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安森德丨浅谈SiC MOSFET驱动设计的选择

　　对于不少电源工程师而言，SiC MOSFET往往与负压关断绑定使用，但从实际拓扑来看，负压并非所有SiC应用的必选项。　　一、负压关断主要解决什么问题?　　SiC MOSFET 的开关速度远快于传统硅 MOSFET，其漏源电压变化率可达 50~100 V/ns。快速开关虽然有利于降低开关损耗，但也使器件更容易受到寄生参数和驱动回路的影响。　　在半桥等桥臂拓扑中，当高边 MOSFET 快速开通时，低边 MOSFET 的 VDS 会急剧变化。由此产生的高 dv/dt 会经由低边器件的栅漏电容 Cgd，也就是米勒电容，耦合到栅极，并注入位移电流。　　如果驱动回路抑制干扰的能力不足，这股位移电流就可能在栅极形成瞬态 VGS 尖峰，使原本处于关断状态的 MOSFET 被抬升到阈值电压以上。SiC MOSFET 的阈值电压通常约为 2.7~4 V，一旦发生误开通，上下桥臂便会同时导通，进而可能造成直通短路。　　从图中可以看到，高边Q1高速开通时，低边Q2承受快速变化的VDS，Cgd产生的位移电流会流入栅极，并形成瞬态VGS尖峰。　　米勒串扰的形成通常包含三个关键条件：高dv/dt、Cgd耦合通道，以及另一只处于关断状态的互补开关管。其中前两项来自器件自身特性，而是否存在互补开关，则由具体拓扑决定。　　这也意味着，判断SiC MOSFET是否需要负压关断，不能只看器件本身，更要看它工作在什么拓扑中。　　二、单管拓扑为何可以采用0V关断?　　反激是消费类适配器、辅助电源等场景中非常典型的单管拓扑，初级功率回路只有一只主开关MOSFET，不存在另一只与其构成互补关系的高速功率管。　　在MOSFET关断过程中，其漏极电压同样会快速上升，dv/dt也会通过自身Cgd影响栅极。但这种作用属于器件自身的电容耦合，不存在桥臂结构中“一只MOSFET开通，干扰另一只MOSFET”的跨器件路径。　　因此，从米勒串扰和桥臂直通这一角度来看，反激拓扑并不依赖负压关断，可以采用0V关断方案。相比负压关断，其主要代价是关断速度有所降低，并带来一定的额外关断损耗。　　三、正激、Buck同样不存在互补开关串扰　　相同的判断逻辑也适用于单管正激和传统Buck拓扑。　　单管正激通过一只主开关管控制变压器初级能量传递，并没有半桥、全桥结构中的高速互补开关，因此不存在另一只功率MOSFET受到米勒耦合后发生误导通的问题。　　Buck拓扑则由主动开关、续流器件以及储能电感组成，基本功率级同样只有一只主动开关。　　对于这类拓扑，开关节点的dv/dt主要作用于器件自身，不会形成桥臂拓扑中的跨器件串扰路径，因此从抗米勒误导通的需求来看，可以采用0V关断，无需额外增加负压生成电路。　　四、普通Boost及传统Boost PFC与图腾柱PFC要区别看待　　PFC是另一个容易产生误解的应用。　　普通Boost/传统Boost PFC由一只主动MOSFET、升压电感以及续流二极管构成，本质上仍属于单管升压结构。　　普通 Boost 与传统 Boost PFC 中，承担主动开关作用的通常只有一只 MOSFET，并没有另一只高速互补功率管参与桥臂交替工作，因此它们的驱动判断思路与反激、Buck 较为接近：采用 0V 关断通常就能满足需求，也无需再为负压驱动额外增加电路。图腾柱 PFC 则不能按这一逻辑处理。它为降低整流损耗，高频桥臂一般由两只功率 MOSFET 构成，已经属于典型的桥式功率级。当其中一只器件快速开关时，另一只关断管会承受较高的 dv/dt，并可能通过 Cgd 耦合到栅极，进而出现米勒串扰，严重时甚至误导通。因此，图腾柱 PFC 更应重视负压关断，以提升关断期间的抗干扰余量。换言之，“PFC 一定要用负压”这种说法并不准确，驱动方案最终仍要由具体电路结构来决定。　　五、两只开关管，也不一定属于桥臂结构　　判断是否需要负压关断，也不能简单按照开关管数量进行划分。　　以双管正激为例，虽然初级侧使用两只MOSFET，但两只器件采用同时开通、同时关断的工作方式，并不是半桥、全桥中交替工作的互补开关关系。　　因此，双管正激并不存在典型的“一侧高速开通，导致另一侧关断器件受到米勒串扰”的工作条件，也不存在传统桥臂结构中的上下管互补直通路径。　　双管反激同样属于类似情况，两只功率器件采用同开同关方式，因此从米勒串扰角度来看，也可以采用0V关断。　　安森德半导体(ASDsemi)，以呼应市场应用需求特研发推出以下SiC MOSFET，以满足客户灵活设计参数要求。　　SiC MOSFET是否采用负压关断，并没有放之四海而皆准的结论。负压关断的关键作用之一，是应对桥式拓扑中高 dv/dt 通过 Cgd 耦合到栅极后造成的米勒串扰与误开通。因此，半桥、全桥、图腾柱 PFC 等带有高速互补开关的功率级，借助负压关断可以提升关断状态下的抗干扰能力。相反，反激、单管正激、Buck、普通 Boost、传统 Boost PFC，以及部分同开同关的双管拓扑，并不存在这种跨器件的串扰通路，因此可在效率、成本、PCB 面积和驱动复杂度之间权衡，选择 0V 或负压关断。对电源工程师而言，SiC MOSFET 驱动设计的核心不是套用“SiC 必须负压”的既有经验，而是依据器件参数、拓扑结构和开关时序进行判断;在保障可靠性的前提下减少不必要的外围电路，也是 SiC 器件迈向高集成、高功率密度应用的重要方向。　　安森德MOS产品依托自研工艺，可以定制各类高效MOSFET，提供系统级解决方案，助力品牌快充实现丝滑迭代、高良率大规模量产。例如：在45W~240W的主流快充中，我们推荐以下型号的同步整流MOS，支持电源产品做紧凑PCB布局，帮助您通过高频工况EMI，打造高可靠、低Ciss、成本友好的的同步整流电路，单颗覆盖功率范围广，可减少物料种类。

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安森德

发布时间：2026-09-20 10:39 阅读量：137 继续阅读>>

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国产首家！纳芯微LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计

　　近日，纳芯微宣布其推出的汽车级LIN收发器芯片NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1成为国产首家全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的LIN收发器芯片。　　在此之前，纳芯微CAN收发器芯片 NCA1044-Q1、NCA1057-Q1、NCA1145B-Q1、NCA1462-Q1、NCA1043D-Q1、NCA1463-Q1已率先通过IBEE/FTZ-Zwickau全项测试。LIN收发器顺利通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微全国产化汽车级CAN/LIN接口解决方案的EMC性能达到行业领先水平，助力车企与零部件客户简化车载总线EMC系统性认证流程，加速国产替代落地。　　全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的　　CAN/LIN收发器系列，简化EMC验证　　鉴于CAN/LIN收发器芯片的EMC性能对车身控制、智能座舱等系统的稳定运行至关重要，各地区均制定了严格的汽车电子电磁兼容标准与认证流程，如美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲IBEE/FTZ-Zwickau认证均对汽车通信接口的EMC性能提出了明确要求。其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证依据IEC 62228-2开展，排除了外围电路差异对结果的干扰，更聚焦于收发器芯片本身的EMC特性，且考核等级更为严苛，已获全球主流车企广泛认可。　　此次IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬态抗扰度(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试，纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过。　　表-1：纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过四项测试　　在此次 IBEE/FTZ-Zwickau 认证中，NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1的抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)能力表现优异。测试覆盖正常通信、休眠唤醒等关键工作状态及误唤醒防护维度，即便在无总线滤波电容的最恶劣条件下，所有测试项均一次性通过测试，达到IEC 62228-2标准的最高Class III等级。尤其在休眠状态下，芯片不会因外界电磁干扰发生异常唤醒，可有效保障整车静态电流合规。　　表-2：纳芯微NCA1021A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　表-3：纳芯微NCA1029A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　全国产化的汽车级CAN/LIN接口解决方案　　增强供应链韧性和选型便利性　　NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微由此成为国产首家可同时提供经权威认证、EMC性能领先的、全国产化的汽车级CAN/LIN收发器厂商，有效增强了供应链的韧性与客户选型便利性。　　目前纳芯微可提供完整的汽车级CAN/LIN收发器产品，覆盖客户的全场景需求：　　表-4：CAN收发器选型表　　表-5：LIN收发器选型表　　平台化接口IP　　快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN、LIN、RS485、I2C、I3C、SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。

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发布时间：2026-09-16 13:52 阅读量：212 继续阅读>>

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纳芯微亮相2026 DVN上海汽车照明研讨会，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”

　　9月8日至9日，第41届DVN上海汽车照明研讨会在上海举行。纳芯微携车内外照明一站式芯片方案亮相展区，覆盖前灯、尾灯与座舱照明等关键应用。值得一提的是，多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527与前灯驱动芯片Pre-Boost恒压控制器NSL31682及Buck LED驱动NSL31520在9月8日晚举行的“DVN上海创新之夜”颁奖典礼上荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”。会议期间，纳芯微技术工程师周陈旺发表主题演讲，分享了软件定义汽车趋势下的动态氛围灯与整车OTA创新方案。　　01　　车内外照明一站式芯片方案　　集中亮相　　在外饰照明方向，纳芯微展示了覆盖1/3/6/12/16/24通道的车规级线性LED驱动芯片，广泛应用于传统尾灯、贯穿式动态尾灯及发光格栅等场景。此外，针对前灯应用，纳芯微展出了Pre-Boost恒压控制器 NSL31682、Buck LED驱动器 NSL31520 及LED矩阵管理器 NSL31664/5 三大新品，助力前照灯两级架构的三大核心环节：前级升压、恒流驱动与矩阵控制，持续推进照明系统应用创新。　　在内饰照明方向，纳芯微展示了单RGB氛围灯驱动芯片NSUC1500与多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527，覆盖单点光源和多区域面光源的应用需求。同时，车载屏幕背光驱动NSL6103/4也为智能座舱的光效设计提供了灵活、高集成度的选择。　　02　　双引擎产品荣获　　高可靠性照明控制IC解决方案奖　　在9月8日晚的“DVN上海创新之夜”颁奖典礼上，纳芯微以多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527与前灯驱动芯片Pre-Boost恒压控制器NSL31682及Buck LED驱动NSL31520，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”。　　NSUC1527单芯片集成27路高精度LED驱动器与控制内核，支持CAN FD与LIN通信，并具备基于LED正向电压测量的温度与老化补偿能力，使座舱氛围灯在长期使用中保持稳定的色彩表现;其高集成度设计可帮助主机厂省去LCM(灯光控制模块)，显著降低氛围灯系统成本，为多区域、高像素的氛围灯系统提供更简洁的实现路径。目前，该芯片已在多家主机厂开展台架测试。　　NSL31682 与 NSL31520 则面向汽车前照灯系统，构成从前级升压供电到后级恒流驱动的完整 LED 电源解决方案。两款产品均支持 SPI 接口及展频功能，并集成丰富的故障诊断与保护机制，同时支持 Limp Home 与 Standalone 模式，可在异常工况及通信故障情况下保障系统稳定运行，以高可靠、高精度的控制能力满足 ADB 等智能前照灯应用需求。　　03　　软件方案让车灯持续进化：　　光效可控，升级可达　　9月9日，纳芯微技术工程师周陈旺在研讨会现场发表主题演讲，围绕软件定义汽车趋势下车载照明电子的创新方向，分享了纳芯微在动态氛围灯解决方案与整车OTA升级方案上的思考与实践。　　随着汽车电子电气架构的持续演进，车灯正在从单一功能部件升级为可持续进化的智能交互载体。纳芯微以芯片级的集成设计与系统级的技术能力，帮助客户简化方案架构、提升光效控制精度，并为车载照明系统的远程升级与全生命周期管理提供支持。　　纳芯微技术工程师周陈旺发表主题演讲

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发布时间：2026-09-10 09:58 阅读量：274 继续阅读>>

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ROHM丨SiC功率器件及模块应用笔记

　　SiC半导体　　· SiC材料的物性和特征　　SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。表1-1列出了各种半导体材料的电气特征，SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是Si的10倍，带隙(Energy Gap)是Si的3倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的P型、N型控制，所以被认为是一种超越Si极限的用于制造功率器件的材料。SiC存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是4H-SiC，现在4inch～6inch的单晶晶圆已经实现了量产。　　SiC功率器件的特征　　SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以更高的掺杂浓度并且膜厚更薄的漂移层制作出600V～数千V的高压功率器件。高压功率器件的电阻成分主要由该漂移层的电阻所组成，因此使用SiC材料可以实现单位面积导通电阻非常低的高压器件。　　理论上当耐压相等时，SiC在单位面积下的漂移层电阻可以降低到Si的1/300。对于Si材料来说，为了改善由于器件高压化所带来的导通电阻增大的问题，主要使用例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅极双极型晶体管)等少数载流子器件(双极型器件)，但是却存在开关损耗较大的问题，其结果是所产生的发热问题限制了IGBT的高频驱动应用。SiC材料能够以具有快速器件结构特征的多数载流子器件(肖特基势垒二极管和MOSFET)实现高压化，因此可以同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。　　另外，SiC的带隙较宽、大约是Si的3倍，因此能够实现在高温条件下也可以稳定工作的功率器件(目前由于受到封装的耐热可靠性的制约，只保证到150℃～175℃，但是随着封装技术的发展，将来也可能达到200℃以上的保证温度)。　　SiC SBD的特征　　· 器件结构和特征　　SiC能够以具有快速器件结构特征的肖特基势垒二极管(SBD)结构，制作出1200V以上的高耐压二极管(Si SBD的最高耐压为200V左右)。　　因此，如图2-1所示，通过将现在主流使用的快速PN结二极管(FRD：快速恢复二极管)替换为SiC SBD，能够大幅减小反向恢复损耗。有助于实现电源的高效化，并且通过高频驱动实现电感等被动器件的小型化，同时降低噪声水平。以功率因数校正电路(PFC电路)和二次侧整流电路为中心，目前广泛应用于电动汽车充电器、光伏发电系统中的功率调节器、服务器电源、空调等多个领域。　　目前，ROHM SiC SBD的主要产品线包括650V、1200V、1700V耐压的产品。

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发布时间：2026-09-09 13:17 阅读量：415 继续阅读>>

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芯模共生，生态共建：昆仑芯联合FlagOS实现MiniCPM5-2B模型Day 0部署

　　近日，面壁智能联合OpenBMB正式开源新一代端侧模型「小钢炮」MiniCPM5-2B。作为面向端侧场景打造的新一代小尺寸模型，该模型原生支持混合思考、512K超长上下文，并具备工具调用、深度搜索、代码生成等智能体能力，可进一步拓展至手机、PC、智能座舱等多元端侧设备。　　模型开源后，昆仑芯联合FlagOS，率先完成MiniCPM5-2B的Day 0适配与推理验证。　　此次适配展现了昆仑芯面向前沿开源模型的快速响应能力。依托持续完善的软硬件协同体系，昆仑芯能够紧跟主流模型迭代，并通过与FlagOS的生态协同，进一步提升模型适配效率，缩短新模型从开源发布到国产算力平台可用的时间。　　开源即适配，昆仑芯联合FlagOS实现模型高效部署　　大模型快速迭代的今天，从“模型发布”到“算力可用”的时间窗口正在不断缩短。对于开发者而言，新模型发布后能否快速完成不同算力平台上的适配、部署与性能验证，已经成为衡量算力生态响应能力的重要指标。此次MiniCPM5-2B开源后，昆仑芯联合FlagOS快速完成模型的适配与推理验证，实现了开源即适配、开源即部署。在适配过程中，昆仑芯围绕模型运行涉及的算子、推理框架及运行环境开展逐一验证与优化，依托持续完善的软件体系和软硬件协同能力，推动模型在快速在昆仑芯平台实现稳定运行。与此同时，FlagOS通过统一算子库、编译器及推理插件等软件能力，为模型适配提供统一的软件支撑，进一步降低前沿模型跨芯片适配的复杂度。基于统一多芯片软件栈，此次MiniCPM5-2B的适配成果还可通过FlagRelease发布多芯片模型版本，进一步提升适配成果的复用效率。　　软硬协同，昆仑芯持续提升适配效率　　大模型适配并非简单地让模型“跑起来”。由于不同AI芯片在计算架构、算子支持、编译环境和软件栈等方面存在差异，新模型要实现稳定、高效运行，需要进行多层次的适配与优化。　　对于昆仑芯而言，持续完善软硬件协同能力，提升模型适配与优化效率，是推动前沿模型快速落地的重要基础。　　这一适配能力的背后，是昆仑芯长期积累并持续完善的自研软件体系。围绕开发者需求，昆仑芯构建了覆盖底层驱动、开发工具、SDK及专业算子库等核心环节的自研软件栈，为模型迁移、部署与运行提供完善的软件支撑。依托持续演进的软件能力，开发者能够以更低的适配成本和更高的部署效率，将前沿模型快速应用于实际场景。　　此次MiniCPM5-2B适配过程中，昆仑芯依托自身软件体系和推理能力完成模型适配与验证，并联合FlagOS进一步提升适配成果的复用效率，为模型在国产AI芯片平台上的快速部署提供支持。　　从单个模型的Day 0快速响应，到持续拓展主流模型生态，昆仑芯正不断拓展对前沿模型的兼容与支持能力，持续缩短模型从开源发布到国产算力平台落地的时间，让更多前沿模型能够更加高效地运行在国产算力平台之上。　　深化生态协同，共建繁荣模型生态　　随着大模型加速迭代，模型生态与算力生态之间的协同效率愈发重要。对于国产算力而言，除了具备稳定的硬件性能，还需要持续提升对主流模型的兼容与适配能力，才能更好承接前沿模型的发展。　　昆仑芯正持续跟进主流开源模型迭代，不断提升模型适配与优化效率，当前已完成智谱GLM系列、Qwen系列、MiniMax、Kimi等多款主流模型的适配，持续拓展对主流模型生态的支持范围。　　在不断提升自身适配能力的同时，昆仑芯也积极参与众智FlagOS社区等开源生态建设，通过与生态伙伴开展联合适配，推动模型适配成果进一步复用和共享，扩大国产算力对主流模型生态的支持范围。　　未来，昆仑芯将持续提升前沿模型的适配与优化能力，深化模型、软件与芯片之间的协同，与生态伙伴共同推动更多前沿模型快速落地国产算力平台，助力构建更加开放、繁荣的国产AI生态。

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发布时间：2026-09-09 10:19 阅读量：251 继续阅读>>

全面迈向48V车载新架构！思瑞浦首发全国产化80V CAN S<span style='color:red'>IC</span>收发器TPT1662xQ

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全面迈向48V车载新架构！思瑞浦首发全国产化80V CAN SIC收发器TPT1662xQ

　　48V车载系统正加速取代传统12V架构，凭借功率承载能力提升4倍、线束重量降低60%的显著优势，成为燃油车向纯电动过渡的关键技术路径。　　然而，48V系统带来的不仅是性能提升，更是对车载电子元件耐压能力的严峻考验。ISO 21780:2020标准的发布，为48V车载电气系统建立了统一的技术规范。该标准明确了供电电压范围最高达60V，过压实验更要求70V/40ms的短时过压。这意味着，48V车载网络中的CAN总线节点，必须具备远超传统12V系统的耐压能力。　　48V电源系统重构汽车未来　　针对48V车载应用的严苛需求，3PEAK推出TPT1662VQ与TPT1662Q系列CAN FD SIC收发器。TPT1662xQ系列完全符合ISO 11898-2:2024、CiA601-4以及SAE J2284-1至J2284-5高速CAN物理层标准，支持经典CAN和优化CAN FD SIC网络，数据传输速率最高可达8Mbps。　　产品核心优势对比：　　领先业界的±80V耐压，从容应对最恶劣工况　　ISO 21780是针对48V车载系统电源电压标准。标准要求48V系统芯片的供电耐压至少60V，并且能抗住瞬态高压可到70V/40ms。因此对CAN芯片总线耐压要求较高，TPT1662芯片总线故障保护电压高达±80V，完美覆盖ISO 21780标准所定义的全部过压场景——无论是60V长期过压还是70V短时浪涌，　　都能从容应对。　　ISO 21780 48V供电电压标准　　48V系统CAN短路工况　　总线有CMC条件下总线短路60V，　　芯片端振荡可达80V　　TPT1662xQ针对性优化总线耐压设计，具备±80V超宽总线耐压范围，远超行业常规水平，无论瞬态耐压还是长时间耐压表现均大于±80V。　　总线高压脉冲和1min短路耐压测试均>80V芯片无损伤，故障撤销可恢复通信　　高共模输入电压：48V车载CAN通信的“隐形守护者”　　ISO 25769是针对12V/24V/48V车载电气系统的电气要求和试验方法，明确将“地丢失”纳入考核，48V系统设计中，“地丢失”导致的共模电压骤升是必须通过的硬性考核项。当ECU接地回路断开时，参考地会被拉至48V电池电位，总线共模电压实测可达70V以上的高压脉冲。常规CAN收发器共模范围仅±12~±30V，接收器立即饱和失效，无法满足ISO 25769测试要求，节点通信中断甚至拖垮整条总线。　　TPT1662xQ凭借±60V超宽共模能力，在面对60V共模冲击下接收器仍能精准识别差分电平，确保RXD输出无误。确保通信不中断——是满足ISO 25769标准、保障48V系统极端故障下通信可靠性的关键保障。　　Lost of Ground下共模电压路径　　地丢失工况下靠近芯片端总线共模电压最大飙升至70V　　模拟芯片在不同共模电压下5Mbps通信表现，TPT1662xQ凭借极高抗干扰表现，在>±60V共模干扰接收器都能保持稳定工作，有效抑制共模噪声，确保仅有差分信号被正确放大。这使得TPT1662xQ在48V高噪声环境中依然能实现零误码的高可靠通信。　　TPT1662xQ共模±80V 无错误帧竞品共模±20-30V 有错误帧　　卓越EMC性能，保障通信稳定　　在48V车载系统中，CAN收发器除了承受高压冲击与共模干扰外，还需在复杂网络环境和强电磁干扰中可靠通信、协同工作。TPT1662xQ系列在IOPT互操作测试与EMC电磁兼容测试中的出色表现，为系统提供了额外一重保障。　　无需共模电感即可通过全部车规EMC测试：针对总线信号质量与EMC性能进行特殊优化，省去外部共模电感，降低BOM成本与PCB面积;　　同时TPT1662xQ凭借卓越的BCI(大电流注入)抗干扰能力，有效抵御电磁干扰，保障CAN总线通信稳定，满足车载电磁兼容性(EMC)标准要求。　　不止硬核性能，更懂客户需求　　TPT1662xQ完全兼容ISO 11898-2:2024、CiA601-4以及SAE J2284-1至J2284-5高速CAN物理层标准等行业标准，可直接替换传统CAN收发器，无需修改系统软件，大幅降低客户的升级成本和研发周期，性能更是行业领先，实现从晶圆制造、芯片设计到封装测试的全流程国产化，为国内车企提供48V自主可控方案。　　未来，我们将持续深耕车载半导体领域，以技术创新驱动产品升级，推出更多具备核心竞争力的48V车载器件，助力汽车电子化、智能化产业高质量发展!

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思瑞浦

发布时间：2026-09-08 09:55 阅读量：262 继续阅读>>

<span style='color:red'>IC</span>DIA2026｜小华半导体：硬核 MCU 助力变频空调国产化突围

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ICDIA2026｜小华半导体：硬核 MCU 助力变频空调国产化突围

　　近日，ICDIA 2026 第六届集成电路设计创新会议于南京召开。小华半导体副总经理尤伟其发表主题演讲，分享了小华大家电多电机控制技术成果以及推动变频空调核心芯片国产化落地的”芯”路历程。　　长期以来，高端多电机 MCU 市场被海外厂商占据。尤伟其提出，国产芯片需要跳出简单兼容替代，实现从 “能用” 到 “好用” 的技术跨越，攻克大家电多电机控制痛点。　　高集成架构，破解多电机协同控制难题　　变频空调MCU需同时驱动压缩机、多路风机与PFC 功率校正单元，工况复杂。小华多电机 MCU 集成独立 ADC、专用 PWM 与硬件保护单元，单芯片支持两电机、三电机协同控制。硬件实现采样、交错 PFC 输出、故障联动，减轻 CPU 负载;搭配自研电机控制算法，达成高精度转速调节，满足高端变频空调性能要求。　　三大核心优势，构筑产品技术护城河　　高性能算力：主频最高 200MHz 以上，数模混合架构减少软件开销，充分支撑多电机并行高负载运算。　　全维度高可靠品质：具备高精度片内时钟、高等级抗干扰能力;执行高覆盖率量产测试，交付 DPPM<10PPM;通过 HTOL、Flash 耐久等严苛验证，保障器件 10 年以上使用寿命，适配家电长期运行。　　全栈服务赋能敏捷开发：小华定位系统级合作伙伴，产品迭代贴合家电真实工况，配套完整工具链、参考方案与技术支持，缩短客户研发周期。依托 HC32 产品矩阵，已在头部家电企业实现大规模量产。　　聚力生态共建，加速家电 “中国芯” 崛起　　国产替代重在本土场景创新。作为 CEC 华大半导体核心子公司，小华将持续深耕大家电多电机赛道，打磨高性能电机控制 MCU。携手产业链伙伴，打造安全可控的家电集成电路生态，以芯片 + 算法一体化方案赋能家电产业升级，为中国智造注入本土 “芯” 力量。

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小华半导体

发布时间：2026-08-27 10:48 阅读量：306 继续阅读>>

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ROHM丨为什么在SiC和GaN功率器件时代，IGBT依然重要？

　　尽管宽禁带技术正在崛起，但传统的功率电子器件仍在持续进化并被广泛应用。凭借其出色的性价比、稳定的供应以及经过实际验证的可靠性，在小型化和轻量化无法带来较大附加值的应用场景中，一直是非常实用的选项。　　碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件在高效率、高温及小型化应用中性能表现优异，氧化镓(Ga₂O₃)和金刚石等材料研发也取得了显著进展。尽管已经取得了很多进步，不过还有许多系统仍需持续依赖硅功率电子技术，特别是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。　　本文将阐述IGBT持续获得广泛采用的原因。将从成本与供应考量、既有可靠性数据的价值、以及宽禁带半导体优势在系统层面仅能提供有限益处的应用场景种类等方面进行探讨。另外还会简要介绍在IGBT性能的持续改进和扩展。　　高性价比和供应稳定性备受好评　　如今，功率元器件所受到的关注度已达到前所未有的高度。主要原因在于SiC和GaN功率器件等新一代功率器件的问世。另外，关于Ga₂O₃和金刚石功率器件等新一代功率器件的研发不断取得进展，其实用化前景备受期待，这也进一步助推了市场关注度的提升。　　然而，下一代及下下代功率器件的面世，并不意味着电子设备设计工程师会全面采用这些产品。他们只是合理地选择能够将目标应用产品的价值最大化的功率器件。如果判断现有硅(Si)功率器件能使应用产品的价值最大化，那么他们将会继续采用Si功率MOSFET和IGBT。　　实际上，基于这一判断而选择继续使用IGBT的应用场景并不少见。半导体领域全球知名制造商ROHM表示，“不仅在日本，海外市场对IGBT的关注度也在迅速提高”。这种关注度快速上升的原因在于，2021年以来工业设备、电机驱动系统、电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及光伏逆变器等领域对IGBT需求量的持续扩大。ROHM的报告中显示，这些应用领域的制造商咨询量显著增加，产品销量正保持稳步上升态势。　　半导体分析师Grossberg・大山聪先生也持相同观点：“SiC功率MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)市场未来将持续扩大，但IGBT市场规模不会萎缩。”预计IGBT市场在2025年后仍将保持约10%的年均复合增长率(CAGR)，呈较快增长趋势。　　最合适的功率器件选型并非仅由电气特性决定　　那么，电子设计工程师在应用产品中采用IGBT时最重视的特性是什么?　　在电气特性方面，竞品SiC功率MOSFET和GaN HEMT器件在很多方面的表现会优于IGBT(表1和表2)。具体而言，比如导通损耗和开关损耗的降低、高速工作能力(实现高开关频率)、高温工作能力等优势。　　因此，将这些优势运用到应用产品中可带来诸多好处：延长电池续航时间、降低电池容量要求、实现更小型轻量的电路、减少发热量等。这些优势在移动应用领域的价值尤为显著。最终，SiC功率MOSFET和GaN HEMT器件主要在电动汽车牵引逆变器和DC-DC转换器等应用领域得以快速普及。　　表1：单位面积导通电阻的变化趋势　　低电压：Si MOSFET更合适。速度快且损耗低。　　中等电压：SiC MOSFET更合适。高频条件下仍保持低损耗，面积效率优。　　高电压额定：IGBT更具优势。相比SiC，导通电阻更低，芯片面积效率更高。　　表2：IGBT与SiC功率MOSFET的性能比较　　但是，从另一角度来看，在难以实现这些优势的应用场景中，采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT器件并不具备决定性理由。具体而言，是这类应用场景并不以小型化和轻量化为首要考量因素。　　具有代表性的示例包括工业设备和电机驱动系统。在这些应用中，即使通过采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT实现了小型化和轻量化，也不能转化为足以显著提高销售额的附加值。因此，设计者通常不会为采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT带来的成本增加买单。换言之，电子设备设计工程师会基于出色的性价比优势而选择IGBT。　　除此之外，还存在仅凭电气性能无法定义的“采用IGBT的理由”。例如，与SiC功率MOSFET和GaN HEMT相比，IGBT的供应稳定性明显更高。此外，IGBT自实现实用应用以来已历经约40年，拥有丰富的可靠性数据及长期应用所积累的实践经验。　　在实际的电子设备设计中，电力器件的选型不仅需要考量电气特性，更需要综合评估上述各种要素。因此，即使新电力电子器件不断涌现，在特定应用场景中IGBT仍被持续采用。　　IGBT技术的持续演进　　此外，IGBT绝非过时的功率器件，而是一直到进步。也就是说，其性能提升仍有充分的空间。　　IGBT的性能通过元器件层面和工艺层面的双重改进，已得到显著提升。例如，采用“非穿通”和“场截止”等新器件结构、硅晶圆减薄、以及沟槽栅微缩(间距缩小)等方面的改进。最终，IGBT实现了集电极-发射极饱和电压(VCE(Sat)[1.1])降低、电流容量增加、开关频率提高(开关损耗减少)以及短路耐受能力增强。　　然而，在硅晶圆减薄和沟槽栅间距微缩方面，仍存在改善余地。ROHM开发部部长石松祐司表示：“IGBT的性能提升仍存在潜在空间。2026年以后推出的产品，其器件结构本身很可能会迎来重大变革。我们会逐步将这些技术发展融入到产品中。”　　未来，在保持“较低成本”、“高可靠性”和“高实用性”等优势的同时，性能得到进一步提升的IGBT产品被投入市场的可能性很大。　　在内置多个IGBT的功率模块领域，仍有望实现进一步技术突破。目前，ROHM已推出的功率模块“TRCDRIVE packTM”，具有高电流密度和出色的散热特性[2.1](图1)。目前所采用的功率器件，是ROHM第4代SiC功率MOSFET。　　图1 功率模块 TRCDRIVE packTM：虽尺寸小巧，却通过单面散热设计实现与竞品同等散热性能的封装型功率模块。目前供应的是内置2枚ROHM第4代SiC功率MOSFET的二合一型模块。　　本功率模块具有两大特点：第一，通过优化内部布局，将电感降至更低，从而降低了开关损耗;第二，虽采用单面散热设计，仍以小巧尺寸实现了与竞品同等的散热性能。　　在安装方法上，采用了银(Ag)烧结技术，通过高温高压将模块内部芯片(功率器件)与引线框架进行接合。这既提高了接合可靠性，又提高了功率密度。　　ROHM计划在不久的将来将这项技术也应用于IGBT。　　此外，在模块与外部散热器的接合部位，ROHM与 Arieca 公司联合研发出采用了液态金属填充弹性体(LMEE)的低温接合技术。该技术不仅实现了与银烧结接合技术同等的热阻，还可在更低温度和压力条件下完成接合。这在提高散热效率的同时，更大程度地提升了模块的电气性能。　　图2：液态金属填充弹性体(LMEE)是美国Arieca公司推出的热界面材料。具有低热阻特性，应用于功率模块可提升其散热性能。　　电力电子技术演进中的可靠选项　　宽禁带器件为电源设计者提供了更多的选择，同时，IGBT凭借其出色的可靠性和成本效益优势，依然是众多系统的优选方案。其成熟的供应链、稳定的可靠性以及持续的技术改进，即使是在SiC和GaN的优势仅能提供有限的附加值的应用场景中，IGBT依然保持着作为实用解决方案的地位。

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发布时间：2026-08-25 14:59 阅读量：512 继续阅读>>

纳芯微出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器<span style='color:red'>IC</span>技术趋势

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纳芯微出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器IC技术趋势

　　2026年8月19日至21日，亚太经合组织(APEC)汽车对话第44次会议(AD44)于大连举行，来自多个成员经济体的政府部门、行业协会及企业代表围绕亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业及先进车辆技术等议题展开交流。　　作为汽车芯片代表厂商，纳芯微受邀参与此次会议，公司信号链产品线技术市场负责人王良藩先生在会上分享了AK2超声波雷达芯片的技术趋势与实践方案，共探汽车智能化感知技术的挑战与机遇。　　从AK1到AK2：超声波雷达进入数字架构阶段　　超声波雷达正从模拟架构向数字架构演进。与传统AK1模拟架构相比，AK2采用数字编码调制与回波信号处理，在探测距离、测量精度及抗干扰能力上有所提升;接口从点对点升级为多传感器共享总线，支持多传感器协同工作。目前，AK2超声波雷达已应用于超声波泊车辅助(UPA)、自动泊车辅助(APA)、自主代客泊车(AVP)等场景。　　从测距到多维感知：超声波传感的演进方向　　功能更广泛：感知维度从1D/2D测距向3D/4D演进，同时向低速AEB触发、障碍物类型检测、路面分类、微碰撞检测等场景延伸，在与毫米波雷达、UWB、摄像头共存的格局下保持其短距优势;　　刷新率更快：保险杠级传感周期压缩到100毫秒以内，支持更早的障碍物检测与更高效的AVP运行，对IC的多发多收协同与抗干扰能力提出更高要求;　　性能提升：目标分类(车辆、行人、路沿)、路面识别(铺装路、碎石、草地)、传感器污染检测(水、泥、冰、雪)及近场盲区缩减，要求传感器IC具备原始数据上传能力，支持各级原始数据上传;　　成本更优化：成本评估从单模块延伸向系统级，通过去MCU化、DSI3二线制(电源与通信同线)、直驱架构(省去外部变压器)等方案降低BOM与线束成本。　　多发多收与灵活编码：压缩传感周期　　针对刷新率提升需求，纳芯微通过任意频率模式发生器(AFG)支持固定频、线性/非线性频率编码、FSK+chirp组合编码等多种波形;支持多发多收提升抗干扰能力，保险杠扫描可在2个扫描周期内完成。　　原始数据上传与全量程优化：扩展感知边界　　在性能层面，纳芯微提供可配置的原始数据上传链路，支持1–16倍抽取、MCU侧压缩后经DSI3上传，可选择ADC原始数据(2ms窗口)、混频后I/Q数据、事件前后包络数据等节点;通过时变LNA(TVLNA)自动增益切换抑制近场饱和，探测范围覆盖约10cm至6.5m。　　DSI3标准协议：实现跨品牌互操作　　在系统集成层面，纳芯微采用基于标准DSI3协议的跨品牌互操作性设计，支持纳芯微芯与其他行业标准DSI3芯片组合，拓扑支持点对点、并行及菊花链。产品方面，NSUC1800支持厂商定义CRM命令，NSUC1802提供每通道2KB DSI3缓冲区，在功能扩展与数据访问灵活性上各有侧重。　　关于亚太经合组织(APEC)汽车对话　　亚太经合组织(APEC)汽车对话设计于1998年，旨在为各经济体政府主管部门与汽车产业界搭建常态化沟通平台，围绕发展战略、标准法规、技术创新等方面开展交流合作。本届AD44设置了亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业发展、先进车辆技术面临的机遇与挑战等议题。

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发布时间：2026-08-24 13:05 阅读量：341 继续阅读>>

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GigaDevice inside！世界人形机器人运动会首批决赛机器人的硬核底座

　　第二届世界人形机器人运动会于北京国家速滑馆 “冰丝带” 火热开赛。来自六大洲各个国家的上百支机器人队伍同台比拼，几十个竞赛项目、超千场比赛轮番上演。今日首批赛事决赛结果正式出炉，田径400米赛项已决出冠军，恭喜天工Ultra以38.15 秒的成绩夺冠!　　决赛的多个机器人运动控制系统均搭载 GD32高性能MCU，其中多关节协同与高频伺服控制依托 GD32H7 实现，感知链路多采用 GD32F5，以国产芯片能力托举赛场竞技表现。　　本届赛事包含百米冲刺、跳高、街舞、足球对抗等高动态竞技项目，对机器人环境感知、多肢体协同、瞬时动作执行提出严苛考验。AI 大模型赋予机器人上层智慧决策，而 MCU 则是算法落地为实体动作的关键硬件底座。已经决出结果的赛场上，冠军机器人需要在ms级以内完成三个关键环路的计算即：环境感知采集，跨单元信号交互，高频伺服关节的控制。只有这三个控制环路做到极致，机器人才能拥有极致的反应能力，才能稳定完成高速奔跑、急停变向等高强度动作。GD32F5 承担多维环境传感信号采集解析，为整机姿态闭环提供可靠数据输入;GD32H7 凭借高速总线能力与强劲运算实力，保障整机高控制频率和多关节同步联动，同时在关节端完成高频伺服运算，将智能指令转化成稳定精准的机械运动。　　人形机器人竞技比拼，核心集中在两大维度：高速动态运动性能，以及真实场景下的 AI 泛化作业能力。针对人形机器人运动系统的三大控制环路，GD32 MCU 实现能力覆盖：　　高精度环境感知：GD32F5 搭载 Cortex®-M33 内核，最高主频达 280MHz。芯片内置 12bit SAR ADC，采样率高达 3Msps，同时支持硬件过采样，可高效完成传感器信号采集与预处理，助力机器人实时捕捉赛场环境的动态变化。　　低时延多轴协同通信：GD32H7 搭载倍福官方授权 EtherCAT® IP，配合 GD32H7 系列专属总线优化，DC 同步周期可达 62.5μs，实现 16kHz 通信频率。这套硬件总线方案有效降低通信时延，保障整机多关节高效同步，进一步提升机器人整机运动协同性能。　　高频伺服动作落地：GD32H7 采用 Cortex®-M7 内核，最高主频 600MHz。依托强大的运算性能，芯片集成 TMU 三角函数运算加速器与编码器硬件处理单元，可将电流环处理时间压缩至 2μs 以内，快速响应上层主控下发的控制指令，有效增强机器人整机动态响应能力。　　赛事仍在持续推进，更多赛项的冠军将陆续诞生。赛场上机器人一次次刷新竞技成绩的背后，离不开底层芯片的稳定输出。从感知、通信到运算执行，兆易创新持续为人形机器人从 “能跑能跳” 走向 “能赛能用” 筑牢硬核硬件底座，助力具身智能技术加速走向真实应用场景。

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发布时间：2026-08-24 11:18 阅读量：336 继续阅读>>

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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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