<span style='color:red'>美光</span>科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能
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美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5
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发布时间：2025-05-28 09:36 阅读量：270 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰
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美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

　　在快节奏的今天，手机早已不是单纯的通讯工具，随着AI技术的不断发展，智能手机正在成为人类的AI助手。这背后，都依赖大容量高速存储系统!这一趋势将进一步推动边缘设备对内存和存储的需求。　　在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上，美光亮出大招：宣布正在送样业界首款基于 G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品。　　G9节点是美光的新一代创新型NAND技术，旨在为旗下所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。 G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品到底有多强?一文揭秘!　　G9 NAND UFS 4.1：性能直接拉满　　美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案可为旗舰智能手机带来业界前沿的性能和创新，从而实现更快速、更灵敏的使用体验。　　速度更快、延迟更低：　　想象一下，手机中的虚拟助手能够充分理解您的指令，您还可以使用手机快速进行实时图片编辑，并在瞬间完成语言翻译。这些都是未来基于大语言模型(LLM)的AI应用，它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。　　最终，这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理，为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为实现这一目标，智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度，从而实现更流畅的终端用户体验。　　凭借超过4100MBps的顺序读写速度，美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0进行比较后，我们能清楚地看到G9 UFS 4.1带来的性能飞跃。　　512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比　　容量更大：　　更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的因素之一。传统的云端AI系统需要将敏感数据通过网络传输后进行处理，存在数据泄露风险。边缘AI可在本地处理生成的数据，从根本上降低了上述风险。　　美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储，可满足设备端处理大量数据的需求，让您的智能手机轻松处理复杂的计算任务。　　封装更小更薄：　　美光G9 NAND UFS 4.1不仅提高了容量，其更小更薄的外形可支持更具时尚感的创新智能手机设计。　　美光G9 NAND UFS 4.1采用业界前沿封装技术，1TB NAND UFS的封装尺寸仅有9x13x0.85毫米大小(与上一代G8 UFS 4.0相比)，可大幅节省手机内部空间，是下一代可折叠以及超薄智能手机设计的理想之选，其节约的空间可用于搭载更大容量的电池。　　专有功能优化：　　1. 数据碎片整理：　　智能手机的运行速度逐渐变慢，通常是由于数据碎片化—文件分散存储在各个地方，导致存储设备难以实现高效读取。　　美光专有的数据碎片整理功能可解决这一问题，它支持UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程，数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比)，从而提升智能手机的整体性能，包括日常任务和 AI 相关任务。　　简言之，数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理，提高读取性能并降低设备的负荷，使智能手机能够更快、更高效地访问文件，实现更流畅的使用体验。　　2. 增强型WriteBooster：　　借助美光的增强型WriteBooster功能，智能手机处理器可将常用数据“固定”在存储设备内部名为“WriteBooster”的指定区域内。　　利用该功能，处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存，确保处理过程更加高效，不会面临内存容量不足问题。　　内部测试数据表明，启用此功能后，随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。　　增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度，让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和 AI 应用时，此功能尤为有用。　　在这种使用场景下，可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射，从而实现更快的数据交换和读取。　　未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域　　3. 智能延迟跟踪器(ILT)：　　美光的智能延迟跟踪器可监控系统和存储设备上的I/O存储延迟，以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟，例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题，跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统，提升整体用户体验。　　此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务，例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。　　4. UFS分区(ZUFS)：　　想象一下，当您在旅行前收拾行李时，您的行李箱被整齐地划分为三个部分，分别用于放置袜子、衬衫和裤子，通过这种方式，您可以更快地找到所需物品。　　美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中，能够尽可能减少数据搜索时间，从而提高读/写效率。　　这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅，就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。　　传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比　　智能加速：面向未来的创新　　美光移动业务部门专注于提供先进的NAND闪存解决方案，并提供针对旗舰智能手机设计的定制功能。　　这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作，美光正在调整其产品和技术路线图，以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。　　这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务，以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。
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发布时间：2025-05-07 11:26 阅读量：341 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>科技公布SOCAMM内存模块，将用于英伟达GB300产品线
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美光科技公布SOCAMM内存模块，将用于英伟达GB300产品线

　　近日，在GTC 2025大会上，美光科技公布了自家的SOCAMM内存模块，将用于英伟达最新发布的Blackwell Ultra GB300产品线。　　SOCAMM并非传统内存条的简单升级，而是将HBM3(高带宽内存)与AI加速单元集成于同一基板，形成“存算一体”的革新架构。其核心技术亮点包括：通过12层HBM3堆叠，单模块带宽较上一代提升3倍，足以支撑万亿参数模型实时训练;采用美光独有的低功耗电路设计，在满载运行时功耗降低至225W，显著低于同类方案;内置硬件级数据调度器，自动优化张量传输路径，减少GPU闲置等待时间。　　英伟达GB300系列作为面向AI数据中心的旗舰产品线，对内存子系统提出三大极限需求：需容纳百万级上下文长度的LLM(大语言模型)参数;自动驾驶等场景要求响应延迟低于1ms;企业级训练任务需保持99%以上的GPU利用率。　　SOCAMM通过NVLink-C2C直连技术与GB300 GPU核心互联，实现内存带宽的“零损耗”传输。实测数据显示，在ResNet-50训练任务中，GB300系统吞吐量提升2.7倍，推理能效比达15.8 TOPS/W。　　此次合作暴露了AI芯片竞争的下一战场——内存架构创新。传统冯·诺依曼架构下，数据在内存与计算单元间的“搬运”已成为算力瓶颈。SOCAMM的存算融合设计，为突破“内存墙”提供了新思路。
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发布时间：2025-03-21 10:48 阅读量：409 继续阅读>>
传<span style='color:red'>美光</span>将买下两座工厂？
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传美光将买下两座工厂？

　　8月26日，美光在与台积电抢购群创南科四厂失利后，传出将转买友达位于台南科技工业区内的两座厂房，以采建物与土地同步买断方式计算，金额估达一、二百亿新台币，用来扩充先进封装与当红的高带宽内存(HBM)生产线。　　对于相关传言，友达回应称，集团在营运策略双轴转型考虑下，台南厂区已进行生产规模调整，未来会在适当时机活化使用现有厂区，惟友达不会对单一事件或厂商做评论。美光发言系统昨天也表示：「对外界传言与猜测不予评论」。　　据悉，美光相中的是友达位于南科工、公司内部代号为「C5D」及「C6C」两座彩色滤光片厂，这两座厂已于2023年8月关厂，若有买家接手，可随时进行移转，不影响友达营运。　　业界分析，友达相关厂区所在南科工属工业区，与群创四厂位于科学园区不同，若是买工业区厂房，还要将土地价格纳入，不像科学园区厂房买卖只是移转地上物产权，友达此次卖南科工工厂，售价预估会比群创在科学园区卖厂贵得多，在土地增值与厂房配置等考虑下，地上权搭配土地售价估达一、二百亿元。　　半导体暨面板供应链人士透露，美光近期负责扩产的主管频频南下看厂，希望能买到合意的厂房，做为快速扩产之用。晶圆厂偏好买面板厂的原因有二，首先是厂房的面积够大，其次是面板厂的无尘室与半导体的规格十分接近，而彩色滤光片厂的无尘室也与面板厂一致。　　美光先前传出开价180亿元新台币，要买群创南科四厂，用以扩充AI相关先进封装与高带宽内存产能，惟未能成局，群创董事会决议将南科四厂以171.4亿元新台币卖给台积电。
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发布时间：2024-08-26 13:43 阅读量：845 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>工厂火灾！
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美光工厂火灾！

　　6月21日消息，据台媒报道，美光台中内存厂20日下午发生火警，现场有气体外泄冒白烟，消防人员到达时工厂自动洒水设备已扑灭火势，起火原因仍待调查厘清。　　据报道，台中市消防局表示，昨日下午5时34分接获报案指出，后里区三丰路四段一处工厂发生火警，派遣辖区后里分队等共计5个单位，出动各式消防车17辆、消防人员38名前往处理。　　消防人员表示，火警现场为台湾美光内存公司工厂内，气体供应室存放的高压气体钢瓶，有烧损及泄漏情形，消防人员到场时已无燃烧情形，现场无人员受伤。　　消防局指出，火势由厂内自动撒水设备动作，以室内消防栓扑灭，燃烧面积约2平方公尺，起火原因后续由火调人员厘清。　　根据报导，美光针对台中厂火警一事发出声明，经查证所有员工与承包商安全无虞，且厂区营运未受任何影响。　　美光是国际三大DRAM厂商，市占约19.2%，与前两大三星及SK海力士合计市占达96%。美光高达65%的DRAM产品在中国台湾生产，也开始量产1-beta制程，以EUV制程导入的1-gamma技术持续研发，中台湾和日本研发团队合作进行中，对内存产业重要性可见一斑。　　内存业者高度关注火灾事件的影响情况，业界人士说，火灾原因未明，最近DRAM价格较平稳，市场还有三星等其他品牌供应，影响有待观察。
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发布时间：2024-06-21 13:35 阅读量：783 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>全系列车规级解决方案已通过高通汽车平台验证
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美光全系列车规级解决方案已通过高通汽车平台验证

　　美光科技宣布，全系列车规级内存和存储解决方案已通过高通技术公司 Snapdragon® Digital Chassis™ 平台的验证。　　美光低功耗 LPDDR5X 内存、通用闪存 UFS 3.1、Xccela™ 闪存和四线串行外设接口 NOR 闪存已预先集成至包括Snapdragon® Cockpit 平台、Snapdragon Ride™ 平台和 Snapdragon Ride™ Flex 系统级芯片(SoC)在内的新一代骁龙汽车解决方案和模块中，致力于满足当前和未来日益增长的 AI 工作负载需求。　　美光嵌入式产品事业部市场副总裁 Chris Jacobs 表示：“当前的软件定义汽车和沉浸式座舱需要高可靠性和超低延迟的内存和存储，从而可在边缘处理大量数据，并为时间关键型任务提供近乎实时的决策。美光广泛的汽车内存和存储解决方案组合提供了车辆在行驶中所需的即时性能。我们很高兴与高通合作，助力汽车生态系统加速普及前沿解决方案，打造更安全、更智能的汽车。”　　据介绍，美光车用 LPDDR5X 是一款旗舰内存解决方案，适用于需要高速率和低功耗的应用。LPDDR5X 向后兼容速率为 6.4 Gb/s 的 LPDDR5，该产品此前已通过高通验证。高通新一代骁龙汽车 SoC 成为首个支持 LPDDR5 的 SoC 产品系列。　　美光车用 UFS 3.1 存储的读取性能提升一倍，持续写入性能提升 50%，可实现更快的设备启动、空中下载( OTA)更新、更迅速的应用响应，以及更流畅的整体用户体验。　　美光科技的 Xccela 闪存是业界性能最高的 NOR 闪存之一，性能提高五倍，能耗降低三倍。此功能可在汽车应用中实现即时性能和快速系统响应。　　四线 SPI-NOR 闪存可为启动代码和程序代码等应用提供快速代码执行能力和高可靠性。　　据悉，如上所述的美光易失性和非易失性解决方案已成功应用于高通新一代 Snapdragon Cockpit 平台。
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发布时间：2024-04-28 09:25 阅读量：737 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>推出全球首款四端口车规级SSD 4150AT
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美光推出全球首款四端口车规级SSD 4150AT

　　Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布，美光车规级 4150AT SSD 已开始送样。作为全球首款四端口 SSD，该产品提供多达四个片上系统(SoC)接口，可实现软件定义智能汽车的集中存储。　　美光 4150AT SSD 集多项市场领先特性于一身，例如单根输入/输出虚拟化(SR-IOV)、PCIe® 4.0 接口和坚固耐用的车规级设计。凭借这些产品特性，美光车规级 4150AT SSD 将为汽车生态系统提供数据中心级别的灵活性和强大功能。　　美光4150AT SSD设计灵感来自于数据中心，并为汽车应用做了定制设计，包括：　　多端口功能：美光 4150AT SSD是一款具有四个端口的SSD，可连接多达四个SoC;　　虚拟化：美光4150AT的SR-IOV功能可为多达64个虚拟机 (VM)的繁重多主机工作负载提供高性能支持;　　增强安全性：基于SR-IOV虚拟化，每个虚拟机的数据在硬件中与其他虚拟机隔离，以减少数据或代码泄漏，同时减少一个虚拟机中的黑客尝试损害另一台虚拟机的行为，从而维护关键数据的隐私和安全;　　可定制的耐用模式：美光4150AT SSD 采用TLC NAND 构建，但也可配置为支持SLC和高耐用性HE-SLC数据耐用组，分别提供20倍和50倍TLC的耐用性，以最好地满足独特的数据要求;　　专为满足汽车行业的严格要求而设计：美光 4150AT SSD 提供ASIL-B功能来支持安全系统要求，并采用球栅阵列封装，有助于承受车辆坚固耐用时典型的冲击和振动环境。　　美光嵌入式产品和系统部门副总裁 Michael Basca 表示：“为实现更高水平的自动驾驶安全性，以 AI 和先进算法为特性的丰富车载体验对存储系统提出了更高要求。为顺应时代的需求，新型汽车存储模式应运而生。美光与重新定义新一代汽车架构的创新者携手合作，重新开始对存储系统进行构想，推出全球首款四端口 SSD —— 美光 4150AT，为汽车行业推出变革性技术提供了亟需的灵活性和强大动力。”
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发布时间：2024-04-11 10:23 阅读量：837 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>西安封装和测试工厂扩建项目破土动工
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美光西安封装和测试工厂扩建项目破土动工

　　美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房已经开始正式动工。　　资料显示，美光在中国运营版图包括北京、上海、深圳与西安等地。2023年6月美光宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。　　新厂房预计将于2025年下半年投产，后续根据市场需求逐步投产。美光表示新厂房落成后，西安工厂总面积将超过13.2万平方米。　　同时，美光亦在推进收购力成半导体(西安)有限公司(力成西安)的资产。力成西安的设备自2016年以来一直在美光全资的厂房中运行，随着协议到期，美光去年6月宣布收购力成西安资产，并预计此收购项目将在大约一年内完成。　　美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia在接受采访时表示，“西安工厂靠近智能手机、PC和汽车的中国客户，以便更加精准地满足客户的多元化需求，并加速新产品的推广应用，特别是在人工智能、物联网以及低功耗内存技术等前沿领域。”
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发布时间：2024-03-29 09:08 阅读量：1110 继续阅读>>
传英伟达向SK海力士和<span style='color:red'>美光</span>大量预购HBM3内存
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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。
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发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1677 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>在印度建设半导体工厂取得新进展
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美光在印度建设半导体工厂取得新进展

　　据印度媒体报道，美国存储器芯片大厂美光在印度的首座工厂于9月23日举行破土仪式。印度电子与资讯科技部长Ashwini Vaishnaw出席了该仪式，并对外表示该工厂将很快完工，预计2024年12月开始生产印度首批本土芯片。　　此前6月，美光已与印度签署谅解备忘录，将在印度古吉拉特邦建立半导体工厂，为其首座在印度的工厂。　　美光发力印度市场，也得到了来自印度本土公司的支持。印度塔塔集团旗下塔塔项目公司9月23日宣布，将与美光科技合作，在古吉拉特邦萨南德市建设先进半导体组装和测试工厂。塔塔项目声明称，一期工程将很快启动，预计2024年底投运。　　美光科技此前表示，将向该工厂投资8.25亿美元。在印度政府和古吉拉特邦的支援下，总投资额将达到27.5亿美元。　　另外，在九月初，据外媒报道，印度电子和信息技术部部长Rajeev Chandrasekhar透露，美国存储器大厂美光除了拟议中的制造部门之外，还打算在印度建立多个半导体封装和组装部门。
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发布时间：2023-09-26 09:22 阅读量：2125 继续阅读>>

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