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高温<span style='color:red'>IC</span>设计必懂基础知识：高温设计的优势

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高温IC设计必懂基础知识：高温设计的优势

　　随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。　　这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。本文将介绍高温设计的优势。　　高温设计的优势　　能够在高温下工作的集成电路具有多种优势。它们可以在汽车和航空航天等环境温度超过 150°C 的苛刻环境中可靠运行。这些设计通常非常稳健，包括温度保护电路，不易发生热失控和其他温度引起的故障，从而提高了系统的整体可靠性。通过耐受更高的温度，这些电路可以减少或消除对复杂冷却系统的需求，从而提供更简单、更具成本效益的解决方案。　　▷热管理　　热管理对电子系统的设计和运行至关重要，可确保性能和可靠性。可利用散热器、液体冷却和改善空气流通等方法加强散热来降低结温。然而，这些方法也会增加电子模块的重量、尺寸和成本。　　在大功率应用中，如功率开关和电动引擎等部件需要主动冷却。使用标温较高的冷却剂可以减少对大型散热器的需求，从而提高效率，但同时也要求元件能够承受更高的温度。碳化硅(SiC)功率开关适用于这些条件。在高温条件下工作并靠近功率晶体管安装的预驱动器是必不可少的，尤其是在汽车应用中，因为它们可以共享发动机冷却回路。无需特殊冷却即可在较高环境温度下工作的电路在各行各业都具有巨大的潜力。　　电源管理对于传感器等低功耗应用也至关重要，尽管这些应用的功率不高，但热管理仍然具有挑战性。这是因为传感器尺寸超小、塑料外壳、无法添加散热片等因素导致散热不佳。额外的热管理会大大增加电子模块的成本、尺寸和重量。在这种情况下，从裸片到环境的热阻可达每瓦几十到几百摄氏度。驱动传感器执行器和处理传感器数据可能需要一定的功率，这会使裸片温度比环境温度高出几十摄氏度。这就需要能够承受高温的 IC 来实现没有这些热管理措施的应用。　　另一个例子是由汽车电池直接供电的车用 IC。这可能是 12V 电池，或越来越常见的 48V 电池。在电路内部，IC 信号处理的电压可能仅需 1.2V，而从汽车电池到 IC 的线性稳压器消耗了大部分功耗。对于小负载来说，增加一个带有外部线圈的 DC-DC 转换器以提高效率既不实际也不经济。如果线性稳压器可以在高温下工作，则能够节省模块的成本和重量。　　▷过温保护　　过温保护或热关断(Thermal Shutdown，TSD)对集成电路至关重要，可防止 IC 及其外部元件损坏，确保可靠性和安全性。环境温度过高、功耗过大、热管理不善或故障导致过载等因素都可能触发过温保护。当 IC 的结温超过预设阈值时，热关断机制就会启动，自动关闭 IC 的高功耗部分或整个芯片，以防止温度进一步升高及造成损坏。　　一旦 IC 冷却到安全温度，它可以自动重新启动之前关闭的部分或整个 IC，在确保保护的同时最大限度地减少停机时间。这种机制对于维持 IC 的可靠性和使用寿命至关重要，可保护 IC 免受外部故障、过载或温度波动的影响。　　有功能安全要求的产品也需要 TSD。也可使用具有功率降额功能的热监测或热预警。　　TSD 应当保护 IC 免受热失控的影响，以形成一个正反馈。循环热失控发生在 IC 产生的热量超过其散热能力时，导致温度不可控地上升。高温会增加结和亚阈值泄漏，降低 MOS 晶体管的性能，并提高功率耗散。　　如果缺乏 TSD 的保护，这一循环将持续到 IC 过热，可能导致故障、寿命缩短或安全隐患，包括火灾或爆炸。　　TSD 级别的设置通常略高于最高工作温度，以便偶尔出现温度偏差时不会造成不必要的关机，但也要足够低，以便有效控制和关闭功率耗散部分。例如，如果最高工作温度为 165°C，考虑到 TSD 电路的制造容差，TSD 级别可设置在 170°C 至 185°C 之间。正确设置这一阈值对于平衡电子设计中的性能和安全性至关重要。　　TSD 电路及其所有由该机制控制的相关模块必须设计为能够在最大 TSD 温度以及额外的安全裕度范围内可靠工作。这个安全裕度考虑了芯片上的温度梯度，即功率器件与温度传感器之间的温差。根据布局的不同以及使用的功率器件和传感器的数量，传感器可以放置在功率器件内部、旁边或更远的位置。此外，裕量还考虑了从温度上升到传感器检测到过热并关闭受影响的功率晶体管之间的延迟所导致的温度上升。这确保了即使在极端过热情况下，保护功能仍然能够保持有效运作。因此，TSD 电路必须在比 IC 其余部分更高的温度下保持工作状态，即超过最大工作结温。图 1. 保护电路的工作温度范围　　▷功耗 - 性能 - 面积　　对 IC 进行优化，需要在功耗、性能和面积(PPA)这三个指标之间做出权衡。例如，提高性能会导致更高的功耗或更大的尺寸。相反，降低功耗可能会限制性能或需要更多的面积来添加节能元器件。提高最大工作温度可以扩大功耗空间，从而为性能提升或面积优化提供更多余地。　　设计能在更高温度下可靠工作的 IC 实际上是一种性能的提升，因为它延长了使用寿命并降低了故障率。减少对大量冷却解决方案的需求可以降低系统的整体成本、复杂性和重量，从而实现更加紧凑和经济高效的设计。　　高温工作能力使得在功耗、性能和面积之间进行的权衡更容易，同时也有助于提升整体的 PPA(功耗 - 性能 - 面积)评分。

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高温设计

发布时间：2025-06-05 14:14 阅读量：236 继续阅读>>

高温<span style='color:red'>IC</span>设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战

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高温IC设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战

　　随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。　　这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。第一篇文章介绍了工作温度，包括环境温度和结温等。本文将继续介绍高结温带来的挑战。　　高结温带来的挑战　　半导体器件在较高温度下工作会降低电路性能，缩短使用寿命。对于硅基半导体而言，晶体管参数会随着温度的升高而下降，由于本征载流子密度的影响，最高极限会低于 300℃。依靠选择性掺杂的器件可能会失效或性能不佳。　　影响 IC 在高温下工作的主要技术挑战包括：　　泄漏电流增加　　MOS 晶体管阈值电压降低　　载流子迁移率降低　　提高闩锁效应(Latch-Up)敏感性　　加速损耗机制　　对封装和接合可靠性的挑战　　要设计出能够在高温下工作的 IC，了解高温下面临的挑战至关重要。下文将探讨 IC 设计面临的挑战。　　1.泄漏电流增加　　CMOS 电路中泄漏电流的增加主要是由半导体 PN 结泄漏和亚阈值沟道泄漏的增加引起的。　　▷反向偏置 PN 结泄漏　　在较高温度下，半导体中热能的增加会导致更多电子 - 空穴对的产生，从而产生更高的泄露电流。结泄漏取决于掺杂水平，通常随温度呈指数增长。根据广泛使用的经验法则，温度每升高 10℃，结电流大约增加一倍。　　二极管的泄漏电流由漂移电流和扩散电流组成：　　其中， q 为电子的基本电荷， Aj 为结面积，ni 为本征载流子浓度，W 为耗尽区宽度，τ 为有效少数载流子寿命，L 为扩散长度，N 为中性区掺杂密度。　　在中等温度下，泄漏电流主要由耗尽区中电子 - 空穴对产生的热引起。在高温下，泄漏电流主要由中性区产生的少数载流子引起。漂移电流与耗尽区宽度成正比，这意味着它与结电压的平方根成正比(在正常反向电压下)，而扩散电流与结电压无关，并且与掺杂密度 N 成反比。掺杂水平越高，在温度高于约 150°C 时扩散泄漏越少。　　泄漏电流的指数增加影响了大多数主动器件(如双极晶体管、MOS 晶体管、二极管)和一些被动器件(如扩散电容、电阻)。然而，由氧化物隔离的器件，例如多晶硅电阻、多晶硅二极管、ploy-poly 电容和 metal-metal 电容，并不受结泄漏的影响。结泄漏被认为是高温 bulk CMOS 电路中最严峻的挑战。　　▷亚阈值沟道泄漏　　MOS 晶体管关闭时，栅极 - 源极电压 VGS 通常设置为零。由于漏极至源极电压 VDS 非零，因此漏极和源极之间会有小电流流过。当 Vgs 低于阈值电压 Vt 时，即在亚阈值或弱反型区，就会发生亚阈值泄漏。该区域的漏极源极电流并不为零，而是与 Vgs 呈指数关系，主要原因是少数载流子的扩散。　　该电流在很大程度上取决于温度、工艺、晶体管尺寸和类型。短沟道晶体管的电流会增大，阈值电压较高的晶体管的电流会减小。亚阈值斜率因子 S 描述了晶体管从关断(低电流)切换到导通(高电流)的有效程度，定义为使漏极电流变化十倍所需改变的 VGS 的变化量：　　其中，n 是亚阈值斜率系数(通常约为 1.5)。对于 n = 1，斜率因子为 60mV/10 倍，这意味着每低于阈值电压 Vt 60mV，漏极电流就会减少十倍。典型的 n = 1.5 意味着电流下降速度较慢，为 90mV/10 倍。为了能够有效地关闭 MOS 晶体管并减少亚阈值泄漏，栅极电压必须降到足够低于阈值电压的水平。　　▷栅极氧化层隧穿泄露　　对于极薄的栅极氧化层(厚度低于约 3 纳米)，必须考虑隧穿泄漏电流的影响。这种电流与温度有关，由多种机制引发。Fowler-Nordheim 遂穿是在高电场作用下，电子通过氧化层形成的三角形势垒时产生。随着有效势垒高度降低，隧道电流随温度升高而增大。较高的温度也会增强 trap-assisted 隧穿现象，即电子借助氧化层中的中间陷阱态通过。对于超薄氧化层，直接隧穿变得显著，由于电子热能的增加，隧穿概率也随之上升。　　2.阈值电压降低　　MOS 晶体管的阈值电压 Vt 与温度密切相关，通常随着温度的升高而线性降低。这是由于本征载流子浓度增加、半导体禁带变窄、半导体 - 氧化物界面的表面电位的变化以及载流子迁移率降低等因素造成的。温度升高导致的阈值电压降低会引起亚阈值漏电流呈指数增长。　　3.载流子迁移率下降　　载流子迁移率直接影响 MOS 晶体管的性能，其受晶格散射与杂质散射的影响。温度升高时，晶格振动(声子)加剧，导致电荷载流子的散射更加频繁，迁移率随之下降。此外，高温还会增加本征载流子浓度，引发更多的载流子 - 载流子散射，进一步降低迁移率。当温度从 25°C 升高到 200°C 时，载流子迁移率大约会减半。　　载流子迁移率显著影响多个关键的 MOS 参数。载流子迁移率的下降会降低驱动电流，减少晶体管的开关速度和整体性能。更高的导通电阻会增加功率损耗并降低效率。较低的迁移率还会降低跨导，使亚阈值斜率变缓(增加亚阈值泄漏)，降低载流子饱和速度(对于短沟道器件至关重要)，并间接影响阈值电压。　　4.提高闩锁效应敏感性　　集成电路中各个二极管、晶体管和其他元件之间的隔离是通过反向偏置 P-N 结来实现的。在电路开发过程中，需采取预防措施以确保这些结在预期应用条件下始终可靠阻断。这些 P-N 结与其他相邻结形成 N-P-N 和 P-N-P 结构，从而产生寄生 NPN 或 PNP 晶体管，这些晶体管可能会被意外激活。　　当寄生 PNP 和 NPN 双极晶体管相互作用，在电源轨和接地之间形成低阻抗路径时，CMOS IC 中就会出现闩锁效应(Latch-up)。这会形成一个具有正反馈的可控硅整流器(SCR)，导致过大的电流流动，并可能造成永久性器件损坏。图 1 显示了标准 CMOS 逆变器的布局截面图。图中还包含寄生 NPN 和 PNP 晶体管。正常工作时，所有结均为反向偏置。图 1. 带标记的寄生双极晶体管逆变器截面图和寄生双极晶体管示意图　　闩锁效应的激活主要取决于寄生 NPN 和 PNP 晶体管的 β 值，以及 N - 阱、P - 阱和衬底电阻。随着温度的升高，双极晶体管的直流电流增益(β)以及阱和衬底的电阻也会增加。　　在高温条件下，闩锁效应灵敏度的增加也可以视为双极结型晶体管(BJT)阈值电压的降低，从而更容易在阱和衬底电阻上产生足以激活寄生双极晶体管的压降。基极 - 发射极电压随温度变化降低的幅度约为 -2mV/℃，当温度从 25℃升至 200℃时，基极 - 发射极电压降低 350mV。室温下的典型阈值电压为 0.7V，这意味着阈值电压大约减半。　　5.加速损耗机制　　Arrhenius 定律在可靠性工程中被广泛用于模拟温度对材料和元器件失效率的影响。　　其中，R( T) 是速率常数，Ea 是活化能，k 是玻尔兹曼常数(8.617 · 10−5eV/K)，T 为绝对温度(单位：开尔文)。通常，每升高10°C可靠性就会降低一半。　　▷经时击穿-TDDB　　TDDB 是电子器件中的一种失效机制，其中介电材料(例如 MOS 晶体管中的栅氧化层)由于长时间暴露于电场下而随时间退化，导致泄漏电流增加。当电压促使高能电子流动时，在氧化层内部形成导电路径，同时产生陷阱和缺陷。当这些导电路径在氧化层中造成短路时，介电层就会失效。失效时间 TF 随着温度的升高而呈指数级减少。　　▷负 / 正偏置温度不稳定性 - NBTI / PBTI　　NBTI 影响以负栅极 - 源极电压工作的 p 沟道 MOS 器件，而 PBTI 则影响处于积累区的 NMOS 晶体管。在栅极偏压下，缺陷和陷阱会增加，导致阈值电压升高，漏极电流和跨导减少。这种退化显示出对数时间依赖性和指数温度上升，在高于 125°C 时有部分恢复。　　▷电迁移　　电迁移是指导体中的金属原子因电流流动而逐渐移位，形成空隙和小丘。因此，如果金属线中形成的空隙大到足以切断金属线，就会导致开路;如果这些凸起延伸得足够长以至于在受影响的金属与相邻的另一金属之间形成桥接，则可能导致短路。电迁移会随着电流密度和温度的升高而加快，尤其是在空隙形成后，会导致电流拥挤和局部发热。金属线发生故障的概率与温度成指数关系，与电流密度成平方关系，与导线长度成线性关系。铜互连器件可承受的电流密度约为铝的五倍，同时可靠性相似。　　▷热载流子退化　　当沟道电子在 MOS 晶体管漏极附近的高电场中加速，会发生热载流子退化。在栅极氧化层中产生界面态、陷阱或空穴。它影响诸如阈值电压 VT、电流增益 β、导通电阻 RDS_ON 和亚阈值泄漏等参数。在较高温度下，平均自由程减少，降低了载流子获得的能量，使得热载流子退化在低温条件下更为显著。

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集成电路

发布时间：2025-05-28 09:21 阅读量：260 继续阅读>>

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器<span style='color:red'>IC</span>开始量产

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ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

　　5月27日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。　　新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。　　新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术，有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性，不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能，还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。　　另外，隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒)，是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作，从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%，导通时间缩短至仅65ns。因此，虽然频率更高却仍可确保最小占空比，从而可将损耗控制在更低程度。　　GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值)，达到业界超低功耗水平，另外还可有效降低待机功耗。　　新产品已于2025年3月开始量产(样品价格：600日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始网售，通过电商平台均可购买。　　EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。　　<开发背景>　　在全球能源消耗逐年攀升的背景下，节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是，据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。　　ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势，成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来，ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件，为应用产品的设计提供更多便利。　　<应用示例>　　◇ 工业设备：光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源　　◇ 消费电子：白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调　　<术语解说>　　*1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)　　隔离型栅极驱动器的主要参数之一，指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时，容易产生急剧的电压变化，通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器，可有效防止器件损坏，并降低电路的短路风险。

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ROHM

发布时间：2025-05-28 09:04 阅读量：236 继续阅读>>

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Microchip：降价30%！

　　5月20日，据外媒报道，芯片大厂Microchip对其PolarFire 现场可编程逻辑 FPGA 和系统级芯片 (SoC) 器件的价格进行了调整，价格降低了30%。　　Microchip FPGA 营销和战略副总裁 Shakeel Peera 表示：“去年年底，随着行业危机的持续发展，其他供应商进行了'价格调整'，尤其是低端供应商。”　　“去年 FPGA 市场处于库存膨胀状态，并且这种情况仍在继续，因此市场处于复苏模式。因此，我们坐下来研究了我们与 PolarFire 的业务情况，并制定了未来五年的展望。我们有能力做出降价的调整，因为我们希望更多的增加市场份额。　　该公司通过禁用芯片上的某些模块(尤其是收发器)来降低定价，以降低 PolarFire Core 和 PolarFire SoC Core 的测试成本。　　“我们研究了 PolarFire 衍生产品的机会，它解决了智能边缘应用的运营成本，而不是晶圆成本。我们正在移除的主要功能是收发器和 PCIe 2.0 控制器，这是一种具有用户内存的加密处理器，用于军事，并简化了我们生产这些部件和库存的方式，“他说。“平均而言，在经销商处，您将减少 30% 的费用。”　　“对于相同的掩模组，芯片尺寸是相同的，但我们节省的是测试成本，并且我们在前端和后端测试中做了一些事情来降低成本。我们在 1 月份做出了这个决定，并准备在 5 月份发货，这告诉你它不是新的模具。但这也意味着从设计工具到作系统的所有内容都是可重用的。　　Peera表示，降低成本是为了从 AMD、Altera 和 Lattice 等其他供应商那里夺取市场份额。“当我们开始从国防和航空航天领域实现多元化时，我们的市场份额为 5%，去年为 10%。我们希望通过这个达到 15%。“　　根据早前Microchip公开的财务报告显示，#Microchip 第四季度(1-3月)营收9.705亿美元，环比下降5.4%，同比下降26.8%;毛利率为51.6%，营业亏损为1.003亿美元，净亏损为1.568亿美元。　　新上任的总裁Steve Sanghi表示：“我们本季度的收入为9.705亿美元，超过了我们的预期目标，我们相信这标志着Microchip已经走出了长期的行业衰退周期。我们根据九点计划采取了果断行动，通过提高生产效率、改善库存管理和重新调整战略重点，增强了我们的运营能力。随着我们从充满挑战的财政年度向前迈进，我们相信Microchip能够更好地把握市场环境变化带来的增长机遇。”

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Microchip

发布时间：2025-05-21 16:09 阅读量：256 继续阅读>>

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内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用

　　全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG(以下简称 “SMA”) 在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX” 中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。　　罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实现简单且高效的转换器电路而设计的。该产品以高可靠性为目标进行开发，具备抗宇宙射线能力，因此能够满足太阳能发电领域严苛的环境条件和对延长转换器使用寿命的需求。而且，罗姆内置栅极电阻的SiC器件技术，不仅可使模块内的并联驱动更容易，也可简化高输出功率模块的设计。目前，该产品已进入量产阶段。”　　赛米控丹佛斯的SEMITRANS® 20是为大功率应用和高速开关工作设计的，属于下一代大型转换器用的功率模块的代表产品。并且，内置罗姆2kV SiC的SEMITRANS® 20是SMA Sunny Central FLEX的关键组件。赛米控丹佛斯工业部门高级副总裁Peter Sontheimer表示：“赛米控丹佛斯与罗姆之间的合作已达十余年，之前双方主要致力于推动SiC技术在功率模块中的应用。最近，双方又围绕硅IGBT模块展开了合作。SEMITRANS® 20是为支持1,500V直流电压的应用提供的简便且高效的解决方案。该模块非常适用于太阳能发电和储能系统。未来，还有望应用于大功率电动卡车的充电器和风力发电用的转换器。”　　SMA功率转换系统产品经理Bernd Gessner表示：“通过SMA、赛米控丹佛斯以及罗姆的合作，将三方各具优势的创新技术无缝融合在一起，我们共同致力于实现着眼未来的能源项目。而且，市场对这些解决方案的需求也达到了前所未有的高度。SMA凭借多年来积累的专业知识，使产品在性能、可靠性、耐久性和灵活性等方面均达到了超高水准。Sunny Central FLEX之所以在未来也能够持续保持高标准，得益于与志同道合的合作伙伴之间的紧密协作关系。”　　关于 SMA(艾思玛太阳能技术)　　SMA 集团作为太阳能发电和储能系统技术领域的全球领先专家，致力于成为未来的分布式能源和可再生能源供应商。SMA 的产品组合包括适用于高效太阳能和蓄电池的PCS、适用于各种电力等级的太阳能和电池储能系统(BESS)的综合系统解决方案、能源智能管理系统、适用于电动汽车及 Power-to-Gas 应用的充电解决方案。另外，还提供包括数字能源服务、太阳能发电站的运营与维护服务在内众多服务。　　SMA 的 PCS 实际出货量已超过 144GW，遍布全球 190 多个国家。在过去的 20 年间，通过 SMA 销售的 PCS 所节省的电力，助力减少了约 6400 万吨的二氧化碳排放量(CO2)，这相当于防止了超过 120 亿欧元的环境损害。SMA 的技术荣获了众多奖项，拥有 1,600 多项专利和实用新型并受到相应的知识产权保护。从 2008 年起，集团母公司 SMA Solar Technology AG 已在法兰克福证券交易所主板(代码：S92)上市，并被纳入SDAX 指数。　　了解更多信息，请访问SMA 官网：https://www.sma.de/en/　　关于赛米控丹佛斯　　赛米控丹佛斯是电力电子领域的全球先进技术企业。提供功率半导体器件、功率模块、电力电子组件、系统等丰富的产品。随着全球电动化进程的加速，赛米控丹佛斯的技术变得比以往任何时候都更加重要。通过为汽车、工业和可再生能源应用提供创新型解决方案，赛米控丹佛斯致力于提高全球能源利用效率并实现可持续利用，助力大幅削减当今世界面临的最大挑战之一——二氧化碳排放量(CO2)。为实现业内领先的业绩和可持续发展的未来，赛米控丹佛斯还为技术创新、科技研发、供应能力提升和服务优化投入大量资源，尊重员工并致力于为客户创造价值。赛米控丹佛斯是一家家族经营企业，由赛米控与丹佛斯硅动力于2022年合并而成。在全球28个地区拥有超过 3,500名员工。公司在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、斯洛伐克和美国均设有生产基地，通过全球业务拓展，为客户和合作伙伴提供无与伦比的服务。　　凭借在功率模块的封装、创新以及定制应用方面积累90余年的专业知识和经验，赛米控丹佛斯已成为功率电子领域的理想合作伙伴。　　了解更多信息，请访问赛米控丹佛斯官网：www.semikron-danfoss.com　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/

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发布时间：2025-05-13 10:28 阅读量：272 继续阅读>>

东芯半导体获选中国<span style='color:red'>IC</span>设计成就奖之年度最佳存储器！

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东芯半导体获选中国IC设计成就奖之年度最佳存储器！

　　2025年是IC设计成就奖举办的第23年，一路伴随和见证产业的成长与发展，是中国电子业界最重要的技术奖项之一，颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!活动评选并表彰业内优秀的IC设计公司、上游服务供应商、热门模块/设计方案和热门产品。　　深耕存储，创新不断，颁奖晚宴上，东芯半导体3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很荣幸获选了“2025年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖：年度最佳存储器”。同时，进入“Aspencore2025中国IC设计Fabless100排行榜--TOP 10 存储器公司”，这不但是对我们成果的肯定，也鼓舞我们持续研发创新，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案!”　　作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司，现有六大产品矩阵,提供定制化解决方案。东芯半导体实现全球化运营布局，构建完整生态体系，以“存储”为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。

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发布时间：2025-05-12 14:39 阅读量：276 继续阅读>>

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Renesas Electronics RAJ240055 R-BMS F评估套件

　　Renesas Electronics RAJ240055 R-BMS F评估套件是一套2至4S电池(约8V至16V)的解决方案，专为小型真空吸尘器、机器人吸尘器、消费电子和医疗设备而设计。该套件采用RAJ240055锂离子电池FGIC，这是一款2至4串联锂离子电池电量计IC，将独立的MCU和AFE模块集成到单个封装中，以实现各种电池保护和管理操作。Renesas RAJ240055 R-BMS F评估套件设有评估模块 (RTK0EF0163DK02BU)、USB系统管理总线 (SMBus) 和接口适配器，用于评估采用RAJ240055锂离子电池电量计IC (FGIC) 的电池管理系统。此外，该套件还包括R-BMS F固件，这是一款固定且易于使用的软件，无需额外开发，并具有用户可配置设置来指定器件的不同阈值。该评估套件支持从评估无缝转换到客户认证，无需固件开发。特性　　用于采用2至4节锂离子电池的RAJ240055完整评估系统　　经过优化的电路模块，适用于2节至4节电池的配置，可实现快速设置　　SMBus I/F通信　　内置电阻器电池模拟器，可实现快速设置和最小的电线连接　　基于GUI的PC配置软件　　应用　　便携式电源系统　　手持式电子设备　　吸尘器　　工业　　套件内容　　用于评估采用RAJ240055 FGIC的R-BMS F的EVM　　USB SMBus接口适配器　　USB电缆，用于将SMBus I/F连接到PC　　串行电缆，用于将SMBus I/F连接到EVM

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发布时间：2025-05-08 11:21 阅读量：340 继续阅读>>

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Murata Electronics 微型鼓风机MZBD评估驱动器

　　Murata Electronics微型鼓风机MZBD评估驱动器是用于评估MZB微型鼓风机的驱动电路。该款微型鼓风机是小巧轻便的空气泵，可实现高压和高流速。Murata MZBD002是用于MZB1001T02的自振荡电路。MZBD304是用于MZB3004T05和MZB3005T06的示例电路。应使用IC夹或引线来连接直流电源以驱动电路。用户在焊接引线时应谨慎行事，避免将焊烙铁直接接触到微型鼓风机的主体。特性　　MZB微型鼓风机采样驱动电路　　工作电压和条件　　MZBD304　　8VDC 至18VDC，<+10kPa背压　　8VDC 至19.5VDC，≥+10kPa背压　　8VDC 至21VDC，室温和正常压力 (MZBD002)　　烙铁最高温度：+350°C　　各端子接触时间在3s以内　　应用　　燃料电池及其他类似设备的鼓风机　　采用高速气流的微粒扩散器　　用于娱乐和室内装饰的空气泵　　外观：

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Murata

发布时间：2025-05-08 11:17 阅读量：401 继续阅读>>

上海贝岭股份有限公司荣获2025中国<span style='color:red'>IC</span>设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业！

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上海贝岭股份有限公司荣获2025中国IC设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业！

　　2025国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)已圆满闭幕。　　今年是AspenCore连续第23年举办IC设计调查及奖项评选，中国IC设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项之一，每一年颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!上海贝岭凭借展现卓越的设计能力与技术服务水平，荣获2025中国IC设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业!、产品推荐：

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上海贝岭

发布时间：2025-04-29 09:39 阅读量：378 继续阅读>>

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STMicroelectronics ST25R300 NFC读卡器

　　STMicroelectronics ST25R300 NFC读卡器是一款高性能通用器件，支持NFC启动器、目标、读卡器和卡仿真模式。ST25R300设计用于符合EMVCo® PCD 3.2a模拟和数字标准，优化用于最具挑战性的POS终端应用。STMicro ST25R300 NFC读卡器支持快速EMVCo认证周期(即使在苛刻的条件下)，天线位于嘈杂的LCD后面。该器件包括一个高级模拟前端 (AFE) 和一个高度集成的数据组帧系统，用于读卡器NFC A/B (ISO14443A/B,包括更高比特率)、NFC-F (FeliCover™)、高达212 kbps的NFC-V (ISO15693) 以及NFC-A/NFC-F卡仿真。AFE和框架系统的特殊低电平模式可以在读卡器或卡仿真操作中执行其他定制协议。该器件具有高射频 (RF) 功率和动态功率输出，可直接高效地驱动天线。即使使用门禁控制中的小天线尺寸和EMVCo读取器，读卡器也能实现较大的交互距离。该器件通过测量I和Q通道来提供远距离和低功耗卡检测，代表天线信号的真实和想象部分。这种方法可最大限度降低功耗。　　ST25R300设计用于在2.7 V至6.0 V宽电源电压范围内工作，环境温度范围为-40 °C至+105 °C，外设I/O电压范围宽1.65 V至5.5 V)。该器件将高射频输出功率、低功耗模式和宽电源范围相结合，非常适合用于所有NFC应用。　　特性　　工作模式　　读卡器/写卡器　　卡仿真　　射频通信-读卡器/写卡器　　EMVCo PCD 3.2a模拟和数字兼容　　NFC-A/ISO/IEC 14443 A，高达848kb/s　　NFC-B/ISO/IEC 14443 B，高达848kb/s　　NFC-V/ISO/IEC 15693，高达212kb/s　　NFC-F/FeliGuard™，高达424kb/s　　低电平模式，可实施符合MIFARE Classic®标准和其他定制协议(Kovio BC、CTS、B')　　电气特性　　宽电源电压范围：2.7 V至6.0 V　　宽外设通信电源范围：1.65 V至5.5 V　　宽环境温度范围：-40 °C至+105 °C　　石英振荡器能够搭配27.12 MHz晶体工作，具有快速启动功能　　射频通信-卡仿真　　NFC-A/ISO/IEC 14443 A 106kb/s　　NFC-F/FeliGuard™ 212kb/424kb/s　　主要特性　　无源P2P模式　　NFC Forum标准通用器件　　USI WLC读卡器器件　　低功耗电感式卡片检测　　带基带通道求和的I/Q解调器　　动态功率输出 (DPO) 控制磁场强度，以保持在给定限值内(软件特性)　　有源波形整形 (AWS) 可减少过冲和下冲　　噪声抑制接收器 (NSR) 支持在嘈杂环境中接收　　串行外设接口 (SPI) 高达10Mb/s　　可以驱动一根差分或两根独立的单端天线　　应用　　EMVCo PCD 3.2a兼容非接触式支付端子　　门禁控制　　符合NFC Forum标准的NFC通用器件　　WPC Qi带外 (OOB) 通信和卡保护NFC读卡器　　NFC无线充电 (WLC) 轮询器　　WPC Ki功率发射器 (PTx) 通信单元　　符合ISO/IEC 14443和ISO15693标准的通用NFC器件　　FeliCa读卡器/写卡器

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意法半导体

发布时间：2025-04-27 15:49 阅读量：326 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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