纳芯微丨SafeNovo® 功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估

发布时间:2026-04-29 09:19
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1077

  随着汽车电子电气系统复杂度的不断提升,功能安全已成为汽车行业不可或缺的技术要求。ISO 26262标准作为汽车功能安全的基石,为电子电气系统的安全开发提供了全面框架。

  在此框架下进行系统设计时,开发团队首先面临一个非常实际的芯片选型问题:针对系统中需要实现的安全功能,是应直接选用符合特定ASIL等级的功能安全芯片,还是可以采用满足质量管理(QM)级别的芯片来实现?这一决策将深刻影响系统的安全架构与开发路径。

  本文将从系统安全概念、ISO 26262硬件要素评估方法论及典型测试实践三个层面展开解析,为功能安全系统中的芯片选型提供系统化的考量框架与决策依据。

  功能安全系统的整体性逻辑

  ISO 26262标准强调的是系统层面的安全属性,安全目标,或高层级的安全需求,通常是赋予一个完整的安全功能,而该功能往往由多个硬件、软件组件协同实现,并非依赖于单一芯片。

  无论哪个层面,实现功能安全的核心之一都是设计和验证一系列安全机制。这些机制用于检测、诊断和控制系统内可能发生的危险故障。从系统视角来看,芯片内部的诊断功能是这些机制的一部分,但绝非全部。系统层面的安全需求通常需要结合硬件和软件安全机制共同满足。

  以一个ASIL D电驱系统为例。在逆变器层面,其关断路径通常按照ASIL等级分解进行分级执行:

  Primary Shut Off Path ASIL A(D):用于处理非严重故障。常见方案是通过MCU发送PWM波控制6个驱动芯片进入相应安全状态(ASC或Freewheeling)

  Redundant Shut Off Path ASIL C(D): 冗余关断路径,仅在MCU失效、关键供电异常或主关断路径失效等严重故障时触发。此路径通常设计为纯硬件控制,通过硬件安全逻辑电路直接驱动芯片的特定安全引脚(例如副边或原边的ASC pin)。

纳芯微丨SafeNovo®  功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估

纳芯微丨SafeNovo®  功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估

  Note:

  上述ASIL等级分解非唯一方案,仅做示例。

  安全状态的成功进入不由单个驱动芯片承担,此处不针对单个驱动芯片的ASIL等级分解进行展开。

  图中的Level 1、Level 2、Level 3指代EGAS三层架构中的应用层和监控层。

  在此案例中,驱动芯片的ASC功能,直接承担了高ASIL等级关断需求的一部分,因此其自身应继承相应的ASIL等级要求。这体现了安全概念和安全需求对芯片功能安全等级的直接影响。

  反之,通过合理的系统设计,例如冗余和跨组件的合理性校验,采用QM等级的组件同样可以实现高级别的安全目标。下图展示了一种目前行业内广泛使用的驱动电机相电流传感器监控方案:

纳芯微丨SafeNovo®  功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估

  这是一个非常典型的通过采用多个QM传感器芯片,配合系统层级安全措施达到高ASIL等级的实例。硬件层面可以采取以下措施实现安全需求:

  U/V/W三相电流采样所使用的ADC0/ADC1/ADC2应为MCU内相互独立的ADC组.

  U/V/W三相电流信号的Level1和Level2采样要使用MCU内相互独立的ADC组

  U/V/W三相电流采样的Level1和Level2硬件采样电路应采用不同的设计参数

  U/V/W三相电流采样的硬件采样电路在Layout时应独立走线并注意包地等处理

  U/V/W三相电流采样的芯片建议采用不同供应商或不同原理的传感器以避免同质冗余

  ……

  同步,软件层面采取以下安全机制,配合实现整体ASIL D的电流采样功能:

纳芯微丨SafeNovo®  功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估

  可见,实现功能安全系统的路径并非单一。一方面,某些直接承担关键安全需求的芯片,必须具备相应的ASIL等级。另一方面,通过严谨的系统级安全概念定义与架构设计,结合必要的冗余和多层次诊断策略,成熟可靠的QM等级芯片完全可以在系统中承担特定角色,并在系统层面助力满足整体功能安全要求。

  因此,“选择ASIL芯片还是QM芯片”并非一个非此即彼的命题,其决策必须基于具体的系统安全概念、ASIL等级分解、目标芯片在架构中的具体职责及其复杂度进行综合权衡。这对开发团队提出了较高要求,不仅需要深入理解ISO 26262标准方法,还要能够准确推导安全需求与概念,并深刻理解芯片功能与系统架构之间的匹配关系。

  硬件要素评估:方法论与落地实践

  基于前文对系统级路径的探讨,芯片选型的决策需在具体的技术评估中落地。这引出了功能安全工程中的一个关键实践问题:如何对计划集成到安全相关系统中的各类硬件要素——尤其是并非专为功能安全设计的现成组件——进行符合性论证?

  例如,应用于VCU、OBC-DCDC、Inverter等安全关键系统中的CAN通信芯片、隔离接口、电流传感器芯片,其本身通常仅为QM等级。而ISO26262提出的硬件要素评估正是为解决这一挑战而提出的规范性方法。

  该方法的本质,是复用开发过程中的已有验证证据,其评估侧重点在于工作性能验证与系统性失效控制。它遵循“分而治之”的逻辑,即依据硬件要素的类别实施差异化评估策略,从而在确保安全的前提下,优化开发资源分配,提升工程效率。

  硬件要素分类及特点解析

  ISO 26262-8:2018将硬件要素根据其复杂度和内部安全机制的有无等条件分为三类,这一分类同时也反映了安全验证的难度。

  I类要素:简单无安全机制的硬件

  I类要素是最简单的硬件组件,其特点是运行状态极少且没有内部安全机制。这类要素的工作状态可以从安全角度充分表征、测试和分析,或者是直接通过查询行业标准得到,无需了解其实现细节和生产过程。

  典型实例包括:电阻、电容、二极管、晶体管、晶振以及NTC/PTC温度传感器等。对I类要素的评估要求最为宽松——只要集成后的硬件要素满足相关安全需求即可,通常不需要对要素本身进行独立评估。

  标准原文

13.4.1.1 Classification of the evaluated hardware element

  The hardware element shall be classified as one of the following classes:

  a) Class I if:

  — the element has at the maximum a few states which can be fully characterized, tested and analysed from a safety perspective;

  — safety related failure modes can be identified and evaluated without knowledge about details of the implementation and the production process of the element; and

  — the element has no internal safety mechanisms which are relevant for the safety concept to control or detect internal failures.

  NOTE This does not include safety mechanisms that monitor properties outside of the element.

  II类要素:中等复杂度无安全机制的硬件

  II类要素具有少数几种运行状态,介于简单和复杂之间,但仍没有用于检测和控制要素内部失效模式的内部安全机制。

  标准原文

The element has no internal safety mechanisms which are relevant for the safety concept to control or detect internal failures.

  NOTE This does not include safety mechanisms that monitor properties outside of the element.

  值得注意的是,II类器件可以具备针对要素外部参数的安全机制/诊断功能,换言之,这个参数不属于该II类器件本身。

  与I类要素的关键区别在于,II类要素需要依赖现有文档(如datasheet、user manual、application guide)从安全角度进行充分分析。这里对于分析的要求就明显上了一个台阶。

  标准原文

b) Class II if:

  — the element has e.g. few operating modes, small value ranges, few parameters and can be analysed from safety perspective without knowing implementation details;

  — available documentation allows valid assumptions supporting evaluation of systematic faults by testing and analysis without knowledge about details of the implementation and the production process of the element; and

  EXAMPLE Datasheets, user manuals, application notes.

  II类要素的典型实例包括:电流传感器、运算放大器、ADC/DAC、CAN/LIN收发器、简单高低边驱动等,且以上要素不集成与安全概念相关的内部安全机制。对II类要素需要制定评估计划,通过分析和测试证明其工作性能,并记录评估证据。这可能会引起工程师对额外工作量的担忧,但事实上,硬件组件评估中的测试大多可复用已有的合规证据(如开发过程中进行的各层级硬件测试),具体方法将在下一章节详细论述。

  III类要素:复杂且有内部安全机制的硬件

  III类要素是最复杂的硬件组件,具有多种运行模式和直接关联安全概念的内部安全机制。这意味着开发人员在不了解这类要素的实现细节情况下完全无法分析,因此评估要求最为严格。

  标准原文

c) Class III if:

  — the element has e.g. many operating modes, wide value ranges or many parameters which are impossible to analyse without knowing implementation details,

  — sources for systematic faults can only be understood and analysed by knowledge about detailed implementation, the development process and/or the production process, or

  — the element has internal safety mechanisms which are relevant for the safety concept to control or detect internal failures.

  典型实例包括:MCU、带有内部安全机制的复杂栅极驱动、多通道PMIC、带内部安全机制的高精度磁编码器等。

  对于III类要素,标准建议优先采用符合ISO26262硬件开发流程的方法进行开发,而非依靠后续的评估方法进行论证。换句话说,这种情况下标准强烈建议采用带ASIL等级的硬件要素。

  标准原文

13.4.4.1 Class III hardware elements should be developed in compliance with ISO 26262.

  NOTE This means that the “evaluation of class III elements” is not the preferred approach and therefore the next version of the hardware element is planned to be developed in compliance with ISO 26262.

  值得注意的是,在III类硬件要素评估中,标准特别强调需要论证系统性失效导致的风险足够低,而对随机硬件失效的关注则放在更高集成层面,通过系统级FMEDA计算去进行论证整体硬件架构与安全目标等级的符合性。

  标准原文

13.4.4.3 Additional measures shall be provided to argue that the risk of a safety goal violation or the risk of a safety requirement violation due to systematic faults is sufficiently low.

  这一区别对待背后有着深刻的考量。这里就需要提到系统性失效与随机失效的区别。系统性失效往往来自于不良的开发或生产。常见例子包括:开发过程中的人为失误,需求规范错误、设计缺陷或生产问题。

  相比之下,随机硬件失效是由物理过程(如老化)导致的,其发生时间不确定但遵循概率分布。对于III类要素,由于其高度复杂性,因此对于开发过程、生产制造等环节均提出很高的挑战,每个环节都可能引入系统性缺陷。因此出现系统性失效的概率显著高于简单硬件组件。这也是标准对于III类要素评估特别关注系统性失效的原因所在。

  表:三类硬件要素的评估要求对比

纳芯微丨SafeNovo®  功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估

  硬件要素评估

  测试要求与实例分析

  前述提到,对于II类和III类硬件要素,硬件要素评估需要通过测试和分析证明其工作性能符合安全需求。这些测试活动通常围绕两个维度展开。

  基本功能性能测试

  基本功能性能测试旨在确认硬件要素在特定工作环境下能否按预期工作并符合性能要求。这类测试关注的是硬件要素的固有性能,与具体安全需求无关,但为安全应用提供基础信心。

  对于一个具备成熟开发能力的零部件供应商或整车厂,通常在进行硬件电路开发时,均会进行硬件模块级别、集成级别、整机系统级别的测试,测试条件涵盖不同电压、不同温度、不同负载等等。分别以一个典型Class II和Class III要素举例测试应涵盖的项目(示例非穷尽)。

  Class II要素 - QM电流传感器

  供电电压精度

  三温下的零漂/静态精度/动态精度

  三温下的单板和整机响应时间

  整机采样精度(带软件算法)

  相间串扰

  其他

  Class III要素 - 功能安全PMIC/SBC

  三温下,不同唤醒源下的上、下电特性,包含电平/边沿唤醒有效性、电源输出、安全Pin正确置位和通信建立时间等

  三温下,不同供电电压下分别组合空载/轻载/重载/跳载条件下的各级Buck/LDO等电源输出精度,包括平均电压及纹波等

  三温下,各通道LDO的过欠压/过载保护的响应特性,包含其对应的安全状态输出

  三温下,芯片内部集成的CAN/LIN/SPI/MSC等通信接口的信号特性,包括高低电平、差分电平、上升下降时间、不同条件的抗短路特性等

  三温下,集成看门狗及关联Reset功能逻辑的故障响应正确性

  整机运行时,PMIC/SBC不同唤醒源下的上、下电特性,各主要功能输出的建立是否符合预期

  整机运行时,PMIC/SBC带实际负载的电源输出稳定性,包括平均值、纹波等等

  整机运行时,PMIC/SBC的通信接口输出是否符合预期,能否进行正确读写

  整机运行时,PMIC/SBC各安全机制的响应是否符合预期,是否能正确响应

  其他

  由此可见,芯片复杂度的提升,对测试验证工作的全面性提出了更高要求。对于具备成熟开发经验的公司,其制定的测试规范(Test Specification)通常已系统性地涵盖了各类验证场景与标准。因此,在开展评估时,完全可以优先利用这些现有的、成熟的测试证据,从而避免重复工作,显著提升效率。

  安全需求评估测试

  安全需求符合性测试旨在验证分配给特定硬件要素的具体安全需求。在功能安全开发中,高层级的安全需求会逐步分解并最终分配给到具体的硬件组件,这些分配的需求就是此类测试的验证目标。

  测试内容可能包括针对关联安全需求的诊断功能进行故障注入测试等,目的是确保该机制能够有效检测失效模式,并触发正确的系统响应。例如,上述提到的电驱系统冗余关断路径设计中,一种常见方案是采用数字隔离器(如纳芯微NSI82xx数字隔离器系列,属于Class II硬件要素)来传递来自逆变器低压侧的安全关断信号,给到驱动芯片副边的安全引脚(ASC PIN)来实现紧急关断。此时,该数字隔离器承担了一项关键的安全需求:当原边输入信号开路或原边供电丢失时,其副边输出必须为预设的高电平,以确保能可靠触发后续的紧急ASC,使系统进入安全状态。

  为验证此需求,需开展以下安全需求相关测试:

  硬件单元测试:

  正常功能测试,如隔离芯片传输时间、输入高低电平阈值、输出高低电平阈值等

  故障注入测试,如输入电阻开路、隔离芯片输入PIN开路、输入侧电源丢失,观察输出是否为默认高电平

  硬件集成测试:

  无低压KL30,只上高压,数字隔离芯片输出信号及冗余关断路径工作状态

  上下电时序测试,如原副边供电建立时间不一致,数字隔离芯片输出是否默认进入安全状态

  何种条件下强烈建议

  采用功能安全芯片

  通过上述的介绍,我们已经了解到功能安全是一个整体性概念。在进行芯片选型时,需要结合相关的安全功能和架构设计进行权衡。在强调实现系统功能安全的多种路径时,必须明确指出,在特定条件下,直接采用功能安全芯片是更优甚至必要的选择。这并非否定系统级设计的重要性,而是为了在效率、可靠性和成本之间取得最佳平衡。

  表-何种条件下建议采用功能安全芯片

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  结论与展望

  本文旨在阐明,在功能安全系统中,选择功能安全芯片或QM等级芯片是取决于具体的系统安全概念与架构设计的结果。通过合理的系统级设计并结合ISO 26262的硬件要素评估方法,成熟可靠的QM芯片能够被安全地集成,并在系统层面满足安全要求。然而,这通常也会在系统级带来一定的额外开发代价,例如需要增加额外的硬件电路、引入新的软件监控机制,并提供充分的验证论据。因此,在实际开发中,Tier1与OEM的功能安全团队需进行多维度的审慎权衡,包括:目标ASIL等级、系统复杂度、开发成本、验证投入等,以选择最适配的整体解决方案。

  在芯片功能安全层面,纳芯微已建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架,实现了从方法论到产品落地的成功闭环。纳芯微SafeNovo®产品组合覆盖传感器、信号链、电源管理,功能安全产品品类仍在持续拓展中,已发布的产品矩阵包括:

  ASIL D 隔离式栅极驱动 NSI6911F

  ASIL B 超声波雷达探头芯片 NSUC1800

  ASIL B 线性LED驱动 NSL21912/16/24FS

  ASIL B(D)ABS轮速传感器 NSM41xx

  深耕汽车模拟芯片,纳芯微始终将功能安全作为核心能力深度融入产品与技术布局。纳芯微已通过ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced”能力认证,建立起覆盖产品定义、开发到验证的完整工程体系,为客户提供从安全关键芯片到系统解决方案的完整支持。

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2026-09-16 13:52 阅读量:206
让小小贴片承载更多监测需求 | 纳芯微推出CGM专属电化学传感器AFE NSA1080,支持血糖+酮体监测
  一枚连续血糖监测(CGM)贴片,需要无缝融入用户的日常生活:吃饭、睡觉、工作、运动。既要持续输出可靠监测数据,又要做到轻巧无感,降低用户更换负担。如何在有限的贴片体积与电池容量约束下,捕捉微弱的生化信号,同时为更多监测功能预留设计空间?  近日,纳芯微正式推出面向CGM应用的电化学传感器模拟前端(AFE)芯片——NSA1080。产品采用小尺寸遮光 WLCSP‑25 封装,片内集成双通道电化学检测单元、高分辨率 ADC、高精度温度校准模块以及自动采样扫描引擎,兼具极高的电流检测灵敏度与微安级超低功耗。  连续监测(CGM)为何流行?  承载不同人群的监测需求  指尖采血 VS 连续监测:补齐血糖数据盲区  传统指尖采血血糖仪仅能获取单点时刻的血糖读数,无法还原两次采血间隙,尤其是餐后、夜间的血糖波动。  CGM 通过贴于手臂或腹部的贴片,依靠皮下微型传感器持续采集组织液葡萄糖信号,经系统运算生成完整血糖变化曲线,如同为身体配备一台慢病 “行车记录仪”。  不同群体有哪些监测需求?  糖尿病患者:连续的血糖趋势信息可以反映血糖波动,为日常管理和治疗方案提供参考。  高危酮症酸中毒(DKA)筛查群体:部分DKA发作时,血糖并不会显著升高,仅依靠血糖读数会造成风险漏判,因此亟需连续血酮监测。  泛健康与运动人群:越来越多的人希望借助小巧舒适的贴片了解身体代谢的实时反馈。  产品迭代趋势  不同人群关注的监测指标各有差异,但所有设备都面临同一个核心命题:如何尽可能减少对日常生活的干扰,持续获得有效监测数据?  更小的体积、更长的有效佩戴周期,以及与应用需求相匹配的测量能力,都需要从传感器、电路、算法和结构设计共同入手。  贴片趋向微型化、高精度  传感器AFE面临四大设计挑战  电化学检测的原理是传感器将生化物质浓度变化转化为微弱电流信号,模拟前端 AFE 负责完成这类微弱信号的读取。随着 CGM 贴片越做越小、功能不断拓展,对 AFE 芯片提出四大考验:  (1)生理信号极微弱,容易被噪声淹没  传统血糖测量仅需约 3nA 级电流分辨率,而血酮、尿酸等指标要求达到0.5nA级的分辨率与1%的高精度,对芯片噪底、跨阻放大器(TIA)输入漏电流提出极高要求。一旦底噪偏高或者芯片存在漏电,本就微弱的生理信号就会被噪声掩盖。  (2)全天候连续采样,同时要求超长续航  贴片内置的纽扣电池容量有限,但要维持7~30天不间断工作。系统平均功耗需要控制在微安级别(典型要求:0.5Hz 采样率下整机功耗低于 8 µA),芯片任何不必要的功耗开销,都会缩短贴片的可用周期。  (3)出厂校准繁琐,拉高整机生产成本  每个生化传感器个体有微小差异。如果芯片本身出厂时没有经过高精度的单片出厂标定,医疗设备厂商就需要在产线搭建昂贵的多点精密电流源,完成逐片校准。该流程耗时耗力,会拉低直通率,抬升整机生产成本。  (4)微型封装易受光照干扰,传统遮光工艺增加生产负担  为了让贴片足够薄,行业普遍选用 WLCSP 裸片级小封装。但这种封装容易透光,硅片受光线照射会产生光生电流,导致测量基准漂移、数据失真。传统方案里,厂商需要在外面涂上一层黑胶来遮光,工艺繁琐且容易产生贴片不良。  纳芯微 NSA1080:  全方位优化,针对性解决 CGM 的工程痛点  针对上述临床应用与量产制造层面的挑战,NSA1080 从信号采集、功耗控制、出厂标定、硬件封装多个维度完成全方位优化:  (1)0.5pA 超低噪底与双通道架构,兼顾血酮与微量监测  NSA1080模拟链路具备极低的底噪与皮安(pA)级漏电控制。NSA1080在反馈电阻Rf=3.2 MΩ配置下,RMS噪声低至0.5 pA,在5~45°C范围内,跨阻放大器(TIA)输入偏置电流为较小。NSA1080集成24位ADC,提供100 kΩ~12.8 MΩ多档可编程TIA增益,并支持滤波配置。研发团队可根据传感器输出的电流范围和采样需求,灵活配置采样参数。  在此基础上,NSA1080集成的双通道恒电位仪支持两个工作电极同时工作,可为电化学检测提供所需的电极偏置条件,并支持双路信号采集。配合相应传感器和算法,设备厂商可进一步开发血糖+酮体双指标监测应用。  (2)分级功耗管理,灵活适配电池方案  自动掉电机制:NSA1080采用自动状态机流转,在非测量间歇期,硬件上可单独动态关断TIA、ADC、基准源等高功耗模块,减少间歇期不必要的耗电。  滑动平均滤波:NSA1080硬件内置滑动平均算法,保持高输出数据率(ODR)的同时显著降低ADC的实际唤醒次数,MCU拥有更多休眠时间。  拓宽电池方案选择:NSA1080支持2~3.3 V电池直接供电,也支持1.2~1.8 V低压供电,便于研发团队结合贴片尺寸、电池容量和续航目标,选择合适的供电方案。  (3)出厂标定+片上温度传感,简化系统测试与电路设计  出厂标定,即插即用。NSA1080在出厂测试中完成增益标定,增益误差控制在±0.1%以内,客户端不再需要在测试产线上架设多点精密电流源进行逐片系统标定,显著提升生产线直通率,降低测试硬件折旧成本。  芯片还内置温度传感器,在5~45°C范围内测温精度为±0.5°C,无需片外挂载分立温度传感器即可完成电化学反应的温漂算法补偿,简化电路和物料配置。  NSA1080 采用 WLCSP-25 封装,本体尺寸仅 1.96 mm × 1.96 mm,适合空间受限的贴片设备布局。该封装选用遮光材质,能够降低环境光对芯片内部电路的干扰,产线无需增加黑胶涂覆工序。同时可提供定制化小尺寸 QFN 封装供选型。  (4)小尺寸遮光封装,适配贴片紧凑设计  NSA1080 采用 WLCSP-25 封装,本体尺寸仅 1.96 mm × 1.96 mm,适合空间受限的贴片设备布局。该封装选用遮光材质,能够降低环境光对芯片内部电路的干扰,产线无需增加黑胶涂覆工序。同时可提供定制化小尺寸 QFN 封装供选型。
2026-09-15 11:06 阅读量:218
充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
  随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。  本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开,剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。  GaN市场迎来跃迁:  从消费电子走向高端高功率场景  GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景,AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场,同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域,也在加速导入GaN方案,充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。  数据中心供电:  功率密度激增,GaN的核心战场  AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops,迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops,算力提升12倍的同时功耗提升6倍,算力与功耗同步高速增长。  行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代,计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内,单机柜功率由60kW一路走高至600kW,未来规划将迈向1MW机柜,然而机柜物理体积并没有同步放大,对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。  以数据中心PSU电源单元为例,当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步,高压上板的板载DC‑DC模块,功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标,也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。  机器人关节:  下一个高功率密度主战场  人形与四足机器人属于电池供电移动式设备,自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴,要在极小的结构空间里面实现全部性能,GaN凭借高频小型化的能力,成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线,目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。  综合两大场景可以看到,消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景,系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益,GaN的产业重心已经发生明显迁移。  GaN工程落地痛点:  驱动IC如何破解器件固有难题  GaN材料拥有优异的理论性能,但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行,需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作,这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求:高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。  针对上述工程挑战,纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵,通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装,搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术,从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险,帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能,降低整机系统的设计调试门槛。  痛点一:  高频高速工况,对驱动抗扰、延时、  封装提出极限要求  GaN开关速度极快,节点电压可在纳秒级别大幅跳变,电磁环境恶劣,驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低,匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力,最小传输延时低至2.6ns。  极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件,而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套,封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017,此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格,覆盖从激光雷达高频小体积,到大功率工业电源的多元布板需求。  痛点二:  导通阈值低,易发生误导通风险  主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右,很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启,带来系统损坏风险。  传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降,器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V,距离1.1V阈值十分接近,电路任何微小扰动,都可能造成GaN误导通。  纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道,硬件层面舍弃关断二极管,从根源降低误导通风险,该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。  为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断,行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类:  双绕组变压器方案:正负绕组分别输出正压、负压,性能好,但绕组数量多,成本高;  单绕组搭配稳压管方案:绕组数量减少,成本折中,但正负电压互相牵制;  自举搭配分立器件方案:成本最低,但需要持续发波建立负压,对半桥占空比存在限制,工况适配范围受限。  三类分立方案各有短板,很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动,芯片内部集成负压生成电路,无需外部复杂分立负压网络,一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。  针对双向GaN开关应用,驱动调试难度更高,纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB,为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案,大幅简化双向拓扑硬件设计。  痛点三:  第三象限反向导通,  带来自举上管VGS过压隐患  GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时,SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电,造成上管栅源电压VGS被充到7V附近,对GaN的稳定运行带来高风险。  行业传统分立解决思路存在明显短板:一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位,会带来额外损耗、温升,占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管,试图拉低反向负压,却会增加寄生参数,牺牲功率密度,违背选用GaN器件的初衷。  理想的解决思路是在GaN反向导通阶段,直接切断自举充电通路,阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高,分立器件很难落地,却是集成电路的优势所在。  纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关,在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路,规避VGS过压风险,且集成米勒钳位功能,有效避免误导通,在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外,半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压,不依赖外部自举供电,同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题,排除寄生电容影响,提升开关速度。  纳芯微提供完整产品矩阵,  赋能超高功率密度系统开发  针对不同应用场景,纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵,客户可以按需选型:  NSD2017:WLCSP 1.2×0.8mm超小封装,2.6ns超低延时,适配激光雷达等高频、极致小型化应用;  NSD2123:110V半桥驱动,集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关,面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;  NSD2012N:单管GaN驱动,集成LDO+负压关断,QFN 3×3mm小封装;  NSD2622N:700V高压半桥驱动,集成LDO与负压关断,面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;  NSD2621:700V半桥驱动,芯片内集成LDO稳压。  同时需要注意的是,GaN带来的系统升级,挑战不只来源于功率器件本身,也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代:采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构,系统隔离性能也需要同步匹配。  作为全品类数模混合信号芯片提供商,除了GaN驱动以外,纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动,同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片,覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求,帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。
2026-09-11 10:37 阅读量:265
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