罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书

Release time：2025-10-28
author：AMEYA360
source：罗姆
reading：1101

　　～为实现千兆瓦级AI基础设施的800 VDC构想提供支持～

　　2025年10月28日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，作为半导体行业引领创新的主要企业，发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书。

　　本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案”合作新闻中的组成部分，详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。

　　800 VDC架构是高效且可扩展性强的供电系统，因其可助力实现千兆瓦级AI工厂而有望为未来数据中心设计带来革命性转变。

　　罗姆不仅提供硅(Si)功率元器件，还提供包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等在内的丰富的功率元器件产品群，而且是世界上少数拥有模拟IC(控制IC和电源IC，可以更大程度地激发出这些功率元器件的性能)技术开发能力的企业之一。

　　本白皮书不仅介绍了罗姆引以为傲的丰富的功率元器件和模拟IC技术，还介绍了热设计等各种仿真、电路板设计以及实际应用案例等综合电源解决方案。

　　<白皮书点击这里>

　　<本白皮书的要点>

　　在AI数据中心，每个机架的功耗激增，导致以往48V/12V的直流供电方式已接近极限。

　　向800 VDC架构转型，将会显著提升数据中心的效率、功率密度及可持续发展能力。

　　在800 VDC架构下，以往在服务器机架内进行的从交流电向直流电的转换(PSU)，将改为在独立的电源机架内进行。

　　对于800 VDC架构而言，SiC和GaN器件不可或缺。电源机架部分的AC/DC转换单元因移至IT机架外部，使得可实现更高效率的拓扑变得尤为重要。另一方面，IT机架部分的DC/DC转换单元，为提高其 GPU集成度而采用可实现高功率密度的结构也非常重要。

　　在各转换单元(如从交流电向800V直流电的转换，或IT机架部分从800V直流电的降压)中，可支持 800 VDC架构的拓扑通过采用罗姆推荐的SiC和GaN器件，可实现更高效率、更低噪声及外围元器件小型化，进而使功率密度得以大幅提升。

　　罗姆的EcoSiC™系列产品以业界超低导通电阻著称，其产品阵容中包括适用于AI服务器的顶部散热型模块等产品，非常有助于提升功率密度。另外，罗姆的EcoGaN™系列通过融合超高速脉冲控制技术 "Nano Pulse Control™"、以及可更大程度地激发GaN性能的模拟IC技术，实现了稳定的高频控制和栅极驱动，并已在市场上获得高度好评。

　　向800V VDC架构的转型意义重大，需要全行业的协同合作。罗姆作为实现下一代AI工厂的重要合作伙伴，不仅持续与NVIDIA等业界领导者保持紧密协作，还将与数据中心运营商及电源制造商开展深度合作。例如，罗姆于2022年就已经与台达电子达成“电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系”。罗姆将通过提供自身擅长的SiC和GaN等宽禁带半导体的先进技术，为构建可持续且高能效的数字化社会贡献力量。

　　关于EcoSiC™

       罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书

　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外， ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。

　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

　　关于EcoGaN™

       罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书

　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

　　关于EcoMOS™

       罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书

　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。


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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
行业新闻

罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

　　中国上海，2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。　　当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域，小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。　　面对这些产业趋势，罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累，不仅提供丰富的硅功率元器 件，还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局，为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。　　在本次electronica Shanghai 2026上，罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，通过展示以下产品和解决方案，全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器：面向下一代数据中心电源架构提供高效支持　　下一代AI服务器的配置　　涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，可满足AI服务器电源热插拔电路对可　　靠性和低损耗的要求，并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。　　第5代SiC MOSFET　　采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下，导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV2 / 2　　牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用，计划2026年7月起提供样品。　　具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT　　实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力，助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用：助力智能座舱与ADAS系统发展　　面向SoC的PMIC　　罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC，符合ISO 26262及　　ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。　　用于汽车多屏显示器的SerDes IC　　支持成对双向高速长距离通信，适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。　　搭载SiC模块的三相逆变器参考设计　　覆盖5kW～100kW输出功率，提供完整设计数据，可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备：以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级　　650V 耐压GaN HEMT　　罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT，已被应用于AI服务器电源等领域，推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。　　AC/DC用PWM方式DC/DC转换器　　面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案，支持绝缘/非绝缘设计，可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。　　此外，罗姆还将设立应用案例展区，集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化的方案演示，让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。　　【展会信息】　　时 间 ：2026年7月1日(周三)～3日(周五)09:00～17:00 (3日观众开放时间截止到16：00)　　会 场 ：上海新国际博览中心N4馆　　展位号： N4馆500号　　地 址 ：上海市浦东新区龙阳路2345号　　<关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>　　慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头，展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题，引入更多垂直领域的应用技术解决方案，聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台，共同见证全球电子产业发展趋势。
2026-06-18 14:38 reading：309
方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级
行业新闻

方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级

　　随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域，各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中，三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。　　针对这些需求，罗姆不断推出相应产品及解决方案，为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品，方便您查看。　　1.高性能运算放大器　　罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，该产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后，下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策，尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。　　2.完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”　　该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器，以及支持系统引入的专用实用软件构成，具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。　　当边缘AI做出决策后，需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中，电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是，如何让电机在响应指令的同时，兼顾高效与低噪，成为整个链路中不可忽视的关键环节。　　3.三相无刷直流电机驱动器IC　　适用于中等耐压系统(12V～48V系统)的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。　　采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与罗姆以往的恒流驱动产品相比，该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。
2026-06-11 10:13 reading：356
罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
行业新闻

罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
2026-06-03 10:41 reading：594
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
行业新闻

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading：496
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