传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

Release time：2025-10-21
author：AMEYA360
source：网络
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　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。

　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。

　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。

　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。

传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。

　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。

　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。


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美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求
行业新闻

美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求

　　2025年10月23日，爱达荷州博伊西市——在当今时代，人工智能(AI)实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在AI系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块)已正式送样，以积极拓展低功耗内存在AI数据中心的广泛应用。2025年3月，美光发布了业界首款LPDRAM SOCAMM，而新一代SOCAMM2则在此基础上实现了功能的进一步拓展，在相同的规格尺寸中实现50%的容量提升，增加的容量可以将实时推理工作负载中首个token生成时间(TTFT)显著缩短80%以上1。192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上2，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。这一能效提升在全机架AI安装中尤为显著，可配置超过50TB的CPU附加低功耗DRAM主存储3。SOCAMM2的模块化设计提升了可维护性，并为未来的容量扩展奠定了基础。　　基于与NVIDIA的五年合作，美光率先将低功耗服务器内存引入数据中心使用。SOCAMM2为AI系统的主存储带来了LPDDR5X超低功耗和高带宽的内在优势。SOCAMM2的设计旨在满足大规模AI平台不断扩展的需求，提供AI工作负载所需的高数据吞吐量，同时实现新的能效水平，并为AI训练和推理系统设定新标准。这些优势的结合将使SOCAMM2成为未来几年业界领先AI平台的关键内存解决方案。　　美光资深副总裁暨云端内存事业部总经理Raj Narasimhan表示：“随着AI工作负载变得更加复杂而严苛，数据中心服务器必须提升效率，为每瓦特的功率提供更多tokens。凭借在低功耗DRAM领域公认的领先地位，美光能确保我们的SOCAMM2模块提供所需的数据吞吐量、能效、容量和数据中心级别的品质，这些对于驱动下一代AI数据中心服务器至关重要。”　　通过专门的设计功能和增强测试，美光SOCAMM2产品从最初为手机设计的低功耗DRAM升级为数据中心级解决方案。多年来，美光在高质量数据中心DDR内存方面的丰富经验，使SOCAMM2具备满足数据中心高标准应用所需的质量与可靠性。　　与同等能效的RDIMM相比，SOCAMM2模块的能效提高了三分之二以上4，同时将其性能封装到三分之一大小的模块中5，不仅优化了数据中心占地面积，还最大限度地提高了容量和带宽。SOCAMM的模块化设计和创新的堆叠技术提高了可维护性，并有助于液冷服务器的设计。　　美光一直是JEDEC SOCAMM2规范制定的积极参与者，并与行业合作伙伴密切合作，共同推动标准演进，加快AI数据中心的低功耗应用，以助力整个行业的能效提升。目前，SOCAMM2样品已送样客户，单一模组容量高达192GB，速率达9.6 Gbps，后续量产作业将配合客户的产品推出日程规划。　　1经美光内部测试验证的性能提升：使用LMCache GH200 NVL2平台(288GB HBM3E+1TB LPDDR5x)上的Llama 3 70B模型进行推断，OSL=128。　　2 与美光的上一代LPDDR5X相比。　　3 基于已公布的NVL144机架系统容量数据。　　4 与两个128GB、128位总线宽度的DDR5 RDIMM模组相比，基于一个128GB、128位总线宽度的SOCAMM2模组的功耗(瓦特)计算。　　5 计算将SOCAMM2的面积(14 x 90mm)与标准服务器RDIMM进行对比。
2025-10-29 15:04 reading：307
美光将涨价20%-30%，并暂停报价！
行业新闻

美光将涨价20%-30%，并暂停报价！

　　近日，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。从9月12日起，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。据供应链消息称，美光高层看到客户预测需求有重大供应短缺，因此紧急暂停所有产品报价，以重新调整后续价格。　　此前，闪迪已宣布将存储产品价格上调10%以上，拉开存储芯片行业新一轮涨价序幕。市场分析显示，云服务供应商在2025财年资本支出提高180亿美元，直接推高了AI领域对存储芯片的需求。花旗分析师预计，美光将在9月23日发布的2025财年第四季度财报中给出远超市场预期的业绩指引。分析师认为，DRAM和NAND的销量与价格均将走高，存储行业的持续回升主要由产能受限和超出预期的需求推动。　　分析师指出，多家超大规模云厂商对NAND企业级固态硬盘的大额追加订单，正将NAND供给从消费市场转向企业市场。根据TrendForce的数据，2025年第二季度，NAND Flash晶圆和客户端SSD价格均出现上涨趋势，晶圆价格环比增长10%至15%，客户端SSD价格上涨3%至8%。CFM闪存市场指出，DRAM价格指数半年内上涨约72%，NAND涨价情绪高涨，预计四季度企业级存储价格将上涨。　　美光决定未来将停止包括UFS 5.0在内的移动NAND产品开发，逐渐退出移动NAND市场，为国产厂商等带来发展机遇。　　此次涨价和暂停报价的主要原因是供应短缺，源于原厂将传统DRAM产能转向高利润产品，并停产DDR4、LPDDR4X等旧制程，导致供需失衡。同时，服务器市场备货需求升温及北美市场HDD供应紧缺，推高了企业级NAND需求。　　此事件可能推动存储芯片行业进入新一轮涨价周期。对美光科技而言，预计将提升其业绩表现，分析师已上调目标价。对行业，产能受限和需求回升将持续推动价格上涨。对投资者，市场看好存储芯片前景。此外，美光退出移动NAND市场为国产厂商提供了发展机会。
2025-09-16 13:57 reading：528
美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能
行业新闻

美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5
2025-05-28 09:36 reading：655
美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰
行业新闻

美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

　　在快节奏的今天，手机早已不是单纯的通讯工具，随着AI技术的不断发展，智能手机正在成为人类的AI助手。这背后，都依赖大容量高速存储系统!这一趋势将进一步推动边缘设备对内存和存储的需求。　　在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上，美光亮出大招：宣布正在送样业界首款基于 G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品。　　G9节点是美光的新一代创新型NAND技术，旨在为旗下所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。 G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品到底有多强?一文揭秘!　　G9 NAND UFS 4.1：性能直接拉满　　美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案可为旗舰智能手机带来业界前沿的性能和创新，从而实现更快速、更灵敏的使用体验。　　速度更快、延迟更低：　　想象一下，手机中的虚拟助手能够充分理解您的指令，您还可以使用手机快速进行实时图片编辑，并在瞬间完成语言翻译。这些都是未来基于大语言模型(LLM)的AI应用，它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。　　最终，这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理，为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为实现这一目标，智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度，从而实现更流畅的终端用户体验。　　凭借超过4100MBps的顺序读写速度，美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0进行比较后，我们能清楚地看到G9 UFS 4.1带来的性能飞跃。　　512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比　　容量更大：　　更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的因素之一。传统的云端AI系统需要将敏感数据通过网络传输后进行处理，存在数据泄露风险。边缘AI可在本地处理生成的数据，从根本上降低了上述风险。　　美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储，可满足设备端处理大量数据的需求，让您的智能手机轻松处理复杂的计算任务。　　封装更小更薄：　　美光G9 NAND UFS 4.1不仅提高了容量，其更小更薄的外形可支持更具时尚感的创新智能手机设计。　　美光G9 NAND UFS 4.1采用业界前沿封装技术，1TB NAND UFS的封装尺寸仅有9x13x0.85毫米大小(与上一代G8 UFS 4.0相比)，可大幅节省手机内部空间，是下一代可折叠以及超薄智能手机设计的理想之选，其节约的空间可用于搭载更大容量的电池。　　专有功能优化：　　1. 数据碎片整理：　　智能手机的运行速度逐渐变慢，通常是由于数据碎片化—文件分散存储在各个地方，导致存储设备难以实现高效读取。　　美光专有的数据碎片整理功能可解决这一问题，它支持UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程，数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比)，从而提升智能手机的整体性能，包括日常任务和 AI 相关任务。　　简言之，数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理，提高读取性能并降低设备的负荷，使智能手机能够更快、更高效地访问文件，实现更流畅的使用体验。　　2. 增强型WriteBooster：　　借助美光的增强型WriteBooster功能，智能手机处理器可将常用数据“固定”在存储设备内部名为“WriteBooster”的指定区域内。　　利用该功能，处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存，确保处理过程更加高效，不会面临内存容量不足问题。　　内部测试数据表明，启用此功能后，随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。　　增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度，让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和 AI 应用时，此功能尤为有用。　　在这种使用场景下，可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射，从而实现更快的数据交换和读取。　　未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域　　3. 智能延迟跟踪器(ILT)：　　美光的智能延迟跟踪器可监控系统和存储设备上的I/O存储延迟，以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟，例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题，跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统，提升整体用户体验。　　此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务，例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。　　4. UFS分区(ZUFS)：　　想象一下，当您在旅行前收拾行李时，您的行李箱被整齐地划分为三个部分，分别用于放置袜子、衬衫和裤子，通过这种方式，您可以更快地找到所需物品。　　美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中，能够尽可能减少数据搜索时间，从而提高读/写效率。　　这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅，就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。　　传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比　　智能加速：面向未来的创新　　美光移动业务部门专注于提供先进的NAND闪存解决方案，并提供针对旗舰智能手机设计的定制功能。　　这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作，美光正在调整其产品和技术路线图，以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。　　这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务，以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。
2025-05-07 11:26 reading：818
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