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鲁光 LGE3D20065A 碳化硅二极管
在追求高效能、高可靠性的现代电力电子领域，以碳化硅为代表的第三代半导体材料正扮演着越来越关键的角色。鲁光电子推出的LGE3D20065A碳化硅二极管，正是这一技术趋势下的代表性产品，以其卓越的性能参数，为众多高效能应用场景提供了理想的解决方案。
核心特性
1.电压/电流：650V / 20A，应对工业级应用游刃有余。
2.开关特性：近乎零的反向恢复时间与电荷。这是碳化硅的颠覆性优势，能彻底斩断开关损耗，尤其适合高频电路。
3.正向压降：最大仅1.7V，意味着更低的导通损耗，直接提升系统整体效率。
4.工作结温：宽达-55°C ~ +175°C。高温下性能稳定，可靠性倍增。
二、特性曲线
三、应用领域
这款器件是中大功率紧凑型设计的理想选择，尤其适用于：
1工业电源：高性能服务器电源、通信电源、模块化UPS。
2.能源转换：太阳能光伏优化器、储能系统DC-DC模块。
3.电机驱动：作为逆变器的续流二极管，提高驱动效率。
4. 不间断电源：用于高频在线式UPS的PFC和逆变单元，提升整机效率和功率密度。
四、总结
鲁光LGE3D20065A碳化硅二极管，以其650V/20A的额定规格、近乎零反向恢复的优异开关特性以及出色的高温稳定性，精准地契合了现代电力电子向高效、高频、高密度、高可靠发展的主流需求。
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| model | brand | Quote |
|---|---|---|
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| model | brand | To snap up |
|---|---|---|
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
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