罗姆新课上线 | 重点解析贴片电阻器热设计要点，参与赢好礼！

Release time：2025-07-03
author：AMEYA360
source：罗姆
reading：201

　　1970年前后，大多数电子元器件是引脚式的，通孔安装是主流的安装方式。随着应用产品越来越复杂，所安装的元器件数量在增加，可实现高密度安装的表面贴装型元器件逐渐成为主流。

　　相应地，贴片电阻器也趋向于更加小型、大功率的产品。然而，随着安装密度的提高，传统的基于环境温度的管理方法在很多情况下已经不再适用。如果电路板的散热不充分，即使施加的功率在额定范围内，电阻器的温升也会很大，从而可能导致产品故障。因此，对于贴片电阻器，尤其是发热量较大的大功率产品而言，如何有效地抑制温升、如何准确地测量温度至关重要。

　　本次研讨会将向大家讲解贴片电阻器热设计方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!

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　　研讨会提纲

　　1. 热对策的重要性

　　2. 环境温度保证和引脚温度保证

　　3. 关于电阻器的温度管理

　　4. 电阻器的温度测量要点

　　5. 关于热设计支持

　　研讨会主题

　　实践篇：不可不知的贴片电阻器热设计要点

　　研讨会时间

　　2025年7月23日上午10点

　　研讨会讲师

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　　洪梓昕 助理工程师

　　洪梓昕负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。

　　研讨会报名

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一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好
行业新闻

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。　　新品直击　　针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC和LLC转换器等应用。其通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。您可查看产品新闻或下载产品参考资料获取产品详细信息。　　产品特点　　1.构建大功率电源电路拓扑(PFC、LLC)的理想产品阵容　　- 内置4枚/6枚1,200V/750V耐压的SiC MOSFET，可构建更简洁小巧的电源电路　　- 产品阵容丰富，提供多种导通电阻(13mΩ~62mΩ)，用户可根据需求选择合适的产品　　2.采用导热性能优异的绝缘材料，散热性能出色，绝缘设计简便　　- 与散热性好的分立器件封装产品相比，其卓越的散热性能可有效抑制封装发热　　3.与同等小型功率模块相比，输出功率更高　　- 采用具有高散热性封装和低导通电阻的SiC MOSFET，电流密度是其他公司DIP模块的1.5倍　　产品阵容　　HSDIP20是罗姆SiC功率器件家族的新成员，作为SiC领域的深耕者，罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来，已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。　　另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开始生产8英寸衬底，并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。　　产品矩阵　　- 罗姆SiC功率器件系列产品　　- SiC支持页　　- 第4代SiC MOSFET　　- 应用合作案例　　新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”　　TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。您可查看产品新闻或下载产品参考资料。　　产品阵容　　宽爬电距离封装，SiC肖特基势垒二极管　　采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高!与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。更多内容您可点击查看产品新闻或点击下载产品参考资料。　　产品阵容　　未来，ROHM将继续开发新产品，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。
2025-06-26 16:34 reading：261
罗姆与芯驰科技联合开发出车载SoC X9SP参考设计，配备罗姆面向SoC的PMIC，助力智能座舱普及！
行业新闻

罗姆与芯驰科技联合开发出车载SoC X9SP参考设计，配备罗姆面向SoC的PMIC，助力智能座舱普及！

　　6月25日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF68003”。该参考设计主要覆盖芯驰科技的智能座舱SoC*1“X9SP”产品，其中配备了罗姆的PMIC*2产品，并在2025年上海车展芯驰科技展台进行了展示。2025年上海车展芯驰科技展台现场照片右三：芯驰科技 创始人 仇雨菁      左二：芯驰科技 创始人 CTO 孙鸣乐左三： 罗姆半导体(上海)有限公司 董事长 米泽 秀一　　芯驰科技的X9系列产品全面覆盖仪表、IVI、座舱域控、舱泊一体等从入门级到旗舰级的座舱应用场景，已完成百万片量级出货，量产经验丰富，生态成熟。盖世汽车研究院最新数据(国内乘用车上险量)显示， 2025年1-3月，在10万元以上的车型中，芯驰科技的X9系列座舱芯片(包括仪表、中控和域控)装机量位 居本土第一名，覆盖上汽、奇瑞、长安、一汽、广汽、北汽、东风日产、东风本田等车企的50多款主流车型和大量出海的车型。　　芯驰科技与罗姆于2019年开始技术交流，并一直致力于合作开发智能驾驶舱的应用。2022年，双方签 署了车载领域的先进技术开发合作协议。迄今为止，双方通过结合芯驰科技的车载 SoC“X9H”、“X9M”和“X9E”、以及罗姆的PMIC、SerDes IC*3 以及 LED 驱动器 IC ，共同开发了面向智能驾驶舱的参考设计。　　2025 年，面向中高端智能座舱，芯驰科技与罗姆联合开发出基于车载 SoC“X9SP”的新参考设计 “REF68003”。罗姆提供用于SoC的PMIC“BD96811F44-C”、BD96806Q04-C”、“BD96806Q05-C”和“BD96806Q06-C”，符合ISO 26262以及ASIL-B*4，有助于实现各种高性能车载应用。今后，罗姆将继续开发适用于汽车信息娱乐系统的产品，为提高汽车的便利性和安全性贡献力量。　　芯驰科技 CTO 孙鸣乐表示：“随着汽车智能化的快速发展，对汽车电子和零部件的要求也越来越高。 X9SP是芯驰X9系列高性能座舱SoC的核心旗舰产品，面向智能座舱与跨域融合场景设计，具备高性能和高可靠性，特别适用于舱泊一体的解决方案。新开发的参考设计将罗姆的PMIC与X9SP相结合，以提高整体系统的稳定性和能效。我们期待与罗姆继续合作，在未来提供各种创新的车载解决方案。”　　罗姆董事 高级执行官 立石 哲夫表示：“我们非常高兴能够与车载SoC领域领先公司——芯驰科技联合开发新的参考设计。集成了信息娱乐以及ADAS功能监控等各种功能的智能座舱正在加速普及，尤其在下一代电动汽车中，PMIC等车载模拟半导体产品的作用变得越来越重要。罗姆此次提供的SoC用PMIC是能够灵活地应用于新一代车载电源并满足功能安全要求的电源IC。今后，通过继续加深与芯驰科技的交流与合作，罗姆将会加快开发支持下一代智能座舱多功能化发展的产品，为汽车行业的进一步发展做出贡献。”　　<背景>　　近年来正在普及的智能驾驶舱，除了具备仪表集群和信息娱乐系统等多种功能之外，还加速了大型显示器的采用。与此同时，车载SoC所要求的处理能力也在增加，因此要求作为核心器件承担电力供给的 PMIC等电源IC兼顾支持电流和高效工作。　　罗姆提供面向SoC的PMIC，不仅稳定性和效率性高，还可通过内部存储器(OTP)进行任意输出电压设定和顺序控制。通过最小限度的电路变更，可构建面向各种车型、模型的电源系统，为削减汽车制造商的开发工时做出贡献。　　关于配备了“X9SP”和罗姆产品的参考设计“REF68003”　　“REF68003”配备了芯驰科技的智能座舱用SoC“X9SP”以及罗姆的SoC用PMIC。目前，该参考设计已在芯驰科技验证完毕。利用该参考设计，可实现达到安全等级ASIL-B的智能座舱。另外，罗姆提供的 SoC用PMIC，可使用内部存储器(OTP)进行任意输出电压设置和时序控制，因此可根据具体的电路需求高效且灵活地供电。　　该参考设计利用芯驰科技自有的硬件虚拟化支持功能，支持在单个SoC上运行多个OS(操作系统)。同时，利用硬件安全管理模块，还可将来自OS的命令传递给SoC和GPU。此外，通过替换成引脚兼容的芯驰科技其他SoC，还可以在不更改电路的前提下快速更改规格。　　・关于芯驰科技的智能座舱SoC“X9SP系列”　　https://www.semidrive.com/product/X9SP　　・关于罗姆的参考设计页面　　有关参考设计的详细信息以及配备于其中的产品信息，已在罗姆官网上发布。　　URL：https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68003　　关于参考设计的更详细信息，请通过销售代表或罗姆官网的“联系我们”页面进行垂询。　　关于芯驰科技　　芯驰科技是全场景智能车芯引领者，专注于提供高性能、高可靠的车规芯片，覆盖智能座舱和智能车控领 域，涵盖了未来汽车电子电气架构最核心的芯片类别。芯驰全系列芯片均已量产，出货量超800万片。芯驰目前拥有超200个定点项目，服务超过260家客户，覆盖国内90%以上主机厂及部分国际主流车企，包括上汽、奇瑞、长安、东风、一汽、日产、本田、大众、理想等。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。如需了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/　　<术语解说>　　*1) SoC(System-On-a-Chip：系统单芯片)　　集成了CPU(中央处理单元)、存储器、接口等的集成电路。为了实现高处理能力、电力效率、空间削减，在车载设备、民生设备、产业设备领域被广泛使用。　　*2)PMIC(电源管理IC)　　一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比，可以显著节省空间并缩短开发周期，因此近年来，无论在车载设备还是消费电子设备领域，均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。　　*3) SerDes IC　　为了高速传输数据而成对使用、用来进行通信方式转换的两个IC的总称。串行器(Serializer)用来将数据转换为易于高速传输的格式(将并行数据转换为串行数据)，解串器(Deserializer)用来将传输的数据转换为原格式(将串行数据转换为并行数据)。　　*4) ISO 26262、ASIL(Automotive Safety Integrity Level)　　ISO 26262是2011年11月正式颁布实施的汽车电子电气系统功能安全相关的国际标准。是一种旨在实现“功能安全”的标准化开发流程。需要计算车载电子控制中的故障风险，并将降低其风险的机制作为功能之一预先嵌入系统。该标准覆盖了从车辆概念阶段到系统、ECU、嵌入软件、设备开发及其生产、维护和报废阶段的车辆开发整个生命周期。 ASIL是ISO 26262中定义的风险分类系统，共分4个等级，风险等级越高，对功能安全的要求就越高。
2025-06-26 13:10 reading：282
罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”
行业新闻

罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

　　~应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升~　　6月24日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”)面向中国市场的全新跨界纯电动汽车(BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。　　“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司(以下简称“BTET”)、一汽丰田汽车有限公司(以下简称“一汽丰田”)联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。　　此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI)Co., Ltd.)进行量产供货，其中以SiC MOSFET为核心的罗姆功率解决方案，为这款新型纯电动汽车的续航里程和性能提供了重要保障。　　罗姆目前正加速推进SiC功率元器件的研发进程，计划于今年完成下一代(即第5代)SiC MOSFET的生产线建设，并提前布局第6代和第7代产品的市场投放规划。　　未来，罗姆将继续致力于元器件性能和生产效率的提升，通过强化裸芯片、分立器件、功率模块等各种形态的全方位SiC供应体系，进一步推动SiC技术的普及，为实现可持续交通贡献力量。　　关于“bZ5”　　丰田与BTET、一汽丰田等企业联合开发的跨界纯电动汽车，以“Reboot”为开发理念，采用动感且具标志性的造型设计。针对Z世代年轻用户需求，着力打造兼具个性化与舒适性的驾乘空间。续航能力方面，低配版本可达550公里，高配版本则实现了630公里(CLTC标准)的续航表现。　　该车已于2025年4月22日(第二十一届上海国际汽车工业展览会开幕前日)开启预订，引发广泛关注。　　关于上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.)　　上海海姆希科半导体有限公司是由正海集团有限公司(中方)与罗姆株式会社(日方)共同成立的中日合资企业。HAIMOSIC(海姆希科)主要从事碳化硅半导体功率模块的研发、设计、制造及销售，预期产能 36万个/年。项目总投资额为4.5亿元人民币，注册资金2.5亿元人民币。更多详情请访问HAIMOSIC官网(http://www.haimosic.com/)。
2025-06-26 11:14 reading：261
罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案
行业新闻

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

　　随着人工智能持续重新定义计算的边界，为这些进步提供动力的基础设施也必须同步发展。作为功率半导体技术领域公认的领导者，罗姆很荣幸成为支持英伟达全新800V高压直流(HVDC)架构的主要硅供应商之一。这标志着数据中心设计的关键转变，使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。　　罗姆不仅提供硅(Si)功率元器件，还拥有包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。　　得益于极高的成本效益和可靠性，Si MOSFET已被广泛应用于汽车和工业设备市场的电力转换。Si MOSFET凭借其在价格、效率和可靠性之间的良好平衡也适用于当前AI基础设施的升级。　　罗姆的Si MOSFET代表产品“RY7P250BM”被全球云平台企业认证为推荐器件。该产品作为一款为 AI服务器必备的热插拔电路专门设计的48V电源系统用100V功率MOSFET，以8080的小型封装实现业界超宽的SOA(安全工作区)，并实现仅1.86mΩ的超低导通电阻。在要求高密度和高可用性的云平台中，有助于降低电力损耗并提升系统的可靠性。　　SiC元器件的优势在于可降低工业等领域中高电压、大电流应用的损耗。英伟达800V HVDC架构旨在为功率超过1MW的服务器机架供电，这对于推进其大规模部署计划也起着至关重要的作用。这一新型基础设施的核心在于可将电网的13.8kV交流电直接转换为800V的直流电。而传统的54V机架电源系统除了受物理空间限制(要满足小型化需求)外，还存在铜材使用量大、电力转换损耗高等问题。　　罗姆的SiC MOSFET在高电压、大功率环境下可发挥出卓越性能，不仅能通过降低开关损耗和导通损耗来提高效率，还以超小体积实现了满足高密度系统设计要求的高可靠性。这些特性恰好与英伟达800V HVDC架构所追求“减少铜材使用量”、“将能量损耗最小化”以及“简化数据中心整体的电力转换”等需求相契合。　　另外，作为对SiC产品的补充，罗姆同时还积极推进GaN技术研发，现已推出EcoGaN™系列产品，包括150V和650V耐压的GaN HEMT、栅极驱动器以及集成了这些器件的Power Stage IC。SiC在高电压、大电流应用中表现出色，而GaN则在100V~650V电压范围内性能优异，具有出色的介电击穿强度、低导通电阻以及超高速开关特性。此外，在罗姆自有的Nano Pulse Control™技术的加持下，其开关性能得到进一步提升，脉冲宽度可缩短至最低2ns。这些产品充分满足AI数据中心追求小型化和高效率电源系统的需求。　　除功率器件外，罗姆还推出搭载第4代SiC芯片的顶部散热型HSDIP20等高输出功率SiC模块产品。这些 1200V SiC模块已面向LLC方式的AC-DC转换器和一次DC-DC转换器进行了优化，可实现高效率、高密度 的电力转换。凭借其卓越的散热性与可扩展性，成为英伟达架构所预想的800V输配电系统等兆瓦级以上AI工厂的上佳之选。　　800V HVDC基础设施的实现，需要全行业的协同合作。罗姆作为实现下一代AI工厂的重要合作伙伴，不仅与英伟达等业界领导者保持紧密协作，还将与数据中心运营商及电源制造商开展深度合作。通过提供罗姆尤为擅长的SiC和GaN等宽禁带半导体的先进技术，为构建可持续且高能效的数字化社会贡献力量。　　与本文相关的罗姆网站　　・关于罗姆适用于AI服务器的MOSFET“RY7P250BM”　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-06-03_news_mosfet&defaultGroupId=false　　・关于罗姆的SiC功率器件　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices　　・关于罗姆的GaN功率器件　   https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices　　・关于罗姆的SiC模块“HSDIP20”　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-04-24_news_hsdip&defaultGroupId=false
2025-06-24 10:56 reading：248
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