士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力服务器电源迈向能效新高度

　　AI算力需求爆发叠加数据中心能效标准持续升级，服务器电源已从满足基础能效迈入极致高效、高功率密度的迭代阶段。功率器件的导通与开关损耗，是制约服务器电源效率、散热与整机性能的核心因素。数据中心供电架构向800Vdc母线架构演进趋势下，导通电阻、栅极电荷的微小差异，都会显著放大整机功耗与温升问题。

　　士兰微依托自研先进屏蔽栅沟槽SGT G3+工艺平台，面向AI服务器PSU高功率密度需求，推出两颗新一代80V N沟道功率MOSFET：SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE，以1.2mΩ典型导通电阻与85nC典型栅极电荷的优异组合，精准平衡导通损耗与开关损耗，具备业界领先的FOM(品质因数)。

　　封装选型

　　● SVGP081R4NL5S-3HE：PDFN 5*6(单面散热)，热量通过底部焊盘向 PCB 散热，兼容常规 PCB 设计，适合常规散热条件的服务器电源设计。

　　● SVGP081R4NL5SCE-3HE：PDFN 5*6 DSC(双面散热)，芯片顶部可外接散热器，底部+顶部双面导热，热阻显著降低，大幅提升大电流下的载流能力，助力功率密度提升。

　　产品核心参数速览

　　SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE专为高功率密度、高效率服务器电源应用打造。在新一代SGT工艺平台下，实现了单位面积导通电阻(RSP)、品质因数(FOM)、输出电容(Coss )的三重突破，以均衡的损耗控制与优异的高频性能，完美适配AI数据中心高密、高效、高可靠应用场景。

　　01 更低导通电阻，让大电流路径更“冷”

　　在PDFN5×6封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE将最大导通电阻做到1.4mΩ，典型值仅1.2mΩ，单位面积导通电阻(RSP)较上一代降低27%，导通损耗显著降低，有效降低高密度电源模块的热管理压力，散热设计得以简化，系统可靠性同步提升。

　　02 开关损耗大幅降低，让高频开关更“省”

　　栅极电荷Qg典型值为85nC，品质因数FOM(Qg × RDS(on))= 119，较上一代产品FOM值降低35%，与国际一线品牌产品同属行业第一梯队。FOM是衡量MOSFET导通损耗与开关损耗平衡能力的关键标尺。更小的Qg带来更快的开关速度与更低的驱动损耗，意味着在每次开关动作中“省”下更多能量。

　　03 更小输出电容，让高频转换更“快”

　　输出电容Coss典型值为1950pF，对比国际最先进工艺平台同规格产品减小约10%，在高频开关应用中优势凸显。输出电容决定了器件开关过渡的速度，在服务器电源高频化的趋势下，更小的输出电容意味着更快的开关过渡、更低的开关损耗，为更高开关频率的设计提供了空间。

　　04 双重散热方案，让器件选型更“活”

　　同一封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE与SVGP081R4NL5SCE-3HE分别支持单面散热与双面散热，两种散热路径使得选型更灵活。双面散热外形在底部散热基础上增加顶部导热通道，约20%~30%的热量经由顶部散发，能够减少热量向PCB积聚。使用不同材料和厚度的导热硅脂进行热仿真，相比同规格标准PDFN5×6封装，双面散热的热阻降低约66%，PCB的发热量(Tpcb-Ta)降低约30%，PCB自身温度降低，板上其他元器件(如电容、连接器)的热应力同步减小，有助于延长整个系统的寿命，实现器件同规格具备双选择。

　　在AI服务器电源系统中，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可部署于PSU的两个关键位置：PSU内部DC-DC副边同步整流(SR)，以及电源输出侧的ORing FET。

　　图1 数据中心典型供电架构

　　在DC-DC转换级，副边SR管承担大电流传导与高频开关任务。以LLC谐振拓扑为例，SR管工作在ZVS(零电压开通)条件下，开通损耗可忽略，损耗主要来自导通压降与关断过程。因此，低RDS(on)是降低导通损耗的核心，低Qg有助于降低驱动损耗与关断损耗，低Coss可减小死区期间的充放电损耗。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE以1.2mΩ典型RDS(on)、85nC Qg与1950pF Coss的均衡参数，适配高频LLC同步整流需求。

　　图2 服务器一次电源PSU内部拓扑(图腾柱PFC+LLC)

　　在服务器电源架构中，ORing FET通常串联于各PSU输出支路，常态下持续导通传输负载电流，故障时快速关断以实现隔离与防电流倒灌。因其几乎不参与开关动作，导通损耗(I²R)为主要损耗，低RDS(on)是核心选型指标;同时需具备足够的SOA与雪崩耐量，以承受热插拔及故障切换带来的瞬态应力。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE典型RDS(on)仅1.2mΩ，可有效降低大电流路径的发热与压降，提高电源工作效率。

　　图3 电源输出侧ORing FET 示意图

　　此外，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可进一步拓展至人形机器人等高景气赛道。以机器人关节模组为例，其低频大电流工况下，RDS(on)的毫欧级差异将被持续放大为显著的功耗与温升差异，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE 助力应用降低损耗和温升，满足系统对高效率与高可靠性的双重需求。

　　全球AI服务器功率需求正高速增长，单颗处理器电流将突破10,000安培。在AI算力场景下，MOSFET 的RDS(on)和FOM每1%的优化对AI电源能效提升至关重要。顺应行业发展趋势，士兰微依托全新SGT工艺平台，重磅推出SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE两款器件。产品在导通电阻、栅极电荷、输出电容等核心关键参数实现全方位提升，高度适配 AI 服务器电源、具身智能等高要求应用场景，是理想的功率器件选型方案。