兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND <span style='color:red'>Flash</span>， 突破性读取速度，助力应用快速启动
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兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性读取速度，助力应用快速启动

　　今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。　　GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz，在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍，该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。　　为了解决传统NAND Flash的坏块难题，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理(BBM)功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系，从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面，传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块，若这些坏块出现在前部代码区，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理(BBM)功能，可确保前256个Block均为出厂好块，进而保障代码区的稳定性。另一方面，在使用过程中，NAND Flash可能出现新增坏块，传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换，造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理(BBM)功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址，使损坏的坏块地址重新可用，并且仅需预留最小限度的冗余Block，该功能不仅显著提高了资源利用率，还有效简化了系统设计。　　“目前，SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢，已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”，兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，为市场中树立了新的性能标杆，该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足，并为坏块管理提供了新的解决方案，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来，兆易创新还将持续打磨底层技术，为客户提供更高效、更可靠的存储方案。”　　目前，兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ball array)5x5ball封装选项。如需了解详细信息及产品定价，请联系AMEYA360销售代表。
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发布时间：2025-04-15 15:31 阅读量：227 继续阅读>>
兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半
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兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半

　　兆易创新今日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。　　GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。　　为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。　　“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决方案，助力创新应用的发展。”
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发布时间：2025-03-12 11:15 阅读量：386 继续阅读>>
兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书
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兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书

　　兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布，旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性，也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。　　随着汽车电子电气组件数量的指数级增长，其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能安全标准，其核心目标是降低汽车电子电气系统可能导致的风险，确保车辆的安全性能。在ISO 26262标准框架下，ASIL(Automotive Safety Integration Level)分类系统将功能安全从低到高分为四个等级：A、B、C、D，其中，D代表最高等级，意味着在该等级下的开发流程最为严格。　　兆易创新在汽车电子领域始终坚持精耕细作，将产品品质视为企业发展的核心。质量建设方面，车规级Flash以0PPM为目标，并持续推进质量改善，赢得了客户的广泛信赖，目前全球出货量已超两亿颗。功能安全建设方面，兆易创新全面强化了流程体系与人员管理，不断提升功能安全管理水平，继2023年通过ISO 26262 ASIL D流程认证之后，公司的车规级SPI NOR Flash再次获得ASIL D功能安全认证，充分展示出兆易创新已经建立起严格的车规芯片开发流程体系，并在此基础上已具备设计符合功能安全标准产品的成熟能力。　　GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash，严格遵循AEC-Q100 Grade1标准，采用55nm/45nm制程工艺，支持3V、1.8V以及1.65V~3.6V工作电压，容量覆盖2Mb~2Gb，可全面满足汽车电子所需的代码存储需求。在读写性能方面，可提供单通道、双通道、四通道和八通道通信模式，数据吞吐率最高达400MB/s，保证了高效的数据传输。同时，产品拥有10万次擦写周期，以及长达20年的数据保持期限。在安全性能方面，64Mb及以上容量的产品内置ECC算法与CRC校验功能，在提高可靠性的同时有助于延长产品的使用寿命。目前，GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash已广泛服务于众多国内外汽车制造商和Tier 1，应用领域横跨车载娱乐影音、智能座舱、智能网联、智能驾驶、电池管理、域控制器、中央计算、中央网关、区域控制器等多个关键汽车电子应用场景。　　兆易创新副总裁、存储器事业部总经理苏如伟表示：“NOR Flash作为汽车电子存储关键代码的重要介质，其功能安全性对于保障数据在极端环境下的可靠性和完整性至关重要，并且直接关系到车辆的安全、稳定运行。兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash通过ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证，充分印证了公司在车规级芯片设计领域的强劲实力。未来，公司还将继续秉承汽车功能安全的高标准，严格遵守相关流程规范，为全球客户提供更多高品质、高可靠性的车规级存储产品。”
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发布时间：2024-11-22 09:56 阅读量：794 继续阅读>>
佰维存储推出自研工规级SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>
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佰维存储推出自研工规级SPI NOR Flash

　　近日，佰维存储(股票代码：688525)推出了自研工规级宽温SPI NOR Flash产品——TGN298系列。产品支持单通道、双通道、四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，容量高达128Mb，写入/擦除次数达10万次，广泛适用于对高速读取性能、高可靠性和长寿命有严格要求的应用场景，覆盖工业应用、车载应用、影音娱乐、智能家居等领域。　　高速读取性能：数据吞吐量高达480Mb/s，时钟频率高达120MHz　　随着汽车系统集成度不断提升，各类传感器与MCU的广泛应用对车载功能单元的数据与程序存储均提出更高性能、更低延迟要求。具体而言，汽车熄火驻车后，主控电子系统随即关闭，再次启动时，ADAS系统界面需迅速呈现，要求SPI NOR Flash具备快速读取代码的能力，以确保系统即时响应。同时，随着车载、工业、智能家居等领域应用的不断扩展，代码量与复杂度不断提升，对SPI NOR Flash的存储容量提出更大需求。　　TGN298系列由佰维自主研发设计，产品支持标准、双通道与四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，时钟频率高达120MHz，满足XIP在内的先进功能需求，加速设备系统启动和响应。此外，闪存被整理为4KB的小扇区，在需要代码、数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性与存储效率。　　在封装方面，TGN298系列可提供SOP8 208mil、SOP8 150mil、TSSOP8 173mil、WSON8 (6×5mm)、 WSON8 (8×6mm)等多种封装规格，拥有32Mb、64Mb、128Mb容量选择(未来将推出车规级大容量产品)，同时产品pin-to-pin兼容，允许不更改现有设计来增加存储容量，满足设备更大代码存储空间需求。　　高可靠性：写入/擦除次数达10万次，支持-40℃~85℃宽温工作　　工业、车载等领域的设备在特殊工作环境下运行，包括高低温运行、至少保证10年以上寿命等，相应的SPI NOR Flash必须遵循严格的工业级标准，具备高可靠性。　　TGN298系列采用了55nm制程工艺，写入/擦除次数(P/E Cycle)达10万次，数据有效保存期限可达20年，同时产品支持-40℃~85℃宽温工作环境以及2.7V~3.6V工作电压，关断电流低至 1μA，从容应对各种复杂环境，有效保障设备持久、可靠运行。此外，产品支持唯一ID、安全的OTP、安全存储等多种安全功能，可为OTA更新和设备身份验证等操作提供高规格防护，确保高安全性。　　此外，TGN298系列依托贯穿产品全生命周期管理的品质管控、BOM锁定与完善的服务保障体系，可提供稳定的供货保障(≥5年)，以及实时的FAE技术支持、特定应用开发等服务，助力产品与终端设备系统深度融合，实现最佳效能与价值最大化。　　TGN298系列工规级宽温SPI NOR Flash产品兼顾高速读取、高可靠等优势，满足设备系统对快速启动、瞬时用户交互、即时指令响应的严苛要求。随着设备升级迭代，以及边缘侧和终端AI设备等新应用不断扩展，需要在更短时间内高效完成关键代码与数据访问。佰维存储依托自身存储解决方案研发、芯片设计等核心能力，持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性与更低功耗的SPI NOR Flash等产品，护航工业、车规、AI、物联网、手机、智能穿戴等领域设备高效稳定运行，赋能万物智联。　　目前，佰维TGN298系列SPI NOR Flash产品已实现量产，欢迎新老客户垂询。
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发布时间：2024-05-16 09:13 阅读量：2383 继续阅读>>
更小、更薄、更轻！兆易创新超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>面世！
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更小、更薄、更轻！兆易创新超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世！

　　今日宣布，兆易创新GigaDevice率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度仅为0.4mm，容量高达128Mb，是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品，可在应对大容量代码存储需求的同时，提供极大限度的紧凑型设计自由。　　近年来，随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展，市场需求变化多样，不仅要在精致小巧的产品形态中提供丰富的功能，还要具有极低功耗，以保障产品的长时间工作。而SPI NOR Flash作为这些设备中重要的代码存储单元，需提供更小、更薄、更轻的产品选择来满足这些不断变化的应用需求。　　GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易创新旗舰型低功耗产品，此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH产品延续了LE系列的优异性能，其最高时钟频率133MHz，数据吞吐量高达532Mbit/s，极大提升了客户的系统访问速度和开机效率，同时在4通道133MHz时，读功耗仅为6mA，与行业同类产品相比，降低了45%的功耗，有效延长设备的续航时间。并且，更为重要的是GD25LE128EXH实现了128Mb容量产品上的超小尺寸，此前，业界128Mb容量产品的主流封装为6mm×5mm×0.8mm WSON8，而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封装，面积缩小达70%，厚度减薄50%，能够显著节省85%的空间体积，并节省材料成本。　　除了尺寸优势显著提升之外，3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH与64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封装产品引脚兼容，无需调整PCB布局即可快速升级容量至128Mb，对于不同容量需求的方案，进一步简化了其兼容性要求的设计。　　兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“作为业界领先的Fabless芯片供应商，兆易创新不仅是创新技术的提倡者，同时也是先进技术的践行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的128Mb SPI NOR Flash，完美匹配了业界对小型化和高集成度的要求，并且基于此封装技术落地的首款产品GD25LE128EXH所具备的低功耗特性也使其适用于任何以电池供电的产品设计中。未来随着智能设备的不断升级，兆易创新预见大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash产品将持续被业界需要。针对这一趋势，公司正在规划通过先进封装和存储技术开发其它容量、更小尺寸的存储产品，为客户提供更多样化的选择。”　　GD25LE128EXH现已量产，如有需求请联系AMEYA360电子元器件采购网或直接后台私信留言。
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发布时间：2023-05-16 10:28 阅读量：2116 继续阅读>>
兆易创新GD5F全系列SPI NAND <span style='color:red'>Flash</span>通过AEC-Q100车规级认证
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兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证

　　兆易创新GigaDevice宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。该系列包含GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb~4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且，兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。　　当前，汽车电气化、智能化处于快速发展的态势，激发了车厂对于大容量、高可靠性的存储解决方案的需求。作为在车载应用中存储代码、数据和网络协议的载体，汽车存储芯片正起到越来越关键的作用。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash提供了1Gb~4Gb的选择，在已有的GD25 SPI NOR Flash车载产品基础上进一步扩充容量，可为车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　随着车载电子复杂度和空间紧凑的需求增加，“少引脚、小封装”的芯片也逐渐受到车厂的青睐。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash芯片使用成熟的38nm制程工艺，采用WSON8 8mm x 6mm少引脚、小型化封装，在狭小空间内实现大容量的选择；其内置ECC纠错模块，在保留NAND成本优势的前提下，极大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽温度范围内，实现高达10万次的擦写性能。　　兆易创新汽车产品事业部执行总监何芳女士表示：“随着汽车行业智能化、网联化的演进，与SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。兆易创新从2014年开始布局汽车行业，凭借着多年的经验与积累，旗下38nm GD5F SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证，并且实现全产业链的国产闭环。未来，我们将继续聚焦汽车行业需求，关注行业的增量市场，了解细分市场的客户需求，持续在产品的可靠性，优化及升级方面投入，为市场提供更好的产品与服务。”　　目前，兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash基础上，形成了有效的扩展。在Flash存储器领域，兆易创新已实现从SPI NOR Flash到SPI NAND Flash的车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择，这也极大凸显了兆易创新在汽车领域持之以恒的投入和创新。
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发布时间：2022-09-15 14:27 阅读量：2771 继续阅读>>
关于NOR <span style='color:red'>Flash</span>的介绍
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关于NOR Flash的介绍

　　相对于硬件工程师和嵌入式软件工程师一般在完成设计之后常常需要验证FLASH是否在工作。在应用当中，也有很多时候需要对FLASH进行写操作。今天Ameya360电子元器件采购网给大家简单介绍了基于ARM芯片的NOR FLASH烧写，并提供了2个具体的实例和源代码，希望对有需要的朋友有点帮助。在开始之前，先声明一下，这篇文章只是介绍了如何写 NOR FLASH 的烧写驱动，和H-JTAG/H-FLASHER没有直接的联系。　　在后面的介绍里，如无特别说明，处理器指的是 ARM 处理器，FLASH 指的都是 NOR FLASH。另外，BYTE 指的是8-BIT的数据单元，HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元，而WORD 则代表了32-BIT的数据单元。　　1. NOR FLASH 的简单介绍　　NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute ON Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。　　NOR FLASH的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看，NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然，也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式，具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) 。       对8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片来说，一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据。例如一块8-BIT的NOR FLASH，假设容量为4个 BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号，A1-A0。地址0x0对应第0个 BYTE，地址0x1对应于第1BYTE，地址0x2对应于第2个 BYTE，而地址0x3则对应于第3 个BYTE对16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片来说，一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。       例如，一块16-BIT的 NOR FLASH，假设其容量为4个BYTE。那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0。地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD，地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD。 FLASH一般都分为很多个SECTOR，每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH，还分为不同的BANK，每个BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片FLASH为单位的。　　在对FLASH进行写操作的时候，每个BIT可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR，一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。这样，写操作就可以正确完成了。　　2. ARM 处理器的寻址　　ARM 可以说是目前最流行的32位嵌入式处理器。在这里只提一下 ARM 处理器的寻址，为后面做个铺垫。从处理器的角度来看，系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元。这和很多别的处理器都是一样的。　　3. 处理器和 NOR FLASH 的硬件连接　　从前面的介绍，我们知道从处理器的角度来看，每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元。而，NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元，也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元。所以在硬件设计中，连接ARM处理器和 NOR FLASH时，必须根据实际情况对地址信号做特别的处理。　　如果ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH， 数据线和地址线的连接应该如图1所示。 从图中我们可以看到，处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是一一对应连接的，处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是一一对应连接的。
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发布时间：2022-09-14 13:31 阅读量：2713 继续阅读>>
​航顺芯片：工业级32K FLASH高品质高性价比传感等专用HK32F030MA量产
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​航顺芯片：工业级32K FLASH高品质高性价比传感等专用HK32F030MA量产

    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA家族是由航顺芯片研发的经济型MCU芯片，包含SOP8、TSSOP16、TSSOP20、TSSOP24、TSSOP28、QFN20、QFN24、QFN28封装。    产品概述    HK32F030MxxxxA和HK32F0301MxxxxA MCU    ARM® Cortex™-M0内核，最高工作频率分别为32和48MHz    内置32 KByte Flash、432 Byte EEPROM和4 KByte SRAM    通过配置Flash控制器的寄存器，可实现中断向量在32 KByte空间内的重映射。    MCU除电源、地以外的所有引脚都可以作为GPIO、外设IO或外部中断输入；在引脚数量受限应用场景中，该MCU提供了尽可能多的引脚信号数量。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU 内置了多种通信接口：1 路高速（最高6 Mbit/s）USART    USART 支持同步及异步全双工或半双工通信、多主机通信、LIN协议、SmartCard协议、IrDA SIR 编解码；RX/TX引脚位置可通过软件互换；在MCU停机模式（Stop)下，支持数据接收唤醒。 3 路高速（最高6 Mbit/s）UART1 路高速（最高18 Mbit/s）SPI/I2S    SPI/I2S 支持4 ~ 16位数据长度的全双工或半双工通信、主/从机模式、TI模式、NSS脉冲模式、自动CRC校验和I2S协议。1 路高速（最高1 MHz）I2C    I2C支持1 MHz/400 kHz/100 kHz传输速率、主/从机模式、多主机模式、7/10比特寻址、SMBus协议。在MCU停机模式（Stop）下，支持数据接收唤醒。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU内置了1个16位高级PWM定时器（共4路PWM输出，其中3路带死区互补输出），1 个16位通用PWM定时器（共4路PWM输出）和1个16位基本定时器（定时输出CPU中断）。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU 内置了模拟电路：1个12 位1MSPS ADC（有效精度8位）、1个上/下电复位电路（POR/PDR）和1个内部参考电压（内部参考电压在片内被ADC采样）。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU支持丰富的功耗模式。在低功耗模式下，这两个系列的MCU均可被内部的低功耗定时器自动唤醒。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU工作于-40°C ~ +105°C 的温度范围，供电电压1.8 V ~ 3.6 V，可满足绝大部分应用环境条件的要求。    结构框图    ARM® Cortex™-M0处理器是嵌入式32位RISC处理器，它是一个低成本、低功耗的MCU平台，提供优秀的计算性能和先进的中断系统响应。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU拥有内置的Cortex?-M0 内核，与ARM工具和软件兼容。    HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU系统架构如下图所示：    图中脚注的说明：    (1)HK32F030MxxxxA和HK32F0301MxxxxA的最高时钟频率分别为32MHz和48MHz。    (2)HK32F030MxxxxA和HK32F0301MxxxxA的外部中断线分别为最多24根和最多26根。    (3)仅HK32F0301MxxxxA支持待机（Standby）模式。    (4)HK32F030MxxxxA仅部分封装提供PA0和PD7引脚，HK32F0301MxxxxA 所有封装均提供PA0和PD7引脚。    产品应用    由于拥有丰富的外设配置，HK32F030MxxxxA/HK32F0301MxxxxA MCU可适用于多种应用场景：    可编程控制器/打印机/扫描仪/电机驱动和调速控制/电机以及8/16位MCU升级替换/物联网低功耗传感器终端/无人机飞控/云台控制/玩具产品/家用电器/智能机器人/智能手表/运动手环/充电器/电池管理/散热风扇/烟感等。    手机维修屏：需要QFN 3X3的封装，但不带DMA功能，部分客户可以不需要DMA    仪表盘客户：需要32K FLASH    物联网模块模组应用：支持4个串口（USART1个，UART3个）    需要对ADC精度有要求的客户：提升为正常情况    电机应用市场：支持IO tolerant,合封预驱    电子烟：需要QFN3X3封装，有需求3个以上唤醒源    血压计应用：有需求3个以上唤醒源
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发布时间：2022-08-30 13:24 阅读量：2549 继续阅读>>
兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>产品系列
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兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

    兆易创新今日宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。    随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希望进一步提升产品的续航能力。    从系统设计层面来看，一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作，这对于主控而言，将能够有效简化电源设计并优化系统成本。    应此需求，兆易创新推出了GD25UF产品系列，该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。    在读写性能方面    GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年。    在安全性方面    该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果，为应用带来高安全保障。    同时，为进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下，器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。    相比于1.8V供电的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同电流情况下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同频率下的功耗降低了70%，有效延长了设备的续航时间。    另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装，全温度工作范围覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。    兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示：    “GD25UF系列产品进一步丰富了兆易创新的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力，即使在不可避免的电池衰减过程中，也可以保持出色且稳定的运行状态，增加应用的可靠性。如今，电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标，GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业，兆易创新走在了需求前端，为下一代应用的设计开发缓解了压力，从一定程度上缩短了客户的研发成本，让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”    目前，兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品，更多容量产品将陆续推出，客户可在下方留言咨询！
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发布时间：2022-08-19 13:54 阅读量：3194 继续阅读>>
兆易创新推出1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR <span style='color:red'>Flash</span>产品系列问世
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兆易创新推出1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列问世

      半导体器件供应商兆易创新GigaDevice推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装，厚度仅为0.4mm，在如此紧凑、轻薄的空间内，其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升，为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。　　如今，随着5G、物联网、AI等技术的不断迭代，在笔记本摄像头、智能遥控器、智能健康手环等采用电池供电的应用场景中，兆易创新对“小而精”的追求从未停止，这对应用其中的存储产品提出了更高的要求。一方面，需要提供足够的代码存储空间来满足设备正常运行需求；另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以适应电子设备日益小型化的趋势。　　针对这一市场需求，兆易创新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品，缩小了高达36%的占板面积，为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。在低功耗设计方面，兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。　　此外，为满足便携式电子产品的存储需求，GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃温度范围。　　兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“随着万物互联时代下的数据狂潮席卷而来，电子设备对于存储产品不断发出挑战，而兆易创新要做的就是从挑战中寻求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之间实现了优异性能。从小尺寸到低功耗，兆易创新从用户需求出发，不断推陈出新，再次将我们‘创新’的DNA发挥得淋漓尽致。”
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发布时间：2022-07-26 09:46 阅读量：3248 继续阅读>>

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