东芯半导体获选中国IC设计成就奖之年度最佳存储器！

发布时间：2025-05-12 14:39

作者：AMEYA360

来源：东芯半导体

阅读量：277

　　2025年是IC设计成就奖举办的第23年，一路伴随和见证产业的成长与发展，是中国电子业界最重要的技术奖项之一，颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!活动评选并表彰业内优秀的IC设计公司、上游服务供应商、热门模块/设计方案和热门产品。

　　深耕存储，创新不断，颁奖晚宴上，东芯半导体3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很荣幸获选了“2025年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖：年度最佳存储器”。同时，进入“Aspencore2025中国IC设计Fabless100排行榜--TOP 10 存储器公司”，这不但是对我们成果的肯定，也鼓舞我们持续研发创新，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案!”

东芯半导体获选中国IC设计成就奖之年度最佳存储器！

　　作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司，现有六大产品矩阵,提供定制化解决方案。东芯半导体实现全球化运营布局，构建完整生态体系，以“存储”为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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