纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC,打造高清感知时代的一体化电源管理方案!

Release time:2026-07-03
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:168

  纳芯微宣布推出面向车载摄像头模组的汽车级电源管理芯片 NSR90332XX-Q1,该产品集成3路BUCK和1路LDO,可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供多路高质量供电,适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜以及 PoC 摄像头模组等应用场景。

纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC,打造高清感知时代的一体化电源管理方案!

  随着智能驾驶、智能座舱和舱内安全应用加速发展,车载摄像头已经从“可选配置”逐步演进为汽车感知系统的关键基础设施。外部感知方面,智驾应用正在推动单车多摄像头、800万像素高清化部署;内部感知方面,DMS/OMS 等舱内监测系统也在法规和安全需求驱动下快速增长。

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  车载摄像头布局趋势

  摄像头数量增加与分辨率提升,对摄像头模组电源系统提出了更高要求。OEM 和 Tier 1 不仅需要在有限模组空间内实现更高集成度和更小型化设计,也需要确保电源噪声不会影响图像质量;同时,摄像头模组还需满足车规 EMC、可靠性和功能安全要求,并能够灵活适配不同图像传感器和平台方案,帮助客户缩短开发周期。

  针对上述趋势,NSR90332XX-Q1 通过多路电源集成、低噪声设计、EMI 优化和全面诊断保护机制,为车载摄像头模组提供更高集成度、更易适配、更可靠的电源管理方案。该产品支持 I²C 配置输出电压和上下电时序,可帮助客户简化电源架构设计,并提升不同摄像头平台间的复用效率。

  低噪声电源设计

  保障高清摄像头图像质量

  在车载摄像头向更高清分辨率升级的过程中,图像传感器和高速信号链对供电质量更加敏感。电源噪声可能通过图像传感器模拟电源、SerDes 或相关信号链进入成像链路,导致噪点、画质下降或稳定性问题。

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  NSR90332XX-Q1典型应用框图

  NSR90332XX-Q1 在多路电源输出噪声、LDO PSRR 以及电源纹波等方面进行了优化。其中,LDO PSRR 可达 -60 dB@100 kHz,LDO 输出噪声低至 15.77 μVRMS,Buck 2/3 输出噪声低至 313.6 μVRMS,支持车载摄像头实现更清晰、更稳定的图像输出。

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  低噪声性能与其他市场方案对比

  每路电源EMI优化

  助力满足车规CISPR 25要求

  车载摄像头模组通常具有空间紧凑、线束复杂、靠近高速信号链等特点,同时需要在整车复杂电磁环境中长期稳定工作,系统 EMI 控制已成为摄像头模组设计中的关键挑战。NSR90332XX-Q1 集成展频功能(Spread Spectrum),可通过频域能量分散降低开关频率处的EMI峰值发射,实现约10~20 dB的峰值发射降低,帮助客户应对CISPR 25 Class 5等车规EMC设计要求;同时支持多 BUCK 错相控制,进一步降低多路电源同时开关带来的噪声叠加风险。

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  通过展频功能降低EMI峰值

  通过展频功能与多 BUCK 错相控制协同优化,该产品无需增加额外外围器件即可改善系统 EMI 表现,有助于降低 BOM 成本和 PCB 面积压力。

  面向ASIL B功能安全设计

  集成全面诊断与保护机制

  随着摄像头在 ADAS、DMS、OMS、电子后视镜等应用中的作用不断提升,摄像头模组电源系统也需要具备更高的故障检测和保护能力。对于安全相关应用而言,电源轨异常不仅可能影响单个摄像头模块的稳定工作,也可能进一步影响整车感知系统的可靠性。

  NSR90332XX-Q1 可支持客户实现 ISO 26262 ASIL B 等级的系统功能安全设计,集成多种诊断与保护机制,可对各路电源轨进行电压和电流监控,并支持过压保护、欠压保护、过流保护、过载故障检测、短路到地检测等功能。当检测到异常状态时,芯片可根据故障类型快速关闭对应输出通道或触发复位/掉电保护,帮助系统提升故障检测能力和安全设计完整性。

  协同SerDes产品

  构建从供电到传输的车载摄像头系统方案

  NSR90332XX-Q1 可与纳芯微车规级 SerDes 芯片组协同,围绕车载摄像头模组的关键电源轨供电与高清视频传输需求,构建从电源管理到数据传输的一站式系统方案。

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  典型车载摄像头模组供电架构

  纳芯微 SerDes 芯片组基于全国产供应链、支持 HSMT 公有协议,产品包括单通道加串器 NLS9116 和四通道解串器 NLS9246,可面向 ADAS 与智能座舱中的摄像头数据的高速传输场景,与车载摄像头 PMIC 形成组合方案,帮助客户提升系统集成度和平台适配效率。

  封装与选型

  NSR90332XX-Q1 采用 4.00 mm × 4.00 mm、QFN24 封装,并支持 wettable flanks(可润湿侧翼),便于车规应用中的焊点外观检测与可靠性验证。该产品满足 AEC-Q100 Grade 1 要求,支持 -40°C 至 125°C 宽温工作范围,可满足车载摄像头模组对高可靠性和长期稳定工作的要求。如需了解 NSR90332XX-Q1 更多产品信息或申请样片,请联系 sales@novosns.com。

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  QFN24 封装

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EtherCATx三核算力,满足高端工业控制!纳芯微发布实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列
  近日,纳芯微正式发布NSSine™系列新一代实时控制MCU/DSP——NS800RTA7系列。该系列面向工业自动化、机器人、数字能源、通用伺服及运动控制等应用场景,首批推出NS800RTA7P65DE、NS800RTA7P66DE、NS800RTA7P66TE三款型号,覆盖大小核、双大核和三核等不同内核配置,集成EtherCAT 从站控制器(ESC)、第二代eMATH浮点数学加速核、高精度模拟采样、高级控制外设及功能安全、信息安全能力,为高性能实时控制系统提供高效、可靠、易于集成的控制平台。  NSSine™产品矩阵  工业控制走向系统融合,主控芯片需求持续升级  随着工业自动化、机器人、数字能源及运动控制等应用持续升级,实时控制平台正在从“单一控制”走向“计算 + 通信 + 采样 + 安全”的系统融合。  以机器人控制器、通用伺服、PLC、变频器、数字电源以及工商业大型储能系统为代表的应用场景,对主控芯片提出了更高要求:一方面,需要处理复杂算法、多任务协同、高速实时通信和多轴同步控制;另一方面,也需要具备高精度采样、小尺寸封装、高可靠性及信息安全能力。  在工业实时通信领域,EtherCAT已成为高性能运动控制和工业自动化系统中的重要通信技术。EtherCAT的价值不仅在于通信接口本身,更在于支撑多轴同步、实时响应和系统协同控制能力。面向这一趋势,NS800RTA7系列通过多核并行计算、片上EtherCAT 从站控制器集成、高精度模拟采样和安全可靠设计,进一步提升实时控制系统的集成度和响应能力。  首批发布三款型号,覆盖不同性能与系统复杂度需求  NS800RTA7系列首批发布NS800RTA7P65DE/NS800RTA7P66DE/NS800RTA7P66TE三款型号,面向不同性能等级和应用复杂度提供灵活选择。  其中,NS800RTA7P65DE采用“400MHz + 200MHz”的大小核配置,兼顾控制性能与系统成本;NS800RTA7P66DE采用“2×400MHz”双大核配置,面向高性能实时控制应用;NS800RTA7P66TE采用“2×400MHz + 200MHz”三核配置,可支持更复杂的多任务协同、多轴控制和实时通信场景。  三款产品均集成EtherCAT、USB、CAN-FD、FSI、SPI、I2C、UART、USART等丰富通信接口,并支持eCAP、QEP、CLB、SDFM、ePWM、HRPWM等控制外设资源,满足伺服驱动、机器人控制、数字电源、储能逆变和工业自动化设备对实时控制与高速通信的综合需求。  NS800RTA7P65DE/7P66DE/7P66TE 产品参数  01  多核Cortex-M7架构  第二代eMATH  支撑复杂实时控制任务  在核心性能方面,NS800RTA7系列最高支持三核同构Cortex-M7架构,并为不同内核搭配eMATH数学加速器及专属TCM资源,为多核分时计算提供充足算力。该系列支持DSP指令集、FPU、eMATH、TCM与Cache等能力,可满足复杂控制算法、多任务协同及实时响应需求。通过大小核、双大核和三核三种配置,客户可根据应用复杂度、控制轴数、通信任务和成本目标进行灵活选型。  第二代eMATH浮点数学加速核比一代eMATH提速约一倍,涵盖三角函数、指数和对数、开方、FFT/iFFT、滤波器、矩阵计算、卷积和相关性运算等多种数学运算,可在FOC电流环、数字电源控制和复杂DSP算法等应用中提升实时浮点计算效率。  02  集成德国倍福正式授权  EtherCAT 从站控制器  提升高实时工业通信能力  NS800RTA7系列集成德国倍福正式授权的EtherCAT 从站控制器(ESC),在片内集成ESC MAC,区别于传统系统中主控芯片与外部独立ESC器件配合的设计方式,降低BOM成本与PCB面积,提升系统集成度。  在实时数据交换方面,NS800RTA7系列的硬件从站控制器(ESC)可处理EtherCAT帧转发,减少MCU对通信帧处理的参与;同时,片内ESC可直接与MCU内核内部高速总线互联,并通过内部共享RAM映射过程数据,支持高实时数据交换。该系列还支持多FMMU和同步管理器,便于灵活配置PDO映射,满足伺服驱动、机器人、PLC、运动控制和工业自动化设备等场景对高速通信与多轴同步的需求。  在同步控制方面,NS800RTA7系列集成硬件分布式时钟单元,可实现高精度时钟同步,并精确生成Sync0/Sync1事件,用于触发ADC/PWM等实时控制任务,多节点同步事件触发误差小于30ns;在125us帧周期下,实时任务MCU负荷率仅为2%,可支撑多轴联动、精密运动控制等对同步性、低抖动和低系统负载有较高要求的应用。  03  高精度采样  CLB可编程逻辑  增强高速闭环控制灵活性  NS800RTA7系列最多可集成4个12bit ADC模组,最多可支持55路ADC采样通道,每个ADC支持32个SoC触发事件;同时支持36路ePWM、36路HRPWM,HRPWM分辨率达80ps,并集成6个CLB、7个eCAP、6个QEP和16路SDFM,为伺服驱动、变频控制、数字电源和多轴运动控制提供丰富外设资源。  其中,CLB片上可编程逻辑模块可通过软件配置实现定制化数字逻辑功能,并可与ePWM、eCAP、eQEP及外部GPIO互联,用于增强现有外设功能,支持复杂协议位置编码器硬件解码、实时脉冲序列输出、信号整定和时间阈值监测等应用。  04  功能安全x信息安全  面向高可靠控制系统  面向工业控制、数字能源及汽车相关应用对可靠性和安全性的要求,NS800RTA7系列支持ISO 26262 ASIL B与IEC 61508 SIL2功能安全设计,可满足汽车与工业领域高可靠控制系统的功能安全需求。  在信息安全方面,NS800RTA7系列集成AES-128/256加密引擎、SHA哈希算法、TRNG真随机数发生器以及RSA和ECC等非对称加密引擎等硬件安全能力,为系统通信、数据处理和安全启动等应用提供信息安全支持。  在数据完整性保护方面,NS800RTA7系列最高集成1.8MB eFlash与864KB SRAM,并通过ECC错误校正码覆盖eFlash和SRAM,可自动检测并纠正数据错误,提升关键数据存储与系统运行可靠性。  05  小封装与平台化设计  助力客户快速导入  NS800RTA7系列兼顾平台化设计与灵活封装需求,支持BGA169、BGA256、HLQFP176、HLQFP100等封装选择,其中BGA169封装尺寸为9mm × 9mm,可为空间受限的高性能控制系统提供更紧凑的封装选择。  同时,该系列支持引脚兼容和外设寄存器兼容,有助于客户在不同性能等级和应用复杂度之间实现平滑迁移,复用已有软硬件资产,降低二次开发成本并加速产品导入。  完善开发生态,支持高效开发  NSSine™系列实时控制MCU/DSP同步提供覆盖开发工具、硬件平台、软件支持和生态系统的完整支持能力。  在工具链方面,NS800RTA7系列支持NovoStudio、ARM Keil MDK、IAR EWARM等开发环境,并提供NovoMonitor实时监测与调试工具、NovoClbConfig逻辑单元配置工具,帮助客户完成变量监控、参数调试、逻辑配置和系统验证。  在硬件与软件支持方面,纳芯微提供评估板、SWD/JTAG仿真器、逆变器系统板、底层驱动、BootCode、CAN-FD/LIN通信软件支持,以及FreeRTOS、uC/OS-II、RT-Thread等EOS支持,帮助客户缩短开发周期、提升产品导入效率。
2026-07-02 15:35 reading:189
纳芯微上海慕展发布车规级阳光雨量传感器、车载摄像头PMIC、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP和GaN驱动等多款创新产品
  上海,2026年7月1日——纳芯微亮相2026慕尼黑上海电子展。展会期间,公司发布多款面向汽车电子和泛能源应用的数模混合芯片新品,包括车规级阳光雨量传感器NSUC183x系列、车载摄像头PMIC NSR90332XX-Q1、三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列以及110V半桥GaN驱动芯片NSD2123。同时,公司展示了面向智能终端应用的线性位置、温湿度与压力传感器等产品组合。  本次发布与展示覆盖车载视觉供电、智能座舱感知、工业实时控制、AI服务器电源、消费电子位置检测、白电环境检测和液位检测等场景,体现纳芯微聚焦汽车电子、泛能源与智能终端应用,持续完善数模混合芯片产品组合与应用支持能力。  汽车电子  发布车载摄像头 PMIC 与车规级阳光雨量传感器  支撑车载视觉与智能车身感知升级  车载摄像头正向高清化和多位置部署发展,摄像头模组对电源质量、EMC、诊断保护和集成度提出更高要求。纳芯微发布一体化多路车载 PMIC NSR90332XX-Q1,可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供平台化供电方案,适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜和 PoC 摄像头模组等应用。  该产品通过多路电源集成、低噪声特性、EMI优化及ASIL B功能安全设计,为车载摄像头模组提供高集成度、易适配、高可靠的电源管理方案;同时支持通过 I²C 配置输出电压和上下电时序,帮助客户简化电源架构设计,并提升不同摄像头平台间的方案复用效率。  车载视觉链路还需要高清图像数据传输能力。纳芯微推出基于 HSMT 公有协议的 SerDes NLS911x 系列加串器与 NLS924x 系列解串器,支持单通道 6.4 Gbps 传输,可用于摄像头端与域控制器端的数据连接,支持舱驾一体架构下的多路高清图像传输。目前,该系列 SerDes 产品已在国内头部 ADAS 客户完成验证,并正推进量产导入。  通过车载摄像头 PMIC 与 SerDes 产品组合,纳芯微可为智能驾驶摄像头系统提供稳定供电和高速数据传输支持。  在智能车身与座舱感知方向,纳芯微发布车规级阳光雨量传感器 NSUC183x 系列解决方案。该系列面向不同客户平台架构,提供 NSUC1834(AFE)、NSUC1832(AFE+SBC)和 NSUC1830(AFE+MCU+SBC)等产品形态,支持阳光、前向光、顶向光、HUD 光感和雨量等检测需求。通过覆盖从 AFE 到 AFE+MCU+SBC 的不同集成度选择,NSUC183x 系列可帮助客户减少外围器件、缩小 PCB 面积,并简化阳光雨量传感器模块开发。  2025年,纳芯微汽车电子收入达约12亿元,同比增长约65%。纳芯微已形成覆盖汽车多系统的芯片产品布局,产品广泛应用于汽车三电与热管理、车身控制与照明、智能座舱与ADAS、底盘与安全等场景。截至 2025 年底,纳芯微车规级芯片累计出货量突破 14.18 亿颗。现阶段,国内新能源汽车单车平均搭载纳芯微芯片约 50 颗,单车产品价值量约达 2000 元。  泛能源  发布三核EtherCAT 实时控制 MCU/DSP与 GaN 驱动  支撑高功率密度电源与高性能运动控制升级  工业控制系统正向更高算力、更高实时性、更高精度和更高集成度方向演进。纳芯微发布三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列。该系列产品采用最高三核Cortex-M7架构,并片上集成EtherCAT控制器、高速ADC和安全功能,支持ISO26262 ASIL B与IEC61508 SIL2,面向工业自动化、伺服驱动、运动控制、储能系统和机器人控制等应用。相比传统“主控MCU+外挂EtherCAT”方案,NS800RTA7系列将实时控制、工业通信、高速采样和安全功能集成于同一平台,可帮助客户简化系统架构,并推进平台化开发。  AI服务器正向高效率和高功率密度方向发展,服务器PSU及二级电源应用对驱动、隔离、控制和保护提出更高要求。纳芯微发布110V半桥GaN驱动芯片NSD2123。该产品专为增强型E-mode GaN HEMT驱动优化设计,适用于电源模块、同步整流、机器人、光储等领域,以及Buck、Boost、LLC、HSC等开关电源拓扑。针对半桥拓扑中的动态栅极过压、桥臂中点负压、高dv/dt干扰和误导通等问题,NSD2123通过智能自举充电控制、Split Output驱动架构和内置有源米勒钳位,帮助客户提升高频开关场景下的驱动可靠性。  目前,纳芯微已面向服务器PSU及二级电源应用提供驱动、隔离芯片、MCU等产品,部分产品已在国内外服务器电源客户中量产出货。2025年,纳芯微泛能源收入达约18亿元,同比增长约84%。  智能终端  展示线性位置、温湿度与压力传感器  拓展消费电子与白电感知应用  在智能终端领域,白电与消费电子产品对状态感知、人机交互和运行判断提出更高要求。纳芯微展示线性位置、温湿度与液位检测传感器产品组合。  其中,MT911x 与 MT912x 系列线性位置传感器具备±20mV失调电压与±1.5%线性度误差,可用于手持云台、游戏手柄、磁轴键盘、3D 打印机等设备中的线性位置与角度检测。NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器采用0.75mm × 0.75mm DSBGA(4) CSP超小尺寸封装,具备±0.1℃(max)常温测温精度和超低功耗特性,可用于可穿戴设备、医疗电子等场景的温度监测。NSPGD1 表压传感器采用 MEMS 表压检测方式,支持模拟比例输出、I²C 数字输出及频率输出,可用于洗衣机、洗碗机等液位检测场景,支持用水控制、补水保护和运行状态判断。  应用创新  以技术与市场双轮驱动,完善数模混合芯片产品组合  面对客户系统设计复杂度提升,客户需要的不只是单颗芯片性能,也更加关注系统适配、可靠量产和长期支持。纳芯微坚持技术与市场双轮驱动,围绕客户系统需求推进产品定义与产品组合协同。  目前,公司已形成覆盖传感器、信号链、隔离、接口、功率驱动、电源管理和 MCU 的数模混合芯片产品组合,可支持客户在感知、传输、控制、驱动和供电等环节的设计需求。同时,公司将重点应用中的产品定义与量产经验沉淀至技术平台、质量体系与客户支持体系中,持续提升产品导入、系统适配与长期量产支持的可控性。  纳芯微已获得 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced” 功能安全流程认证,相关支持场所通过 IATF 16949 认证。  展台与论坛信息  展台信息:2026 慕尼黑上海电子展期间,纳芯微将在上海新国际博览中心 N4 馆 621 号展台,展示面向汽车电子、泛能源与智能终端应用的多款产品和系统解决方案。  论坛演讲:展会同期,纳芯微产品经理张炎将出席 2026 国际电机驱动与控制技术论坛,并发表主题演讲“纳芯微 NSSine™ 系列实时控制 MCU/DSP——产品核心性能和生态解析”。  演讲时间:2026 年 7 月 2 日 14:30—15:00  演讲地点:上海新国际博览中心 N3 馆现场论坛区(N3.379 展位)  欢迎各位莅临纳芯微展台及论坛现场交流!
2026-07-02 15:16 reading:200
纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动,推出110V半桥驱动芯片NSD2123
  随着AI算力需求爆发,GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升,以突破功率密度瓶颈;与此同时,机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求,共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势,已成为新一代电源设计的核心选择,而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。  在此背景下,纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123,具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点,广泛适用于电源模块、同步整流、机器人、光储、音频功放等领域,以及Buck、Boost、LLC、HSC等各类硬开关或软开关拓扑。  产品特性  专为增强型E mode GaN HEMT驱动优化  采用自举开关代替自举二极管,消除自举电容压降  自举开关采用智能充电控制,避免GaN第三象限导通时自举电容被过充  HS耐压范围:-10V~110V  HS dv/dt抑制能力100V/ns  推荐供电范围4.5V~5.5V  HI/LI输入支持TTL逻辑电平  3A/5A峰值驱动电流,并且内置有源米勒钳位  灌电流/拉电流输出引脚分开,可独立调节开通、关断速度  典型值10ns最小输入脉宽  典型值17ns输入输出传输延时  典型值1ns HO/LO传输延时失配  典型值6ns上升时间(1nF 负载)  典型值4ns下降时间(1nF 负载)  封装:2mm*2mm WLCSP、2mm*2mm LGA  工作结温范围:-40℃~150℃  NSD2123功能框图  智能充电控制,  消除自举过压风险  GaN器件没有传统硅MOSFET的体二极管,而是依靠第三象限导通实现续流。在半桥拓扑中,死区时间内下管续流会使HS节点出现负压,传统自举供电方式可能导致自举电容过充,增加高边GaN栅极过压风险,影响系统长期运行可靠性。  GaN/Si MOSFET/IGBT 导通和续流特性对比  针对这一挑战,NSD2123采用智能自举充电控制,仅在低边GaN导通期间开启自举充电路径,在死区时间自动停止充电,从而有效避免自举电容过充,降低高边GaN栅极过压风险,为GaN应用提供更加可靠的驱动方案。  同时,NSD2123采用MOSFET替代传统自举二极管作为充电通路,大幅降低自举充电路径压降,使高边GaN能够获得接近VDD的驱动电压,在保证可靠驱动的同时进一步降低导通损耗,充分释放GaN器件的高效率优势。  兼顾耐负压与抗干扰能力,  契合高频、高速应用  由于GaN器件的高速开关特性,在各类应用中容易引起桥臂中点的负压振荡现象,特别是在电机短路等大电流关断的应用场景下,桥臂中点的负压震荡最低可达-10V左右,如果GaN半桥驱动芯片设计不当,可能导致闩锁或误触发,影响系统稳定运行。  桥臂中点产生负压震荡的机理  针对这一挑战,NSD2123通过专门强化的电路工艺,可以实现瞬态-10V的桥臂中点耐负压能力,从而避免发生闩锁问题。此外,通过对内部level shifter电路的特殊设计,可以实现100V/ns的dv/dt抑制能力,充分释放GaN高频、高速开关性能。  驱动输出独立调节,内置有源米勒钳位,  降低误导通风险  GaN器件对栅极驱动电压和开关速度更加敏感,传统驱动方案通常需要借助外部二极管实现开通、关断速度的独立调节,但二极管压降会降低GaN栅极驱动电压影响导通损耗,或增加关断状态下的误导通风险。  GaN采用Split Output驱动芯片方案  NSD2123采用Split Output驱动架构,无需额外串联二极管,即可分别调节GaN器件的开通和关断速度。此外,NSD2123提供3A拉电流、5A灌电流峰值驱动能力,即使在多颗GaN并联应用中也能实现快速稳定驱动;内置有源米勒钳位,进一步增强关断期间的栅极下拉能力,有效降低误导通风险,提升系统可靠性。  封装与选型  纳芯微110V半桥GaN驱动芯片NSD2123提供WLCSP及LGA两种2mm*2mm小尺寸封装,进一步咨询NSD2123产品及申请样片,可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。
2026-06-30 09:24 reading:211
纳芯微丨双奖加冕!PrimeDrive™赋能高可靠电驱系统
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