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5G+<span style='color:red'>AI</span>双翼共振，广和通如何展翅高飞

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5G+AI双翼共振，广和通如何展翅高飞

　　工信部数据显示，截至2025年4月末，中国建成5G基站443.9万个，占全球5G基站总数近70%，实现县县通千兆、乡乡通5G、90%以上行政村覆盖，用户超10亿。6年间，中国5G实现了令人瞩目的网络规模化发展与丰富的行业应用，这也为AI提供连接血脉和数字通道。5G提供高带宽、低时延的确定性网络能力，支撑AI终端实时控制与数据增量训练。　　AI为5G注入智能灵魂。5G设备融合AI能力实现网络自主优化及性能升级，利用AI预测故障、动态优化流量，提升运维效率。随着AI智能终端的爆发式增长，AI应用与用户需求更倾向于实时交互与即时响应，大上行、低时延的5G技术正满足AI终端交互需求，同时加速5G规模化应用。　　场景革命：5G+AI的落地实践　　5G AI FWA解决方案　　5G FWA作为未来智慧家庭中心的核心业务，天然具备与AI融合的优势。目前，符合3GPP R18标准的5G平台均与AI有所融合。高通X85在FR1+FR2的情况下，下行速率高达12.5Gbps;MediaTek T930在Sub-6GHz频段实现了400MHz频宽的6 载波聚合(6CC-CA)，提供高达10Gbps的下行速率。5G平台通过与专用NPU整合，从而打造生成式 AI 网关设备，提供先进的边缘 AI 运算与网络内设备的交互功能，算力可达40TOPS。这一创新使FWA设备从单纯的“数据管道”升级为“家庭智能中枢”，广和通均向客户提供基于以上5G平台的AI FWA解决方案，为全球用户打造智慧家庭智能体、帮助全球运营商拓展商业模式创造了可能。　　随身算力解决方案　　随身算力将AI处理从云端下沉至用户侧，实现低延迟、高隐私、强实时的智能响应。这一趋势正随技术突破与应用场景扩展快速演进。在此背景下，稳定高速、智能的移动网络已成为商务、旅行、户外作业等场景的刚需。基于5G SoC的广和通5G AI MiFi解决方案支持在端侧部署如Qwen-1.8B-Chat等开源大模型，能高效处理端侧AI应用。在通信能力上，其支持3GPP R16协议和NR 2CC 120MHz。作为便携式智能终端解决方案，它还支持USB 3.1和15W反向充电功能，关键时刻可化身移动电源。该解决方案创新性整合了AI语音技术，支持20种语言互译。其定制的AI APP支持多场景语音唤醒，即使在嘈杂环境下仍有较高识别率，使得该方案还适用于翻译机、AI Buddy等终端。　　RedCap+AI解决方案　　5GRedCap在保留5GLAN、R17网络切片、VoNR等关键5G原生特性的前提下，通过裁剪频宽和空间流，简化基带和射频，进而优化成本、功耗和尺寸。经济适用的RedCap与端/云AI的技术融合，将为AI终端规模化应用提供加速度。利用“精准降本”与“智能增效”，广和通正积极关注RedCap+AI在工业视觉、可穿戴设备、车联网等智能领域的应用，解决传统5G在高成本、高功耗场景的落地难题，赋予边缘设备实时决策能力。　　广和通在5G+AI产业链中承上启下，始终在蜂窝通信之路上探索前进，以产品、生态、技术以及应用推动5G融合商用。广和通将持续助力移动宽带、消费电子、智能制造、车联网、机器人等行业焕发生机，加速5G+AI规模化应用。

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广和通

发布时间：2025-06-06 13:34 阅读量：313 继续阅读>>

ROHM开发出适用于<span style='color:red'>AI</span>服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

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ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

　　~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4，由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。　　为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。　　RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ，而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。　　与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。　　<开发背景>　　随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路　　・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备　　・UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年5月起　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RY7P250BM　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*4)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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发布时间：2025-06-04 09:42 阅读量：221 继续阅读>>

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障<span style='color:red'>AI</span>服务器电源高效可靠运行

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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。

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发布时间：2025-06-03 13:07 阅读量：417 继续阅读>>

“<span style='color:red'>AI</span>+”推动，我国半导体器件专用设备制造利润大增105.1%！

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“AI+”推动，我国半导体器件专用设备制造利润大增105.1%！

　　5月27日，国家统计局发布2025年1—4月份全国规模以上工业企业利润数据。数据显示，1—4月份，全国规上工业企业实现利润总额21170.2亿元，同比增长1.4%。制造业实现利润总额15549.3亿元，增长8.6%。　　国家统计局工业司统计师于卫宁分析指出，4月份，各地区、各部门加快落实更加积极有为的宏观政策，有力有效应对外部挑战，工业生产实现较快增长，带动规模以上工业企业利润增长加快。特别是以装备制造业、高技术制造业为代表的新动能行业利润增长较快，彰显工业经济发展韧性。　　工业企业利润增长加快。1—4月份，规上工业企业利润增长1.4%，较1—3月份加快0.6个百分点，延续恢复向好态势。从行业看，在41个工业大类行业中，有23个行业利润同比增长，增长面近六成。4月份，全国规模以上工业企业利润同比增长3.0%，较3月份加快0.4个百分点。　　装备制造业引领作用突出。随着工业产业优化升级深入推进，装备制造业效益持续提升。1—4月份，装备制造业利润同比增长11.2%，较1—3月份加快4.8个百分点;拉动全部规模以上工业利润增长3.6个百分点，拉动作用较1—3月份增强1.6个百分点，对规模以上工业利润增长的引领作用突出。从行业看，装备制造业的8个行业中，有7个行业利润实现两位数增长，6个行业较1—3月份增速加快，其中，仪器仪表、电气机械、通用设备、电子等行业利润分别增长22.0%、15.4%、11.7%、11.6%，较1—3月份加快6.7个、7.9个、2.2个、8.4个百分点。　　高技术制造业利润增长加快。1—4月份，高技术制造业利润同比增长9.0%，较1—3月份加快5.5个百分点，增速高于全部规模以上工业平均水平7.6个百分点。从行业看，随着制造业高端化持续推进，生物药品制品制造、飞机制造等行业利润同比增长24.3%、27.0%;“人工智能+”行动深入推进，半导体器件专用设备制造、电子电路制造、集成电路制造等行业利润分别增长105.1%、43.1%、42.2%;智能化产品助力数智化转型，相关的智能车载设备制造、智能无人飞行器制造、可穿戴智能设备制造等行业利润分别增长177.4%、167.9%、80.9%。　　“两新”政策效应持续显现。1—4月份，各地区各有关部门用足用好超长期特别国债资金，推动“两新”加力扩围政策继续显效。在大规模设备更新相关政策带动下，专用设备、通用设备行业利润同比分别增长13.2%、11.7%，合计拉动规模以上工业利润增长0.9个百分点。其中，电子和电工机械专用设备制造、通用零部件制造、采矿冶金建筑专用设备制造等行业利润快速增长，增速分别为69.8%、24.7%、18.3%。消费品以旧换新政策加力扩围效果明显，家用电力器具专用配件制造、家用厨房电器具制造、非电力家用器具制造等行业利润分别增长17.2%、17.1%和15.1%。　　“总体看，1—4月份规模以上工业企业利润稳定恢复，展现出我国工业强大韧性和抗冲击能力。但也要看到，国际环境变数仍多，需求不足、价格下降等制约因素仍然存在，工业企业效益稳步恢复的基础还需继续巩固。”于卫宁表示，下阶段，要深入贯彻落实党中央、国务院决策部署，推动科技创新和产业创新融合发展，优化调整产业结构，加快传统产业转型升级，培育壮大新兴产业，促进工业企业效益持续恢复向好。

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发布时间：2025-05-29 11:40 阅读量：225 继续阅读>>

瑞萨<span style='color:red'>AI</span>行车记录仪解决方案如何“玩转”出行安全

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瑞萨AI行车记录仪解决方案如何“玩转”出行安全

　　在繁忙的城市道路上，行车记录仪在交通事故定责、共享出行、车队监控等方面发挥着举足轻重的作用，在汽车安全领域受到高度重视，这也正是全球行车记录仪需求大幅增长的原因所在。　　瑞萨采用AI技术的行车记录仪系统解决方案进一步扩展了相关功能，使高级驾驶辅助系统(ADAS)、更高分辨率的视频处理和实时智能分析成为可能，为出行安全提供了全方位的保护。　　瑞萨AI行车记录仪解决方案　　功能完备，优势明显　　瑞萨AI行车记录仪系统配备高性能视觉AI MPU与高能效AI加速器，利用AI驱动的DRP-AI进行实时视觉推断，视频质量更佳，能够实现车牌、面部及远距离物体检测。　　该系统拥有较高的计算效率，可实现ADAS功能(如防碰撞警报)，进而增强车辆和驾驶员的整体安全性。双摄像头支持增强了感知能力，兼顾前置ADAS摄像头与驾驶员监控系统(DMS)。低功耗待机模式可延长运行时间，加速度计在检测到撞击或运动时，立即唤醒系统并进行记录，确保捕捉到关键事件。人机界面(HMI)集成支持触摸、LCD和语音控制，可提供直观、多功能和解放双手的用户体验。　　瑞萨AI行车记录仪系统由MPU和输入端的时钟发生器、环境光传感器、降压稳压器、电源管理以及输出端的无线通信和音频编解码器等部分构成。各部分协同运作，各司其职，保障系统高效运行。　　01MPU　　RZ/V2N是一款视觉AI微处理器(MPU)，配备瑞萨专有的AI加速器(DRP-AI3)，支持高达4TOPS(Dense模型)和15TOPS(Sparse模型)的AI性能。其CPU为四核Arm® Cortex®-A55(1.8GHz)和Arm Cortex-M33(200MHz)。RZ/V2N配备了ISP(图像信号处理器)和双通道MIPI® CSI-2®摄像头接口，可支持双摄像头信号处理，这对实现视觉系统至关重要。它还配备了PCIe®和USB 3.2等高速接口，可扩展外部设备，适用于需要低功耗和高级人工智能推理的应用，如DMS(驾驶员监控系统)、监控摄像头、移动机器人等。　　02可编程时钟发生器　　系统中的时钟发生器5L35023属于VersaClock 3S可编程时钟发生器系列，工作电压为1.8V，适用于工业、消费及PCI Express应用。它采用3 PLL架构，各PLL可单独编程，最多有6个独特频率输出。5L35023还具备主动节能(PPS)、性能功率平衡(PPB)、超调减少技术(ORT)以及极低功耗数字振荡器(DCO)等内置功能，能有效满足系统多样化时钟需求，助力系统稳定高效运行。　　03环境光传感器　　该系统中的环境光传感器ISL76682是带I²C(SMBus兼容)接口的汽车用集成光传感器，具有低功耗和高灵敏度。先进的光电二极管阵列可模拟人眼响应并具良好的红外抑制能力。该ADC还能抑制人工光源引起的50Hz和60Hz闪烁。　　04降压稳压器　　ISL80015等小型同步降压转换器能够以2.7V-5.5V输入电源提供高达2A连续输出电流。其峰值电流模式控制架构可实现非常低的占空比操作。1MHz或2MHz的开关频率能提供卓越的瞬态响应，并允许使用小型电感器。　　05电源管理　　RAA215300是一款高性能、低成本的9通道PMIC，适配32位和64位MCU、MPU应用，满足DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4等多种内存电源要求。内部补偿稳压器、实时时钟(RTC)、32kHz晶体振荡器和纽扣电池充电器共同提供了一个高度集成、占位面积小、稳定运行的电源解决方案，是MPU电源的理想之选。　　此外，多通道电源管理集成电路(PMIC)DA9215等是针对智能手机、平板电脑和其他便携式应用中的CPU、GPU和DDR内存轨供电优化的PMU，具有快速瞬态响应(10 A/µs)和负载调节能力。　　06无线通信　　无线通信模块中的DA16600是高度集成的超低功耗Wi-Fi®+蓝牙®低功耗组合模块方案，包含802.11b/g/n无线电(PHY)、基带处理器、媒体访问控制器(MAC)、片上存储器和主机网络应用处理器。其中的DA14531包含2.4GHz收发器与Arm®Cortex-M0+® MCU、48kB RAM及32kB一次性可编程(OTP)存储器。无线电收发器、基带处理器以及合格的Bluetooth®低功耗堆栈，完全契合蓝牙低功耗5.1标准，能满足多种场景需求。　　07编解码器　　DA7212是面向便携式音频设备的超低功耗音频编解码器(Codec)。其输入路径支持立体声FM线路输入和最多四个模拟(或两个模拟和两个数字)麦克风，有两个独立的麦克风偏置。输出驱动器具有全面模拟混合和旁路路径。耳机输出为真实接地Class G，内置电荷泵;此外，还有差分Class AB扬声器驱动器，可作单声道输出，充分满足便携式音频设备的多样需求。　　瑞萨AI记录仪方案适用于消费类AI行车记录仪、车队AI记录仪及前舱/后舱DMS摄像头等。它能够为记录行车状况、监测驾驶行为提供支持，通过高效的数据采集与智能分析处理获得精准的结果，保证驾驶安全。

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发布时间：2025-05-29 11:09 阅读量：214 继续阅读>>

美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入<span style='color:red'>AI</span>创新动能

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美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5

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发布时间：2025-05-28 09:36 阅读量：265 继续阅读>>

意法半导体微型<span style='color:red'>AI</span>传感器集成运动跟踪和高强度冲击测量功能，面向个人电子和物联网应用

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意法半导体微型AI传感器集成运动跟踪和高强度冲击测量功能，面向个人电子和物联网应用

　　意法半导体(简称ST)日前宣布了一款在一个节省空间的封装内集成运动跟踪传感器和高重力冲击测量传感器的惯性测量单元，装备该测量单元的设备可以非常准确地重构完整事件，提供更多的功能和出色的用户体验。随着新模块上市，市场期待移动设备、可穿戴设备、消费医疗产品以及智能家居、智能工业和智能驾驶设备出现强大的新功能。　　新传感器LSM6DSV320X是业界首款在常规尺寸模块(3mm x 2.5mm)内集成AI处理功能并能够连续记录运动和冲击数据的传感器。依托意法半导体在微机电系统(MEMS)设计方面的持续投入，这款创新的双加速度计传感器具有很高的运动跟踪和冲击测量准确度，运动跟踪量程高达16g，冲击量程高达320g。　　意法半导体APMS产品部副总裁兼MEMS子产品部总经理Simone Ferri表示：“我们的尖端AI MEMS传感器释放的潜能越来越多，可提升当今市场领先的智能应用的性能和能效。新惯性模块具备独特的双传感器架构，能够让设备和应用实现更智能的交互体验，并为智能手机、可穿戴设备、智能标签、资产监控器、事件数据记录器以及更大规模的基础设施等设备和应用带来更高的灵活性和准确度。”　　LSM6DSV320X的上市进一步扩大了意法半导体内置机器学习核心(MLC)的传感器产品家族，嵌入式AI处理器可直接在传感器内处理推理算法，从而降低系统功耗，并提升应用性能。新产品内置的两个加速度计采用意法半导体独有的先进技术，可以同时存在一个模块内，实现优异的测量性能。其中一个加速度计专门用于跟踪运动，具有非常高的分辨率，最大量程为±16g;另一个加速度计可测量高达±320g的冲击力，量化碰撞或高强度冲击事件等剧烈冲击。　　意法半导体新推出的AI MEMS传感器体积小，功能多，量程宽，准确度高，让消费电子和物联网产品具有更多的功能，同时保持时尚的外观或可穿戴特质。活动追踪器可以在标称量程内监测训练成绩，还能测量高强度冲击力，确保身体接触性运动的安全，为消费者和职业/半职业运动员创造价值。在消费电子市场上，游戏控制器利用这个传感器可以检测快速运动和冲击，提升用户体验。智能标签可以粘贴在物品上，记录运动、振动和冲击，确保物品安全和完整无损。　　意法半导体传感器的宽加速度量程还将为新一代智能消费医疗保健、工业安全等设备的升级进化赋能。个人劳保防护设备就是其中的一种潜在应用，在危险环境中保护工人作业安全，评估坠落或撞击的严重程度。其他用途还包括准确评估建筑物、桥梁等结构健康状况。　　该传感器的高集成度简化了产品设计和制造过程，让先进的监视器能够以具有竞争力的价格进入目标市场。设计师可以打造纤薄轻巧的外观设计，方便佩戴或安装到设备上。　　产品介绍　　LSM6DSV320X传感器在一个2.5mm x 3mm封装内集成叁个微机电系统(MEMS)传感器，其中包括一个±16g的加速度计、一个±320g的加速度计和一个±4000dps的MEMS陀螺仪。这叁个传感器完全同步工作，使模块易于使用，并有助于简化应用开发。　　除了高能效处理情境感知任务的MLC机器学习核心外，LSM6DSV320X还集成了有限状态机(FSM)，能够在模块内执行运动跟踪功能。数字电路还采用了意法半导体的低功耗传感器融合(SFLP)空间定位技术。　　像意法半导体的其他智能MEMS传感器一样，LSM6DSV320X也具有优化功耗的自适应自配置(ASC)功能。在检测到特定运动模式或MLC的信号时，具有ASC功能的传感器可以自动实时调整设置，无需主处理器干预。　　为了方便追踪高强度撞击，同时最大限度地改进低重力事件的测量准确度，意法半导体还为开发者提供整合低重力加速度计和高重力加速度计输出数据的Motion XLF专利软件库。通过X-CUBE-MEMS1软件套件，客户工程团队可以在设计中自由使用该软件库。意法半导体还提供免费的图形设计工具，帮助开发者评估、配置和测试LSM6DSV320X传感器和嵌入式AI核心，并将设计项目连接到STM32应用。这些工具包括ST Edge AI Suite的MEMS Studio软件和基于Web的开发环境ST AIoT Craft，该开发环境提供用于开发和配置节点到云端AIoT(人工智能物联网)项目的工具。　　LSM6DSV320X现已出现在ST Edge AI Suite的支持设备名单内，并将于2025年底添加到ST AIoT Craft支持的设备名单内。

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发布时间：2025-05-23 11:31 阅读量：285 继续阅读>>

瑞萨电子与华南理工大学共建嵌入式<span style='color:red'>AI</span>联合实验室揭牌仪式圆满举行

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瑞萨电子与华南理工大学共建嵌入式AI联合实验室揭牌仪式圆满举行

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与华南理工大学共建嵌入式AI联合实验室，并于近日举行了揭牌仪式。双方围绕人工智能算法与硬件协同创新等前沿领域开展深度研讨，将围绕在技术合作、教学科研平台建设、以及高层次人才培养等方面建立长效协同机制，共同推动人工智能技术的创新应用与产业发展。　　▲左：瑞萨电子嵌入式处理器事业部副总裁関俊彦　　▲右：华南理工大学计算机科学与工程学院副院长敬超　　华南理工大学计算机科学与工程学院副院长敬超教授代表学校及学院，向瑞萨公司代表团致以诚挚欢迎，并对双方共建联合实验室的正式成立表示热烈祝贺。他强调，期待校企双方基于既有合作基础，充分发挥各方资源优势与技术优势，通过协同创新实现优势互补，深化多维度战略合作，共同推进人工智能技术与实体产业的深度融合，并加速应用场景创新与复合型人才培养体系建设。计算机科学与工程学院毕盛副教授阐释了其科研团队在嵌入式系统与人工智能交叉领域的创新性研究成果，着重展示了在瑞萨Arm Cortex-M85内核RA8D1 MCU及Arm Cortex-M33内核RA6T2 MCU平台上的实践成果与创新性应用。　　瑞萨电子嵌入式处理器事业部副总裁関俊彦先生阐述了瑞萨电子在嵌入式处理器领域的市场战略规划，深度解析了全球产业应用技术演进趋势，并重点介绍了公司在人工智能与机器学习领域构建的全方位技术解决方案体系。関俊彦先生表示瑞萨电子在深化中国市场的战略布局中，除持续强化研发制造、产品设计及生态体系建设外，尤为重视高等教育领域的战略合作。公司将充分发挥在嵌入式处理器研发及人工智能、电机控制等核心技术领域的领先优势，通过系统性大学合作计划着力培育新一代嵌入式技术创新人才，矢志成为支撑中国高等教育发展的核心合作伙伴。　　随后双方共同参观了实验室，实验室团队成员展示了基于瑞萨电子人工智能技术方案Reality AI与e-AI在瑞萨Arm Cortex-M85内核RA8D1 MCU及Arm Cortex-M33内核RA6T2 MCU平台上的实践成果。　　▲双方代表合影　　华南理工大学计算机科学与工程学院副院长敬超、华南理工大学计算机科学与工程学院毕盛等师生代表，瑞萨电子嵌入式处理器事业部副总裁関俊彦、瑞萨电子嵌入式处理器事业部市场总监沈清、全球销售与市场技术支持经理王传雷、嵌入式处理器事业部高级经理陈峰等共同出席了本次仪式。

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瑞萨电子

发布时间：2025-05-22 10:19 阅读量：281 继续阅读>>

广和通5G <span style='color:red'>AI</span> MiFi解决方案助力移动宽带终端迈向<span style='color:red'>AI</span>新未来

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广和通5G AI MiFi解决方案助力移动宽带终端迈向AI新未来

　　随着5G与AI不断融合，稳定高速、智能的移动网络已成为商务、旅行、户外作业等场景的刚需。广和通5G AI MiFi方案凭借领先技术与创新设计，重新定义5G移动网络体验。　　广和通5G AI MiFi 方案搭载高通 4nm制程QCM4490平台，融合手机级超低功耗技术与精密电路设计，在保障高效运算的同时，有效控制能耗并优化成本。　　在通信能力上，其支持3GPP R16协议和NR 2CC 120MHz;在SA模式下，其下行速率达2.3Gbps;在NSA模式下，下行速率达2.5Gbps。该方案可选搭配AX3600的Wi-Fi 6E或BE5800的Wi-Fi 7方案，便于客户灵活选择，可支持2.4GHz+5GHz和2.4GHz+6GHz的DBS(双频并发)，以及5GHz+6GHz的HBS(高频并发)。　　在操作系统上，为适应MiFi应用的实际需求，5G AI MiFi解决方案在原生Android 13系统上进行裁剪，能够显著提升性能，系统效率更高，功耗更低。该方案支持USB 3.1协议，理论传输速率可达5Gbps。因此，该方案除了可用于5G MiFi，还适用于USB Dongle这类5G移动宽带终端。　　值得一提的是，5G AI MiFi解决方案基于QCM4490平台。QCM4490是异构处理器，除了有强大的8核CPU(2xA78@2.4GHz + 6xA55@2.0GHz)，还集成了高通的GPU(Adreno 613 @1010MHz)，相较于其他不带GPU的方案，能更高效地处理端侧AI应用，拓展至更多AI应用场景。经广和通实测，本方案可部署如Qwen-1.8B-Chat等端侧开源大模型。　　从商务办公到全球旅行，广和通5G AI MiFi解决方案具备高性价比，可支持Wi-Fi 7，助力5G移动宽带终端进入全新AI发展阶段。

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广和通

发布时间：2025-05-22 10:16 阅读量：258 继续阅读>>

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广和通AI能力与产品升级，助力智能硬件企业拥抱AI新时代

　　随着人工智能(AI)浪潮重塑全球产业格局，无线通信与AI的融合正加速推动AIoT迈入智能化新阶段。多元化的智能应用场景日益增长，对性能、功耗与成本提出更高要求。作为全球领先的无线通信模组与AI解决方案提供商，广和通(Fibocom)正通过AI平台化思维重构核心能力，推动AI与通信深度融合，为行业智能化升级注入新动能。　　广和通CEO应凌鹏表示：“过去通信模组的核心价值是‘连接’，如今我们看到AI能力正快速向终端扩展，让模组演变为具备计算、感知与决策能力的‘智能中心’。‘端云协同’正是AI与通信融合的价值体现，模组的角色正在被重新定义。”　　软硬协同，广和通全栈式解决方案驱动万物智联　　依托在无线通信、AI技术以及软硬件协同方面的深厚积累，广和通积极布局边缘计算节点，推动终端AI化进程。公司发布“AI For X”，围绕全方位AI能力、产品矩阵、行业解决方案及生态协同，赋能多行业从“万物互联”迈向“万物智联”。　　在AI应用与技术落地方面，广和通聚焦智能机器人、自动驾驶、工业控制、智慧零售等多个垂直场景，提供灵活的AI解决方案。针对轻量级AI需求，公司推出搭载语音与视觉交互能力的大模型解决方案，适用于AI玩具、智能音箱等智能设备的升级;而在端侧AI方面，广和通“星云系列”、“天擎平台”等方案支持将大模型部署至设备端，显著降低时延与功耗，提升实时响应与用户体验。　　广和通全栈式解决方案涵盖AIoT模组、AI模型、智能体、全球资费及云服务，广泛应用于智能机器人、消费电子、低空经济、智能驾驶、智慧零售、智慧能源等行业，助力客户加速数智化转型。所有解决方案基于“软硬融合、全栈协同”的理念构建，进一步巩固了广和通在AIoT平台领域的领先地位。　　AI + 垂直场景，加速终端智能化落地　　近年来，广和通积极布局智能机器人领域，旗下自研的具身智能开发平台Fibot，集成AI算法、IoT连接与自动化控制，成功助力多家国际一线机器人品牌实现产品智能升级。值得一提的是，广和通于2025年发布全球首款“纯视觉”智能割草机方案，完全不依赖物理边界或基站辅助，仅通过机器视觉与AI算法实现精准导航与避障，开创“感知即行动”的新路径。　　应凌鹏指出：“‘纯视觉’不仅是一次技术创新，更预示着智能设备发展的未来方向。”该方案已在多个欧洲国家上市，并荣获德国权威媒体Heimwerker五星满分测评，充分展现广和通AI技术的实用性与全球竞争力。　　同时，广和通也深耕5G FWA场景，推出融合AI算力与通信能力的“天擎平台”，重新定义FWA终端价值。该平台具备本地AI推理、多任务并发与设备协同能力，可作为智能家庭、远程办公、影音处理等边缘应用的“超级智能体”核心枢纽，助力运营商从“流量提供者”向“智能服务提供者”转型。　　通过“算法 + 算力”的双轮驱动战略，广和通正持续推动AI垂直场景的落地进程，展现出其从通信模组供应商向AI解决方案领导者转型的坚定步伐与前瞻布局。　　直面挑战，构建AI融合的可持续路径　　在终端AI化加速发展的趋势下，广和通洞察背后的关键挑战，并提出系统化应对策略。　　首先，针对数据安全与隐私保护，广和通从产品设计阶段贯彻“数据最小化”原则，强化本地处理能力，降低数据泄露风险，增强用户信任感;其次，面对低功耗应用场景，公司推出兼具高性能与低能耗的AI硬件方案，从芯片架构到算法层层优化，实现资源调度最优;此外，在算力资源与生态协同方面，广和通打造开放灵活的协同平台，推动客户与合作伙伴共享AI技术红利，加速多样化应用落地。　　应凌鹏强调：“我们坚持长期主义，围绕商业价值与规模化应用，聚焦端侧AI解决方案，稳步推进AI与通信的融合落地。模组作为最贴近终端的数据入口，未来也将成为AI能力释放的关键出口。”　　站在AI浪潮的十字路口，广和通将持续以AI为引擎，提供智能化底层支撑，携手全球伙伴推动AIoT产业迈向新阶段的飞跃发展。

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广和通

发布时间：2025-05-21 10:02 阅读量：285 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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