ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

Release time：2025-06-20
author：AMEYA360
source：方舟微
reading：157

　　ARK(方舟微)推出的高压电流调节器AKP10M60R，支持高达600V工作电压，具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。

　　典型应用原理

ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

　　如图1所示，AKP10M60R的输入端A可支持高达600V的耐压，远高于常规几十伏或整流后300V的市电输入，具有充足的电压裕量。其内置负反馈机制可确保输出电流恒定，从而有效抑制浪涌电流/电压冲击，具备卓越的抗瞬态能力。

　　输出电流可通过调节电阻R灵活设定，实现稳定的恒流输出。此外，通过在G-K端施加负电压，可完全关断AKP10M60R，增强系统控制灵活性。

　　高压电机驱动电路应用

　　AKP10M60R特别适用于驱动感性负载，其内置的瞬态抑制电路可有效吸收由电感关断产生的高压脉冲(如继电器、电机等产生的反电动势)。该器件不仅能简化传统RC吸收或TVS保护等外围电路设计，同时显著降低BOM成本和PCB面积，提升系统性价比。

ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

　　车载电器应用

　　AKP10M60R专为车载电子系统设计，可有效抑制电机启停工况下产生的400V以上负载突波(Load Dump)，满足ISO 7637-2标准要求。其集成化设计可替代传统TVS+LC滤波的复杂保护方案，在保障多媒体系统可靠性的同时，减少30%以上的外围器件数量，显著优化车载娱乐系统的空间布局和制造成本。

ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器


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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用
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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
2023-11-17 15:49 reading：2181
新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家
行业新闻

新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家

　　过压过流保护器　　过压过流保护器（30V/30mA）　　外形图　　AKF30V30MPD为ARK（方舟微）研发的30V/30mA集成功率保护器件，特别适合应用于工业领域（如4～20mA电流环）的过流过压保护方案，产品响应速度快，以集成控制的方式，提供更高的稳定性及便捷性，使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V，电流不超过30mA，能有效避免瞬态浪涌造成损伤，同时可以简化电路，节省空间，减低成本。　　应用示意图如下：　　Form B 固态继电器　　100V / 400V Form B 固态继电器　　外形图　　ARK（方舟微）依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势，开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器，产品可靠性高，性能优异，封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式，非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。　　专用于射频领域的LDMOS　　130V N沟道耗尽型 LDMOS　　外形图　　DLZ1304E系列产品是ARK（方舟微）最新研发的N沟道耗尽型LDMOS，产品采用平面工艺，性能优良，可靠性高。该系列产品的耐压值为130V，相较于JFET或射频功率MOSFET，具有更高的耐压值和更低的泄漏电流，同时具有很低的阈值电压及输入电容，非常适合用于高频率的射频应用，以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。　　有源钳位MOSFET　　小型有源钳位MOSFET　　外形图　　AKZSS04R06A是ARK（方舟微）研发的小型有源钳位MOSFET，器件采用平面工艺，可靠性高，稳定性好，其内部采用有源钳位结构，封装类型为SOT-23，特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。　　集成高阈值双芯MOSFETs　　集成高阈值双芯MOSFETs　　外形图　　ARK（方舟微）研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs，产品采用PDFN3*3封装，特别适合用于四线制PCB测试机等设备，能有效提高测试机测试精度。如图所示，M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在如下图所示的应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。　　M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。
2023-07-12 10:50 reading：1457
方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用
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方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

　　应用电路如下　　在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：　　DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压VR1也会增加，当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，VR1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。　　DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。　　响应速度快，电路结构简单，成本低。　　DMD4523E　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。　　该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。
2023-05-08 09:32 reading：2572
方舟微DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用
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方舟微DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用

　　目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V～5.5V，在高输入电压供电的应用里，MCU的供电大多使用耗尽型MOSFET+LDO的方案。如图1电路所示，使用耐压值为150V的DMZ1520E搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时，为进一步简化电路和节约成本，也可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电，如图2电路所示，在1mA～5mA的工作电流条件下，DMZ1520E的输出电压（VDD电压）约为3.5V。电路示意图如下：　　图2电路特点如下：　　DMZ1520E的工作电压最高为150V，可直接工作于高输入电压条件下。　　DMZ1520E既能够稳定的给MCU供电，又能够为MCU提供良好的瞬态浪涌保护。　　DMZ1520E可靠性高，稳定性好，电路结构简单，可有效节约成本。　　通常MCU的工作电流约为1mA～5mA，因此在该条件下使用典型的DMZ1520E样品按照图2电路进行测试，　　测得VDD电压值与电流的关系如图3所示。此外，该VDD电压值与DMZ1520E的阈值电压参数VGS(OFF)相关，典型DMZ1520E样品的VGS(OFF)参数值随结温的变化关系如图4所示：
2023-05-06 11:17 reading：2710
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