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长鑫存储HBM3年底前冲刺验证
韩媒Financial News报道，长鑫存储计划在2025年底前交付第四代高带宽存储器样品(HBM3)，并预计从2026年开始全面量产。
此外，长鑫存储还设定了2027年开发第五代HBM(HBM3E)的目标。
这一消息引发了业界广泛关注，因为这意味着中国企业在高端存储芯片领域正逐步缩小与国际领先企业的差距，未来几年内，长鑫存储将直接与三星、SK海力士和美光等全球存储芯片巨头展开正面竞争。
在高性能计算和人工智能领域蓬勃发展的当下，市场对高带宽存储(HBM)技术的需求呈现出爆发式增长。
集邦咨询分析指出，HBM迭代速度极快，预计到2025年，最新一代产品HBM3e将占据2025年出货份额超过90%。而下一代技术HBM4也将从2026年开始逐步进入市场。
然而，目前全球高端存储芯片市场主要由韩国三星和SK海力士两家公司把控，市场格局高度集中。
据悉，三星正按计划推进HBM4的开发，预计2025年下半年量产，2026年实现商业出货。
作为行业领头羊之一，SK海力士已抢先一步，于2024年3月率先向客户交付HBM4样品。
值得注意的是，SK海力士在2024年8月还成功开发了一项更先进的芯片制造技术(1c nm DRAM)，并计划于2025年2月投入生产。
不过，在HBM4的策略上其采取更为稳健的路径，选择将更成熟的1b nm DRAM集成至HBM4中以保证产线稳定。
此外，美光也近日宣布，已向重要客户提供了其最新研发的36GB、12层堆叠的HBM4样品，该产品容量更大、堆叠层数更多，将为2026年新一代人工智能平台的量产做好准备。
相对而言，中国这边在高端存储领域长期以来一直面临着技术瓶颈的困难。因此，长鑫存储在HBM方向的进展无疑是中国存储产业的重大突破。
尽管长鑫存储目前仍在优化另一项主流存储芯片技术(DDR5)，与HBM3在工艺路径上有所区别，可能会在资源调配和技术协同上面临一些挑战，再加上全球半导体供应链的不确定性，这些都可能对长鑫存储的研发进度产生影响。
但业内普遍认为，综合各方信息来看，长鑫存储在2025年底前交付高端存储芯片样品的计划，仍然具有较高的可行性。
一旦长鑫存储能够如期交付 HBM3 样品并实现量产，这将有望打破韩国厂商长期以来的市场垄断地位，大幅缩小中国与全球存储芯片巨头之间的技术差距。
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长鑫存储量产DDR5
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