<span style='color:red'>DDR4</span>价格暴涨近500%！
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DDR4价格暴涨近500%！

　　在人工智能 (AI) 热潮的推动下，DRAM 价格飙升至与 2017 年热潮时期相当的水平。　　据市场调研公司TrendForce于9月29日的数据显示，通用 DRAM(DDR4 8Gb)的平均现货价格上月达到 5.868 美元，创下年内最高水平。与第一季度 1 美元的低位相比，这一价格上涨了近五倍，达到近 6 美元。　　DRAMeXchange 报告显示，主流内存半导体 DDR5 16Gb 的平均现货价格达到 6.927 美元，较年初的 4.70 美元上涨了 40% 以上。这一价格正迅速逼近半导体热潮高峰期 2018 年的价格(7.19-8.19 美元)。　　随着更多存储产品涨价，受影响的终端产品也越来越多。DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X被手机、电脑、服务器等产品用作内存介质，NAND Flash则被用于制作SSD(固态硬盘)，越来越多搭载于数据中心服务器。这些存储产品涨价背后，都与AI需求增长下，存储原厂的生产策略和价格策略调整有关。　　DRAM产品中，DDR4和LPDDR4X最早开始涨价。群智咨询表示，由于原厂产能倾向于向HBM(高带宽内存)、DDR5等高利润产品转移，希望优先将产能分配给高附加值产品等原因，头部存储厂商已给出LPDDR4X停产时间点，其中美光和SK海力士将于今年年底停止接收新订单，市场预期三星将在2026年逐步停产，国内厂商产能也向LPDDR5X倾斜。　　“尽管LPDDR4X逐步减产，市场需求却逆势上扬。今年第三季度LPDDR4X合约价涨幅高达24%~36%。”群智咨询称。闪存市场表示，因部分原厂暂停报价，并传出将大幅上调价格的消息，高位横盘一个多月的LPDDR4X近期再次迎来上涨行情，预计DDR4、LPDDR4X价格上涨将延续至今年年底。　　DDR4、LPDDR4X停产背后，DRAM存储厂商应对新兴的AI市场，开始加快制程转换，并倾向于发展下一代的DDR5及HBM。其中，HBM已是不少高性能AI芯片的必需。DDR4、LPDDR4X则成为弃子。　　近期DDR5和NAND Flash涨价同样与AI基础设施建设热潮有关。OpenAI宣布将在美国新建5个AI数据中心，预计未来3年总投资超4000亿美元，显示AI发展仍需大量AI基础设施。　　TrendForce集邦咨询表示，云服务厂商积极建设基础设施，DDR5需求增强，美国云服务厂商为确保获得足量供应，计划提前于今年第四季度为明年的建设开始采购。然而，由于原厂规划明年上半年优先向HBM4提供产能等原因，DDR5供给还是存在变数。同时，由于原厂积极将产能转移至服务器用的DDR5，PC用的DDR5供应规模也受限。　　无法同时满足市场对各种DRAM产品的需求，本质上与存储原厂的产能紧张有关。近日存储原厂美光的业绩交流会上，该公司CFO Mark Murphy表示，要增加新的洁净室空间既耗时又昂贵，HBM对硅片的需求较高也加剧了产能紧张。　　供应紧张情况下，机构预测今年第四季度多类DRAM产品将继续涨价。　　TrendForce集邦咨询表示，面向消费者的DDR4第三季度价格接近翻倍。终端品牌厂商为了防止供应断裂，加强了智能手机LPDDR4X备货，导致供需失衡，预计第四季度LPDDR4X价格将上涨10%以上。第四季度DDR5价格预计也将维持上涨，包括用于PC的DRAM产品将涨价，LPDDR5X价格也将维持上扬走势。第四季度，除HBM外的一般型DRAM预计价格环比上涨8%~13%。
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发布时间：2025-09-30 15:15 阅读量：1075 继续阅读>>
三星和SK海力士将延长<span style='color:red'>DDR4</span>生产至明年！
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三星和SK海力士将延长DDR4生产至明年！

　　据报道，由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。　　今年早些时候，三星电子、SK 海力士和美光陆续发布了计划停产DDR4的消息。今年4月，有报道称三星电子已向客户发出通知，多款DDR4内存模块将在2025年底达到产品生命周期的终点(EOL)，最终订购截止日期为2024年6月上旬。根据供应链消息，三星的多款8GB、16GB DDR4 SODIMM和UDIMM模块即将停止生产，最后一批货物的交付时间定在2024年12月10日。　　继三星电子之后，SK海力士也开始逐步减少DDR4产能，计划将DDR4产能压缩至20%左右，向供应商通知DDR4颗粒的EOL信件，推动供应链加速转单。　　今年6月，美光发布了DDR4和LPDDR4的生命周期终止(EOL)通知，预计DDR4的出货将在2-3个月内结束。　　DDR4短缺引发价格飙升，甚至出现价格倒挂　　三大原厂之所以相继选择停产DDR4，是因为要将宝贵的晶圆产能与研发资源，优先投入到以HBM为代表的、面向AI服务器的高附加值产品中。例如，SK海力士在其2025年第一季度实现了高达42%的营业利润率，并预计HBM销售额在2025年将占其总内存销售额的50%以上。　　但令人意外的是，由于停产导致DDR4短缺，产品价格反而一路上涨，甚至出现了罕见的价格倒挂。　　根据Trend Force数据显示，5月DDR4单月涨幅达53%，创2017年以来最高涨幅。而6月，DDR4 8Gb批发价为4.12美元左右、容量较小的4Gb产品价格为3.14美元左右，均是前一个月份(2.06美元、1.57美元)的2倍水平，且为连续第3个月上涨。其中4Gb产品价格创2021年7月以来新高。7月，消费DDR4合约价飙涨超60~85%，其中PC DDR4 8GB模组价格已超越同容量的DDR5模组，出现罕见的“价格倒挂”。　　业内人士表示，尽管DDR5是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4仍是更具性价比的选择。此外，部分仍在服役的英特尔旧款CPU平台仅支持DDR4，也构成了其需求的底层支撑，正是这部分刚性需求，为市场的询价提供了热度基础。　　DDR4价格上涨的市场行情还会持续吗?　　展望第三季度，DDR4还会持续价格上涨吗?　　有分析认为，经过一个多季度轰轰烈烈的上涨行情之后，服务器DDR4内存条成交市场已经显著降温，动辄高于DDR5的市场报价，严重打击客户积极性，过高的成本甚至引发部分低端服务器亏钱的窘况。随着部分原厂延长DDR4供应期限，并适当加大供应，部分客户需求缺口已经收窄，即便部分客户目前仍有部分DDR4供应缺口，但高昂价格下及一定库存水位下，也宁愿静观其变。在供应与价格双重压制下，服务器客户对于切换至DDR5平台依然有心理预期，部分厂商已经开始着手升级，然而，DDR5平台及基板定制料也将为成本带来巨大压力。　　在对价格更为敏感的消费类市场，大部分终端客户会选择了“松手”并转换赛道。DDR4与DDR5之间日益缩小的价差乃至“倒挂”，正在“倒逼”PC市场的渠道客户“从DDR4升级至DDR5”。华强北商家曾表示，在DDR4现货短缺的情况下，会主动推荐客户转向供应更稳定、价格差距不大的DDR5产品。　　在TrendForce看来，2025年下半年DDR4市场处于持续供不应求与价格强势上涨态势，由于服务器的刚性订单挤压了PC和消费类市场的供应，PC OEM不得不加速导入DDR5方案，消费类厂商则面临高价、难以获取物料的挑战，而DDR市场供需紧张也推升Mobile DRAM合约价格，第三季LPDDR4X涨幅为近十年单季最大。
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发布时间：2025-09-03 13:42 阅读量：796 继续阅读>>
<span style='color:red'>DDR4</span>第3季度合约价暴涨85-90%！
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DDR4第3季度合约价暴涨85-90%！

　　8月11日，市调机构集邦科技表示，下半年DDR4市场将持续供不应求，产品价格将强势上涨。其中，消费性市场因供给排序在计算机和服务器之后，DDR4供需失衡情况相对严峻，预期第3季合约价将劲扬85%至90%。　　动态随机存取存储器(DRAM)供应商与计算机代工厂陆续议定第3季合约价，由于DRAM供应商产能有限，且生产资源向服务器市场倾斜，导致多数计算机相关需求难以被满足。　　7月计算机DDR4 8GB模块价格已超越相同容量的DDR5模块，出现罕见的「价格倒挂」情况。许多代工厂因争取不到货源，只能下修DDR4机种的产销规划，扩大DDR5机种比例。　　DDR4在计算机存储器市场已呈价涨量缩态势，预期未来DDR4产品逐步退出新机种配置趋势成形。　　DDR4于AI运算与高效资料处理已成为新一代资料中心标配，云端服务供应业者(CSP)密集对DRAM供应商追加订单，供应商皆优先满足服务器客户订单。预期2026年DDR5在服务器市场渗透率进一步提高后，对DDR4的需求将逐步趋缓。　　集邦科技预估，第3季计算机DDR4合约价将上扬38%至43%，服务器DDR4合约价将上涨约28%至33%。　　消费性DRAM供应较计算机和服务器市场更加窘迫，集邦科技指出，终端需求来自工控、网通、电视、消费性电子及控制器等，存储器主要规格为DDR4，但供给排序在计算机与服务器之后，使得市场供需失衡相对更加严峻。　　7月消费性DDR4合约价飙涨60%至85%，预期第3季消费性DDR4合约价可望劲扬85%至90%。　　集邦科技表示，目前中低阶智慧手机仍主要使用LPDDR4X，随着美、韩系供应商将于2025至2026年间减少或停止供应LPDDR4X，加深市场恐慌情绪，第3季LPDDR4X合约价涨幅随之扩大，预期涨幅将达38%至43%，将创下近10年来单季最大涨幅。
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发布时间：2025-08-13 15:11 阅读量：1059 继续阅读>>
力芯微推出 用于<span style='color:red'>DDR4</span> 灌/拉电流2A LDO ET51200
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力芯微推出 用于DDR4 灌/拉电流2A LDO ET51200

　　产品概述　　ET51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。　　ET51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 较小输出电容。ET51200 支持遥感功能，并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。　　此外，ET51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。　　ET51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。　　产品特性　　输入电压范围：　　输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨　　VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V　　具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器　　需要较小的输出电容 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC)，即可用于存储器终端应用 (DDR)　　具有使能控制功能　　REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪　　±10mA带载能力的缓冲基准　　用于监视输出稳压的 PGOOD　　内置软启动，欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)　　极佳的输入和负载瞬态响应　　热关断　　支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用　　封装：DFN10(3×3) 带有散热焊盘的 10 引脚封装　　管脚定义　　典型应用
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发布时间：2025-08-13 14:25 阅读量：605 继续阅读>>
<span style='color:red'>DDR4</span>现货价格暴涨30%！
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DDR4现货价格暴涨30%！

　　近期，随着内存三大原厂宣布退出DDR4市场，DDR4价格狂涨，甚至超过DDR5，近日市场神秘买盘大举出手扫货，象征OEM/ODM厂正全力巩固DDR4货源，最新DDR4 DRAM现货价包括8Gb、16Gb等规格单日都暴涨近8%，涨幅令业界瞠目结舌，本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让业者暴赚的水平。　　根据研调机构集邦科技(TrendForce)旗下DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价，上周五(13日)晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 16Gb(1G×16)3200 均价为8.2美元，大涨7.9%;DDR4 8Gb(1G×8)3200均价为3.775美元，大涨7.8%;DDR4 8Gb(512M×16)3200 均价为3.824美元，涨幅为7.99%。　　本周价格继续飙升，根据6月19日最新报价，DDR4 16Gb(1G×16)3200现货价均价为10.75美元，大涨7.5%;DDR4 8Gb(1G×8)3200 均价为4.884美元，大涨6.75%;DDR4 8Gb(512M×16)3200均价为5.229美元，涨幅为7.77%。　　从6月13日至6月19日，短短几天，DDR4涨幅已达到30%左右。6月19日报价6月13日报价　　业界指出，由于现阶段大厂都陆续停产，并发出 EOL 通知，台厂如南亚科产能也相对有限，在产能不足，且现阶段仍采用 DDR4 的产品多属于工控相关应用，更改板子设计不易，在预期心理驱动下，才会出现抢购 DDR4 的情况。　　厂商反映，尽管客户有一定安全库存，但在当前市场供不应求、价格飞涨的情况下，恐慌性追货现象大增，进一步加剧了市场的供货压力，库存管控难度也大幅提升。　　在这种形势下，市场预计这波涨势短期内难以停歇，甚至有望一路看涨到2025年底。
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发布时间：2025-06-20 13:40 阅读量：2171 继续阅读>>
佰维特存推出工业级ECC <span style='color:red'>DDR4</span> SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求
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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
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发布时间：2024-11-15 13:31 阅读量：1029 继续阅读>>
佰维存储推出工规级宽温LP<span style='color:red'>DDR4</span>X芯片，高可靠性赋能工业与汽车电子应用
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佰维存储推出工规级宽温LPDDR4X芯片，高可靠性赋能工业与汽车电子应用

　　近日，佰维存储发布了工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片，该产品传输速率高达4266Mbps，容量覆盖2GB~8GB，可适应-40℃~95℃宽温工作环境;采用BGA 200 Ball封装，尺寸小至10.0x14.5x1.0mm，满足数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化等众多工业领域的高质量存储需求。　　传输速率达4266Mbps，性能功耗双升级　　佰维工规级LPDDR4X遵循JEDEC设计标准，传输速率高达4266Mbps，VDDQ电压低至0.6V，融入PASR(Partial Array Self-Refresh)休眠机制，相较上一代LPDDR3产品性能提升128%，功耗降低超过50%，实现更高速率基础上的更低功耗，不仅可高效、及时响应系统操作指令，支持多线程任务管理，还将助力工业/汽车电子设备节能续航，从容应对高强度的工作负载。此外，产品内置ODT、DQS技术特性，增强信号稳定性与抗干扰能力，优化客户的数据传输体验。　　严格的工规级设计与测试，-40℃~95℃宽温工作，坚守稳定与可靠性　　佰维构建起贯穿产品全生命周期的工规级质量管理流程，覆盖工车规产品选型、软硬件设计、封装测试、生产制造以及供应体系管理的各个阶段。佰维工规级LPDDR4X采用高标准的工业级基板和封装材料，支持-40℃~95℃宽温工作环境，无惧恶劣的作业场景;采用BGA 200 BALL封装，可高度兼容市面上主流的操作系统与平台。　　依托公司自主开发测试软件平台与核心测试算法，搭配公司引入的爱德万、Turbocats等高端半导体测试设备，佰维工规级LPDDR4X嵌入式产品100%经过ATE电性测试、高低温测试、老化测试、SLT系统级测试，有力确保产品在实际使用中的性能一致性和持久耐用性。　　长期稳定供应，经验丰富的专业团队，产品全生命周期服务　　公司拥有惠州佰维先进封装测试制造中心，构建了高效且持久稳定的产能供应体系，可为LPDDR4X产品提供长期供货保障;同时，公司拥有全球分布的立体化销售、生产交付网络及一流的市场营销服务团队，为行业客户提供快速、高效、专业的全生命周期服务，包括不限于实时的FAE支持、本地化服务、联合技术开发等。　　佰维工规级LPDDR4X作为佰维特存品牌中高标准的嵌入式存储产品，兼具高可靠、高性能、高耐用、长寿命等优势，旨在为工业级、汽车客户提供高附加值、颇具竞争力的产品，赋能数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化、安防监控、工业IPC、电力、医疗、金融终端等领域迈向数智化新程。　　佰维特存　　佰维特存是佰维存储旗下专注于工车规市场的存储品牌，致力于为工业级与汽车电子应用打造高可靠、高安全、可信赖的存储解决方案，产品涵盖固态硬盘、内存模组、嵌入式存储、存储卡等完整的品类矩阵，广泛应用于数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化、安防监控、工业IPC、电力、医疗、金融终端等多元化领域。基于公司在工业级软件算法、介质研究、硬件设计、封装测试、供应连续性保障等关键领域所构建的坚实能力，佰维特存将持续丰富产品类型，为客户提供性能优越、品质优良的存储解决方案以及完善的服务体验。
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发布时间：2024-05-06 13:39 阅读量：1324 继续阅读>>
传三星下半年将再度减产<span style='color:red'>DDR4</span> 有望带动价格上升
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传三星下半年将再度减产DDR4 有望带动价格上升

　　据媒体报道，业内人士预计三星将在下半年再次减产DRAM。今年以来，该公司减产的主要项目几乎都是DDR4，目标是在年底前将库存降至健康水平。　　DDR4是较为常见、主流的DRAM产品。市调机构集邦咨询9月13日的报告指出，本周低价位DRAM芯片的现货价格开始上升，整体DRAM现货价格有所企稳，现货成交量也有所增加。以主流芯片DDR4 1Gx8 2666MT/s为例，其现货均价从上周的1.450美元上涨0.28%至本周的1.454美元。　　业内人士认为，在三星大砍DDR4产能情况下，有望带动DDR4产品价格上涨，预期最快今年底的DDR4市场报价将开始拉升。　　具体而言，目前英特尔、AMD等厂商的PC/笔电新品、服务器平台已经转向新一代DDR5产品，导致DDR4需求量有所下降。为此，存储巨头三星已经加大了对DDR5产品的研发力度，并大幅缩减DDR4产能。然而，DDR4仍然是目前主流的DRAM产品，其终端市场规模不会迅速缩水。因此，在供给端减产的同时，DDR4需求下降的速度预计会低于供给速度，从而有望推高DDR4的价格。
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发布时间：2023-09-18 10:55 阅读量：2600 继续阅读>>
佰维BIWIN推出基于LP<span style='color:red'>DDR4</span>X 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证
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佰维BIWIN推出基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证

　　智能穿戴设备不断向多功能集成、持久续航、使用体验流畅等方向发展与升级，对存储芯片在尺寸、功耗、性能和应用调校等诸多方面提出了更高要求，ePOP存储芯片凭借小尺寸、低功耗、高性能和高可靠等特点，成为智能穿戴设备的绝佳选择。佰维存储基于前代LPDDR3 ePOP产品的成功经验，面向高端智能手表推出了基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，方案相较前代产品频率提升了128.6%、体积减少了32%，并正式通过高通5100平台认证。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP采用eMMC5.1与LPDDR4X合封的形式，芯片尺寸仅为8.0mm× 9.5mm×0.8mm，ROM顺序读写速度分别高达310MB/s、240MB/s，RAM频率高达4266Mbps，容量组合最高至32GB+16Gb（未来将推出容量64GB+16Gb），是佰维面向高端智能手表推出的新一代旗舰存储解决方案。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP优势：　　1.符合JEDEC标准，集成eMMC5.1和LPDDR4X，且通过直接贴装在SoC芯片上，赋能智能手表轻薄设计。　　2.基于低功耗LPDRAM和固件优化降低功耗，且相较前代ePOP产品频率提升128.6%，兼顾低功耗、高性能。　　3.具有全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法、支持FFU升级等功能，且支持-20℃~85℃宽温工作环境，护航数据完整、可靠存储。　　4.通过高通5100 SoC平台认证，助力终端客户简化系统设计、加速终端产品上市。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP产品凭借高性能、低功耗、高可靠等特性，从存储端提升智能手表等智能穿戴设备的整体使用体验。其中，ePOP的高性能特性，可为设备提供高效快速的数据存储支撑，助力提升设备开关机、APP启动关闭、熄屏锁屏等操作的流畅性，同时能够高效处理不同传感器差异化负载和多线程存储需求，确保快速响应用户的操作和指令；ePOP的低功耗特性，在设备多线程、高负载、长时间工作的场景中，助力减少设备发热，防止设备宕机以及产品过热影响用户体验；ePOP的高可靠特性，能够从容应对设备蓝屏、冷启动、复位等异常情况，保证数据完整存储的同时，助力设备稳定、可靠运行。　　相较于通用型的手机存储芯片而言，智能穿戴存储在通用型存储解决方案的基础上对于厂商的快速响应和客制化能力也相应的提出了更高的要求。佰维ePOP存储芯片则集中体现了公司研发封测一体化布局的优势：凭借在研发能力支持下的高性能、低功耗优势，以及在专精的存储器封测能力支持下小尺寸、高可靠等优势，公司的ePOP等智能穿戴存储产品已进入全球TOP级客户的供应链体系，并占据优势份额。在实际的合作案例中，佰维协同终端客户一起，展开了SOC平台、存储、系统、应用等多方联动的调校支持与赋能，洞悉用户使用场景并不断优化，致力于让终端设备体验更流畅和丝滑，打造终端产品的强势竞争力。
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发布时间：2023-07-17 10:10 阅读量：1936 继续阅读>>
<span style='color:red'>DDR4</span>半年翻倍,DRAM Q4续涨,小编快要攒不起电脑了
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DDR4半年翻倍,DRAM Q4续涨,小编快要攒不起电脑了

受DRAM缺货影响，自2月以来短短半年DDR4价格一路飙升，由于DRAM大厂供货紧张短期内难以缓解，未来一段时间DDR4恐将持续看涨……. 经查询，现在京东商城销售的金士顿DDR4 2400MHz 8GB内存，售价为769元，而去年底的价格在349元，今年2月份的价格在359元，有网友表示更早前买过225元的。可见，半年时间DDR4内存涨价幅度超过114%。网友们直呼涨太快，眼看一路上涨担心不久之后突破一千元大关。据台湾媒体报道，下半年DRAM市场严重缺货，DDR4晶片更因货源不足，价格已连续两周创下历史新天价。今年下半年以来DRAM市场一直供不应求，其中用在电脑及伺服器的DDR4缺货情况最为严重，不仅第3季合约价涨幅扩大，4Gb DDR4原厂颗粒现货价昨日更创4.3美元历史新天价。业内人士指出，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂，今年底前的DDR4产能已全数改用配销（allocation）方式出货，现货价很快就可看到5美元。DRAM市场格局及产能 全球DRAM市场规模约410亿美元,其中三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势，三家占据95%以上的市场份额，行业具有寡头垄断特征。 三星无论工艺、产能还是占有率都有绝对优势。2014年第一个量产20nmDRAM工艺之后，再次领先并量产18nmDRAM。随着市场需求转变以及20纳米逐渐成熟，DDR4的生产比例越来越高。2015年由于英特尔(Intel)平台支援度的问题，DDR4的导入主要发生在伺服器端，并且已经率先在第四季取代DDR3成为主流。个人电脑/笔记型电脑端由新平台Skylake开始采用DDR4，在2016年第二季起放量，成为主流解决方案。2017年第二季标准型记忆体跟伺服器记忆体合约价再度上涨逾一成，三星、SK Hynix、美光等三大厂商近一期的营收都创下新高，而总体季增长幅度在 16.9%，与合约价格的趋势相近。 从集邦科技DRAMeXchange 数据显示， 2017年第二季度DRAM厂商三星较第一季度营收成长20.7%，市占46.2%。SK海力士上涨11.2%，市占27.3%;美光增幅为20.2%，市占21.6%。从调研最新预测，预估 2018 年 DRAM 产业的供给年成长率为 19.6%，维持在近年来的低点，然从需求端来看，智慧型手机记忆体容量持续升级，以及伺服器/资料中心的强劲需求，预估 2018 年整体 DRAM 需求端年成长预计将达20.6%，吃紧态势将延续。那么各家先进制程转进进度、良率以及产能利用率如何，据半导体冷眼视角分析：三星仍是技术力最强的公司，目前主力制程为 18 纳米其良率早已超过 85%，预计今年在三星内部占比将接近五成，明年往七成的比重迈进。从三星以往一个制程进入成熟阶段后，会在一年内将其比重拉到八成的往例来看，三星在 18 纳米制程刻意放慢脚步，除了竞争对手跟三星相比依旧有段差距外，藉此减缓资本支出，也是维持获利的一种手段。三星每月平均投片量约 390K，目前产能增加的空间已相当有限，仅有 Line17 以及部份 Line15 空间可以增加产能，最多多出约 50～70K 的空间供 DRAM 生产之用。在新厂计画方面，三星属意于平泽兴建第二座12 吋厂，此工厂将会以 DRAM 为主力产品，不过厂房兴建及量产时程仍在研拟阶段。SK 海力士目前的制程以 21 纳米制程为主，预计今年年底占比约七成，其余都是 25 纳米制程，今年受限于工厂空间不足的关系，21 纳米制程已无再提升比重的计划，今年年底 SK 海力士将首度迈进 20 纳米制程以下的领域，18 纳米制程将进入量产阶段，也预计 2018 年将会用 18 纳米制程扩大产出量与占比。然像 M10 厂由于工厂较旧，转进 18 纳米制程将产生较大的晶圆损失（Wafer Lost），也因此部份产能已经转去代工领域会比较符合经济效益，整体而言，最多 M14 厂还有 20K DRAM 产能可供利用，SK 海力士也决议在无锡兴建第二座 12 吋厂，但预计最快开出产能时间将落在 2019 年。而美光集团，今年致力于17 纳米制程的转进，但从晶圆的产出颗粒来看，其 17 纳米制程仅等同于三星 20 纳米制程，故技术力来看算是目前三大 DRAM 厂较为落后的公司，根据目前的规划，台湾美光记忆体（原瑞晶）至今年年底将有 90% 投片都是 17 纳米制程，而台湾美光晶圆科技（原华亚科）在明年也会有 50% 的投片都是 17 纳米制程。在产能上基本上也都已满载，唯一还有剩余空间可以利用的只有台湾美光记忆体（原瑞晶）的 A2 厂区，此场区虽然因为 17 纳米制程的转进，已经有部份机台进驻，但评估仍有 60~70% 的空间可供利用，可提升产能预估约在 30~40K，而美光看来还未有兴建新工厂。明年大厂的扩厂投资看来相对保守，产能扩张甚至技术转进都将趋缓。DRAM 产业将持续维持强劲态势。 有业者表示，第三季DRAM芯片价格调涨10%的基础上，第四季度三星合约价恐再涨10%。“现在每个月调整一次模组出货价格，也建议客户尽早选定方案以免再受后续价格上涨的波及。”他说道。
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发布时间：2017-09-30 00:00 阅读量：2046 继续阅读>>

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