不含PFAS！新型光刻胶成功研发！
近日，富士胶片对外宣布，其已成功开发出一款创新型光刻胶。
这款光刻胶专用于半导体制造工艺，且不含备受争议的有害物质——全氟/多氟烷基化合物(PFAS)。
▲ 岩崎先生(左)和野口先生(右)
这款氟化氩(ArF)浸没式光刻胶，适用于负性ArF浸没式光刻技术，能以高良率形成28纳米(1纳米=10亿分之一米)级金属布线，主要面向车规级及工业半导体应用。目前，富士胶片公司表示将在客户评估基础上，加速推进商业化进程。
该技术突破在于实现无PFAS的微细电路成型与电路图形缺陷控制，同时具备优异的酸反应效率，并通过强化疏水性显著减少先进ArF浸没式光刻中的水残留。产品性能已通过比利时尖端半导体国际研究机构imec的联合验证。
富士胶片电子材料事业部长、常务执行董事岩崎哲在东京发布会上强调：“我们将进一步加大在成长领域的投资力度，尤其会将研发重心聚焦于尖端刻胶的研发工作。”资深研究员野口仁也指出：“在各器件制造商都对无PFAS技术给予高度关注的当下，此次技术的突破，无疑将在行业内产生重大影响。”
在半导体制造领域，光刻胶是一个极为关键的材料，它如同芯片制造的“画笔”，决定着芯片上微观结构的精度和质量。
全球光刻胶市场被少数国际巨头垄断，这些企业凭借其长期的技术积累和市场优势，占据了绝大部分的市场份额。根据中研普华产业研究院的数据，全球市场CR5(信越化学、JSR、杜邦、东京应化、住友化学)占比超85%。这些企业在光刻胶领域拥有大量的专利技术，形成了严密的知识产权壁垒。
近年来，随着国内半导体产业的快速发展，国内光刻胶企业也取得了显著的进步。部分企业在中低端光刻胶领域已经实现了国产化替代，并开始向高端光刻胶市场进军。例如，北京科华在KrF光刻胶领域已经实现了量产，并且正在研发EUV光刻胶;南大光电在ArF光刻胶领域取得了突破，其干法ArF胶已有小批量订单;上海新阳在ArF光刻胶领域也取得了重要进展，有望在2025年实现少量销售。这些企业的崛起为国内光刻胶产业的发展带来了新的希望，但与国际巨头相比，国内企业在技术水平、产品质量、市场份额等方面仍存在较大差距，需要进一步加大研发投入，提高产品竞争力。
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