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ARK（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V <span style='color:red'>ESD</span>防护

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ARK（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护

　　ARK(方舟微)推出的双芯片20V P沟道功率MOSFET——AKF20P45D。该产品性能卓越，兼具超低导通电阻与高达2500V的ESD防护能力。其采用的DFN2×2紧凑型封装，不仅有助于节省PCB布局空间，还具备优异的散热表现。　　AKF20P45D广泛应用于DC-DC转换器、智能手机、平板电脑、智能音乐播放器、电子书等手持设备，主要用于电池充电管理与负载开关。其超低的导通电阻能显著降低传导损耗，这不仅有效提升了电能利用效率，延长了电池单次充电的使用时长，还能减少发热，有助于延长电池的整体寿命。　　AKF20P45D具有±8V的栅-源额定电压，其在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，分别对应35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ的超低导通电阻。相比Vishay公司同类型的SiA923EDJ产品，AKF20P45D具有更低的导通电阻。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，对应54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的导通电阻。　　在关键的导通电阻性能上，AKF20P45D 显著领先于主流竞品。对比 Vishay 的 SiA923EDJ，在相同的栅-源电压(4.5V/2.5V/1.8V/1.5V)条件下，AKF20P45D的导通电阻(35/50/100/160 mΩ)均低于后者的(54/70/104/165 mΩ)，相比AKF20P45D的导通电阻全面更低，性能优势明显。此外，它同样具备 ±8V 的栅-源耐压，确保工作的可靠性。　　AKF20P45D具备低至1.5V的导通阈值，使其非常适用于采用低压栅极驱动器的各类手持设备。该特性使其在低总线电压系统中能直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而有效节省了PCB空间与BOM成本。同时，其超低的导通电阻能够在峰值电流条件下产生更低的导通压降，这有助于稳定系统电压，降低因电压跌落引发非正常欠压锁定事件的风险，从而提升系统可靠性。　　附AKF20P45D的部分典型参数：

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ARK

发布时间：2025-12-09 15:03 阅读量：307 继续阅读>>

上海雷卯：<span style='color:red'>ESD</span>防护实战三：雷卯<span style='color:red'>ESD</span>二极管选型指南与布局优化技巧

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上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD二极管选型指南与布局优化技巧

　　前两篇雷卯EMC小哥讲了ESD的危害和保护二极管的原理，这一篇上海雷卯EMC小哥再次上线，聚焦 “落地实操”：如何为防护电路选对ESD保护二极管?电路板布局时哪些细节会影响防护效果?雷卯EMC小哥总结了一套 “选型+布局” 实战方法论，新手也能快速上手。　　一、三步搞定ESD保护二极管选型　　选型的核心是 “匹配”——让二极管的参数与被保护电路的需求精准匹配。记住三个关键词：信号特性、防护需求、环境耐受。　　第一步：匹配信号特性　　信号电压：重点看 “最大反向工作峰值电压(VRWM)”，必须大于或者等于信号的最大电压(比如5V信号线，VRWM选5V或以上)。若VRWM不够，正常工作时二极管会漏电，导致信号失真。　　信号频率：高频信号(≥1GHz，如 USB 3.0)必须选低容值(CT≤1pF)产品，否则会增加插入损耗;当 CT>1pF 时，USB 3.0 信号的插入损耗会超过 - 3dB@10GHz，易导致信号误码。雷卯电子的低容系列(如ULC0521CT)CT 仅 0.18pF，适配高速接口;同时需注意封装选择，高频或小空间场景优先选 DFN 封装(寄生电感<0.5nH)，大电流场景可选用 SOT-23FL 封装(散热性能更优) ，封装参数会间接影响高频信号传输与器件长期稳定性。　　信号极性：单极性信号(如0-5V数字信号)可选单向二极管;双极性信号(如音频信号、±12V 电源)选双向二极管(雷卯电子LCC05DT3音频静电防护)。　　第二步：满足防护需求　　ESD 等级：根据系统测试标准选(如IEC 61000-4-2接触放电±8kV)，二极管的 VESD(静电耐受电压)必须高于该值。雷卯电子常规型号VESD 可达 ±15kV，工业级型号达±30kV。　　钳位能力： ESD防护二极管在静电注入后不会立即响应，若静电脉冲的第一峰值高于ESD防护二极管的钳位电压，该峰值电压可能施加在被保护器件(DUP)上，导致其故障或损坏。相同电流下，钳位电压(VC)越低越好，比如33V VRWM的二极管，在10A脉冲下，雷卯的产品VC比竞品低5-8V，更能保护敏感芯片。　　第三步：适配环境耐受　　浪涌电流：若电路可能遇到雷击或电源浪涌(如户外设备)，需关注 “8/20μs 峰值脉冲电流(IPP)”，雷卯电子大功率型号IPP可达2000A，满足IEC 61000-4-5 测试。　　工作温度：工业场景选- 55℃~150℃宽温产品，雷卯电子全系列满足工业要求。　　二、电路板布局：细节决定防护效果　　选对型号后，布局不当仍可能让防护失效。雷卯 EMC 小哥总结了3个 “黄金原则”：　　二极管必须 “靠近ESD入口”　　ESD脉冲的高频成分会沿 “最短路径” 传播，若二极管离接口太远(比如超过5cm)，脉冲会先击穿被保护芯片，再到达二极管;建议二极管距离接口连接器的走线长度≤3cm，进一步缩短脉冲传播时间。　　正确做法：二极管紧贴USB、网口等接口布局，信号线先经过二极管再到芯片。　　接地路径要 “短、直、粗”　　二极管分流的ESD电流需要快速回到地，若接地过孔多、线细、路径长，会产生 “寄生电感”，导致钳位电压升高(电感×电流变化率 = 额外电压)。实测显示，当接地过孔间距>5mm 或地线线宽<0.3mm 时，寄生电感会增加 2-3nH，进而导致钳位电压抬升 10-15V，削弱防护效果。　　正确做法：二极管接地端用敷铜连接，就近打地过孔(最好2个以上)，避免走细长线。　　避免 “平行线干扰”　　ESD脉冲会在周围产生强电磁场，若敏感信号线(如I2C、SPI)与接口线平行走线，会被感应出高压。　　正确做法：敏感线与接口线交叉布局，或用地线隔离，间距≥3mm。　　三、雷卯选型工具推荐　　为了简化选型，上海雷卯电子官网(www.leiditech.com)提供 “参数筛选工具”，通过筛选器件功率、工作电压、封装、钳位电压，即可自动匹配适配型号;还可以微信搜索由雷卯电子倾力打造 “EMC电磁兼容社区”小程序，包含USB、HDMI、Ethernet 等几十种典型接口的几百个参考设计方案，方案内容涵盖器件选型、标准解读和参数比对。　　四、小结　　选型的核心是 “参数匹配”，布局的核心是 “缩短路径”。做好这两点，ESD 防护效果可提升80%以上。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-11-24 17:36 阅读量：331 继续阅读>>

安世P<span style='color:red'>ESD</span>2IVN24-T国产化替代<span style='color:red'>ESD</span>2IVN24

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安世PESD2IVN24-T国产化替代ESD2IVN24

　　雷卯电子(Leiditech)作为国内ESD保护领域的领先厂商，为Nexperia(安世半导体)的产品线提供了成熟且完备的国产替代方案。雷卯ESD2IVN24是一款24V双路低钳位电压的ESD二极管，封装为SOT-23, ESD2IVN24可以替代安世PESD2IVN24-T,参数对比下。　　列表备注：Vrwm:最大反向工作电压，Vbr :击穿电压，VCmax@A：最大IPP条件下测的VC, Cj: 结电容，Features：1CH :单路，Bi:双向。　　判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点　　1、VRWM 是否接近　　2、抗静电能力是否接近;　　3、VBR 是否接近;　　4、IPP 是否接近 ;　　5、CJ 是否接近。　　通过以上参数对比，了解是可以替代的。　　如您正在使用以上安世这款，需要国产替代，可以联系雷卯销售人员申请样品测试。　　应用场景　　车载网络静电(ESD)保护：CAN LIN FlexRay SENT　　CAN(FD)/FlexRay总线静电保护方案　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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安世

发布时间：2025-11-24 16:44 阅读量：381 继续阅读>>

上海雷卯电子：<span style='color:red'>ESD</span>静电保护元件的结构和原理

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上海雷卯电子：ESD静电保护元件的结构和原理

　　上一篇我们聊了ESD的危害和测试标准，这一篇我们聚焦 “防护主力”——ESD保护二极管(又称TVS二极管)。这个看似简单的元器件，到底是如何在瞬间将千伏级静电 “化解于无形” 的?雷卯电子的 ESD 保护二极管又有哪些独特设计?上海雷卯作为ESD行业深耕者，在防静电专用器件上积累了丰富技术沉淀，下面就为你详细拆解。　　一.从二极管基础到ESD保护专用器件　　二极管是电子电路的“老熟人”，核心特性是 “单向导电”。但ESD保护二极管和普通二极管(比如整流二极管)有本质区别 —— 它是专为 “瞬态电压抑制” 设计的 “特种部队”。雷卯EMC小哥常说，这类专用器件的设计核心，就是要在关键时刻 “精准发力、不添干扰”。　　二极管的 “家族分类”　　P-N结二极管：由P型半导体(多空穴)和N型半导体(多电子)结合而成，正向导通、反向截止，反向电压过高会击穿。　　肖特基二极管(SBD)：金属与半导体接触形成结，导通电压低、速度快，但反向耐压较低。　　ESD 保护二极管属于 P-N 结二极管的 “升级版”，基于稳压二极管原理优化，重点强化了 “反向击穿时的快速响应” 和 “大电流承载能力”，　　这也是上海雷卯多年来重点攻关的技术方向。　　二.ESD 保护二极管的 “工作智慧”　　雷卯电子的ESD保护二极管的核心设计目标是：平时“隐身” 不干扰电路，ESD 来袭时 “瞬间出击” 分流保护。具体怎么实现?上海雷卯通过工艺优化和结构创新，让这个“攻防切换” 更精准高效。　　1. 正常工作时：像 “绝缘体” 一样安静　　当电路没有 ESD 冲击时，ESD 保护二极管(阴极接信号线，阳极接地)处于 “反向偏置” 状态 —— 两端电压低于反向击穿电压(VBR)，此时它像一个高电阻，几乎不影响信号传输。　　但有两个参数会影响信号质量，也是雷卯重点优化的方向：　　总电容(CT)：二极管截止时，P-N 结的 “耗尽区” 像一个小电容，高频信号(比如 5G、Thunderbolt)会被这个电容 “吸收”，导致信号衰减。雷卯通过特殊工艺将高频系列高分子产品的CT做到 0.1pF 以下，完美适配高速信号，这一指标也得到了雷卯 EMC 小哥在实战测试中的反复验证。　　反向漏电流(IR)：正常电压下流过的微小电流，IR 过大会增加电路功耗。雷卯产品在 VRWM(最大反向工作电压)下的 IR 通常≤0.5μA，对低功耗设备友好。　　2. ESD 冲击时：像 “安全阀” 一样快速分流　　当 ESD 脉冲来袭(比如插拔接口时)，信号线电压会瞬间飙升至数千伏。此时 ESD 保护二极管会：　　快速击穿导通：当电压超过 VBR 时，二极管进入 “雪崩击穿” 状态，电阻骤降(动态电阻 RDYN 低至几欧)，将大部分ESD电流导向地(GND)。　　钳位电压(VC)够低：导通时二极管两端的电压(VC)必须低于被保护芯片的耐压值(比如芯片耐压 20V，VC 需≤18V)。雷卯电子通过芯片结构优化，使VC 比行业平均水平低 15%-20%，防护更可靠，雷卯EMC小哥常把这一优势称为 “给芯片多一层安全余量”。　　双向防护设计：对跨地信号(比如音频线、差分信号)，上海雷卯的双向ESD保护二极管可同时吸收正负向 ESD 脉冲，无需额外设计。　　三.雷卯ESD保护二极管的三大核心优势　　上海雷卯凭借多年技术积累，让旗下 ESD 保护二极管具备三大核心优势，覆盖从低频到高频、从普通设备到高端终端的全场景需求：　　1.响应速度快：从截止到导通仅需亚纳秒级(<1ns)，比传统压敏电阻快100倍以上，能拦截 ESD 脉冲的 “第一峰值”，　　这也是雷卯电子适配 5G、Thunderbolt 等高速接口的关键。　　2.容值可控：覆盖 0.05pF(高频)到 100pF(低频)全系列，满足 USB 3.2、HDMI 2.1 等不同速率接口需求，雷卯EMC小哥会根据客户的信号速率，精准推荐对应容值的型号。　　3.致性高：批量生产的 VBR、VC 参数偏差≤±5%，避免因器件差异导致防护效果不稳定，上海雷卯的严格品控体系，确保每一颗器件都能达到设计标准。　　小结　　ESD 保护二极管的核心是 “平衡”—— 既要在正常工况下不干扰信号，又要在ESD来袭时快速高效分流。雷卯通过材料、结构、工艺的三重优化，上海雷卯始终坚持以实战需求为导向，让这个 “平衡” 更精准、更可靠。　　下一篇，雷卯EMC小哥进入实战环节：教你如何根据电路需求选对型号，以及电路板布局时的 “避坑指南”，让防护效果最大化～

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发布时间：2025-11-21 16:34 阅读量：393 继续阅读>>

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上海雷卯：ESD防护入门：静电放电的本质与测试体系

　　冬天脱毛衣时听到 “噼啪” 声，摸门把手时被 “电” 了一下?这就是生活中最常见的静电放电(ESD)现象。看似微小的静电，对电子设备来说可能是 “致命杀手”—— 手机屏幕失灵、传感器误触发、芯片烧毁，很多时候都和ESD脱不了干系。　　今天我们就从基础讲起，了解ESD的本质、危害，以及如何通过测试验证防护效果。上海雷卯作为 ESD 防护领域的资深厂商，也会在文中分享行业实用经验。　　一、静电放电：看不见的 “电子杀手”　　静电是物体表面积累的静止电荷，当带异种电荷的物体靠近或接触时，电荷会瞬间转移形成放电，这就是 ESD。别小看这个过程：人体带电接触电子设备时，ESD 电压可达数千伏，而如今的芯片绝缘层厚度仅几纳米，根本扛不住这样的冲击。　　静电怎么来的?　　核心原因是 “电荷转移”。两种不同材料摩擦、接触或分离时(比如插拔 USB 线、塑料外壳摩擦)，电子会从一种材料跑到另一种材料上。材料在 “摩擦电序列” 中的位置越远，转移的电荷就越多，产生的静电也就越强。　　为什么现在必须重视 ESD 防护?　　半导体器件的工艺微缩是一把 “双刃剑”，一方面遵循晶体管缩放定律：，芯片工艺越来越先进(比如 7nm、5nm)，将晶体管尺寸缩小至 1/k，其面积、功耗、延迟分别降至 1/k²、1/k、1/k，显著提升器件性能;另一方面，工艺微缩会导致绝缘膜厚度按比例缩减(如硅半导体常用的 SiO₂绝缘膜)，由于 SiO₂的介电强度为 8-10MV/cm(恒定值)，绝缘膜厚度减小会直接导致其耐压能力同步下降，使半导体器件对 ESD 的敏感度大幅提升。绝缘层越来越薄，抗 ESD 能力大幅下降。　　此外，电子设备的小型化设计使得内部器件布局更密集，ESD 产生的电场、磁场干扰更易扩散;智能手机、物联网设备等需要频繁插拔接口(USB、Type-C 等)，ESD 冲击的概率比 10 年前增加了数倍。多重因素叠加，使得 ESD 防护成为电子设备设计中不可或缺的关键环节，而增加ESD 保护二极管则是目前最主流、最有效的防护方案之一。　　二、ESD 测试：防护效果的 “试金石”　　要验证 ESD 防护是否可靠，必须通过标准化测试。目前行业通用的测试体系分为 “器件级” 和 “系统级” 两类，雷卯所有 ESD 保护二极管都经过严格测试，雷卯 EMC 小哥全程参与测试流程把控，确保产品满足各类应用需求。　　1. 器件级测试：模拟生产场景　　人体模型(HBM)：模拟工人带电接触芯片时的放电(比如拿取未封装的 IC)，测试标准是 JEDEC JESD22-A114，合格门槛通常是 2500V-8000V。　　机器模型(MM)：模拟自动化设备(比如贴片机)带电接触器件的放电，测试标准 JEDEC JESD22-A115，要求比 HBM 更严格。　　带电设备模型(CDM)：模拟芯片自身带电后接触接地电路板的放电(比如从料盘取芯片时)，测试标准 JEDEC JESD22-C101，考验器件瞬间抗冲击能力。　　2. 系统级测试：模拟用户场景　　IEC 61000-4-2：最常用的系统级 ESD 测试，分 “接触放电”(直接碰金属接口)和 “空气放电”(靠近带涂层的外壳)，一般消费电子要求接触放电 ±8kV、空气放电 ±15kV。雷卯ESD/TVS二极管全系通过该标准测试，部分型号可达接触放电 ±30kV。　　IEC 61000-4-5：模拟雷击或电源开关产生的浪涌(大电流脉冲)，测试波形为 8/20μs(8μs 上升，20μs 下降到一半)，上海雷卯高功率系列可承受峰值电流达 100A 以上，防护实力拉满。　　小结　　ESD虽小，破坏力却很大，尤其是在电子设备小型化、高频化的今天，防护已成为刚需。了上海雷卯作为ESD防护领域的专业厂商，雷卯EMC小哥凭借丰富的行业经验，常为客户答疑解惑，了解ESD的产生机理和测试标准，是做好防护的第一步。　　下一篇，雷卯EMC小哥将聚焦 “ESD 防护的核心武器”——ESD保护二极管，拆解ESD的内部结构和工作原理，看看它是如何 “以柔克刚” 化解静电冲击的～　　关注雷卯电子公众号，获取更多 ESD 防护干货，还有雷卯 EMC 小哥分享的实战案例。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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发布时间：2025-11-17 15:21 阅读量：319 继续阅读>>

如何通过硬件电路优化降低<span style='color:red'>ESD</span>干扰

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如何通过硬件电路优化降低ESD干扰

　　在电子电路系统设计中，工程师处理ESD有时候总觉得没有头绪，主要原因是ESD测试难以量化，每次测试的结果也会存在差异，所以凭感觉处理起来很‘玄学’。简单说起来就是ESD对系统内部存在干扰，但处理起来常常就是一团乱麻，监测不到ESD泄放路径。单从电路增加ESD防护设计维度有时候是无法达到目的，所以PCB设计是解决ESD防护问题中非常重要的一环，但必要时还是要配合ESD器件共同达到抑制的目的。　　无论是普通电路系统还是高速电路系统，对于EMC的处理都很有必要，今天就分享几个PCB Layout几个原则，可以大大减小EMC出现问题的概率。PCB布局的ESD防护思路是：敏感的信号或者电路远离静电放电测试点，信号环路面积最小化噪声耦合，降低参考地平面电位差保持信号参考电平稳定。图1.PCB Layout示意图　　如图1所示，PCB Layout设计建议参考　　1. 单层PCB设计时，设置良好的接地平面和电源平面，信号线尽可能紧靠电源平面层或接地平面，保证信号回流时的通路以最短，信号环路最小的原则。　　2. 多层PCB层叠设计必须保证比较完整的GND平面，所有的 ESD泄放路径直接通过过孔连接到这个完整的GND平面，其他层尽可能多的铺 GND。　　3. 在PCB四周增加地保护环路，关键信号(RESET/Clock等)与板边距离不小于 5mm，同时必须与布线层的板边GND铜皮距离不小于 10mils。　　4. 在电源和接地之间设计高频旁路电容，要求等效串联电感值(ESL)和等效串联电阻(ESR)越小越好　　5. 对于部分ESD 整改难度较大的IO，可将IO GND独立出来，与电源GND用磁珠连接，以防止ESD能量进入GND。　　另外，在PCB布局时做好敏感器件的保护、隔离，一些敏感模块如射频、音频、存储器可以添加屏蔽罩。但屏蔽罩的整体成本太高，ESD保护器件具有更好的性价比，但如何选用合适的ESD器件才是关键，配合PCB的线路设计达到防护目的。图2.ESD泄放路径避免能量进入保护电路　　放电事件通常通过接口(如连接线)或人工端口(如USB、音频)迫使电流 IESD (图2)迅速进入系统。使用ESD二极管保护系统免受ESD影响，取决于ESD二极管能否将 IESD 分流到地，在选用ESD器件时需要注意如下参数：　　1.工作电压 (VRWM)　　VRWM工作电压是指建议器件工作电压范围，应用电路最高电压超过该值时会导致漏电流增大，从而损坏器件和影响系统运行。建议电路应用电压≤ ESD 器件的工作电压VRWM。　　2.结电容(Cj)　　ESD器件与信号并联使用，而ESD半导体设计时的寄生电容，对于高速信号应最大限度地减小结电容Cj以保持信号完整性。　　3. IEC 61000-4-2等级(Contact discharge/ Air discharge)　　IEC61000-4-2等级体现器件在接触放电和空气放电的稳健性。接触放电是指用静电枪向ESD器件放电时该器件可承受的最大电压。空气放电是指使用静电枪空气间隙向ESD器件放电时该器件可承受的最大电压。　　4.ESD器件通道数　　ESD器件有单通道和多通道不同封装类型。多通道是内部集成多个单通道器件，根据应用需求，多通道器件可实现更小尺寸方案并节省PCB空间，当然，单通道器件可提供更高的设计灵活性。　　5.单向与双向　　双向ESD器件可同时具有正负工作电压的电路中(±3.3V等)，因此，双向ESD器件可支持数据信号在正负电压之间切换的接口(如模拟信号/RS233等)。单向ESD只有工作在正电压范围，但具有更好的负钳位。　　6. 钳制电压(Vc)　　钳制电压表示瞬态脉冲下作用于ESD器件时2端的压降，钳制电压越低意味能更好的保护后级的电子元件。瞬态测试包含静电和浪涌，不同测试条件下钳制电压不同，选型前确认具体测试需求和后级极限损坏电压，保证器件选型的合理性　　综上，要想从PCB布局+ESD二极管实现最好的静电防护，很大程度上需要从整机系统上优化设计。因为设计人员无法控制 IESD，所以降低对地阻抗是将钳制电压最小化的主要方法。设计建议如下(图3)。图3.ESD二极管PCB优化建议

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发布时间：2025-08-25 13:09 阅读量：482 继续阅读>>

常见芯片失效原因—EOS/<span style='color:red'>ESD</span>介绍

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常见芯片失效原因—EOS/ESD介绍

　　在半导体制造领域，电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。　　关于ESD　　ESD(Electrostatic Discharge) 即静电放电，指物体因接触摩擦积累电荷后，与导体接近或接触时发生的瞬间电子转移现象。放电电压可达数千伏，能直接击穿敏感的半导体结构。　　其产生方式主要包括：人体放电模型(HBM)——人体静电经芯片引脚放电;机器放电模型(MM)——自动化设备累积静电传导至芯片;元件充电模型(CDM)——带电芯片引脚接触接地体时内部电荷释放;电场感应模型(FIM)——外部电场变化引发芯片内部电荷重分布。　　ESD的危害呈现多重性：一是直接造成晶体管击穿、金属连线断裂等物理损坏;二是引发阈值电压漂移等参数退化，导致性能不稳定;三是形成微观损伤，降低器件长期可靠性;四是导致数据丢失或误操作，威胁系统安全。其隐蔽性和随机性进一步增加了防控难度。　　关于ESD的防护需采取综合措施：　　耗散：使用表面电阻为10⁵–10¹¹Ω的防静电台垫、地板等材料;　　泄放：通过接地导线、防静电手环/服装/鞋实现人员与设备接地;　　中和：在难以接地的区域采用离子风机中和电荷;　　屏蔽：利用法拉第笼原理对静电源或产品进行主动/被动屏蔽;　　增湿：提高环境湿度作为辅助手段;　　电路设计：在敏感元器件集成防静电电路，但需注意其防护能力存在上限。　　关于EOS　　EOS(Electrical Over Stress) 指芯片承受的电压或电流超过其耐受极限，通常由持续数微秒至数秒的过载引发。　　主要诱因包括：电源电压瞬变(如浪涌、纹波)、测试程序热切换导致的瞬态电流、雷电耦合、电磁干扰(EMI)、接地点反跳(接地不足引发高压)、测试设计缺陷(如上电时序错误)及其他设备脉冲干扰。　　EOS的失效特征以热损伤为主：过载电流在局部产生高热，导致金属连线大面积熔融、封装体碳化焦糊，甚至金/铜键合线烧毁。即使未造成物理破坏，也可能因热效应诱发材料特性衰退，表现为参数漂移或功能异常。更严重的是，EOS损伤会显著降低芯片的长期可靠性，增加后期故障率。　　EOS防护的核心是限制能量注入：　　阻容抑制：串联电阻限制进入芯片的能量;　　TVS二极管：并联瞬态电压抑制器疏导过压能量，建议搭配电阻使用以分担浪涌冲击;　　材料防护：采用静电屏蔽包装和抗静电材料;　　工作环境：使用防脉冲干扰的安全工作台，定期检查无静电材料污染;　　设计加固：优化芯片耐压结构及布局走线，减少电磁干扰影响。　　芯片级保护器　　为应对ESD/EOS威胁，需在电路中增设专用保护器件：　　ESD保护器：吸收并分散静电放电的高能量，防止瞬时高压脉冲损伤核心芯片，作用类似"防护罩"。　　EOS保护器：限制过电压幅值，通过疏导能量充当"安全阀"，避免持续过应力导致热积累。　　不同应用场景对保护器参数要求各异：　　汽车领域：需耐受-55℃~150℃极端温度、36V高电压及300A浪涌电流，符合AEC-Q101认证;　　工业与物联网：要求-40℃~85℃工作范围及±15kV ESD防护能力，通过JEDEC标准;　　消费电子：侧重低结电容(0.1pF~2000pF)和±8kV ESD防护，适应2.5V~30V电压环境。　　保护器通常置于信号线/电源线与核心IC之间，确保过电压在到达敏感元件前被拦截，显著提升系统鲁棒性。　　失效分析与防控策略　　区分ESD与EOS失效是诊断的关键：ESD因纳秒级高压放电，多表现为衬底击穿、多晶硅熔融等点状损伤;而EOS因持续热效应，常引发氧化层/金属层大面积熔融或封装碳化。但短脉冲EOS与ESD损伤形态相似，且ESD可能诱发后续EOS，此时需通过模拟测试复现失效：对芯片施加HBM/MM/CDM模型(ESD)或毫秒级过电应力(EOS)，对比实际失效特征以确定根源。　　产线改良需针对性施策：　　加强ESD防护：检查人员接地设备、工作台防静电材料有效性，控制环境湿度;　　抑制电气干扰：为电源增加过压保护及噪声滤波装置，避免热插拔操作;　　优化接地设计：杜绝接地点反跳(电流转换引发高压);　　规范操作流程：严格执行上电时序，隔离外部脉冲干扰源。

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发布时间：2025-08-20 14:02 阅读量：1062 继续阅读>>

应能微：车载无线终端T-BOX <span style='color:red'>ESD</span>&EOS解决方案

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应能微：车载无线终端T-BOX ESD&EOS解决方案

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应能微

发布时间：2025-07-31 11:35 阅读量：519 继续阅读>>

上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电<span style='color:red'>ESD</span>

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上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。

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雷卯电子

发布时间：2025-07-23 11:01 阅读量：678 继续阅读>>

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上海雷卯电子：如何选择合适电容值的ESD二极管

　　作为一名关注通信接口和电子元器件的专业人士，你一定对ESD(Electrostatic Discharge)二极管非常感兴趣。让上海雷卯电子和AMEYA360带你来了解一下ESD二极管是什么，以及如何选择合适电容值的ESD二级管吧。　　ESD二极管，也被称为静电保护二极管，是一种用于保护电子元器件免受静电放电(ESD)损害的器件。静电放电是一种常见的电磁干扰源，可能对通信接口和其他电子设备造成严重的损坏。ESD二极管能够迅速响应并吸收静电放电，将其引导到地线，保护接口和其他电路免受损害。　　在选择合适的电容值ESD管时，需要考虑以下几个因素：　　1. 通信接口的速率和带宽：不同速率和带宽的通信接口对ESD保护的要求不同。较高速率的接口可能需要更低的电容值，以确保快速的信号传输和响应。　　2. 接口的电气特性：了解通信接口的特性阻抗、信号电平以及信号线的布局等，有助于选择合适的ESD管电容值。经过仔细计算和模拟，可以确定最佳的电容值范围。　　3. ESD保护需求：根据应用场景和系统对ESD保护的需求，选择适当的电容值。一般情况下，较高的电容值可能增加对信号传输的影响。　　上图这颗是低容值ESD ，可以用在高速通讯接口上。　　通过综合考虑以上因素，可以选择适合特定通信接口的合适电容值的ESD管。此外，与供应商和技术专家的交流也是非常重要的，他们能够提供更具体的建议和指导。　　保护通信接口免受ESD损害是确保系统稳定性和可靠性的关键。通过选择合适电容值的ESD管，我们能够提供可靠的ESD保护，确保通信接口的正常工作，同时保护其他电子元器件免受静电放电的危害。

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上海雷卯电子

发布时间：2025-07-18 11:34 阅读量：537 继续阅读>>

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MC33074DR2G	onsemi
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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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