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江苏艾倍思特取得具有限流电阻的光耦合三端双向交流开关器件之结构专利
近日，国家知识产权局信息显示，江苏艾倍思特光电子有限公司取得一项名为“一种具有限流电阻的光耦合三端双向交流开关器件之结构”的专利，授权公告号CN222852571U，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种具有限流电阻的光耦合三端双向交流开关器件之结构，包括：光耦合三端双向交流开关器件半导体结构;电阻层，形成于所述光耦合三端双向交流开关器件半导体结构之中。本实用新型，可以直接使光耦合三端双向交流开关器件自带有限流电阻，以产生其避免电流过大等造成损坏之保护功能，而可以无需在光耦合三端双向交流开关器件的触发电路中额外设置限流电阻，同时可以保有限流电阻的特性与功能，进而获得使整体系统整合性上升、节省空间、降低成本、提高应用性等诸多有益之功效。
天眼查资料显示，江苏艾倍思特光电子有限公司，成立于2023年9月7日，注册资金 14400万元，实收资本1006.62万元， 目前国内高阶光耦产业主要问题：高阶光耦芯片主要为外购、封装光电转换效益差、传统双模封装电路整合难度高。公司目前拥有一个集成电路布图设计、二个实用新型专利;另有一个发明专利及二个集成电路布图设计在审核中。团队人员专业涵盖IC设计、光耦产品开发、工厂运营及财务各方面人才。公司主攻方向：光耦产品广泛应用于家电、新能源、电动车、工控、通讯、计算机等产品。高阶光耦产品从芯片制造、封装于国内一条龙生产。
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| model | brand | Quote |
|---|---|---|
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
| model | brand | To snap up |
|---|---|---|
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
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