程,是一个高度复杂、多学科交叉的工程。这里主要介绍数字IC的设计,分为两大阶段:  ▌前端设计 (Front-End Design)  专注于功能的定义、验证和逻辑实现。  规格定义 (Specification)  明确芯片需要实现的功能、性能指标(速度、功耗)、接口标准等。  架构设计 (Architecture Design)  设计芯片的整体结构,如采用何种处理器核心、总线结构、存储层次等。  RTL设计 (Register-Transfer Level Design):  使用硬件描述语言(HDL),如Verilog或VHDL,编写代码来描述芯片的行为和数据在寄存器之间流动的方式。这是前端设计的核心,将功能需求转化为可综合的逻辑描述。  功能验证 (Functional Verification):  通过仿真(Simulation)等手段,确保RTL代码在各种输入条件下都能正确实现预期功能。  这是设计过程中耗时最长、成本最高的环节之一,目标是“把错都找出来”。  逻辑综合 (Logic Synthesis):  使用EDA(Electronic Design Automation,电子设计自动化)工具,将RTL代码自动转换为由标准单元库(如与门、或门、触发器等)构成的门级网表(Netlist)。这个过程会考虑时序、面积和功耗的约束。  ▌后端设计 (Back-End Design)  专注于物理实现,将逻辑设计转化为可以在晶圆上制造的物理版图。  物理实现 (Physical Implementation):  布局 (Placement)  将门级网表中的所有标准单元在芯片版图上进行物理摆放。  布线 (Routing)  根据网表连接关系,在布局好的单元之间铺设金属导线。  静态时序分析 (Static Timing Analysis, STA)  在不进行仿真的情况下,分析电路中所有可能的时序路径,确保信号能在时钟周期内稳定传输,满足建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold Time)的要求。  物理验证 (Physical Verification):  设计规则检查 (Design Rule Check, DRC)  确保版图符合晶圆厂的制造工艺规则(如最小线宽、最小间距)。  版图与电路图一致性检查 (Layout vs. Schematic, LVS)  确保最终的物理版图与原始的门级网表在电气连接上完全一致。  电气规则检查 (Electrical Rule Check, ERC)  检查版图中的电气连接是否正确(如避免悬空引脚)。  寄生参数提取 (Parasitic Extraction)  提取布线产生的寄生电阻、电容等参数,用于更精确的时序和功耗分析。  最终交付  生成符合晶圆厂要求的GDSII或OASIS格式的版图文件,交付给晶圆厂进行制造。
2025-10-10 09:59 reading:394
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