森国科:当人工智能遇上碳化硅,高算力时代的“电力心脏”革新

Release time:2025-08-18
author:AMEYA360
source:森国科
reading:256

  人工智能掀起的高算力浪潮中,算力中心日夜不息地运转,训练着庞大的模型,支撑着自动驾驶、科学发现和智能体机器人技术的快速发展。然而,这辉煌算力背后却藏着不容忽视的“能量焦虑”--急剧增长的电力消耗与转换效率瓶颈。传统硅基功率器件这只能量转换的“老旧心脏”,在高频、高温的极限环境下已日益力不从心。

  这场能源革命的曙光,落在了第三代半导体碳化硅(SiC)身上。

  1. 破局者诞生:碳化硅功率器件的核心优势

  如果说传统硅(Si)材料打造的功率器件是我们熟悉的“蒸汽机”,那么碳化硅功率器件便是新时代的“内燃机”,实现了能源转换效率的颠覆性跨越。作为功率半导体材料的新物种,材料特性独具一格:

森国科:当人工智能遇上碳化硅,高算力时代的“电力心脏”革新

  相对于第一代(硅基)半导体,第三代半导体(碳化硅等)禁带宽度大,电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力,耐温能力大幅提升(最高200°C以上,硅器件极限约150°C),高温可靠性无可比拟;

  碳化硅更适合作为衬底材料:在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延;

  碳化硅衬底器件体积小:由于碳化硅具有较高的禁带宽度,碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率,其器件体积可变得更小,约为硅基器件的1/10。同样由于碳化硅较高的禁带宽度,碳化硅器件可进行重掺杂,碳化硅器件的电阻将变得更低,约为硅基器件的1/100。

  碳化硅衬底材料能量损失小:在相同的电压和转换频率下,400V电压时,碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%~60%之间;800V时,碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%~50%之间。碳化硅器件的能量损失更小。

  碳化硅功率器件卓越的性能,

  带来了电力电子系统层面的跃升表现

  --更优转换效率:碳化硅材料的核心指标优势使系统综合效率得以极致突破,电能损耗可大幅降低;

  --更强功率密度:更高频的开关允许电路中使用更小的磁性元件(电感、变压器),电源整体尺寸可缩小30%~50%;

  --更简冷却系统:低发热使得所需冷却资源大幅缩减,冷却结构设计得以简化。

  2. 高算力背后的电力脉搏:碳化硅的应用战场

  在算力中心与电力基础设施的心脏部位,碳化硅功率器件已成为高电压、大功率应用的隐形“力量源泉”。

  AI算力中心的“能源命脉”

  -- 服务器电源(PSU):数据中心海量服务器需要超高效率、极高功率密度的电源单元。全球领先电源厂商已发布超过钛金级效率的3kW+碳化硅电源模块,能将整机效率拉升到97%+以上;

  --高压直流供电(HVDC):直接支持400V~1000V直流输入,减少转换环节,损耗预计降低30%以上;

  --不间断电源(UPS):备用电源效率提升是关键。碳化硅UPS系统实现了行业领先的98%+效率,同时在功率密度、体积上也极具优势,100kW~200kW 的碳化硅UPS已经陆续量产;

  --机架级配电:48V母线和新型分布式架构中,SiC功率芯片负责高压到中低压的高效、高频降压转换。

  支撑算力基石的“绿色枢纽“

  --光伏/储能变流器:光伏发电和电网级储能装置中,碳化硅功率器件让逆变器效率可超过99%。

  --新能源充电桩:电动汽车快速发展的支撑关键,15分钟充满电的超级快充需800V/1000V高压平台。碳化硅模块满足高电压(1200V/2000V)高频高功率要求。

  未来科技的”动力心脏“

  --电动汽车:从电机驱动控制器(电驱)、车载充电器(OBC)到DC/DC变换器,采用碳化硅可有效实现5%~10%的系统效率提升,同等电量下续航延长30公里以上。

  --高速轨道交通、工业电机驱动:碳化硅是高频、大功率应用的理想选材。

  3. 因果循环:人工智能如何驱动碳化硅革命

  这是一个不可分割的因果闭环链:

  · AI引爆算力 ▶ 算力渴求电力 ▶ 效率亟待提升 ▶ 硅基功率芯片效率已达瓶颈

  · SiC带来电力电子效率革命 ▶ 更高效能源转换支撑更庞大算力 ▶ 推动更复杂的AI落地

  没有碳化硅功率器件对电力损失的精简优化,支撑千万级服务器的数据中心根本无法运作,更不可能为ChatGPT这样的人工智能提供稳定澎湃的基础保障。每一次AI模型的迭代背后,都是高效电力心脏“泵血”能力的跃迁式支撑。

  当千层算法在计算洪流中奔涌探寻智慧之光,是碳化硅功率器作为隐形的能量心脏,在高频节律中泵送着支撑未来所需的磅礴能量。它不再只是硬件清单中的寻常元器件--从算力中心、智能电网到风驰电掣的电动汽车,每一份高效电能都在突破硅时代的物理边界,重绘AI时代的能源图景。或许这硬核革命终将隐匿于技术进步的光辉之中,但这枚第三代“电力之心”在高算力时代的核心价值不言自明--它带来的不仅是能效跃升的百分点,更是通往智能时代的能源通行证。

  硅基时代的老旧心脏渐弱,碳化硅芯的电力脉搏已在高算力胸腔中强劲共振。

  当万亿参数规模的GPT模型在服务器阵列中高速运行,300亿美元的碳化硅市场如同新生血管般在全球电力网络深处悄然延伸--每一次计算脉冲的传递,都是新材料对物理极限的重新定义。

  森国科作为中国第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件的领军企业,是驱动AI算力时代高效能基础设施的关键赋能者,历经8年的努力,推出了覆盖650V, 1200V, 1500V, 2000V 系列的碳化硅功率器件及模块,成为革新电源系统效率的“硬核力量”。森国科正以SiC之“芯”,为澎湃的AI算力打造高效、绿色的“电力血管”。


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森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块,赋能高效能源系统升级
  碳化硅(SiC)功率半导体技术引领者森国科,推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性,为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。  SOT227作为成熟工业级封装标准,其结构性优势完美适配SiC器件的特性需求,是释放SiC 功率器件性能潜力的最优载体。SOT227 有如下的封装结构及工艺特性:  PART.01超低寄生参数  --超低寄生参数:  一体成型的端子布局与紧凑内部结构,寄生电感<10nH,显著抑制开关振荡,使SiC MOSFET的超快开关性能(开关频率达100kHz+)得以充分发挥。  --紧凑型模块设计  SOT227是一种内绝缘封装,基板(DBC)面积大于TO-247,可容纳更多或更大尺寸的SiC芯片(如多芯片并联或混合拓扑集成),同时整体体积显著小于传统大功率模块,适用于空间受限的高密度设计。  引脚设计:终端引脚尺寸更大,支持更高电流承载能力(例如1200V SiC MOSFET通流能力达121A,较TO-247提升9%)。  --绝缘与散热优化  内绝缘陶瓷垫片:内置Al₂O₃或AlN陶瓷绝缘层,无需外加绝缘垫片,减少外部热阻并简化安装流程;  低热阻设计:结到散热器的热阻(Rθ-jHs)比TO-247降低50%以上。例如,部分SiC MOSFET模块的结壳热阻低至0.67 K/W,显著提升散热效率。  --机械与安全特性  高绝缘可靠性:端子间爬电距离≥10.4mm,隔离电压达2500Vrms,满足工业安全标准(如IEC 60601);  简化安装:支持标准M4螺钉安装,扭矩规格明确(1.5N·m),降低装配复杂度并提高生产良率。  PART.02电气性能优势高频与低损耗特性  --开关性能  SiC器件支持超高速开关(如Turn-On Delay 19ns,Rise Time 27ns),开关损耗极低(175℃时Eon=500μJ, Eoff=250μJ),适用于高频应用(如射频电源、LLC谐振转换器)。  --低导通损耗  SiC MOSFET导通电阻可低至7.6mΩ。  SiC肖特基二极管正向压降低至1.36V,电容电荷(Qc)仅56nC,显著降低导通与开关损耗。  --高温与可靠性表现  工作温度:支持高达175℃环境温度,正温度系数特性便于多器件并联均流。  鲁棒性设计:内置SiC SBD续流二极管无反向恢复问题(反向恢复时间16ns),避免电压尖峰和EMI噪声;雪崩耐量设计增强抗负载突变能力。  SOT227 封装的SiC 模块出色的性能,可在如下的典型应用场景中大显身手:01  中高功率工业系统  填补功率缺口:适用于数十至数百千瓦功率段(如TO-247与62mm模块之间的空白),覆盖光伏逆变器、充电桩、工业UPS等场景。  高频电源:AC/DC PFC、DC/DC超高频整流(如电信电源、服务器电源),依赖低Qc和高速开关实现>95%效率。  02  精密与严苛环境设备  半导体制造设备:等离子体射频发生器、PECVD电源,需高精度功率控制与低EMI特性。  医疗与航空航天:密封设计适配高湿度环境,金属法兰安装增强机械稳定性(如至信微模块应用于航空航天领域)。  森国科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆,基于SOT227 封装,适时推出了SOT227 封装的SiC MOSFET 及 JBS 模块产品  KC017Z12J1M1 SiC MOSFET  KC100D12J1M1 SiC JBS  SOT227封装赋予了SiC器件系统级创新的战略支点。森国科的SOT227模块化方案让客户在保持设计兼容性的同时,直接解锁SiC的能效红利。SOT-227封装通过结构创新(内绝缘、紧凑布局)与SiC材料优势(高频、耐高温)的结合,解决了中高功率系统在功率密度、散热效率和安装成本上的痛点。其标准化设计(如引脚兼容性)进一步推动了对传统硅基器件的替代,尤其在高频、高温及可靠性要求严苛的领域具备不可替代性。
2025-08-15 15:54 reading:571
森国科TOLL封装SiC二极管:高密度时代的封装新宠
  在功率半导体飞速迭代的进程中,碳化硅(SiC)功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能,成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完美转化成系统级价值,先进封装技术的支撑不可或缺——它如同一座桥梁,直接影响着器件的散热、稳定性、功率密度及可靠性。特别是在追求极致空间利用率的砖块电源、服务器电源、新能源车载充电器(OBC)等场景下,传统封装正逐渐暴露瓶颈。  在这样的背景下,森国科(Gokeic)近期推出的1200V/50A SiC二极管KS50120-K2为何选择采用TOLL封装?  TOLL封装:为高功率密度应用而生  TOLL(TO-Leadless)封装是专为表面贴装(SMT)优化设计的新兴封装形式,在物理结构和性能层面都超越了传统主力TO-263(D²PAK)和TO-247:  01空间革命  TOLL的典型厚度仅约为2.3mm,相较同等性能等级厚度超5mm的TO-247有着显著的身材优势,TOLL通过独特的“翼型+底部大面积开窗”设计,同时实现了极其紧凑的占板面积与绝佳的双面散热能力,这对寸土寸金的高密度电源设计至关重要;  02高效散热  TOLL封装的灵魂在于底部开有大面积散热片(热焊盘),热阻较TO-263平均降低约30%,允许芯片热量通过回流焊PCB底部铜箔与散热器高效传导。这种“双面散热”结构配合2.3mm的低厚度,在大电流工况下能显著降低结温,提升稳定性和长期寿命;  03稳固可靠  无曲折、短平的粗壮引脚结构(TOLL名称来源),搭配优化的“翼型”结构设计,大幅提升贴装后的机械强度和抗热应力能力,尤其适合在汽车等振动与严苛温度循环的应用场景下使用,保证系统长期运行的稳健性;  04SMT便捷性  TOLL采用全表面贴装结构,与传统插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶颈和人工成本,尤其在高集成化、紧凑型模组设计中更易实现自动化回流焊,提升批量制造效率及良品率。  为满足电力电子产品小型化、高功率密度的需求,森国科首家推出了TOLL封装SiC二极管,成为行业领跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2,正是这一封装技术的首秀载体。这款高效续流二极管专为PFC电路、变频驱动或OBC中的桥臂应用深度优化。TOLL封装的引入显著缩小了系统占用空间,通过更优的低热阻路径和更高电流密度提升了系统的整体功率密度,同时兼顾了高频工况下的可靠性与散热需求。  随着SiC器件快速渗透入服务器电源、快充系统、新能源汽车等关键场景,系统的高功率密度和极端可靠性要求成为核心突破点。以森国科KS50120-K2为标志性代表的新一代TOLL封装SiC二极管,正在通过薄型化优化、热管理跃升与制造增效,为功率模块的小型化、自动化与集成化探索一条更优路径——封装不仅是芯片的“外衣”,更是解锁未来高效能源转换系统的物理钥匙。
2025-08-15 13:48 reading:345
森国科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品,满足1500V 以上高压应用场景
  在如今的科技发展浪潮中,电力电子器件的性能对众多领域的发展至关重要。随着1500V 光储系统的广泛应用,1000V/800V 新能源汽车架构平台的蓬勃发展,高压兆充的快速布局,森国科及时推出了 2000V SiC 分立器件及模块产品。森国科的2000V SiC产品系列正是顺应市场需求而生,它能在提高效率、降低损耗等方面发挥重要作用。  众所周知,1500V高压光伏系统具备多方面显著优势。其通过增加串联光伏组件块数、减少并联电路数量,有效削减接线盒及线缆数量。电压提升后,线缆损耗进一步降低,系统发电效率得以提高。  同时,设备(逆变器、变压器)的功率密度提升,体积减小,降低运输和维护工作量,有利于降低光伏系统成本。此外,顺应高压并网发展趋势,该系统在未来的能源格局中更具适应性和竞争力。  在光伏发电侧,当光伏组串的母线电压高达1500V的时候,就要求逆变器的输入侧能承受1500V的电压,从而要求逆变器内部的高压侧功率器件的耐压要求高达2000V以上,而电压越高就越能发挥SiC功率器件的优势,  上面的光伏发电框图直观展示了光伏发电系统的整体架构与运行流程。逆变器与2000V SiC器件紧密相连。2000V SiC 器件有利于简化光伏逆变器的拓扑结构、提升功率密度、提升系统效率、降低系统成本。具体来说,它可以支持1500V的MPPT升压电路,减少系统损耗,提升效率。在组串式逆变器领域,对于8kW - 150kW的大功率逆变器,能将直流 - 交流转换效率提升至99%以上,显著降低能量损耗。  在光伏逆变器中,有以上三种升压变换电路拓扑,分别是1100V System、1500V FC - Boost System和1500V 2-level System。这些电路拓扑有显著优势。使用SiC器件比传统Si器件频率更高、效率更高,能让电路运行更高效。  01  森国科针对1500V 工作电压系统需求,推出了2000V/35mΩ的SiC MOSFET KWM035200A,2000V/20A 的SiC JBS KWS20200A, 两款产品的温度适用范围广,都可以在-55℃到175℃间稳定工作,且通过了JEDEC的严格测试,包括HV - HTRB和HV - H3TRB,可靠性极高。其驱动电压在15V至18V,采用开尔文源极引脚的封装设计可减少开关损耗,提升开关速度。  02  基于森国科自研的2000V SiC MOSFET & JBS 晶圆,森国科还推出了一款2000V/19 mΩ SiC 模块KC019DF20W3M1,这是一款全碳化硅模块(4 通道 Boost),其工作温度范围在 -55℃到 175℃之间,通过了 JEDEC 的严格测试,包括 HV - HTRB 和 HV - H3TRB。  该模块采用 3B 封装并加装铜金属底座,既安装牢固,又消除了塑料底座老化隐患,安全性大幅提升。内部集成 4 相升压电路,共用电源接地并分 2 组,还集成热敏电阻监测温度,能灵活适配 2 路或 4 路直流输入,满足多样设计需求。对比分立器件方案,它大幅提升功率密度,简化电路设计。  在前面的分享中,我们详细介绍了森国科2000V SiC功率器件的出生背景、优势、相关电路拓扑以及具体的器件型号和模块型号等内容。随着越来越多的高压应用的快速发展,森国科将推出更多2000V系列的SiC 功率器件,针对不同的应用场景,推出最合适的功率器件及模块产品。
2025-08-13 13:54 reading:314
SiC MOSFET短路时间偏弱:破解瓶颈,森国科新品给出强劲答案
  SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能,正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而,相比传统硅基IGBT,大多数SiC MOSFET暴露出一个明显的技术挑战:短路耐受时间(TSC)相对偏短(通常≤ 3μs),这一特性增加了工程师在实际使用时候的应用难度,阻碍了其在大功率、高可靠性应用场景中快速使用进程。  为何SiC MOSFET更“怕”短路?SiC材料先天特性是短板的核心源头  01更快的热失控  SiC卓越的热导率在短路时变成了“双刃剑”,它能极快地将短路点高温扩散开来,导致更大区域的结温飙升直至器件烧毁;  02饱和电流密度更高  同样沟道尺寸下,SiC导通能力更强,带来异常严峻的短路电流冲击;  03更薄的栅氧层  追求低导通电阻需微缩单元尺寸与减薄栅氧,使得器件在高压过流下更易发生栅氧击穿;  04材料失配挑战  SiC材料内部微管等固有缺陷,在极端电气应力下容易成为失效起点。  面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的问题,通常的解决方法一是在驱动电路方面尽量做好保护,比如采用智能驱动保护电路,二是系统协同保护设计。  PART01  智能驱动保护电路通常有三种措施  ——高速电流检测 + 逻辑保护  部署响应达纳秒级的电流采样单元(如无感电阻,罗氏线圈),配合硬逻辑快速关断;  ——有源米勒钳位技术  主动抑制米勒效应导通导致的误导通风险,保护其在关断安全区;  ——软关断策略  感知短路后,实施栅压缓降的非硬关断方式(如“两步关断”),避免过高di/dt引发的浪涌电压损坏器件。  PART02  系统协同保护设计有如下两种措施  缩短驱动回路,选用高频性能更佳、驱动功率足够大的专用驱动IC,从源头提升响应速度;  充分利用控制器(如DSP、MCU)的算法优化短路检测速度和关断保护逻辑。  面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的难题,森国科研发团队通过工艺创新及器件结构设计创新,推出了行业领先的4.5μs 的SiC MOSFET。  在这一技术攻坚背景下,森国科推出业界领先的1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J,该器件最大亮点在于实现了高达4.5µs的短路耐受时间,树立了同类产品的性能新标杆,显著提升了大功率新能源系统的安全性和可靠性裕量。森国科K3M040120-J的产品规格书K3M040120-J 实测的短路耐受时间波形图  短路耐受时间是SiC MOSFET进入电动引擎等高可靠场景的重要敲门砖。森国科短路耐受时间加强系列的问世突破了材料限制,引领产品鲁棒性迈入新阶段,为国产高端SiC 功率半导体产业注入强大引擎。未来随着设计与工艺的持续迭代,“短板”正不断被克服。随着设计协同优化与新型保护技术的成熟普及,SiC MOSFET将继续赋能全球绿色电力产业。
2025-08-13 13:51 reading:281
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