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罗姆：11月研讨会上新！车载应用端的低压MOSFET和高压<span style='color:red'>IGBT</span>

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罗姆：11月研讨会上新！车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT

　　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　研讨会时间　　2026年11月18日上午10点　　研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司中国技术中心高级经理。统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!

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发布时间：2026-11-02 16:07 阅读量：238 继续阅读>>

储能 PCS 里的功率心脏 | 捷捷微电<span style='color:red'>IGBT</span>储能应用方案详解

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储能 PCS 里的功率心脏 | 捷捷微电IGBT储能应用方案详解

　　储能系统的核心价值，在于实现电能的存储与调度;本文介绍的储能系统均为电化学储能系统，支撑这套能量流转的，正是IGBT—— 系统中持续工作的核心开关。　　近些年，家用光伏配储能的越来越普遍。白天光照充足，光伏发出来的电用不完;到了晚上用电高峰，又得花高价买电网的电。储能系统恰好解决了这个供需时间错配的痛点：把白天富余的电能存下来，晚上再拿出来供家里使用。　　承担这份能量转换与搬运任务的核心装置，就是储能变流器 PCS。IGBT 集成在 PCS 内部，依靠高频开关动作完成电能变换，是能量流转的关键器件。　　本篇文章重点拆解三个核心问题：PCS 是怎么工作的、IGBT 在里头扮演什么角色、捷捷微电IGBT储能场景下的选型方案。　　储能变流器(PCS，Power Conversion System)是储能系统的核心设备，架在电池和电网、家用负载中间，实现电能双向转换;　　放电：电池的直流电转成交流电，供家里电器使用，多余的电输回电网;　　充电：电网交流电或光伏直流电，经PCS转为直流电，存进电池。　　依靠 PCS，储能系统可以实现削峰填谷、平滑负荷曲线，也让光伏这类可再生能源真正存得住、用得好。　　根据不同应用场景，PCS 有三种工作模式：　　并网模式：接入公共电网，电能双向充放电，依托电网正常运行;　　离网模式：脱离大电网独立给本地设备供电，多用于偏远孤岛或者电网检修断电场景;　　混合模式：可灵活切换并网、离网两种状态。电网正常时调度电能，电网出现故障，依旧可以保障重要负载不断电;　　从应用领域看：户用储能功率( 20kW 以内)，主打光储一体、低压系统;200‑500kW 的工商业储能，技术正在向宽禁带半导体方向升级;1MW 及以上电网侧、大型储能电站，则对构网型技术有硬性需求。功率段不一样，对功率器件的要求也会随之改变。　　目前储能系统主要分为交流耦合、直流耦合两条架构路线。　　交流耦合：光伏、电池各自配置一套逆变器，电能最后在交流侧汇集;　　直流耦合：光伏和电池先在直流侧完成汇合，仅靠一台逆变器完成交直流转换。　　对比下来，直流耦合转换效率更高、响应速度更快，也更适配模块化产品设计，现在已经是户用储能、便携移动储能的主流方案。市面上绝大多数 PCS 采用"DC/DC + DC/AC"两级电路架构。　　以移动户储设备为例，整套系统分成两级功率变换电路：　　双向 DC/DC 变换电路：负责电池与直流母线之间的升降压，对电池充放电进行控制;　　双向 AC/DC 变换电路：负责直流与交流互转，对接电网和家电负载。　　充电时，交流电经电路变成直流电存入电池;放电时，电池直流电再转成交流电输出给电器。　　不同储能设备的电池电压差异很大：普通家用户储电池一般在 40-60V(常见 48V)，大型三相储能设备电池电压可从 150V 到 900V 不等。出于安全考量，部分产品会采用带隔离设计的 DC/DC 变换器，常用拓扑包括 DAB、LLC、双向升降压电路等。　　PCS的双向AC/DC变换中，IGBT是主要开关器件，IGBT的性能直接决定整机的效率、发热和寿命。　　充电时的功率因数校正(PFC)，简单理解就是让设备"用电更友好"，减少对电网的谐波干扰。　　电路中有两类 IGBT：高频管频繁高速开关、完成升压;工频管开关动作很少，主要靠内部二极管续流。　　放电时的逆变输出，把电池直流电变成交流电，主要有两种调制方式：　　双极性调制：全部功率管高速开关，损耗大、发热严重，市面上已经很少采用;　　单极性调制：一半器件高频运转，另一半器件做工频工作，谐波更小，配套滤波元件体积也可以做小，整体损耗差不多只有双极性方案的一半，是户储、移动储能的主流选择。　　小结：IGBT 是 PCS 里承担高频开关的核心器件，器件性能好坏，直接影响设备发热、效率和长期运行可靠性。　　捷捷微电作为国内领先的功率半导体企业，采用 IDM 全产业链运营模式，打通从芯片、器件、模块到系统的垂直链路，完成从单品供应到平台化方案能力的升级，能够为客户提供协同性更强、效率更优的一体化技术服务。　　公司自产的IGBT使用了先进的“微沟槽 + 场截止”技术。产品参数一致性优异，在导通损耗与开关损耗之间取得良好平衡，器件抗冲击性能突出，适配储能设备长期不间断运行的工况，现已批量应用于各类储能项目。　　选型小贴士：　　650V 系列：适配绝大多数户储、移动储能 PCS ;　　1200V 规格：面向高压三相储能设备;　　更低的饱和压降、开关损耗，能够减少器件发热，提升整机工作效率。　　选型储能 IGBT，可重点关注三个维度：耐压能否覆盖系统母线电压、封装是否匹配整机结构、饱和压降与开关损耗是否足够低，以此控制器件温升。　　捷捷微电 IGBT 系列覆盖 650V、1200V 多档耐压，15A-75A 多档电流规格，适配户储、移动储能、工商业储能各类场景，为储能整机提供国产化功率器件解决方案。

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发布时间：2026-10-22 10:09 阅读量：274 继续阅读>>

AMEYA360代理丨ROHM SiC核心器件篇：SiC-MOSFET与<span style='color:red'>IGBT</span>的区别

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AMEYA360代理丨ROHM SiC核心器件篇：SiC-MOSFET与IGBT的区别

　　上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。AMEYA360 作为 ROHM 官方授权代理商，可为工程师提供 SiC 器件选型、驱动调试等配套技术支持。　　与IGBT的区别：Vd-Id特性　　Vd‑Id 特性是晶体管的基础特性，下文对比了 25℃与 150℃条件下的 Vd‑Id 特性表现。　　观察 25℃下的特性曲线可以发现，SiC‑MOSFET 与 Si‑MOSFET 的漏极电流 Id 会随漏源电压 Vds 呈线性上升;而 IGBT 存在导通阈值压降，因此在小电流区间内，MOSFET 器件的 Vds 更低(对应 IGBT 为集电极电流、集电极‑发射极电压)。Vd‑Id 特性本质上也反映器件的导通电阻特性。依据欧姆定律，相同 Id 条件下 Vd 越小，导通电阻就越小;特性曲线斜率越陡峭，导通电阻性能越优异。　　IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围)，在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题，但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时，低功率范围的效率并不高。　　与之相对，SiC‑MOSFET 能够在更宽的工作区间维持较低的导通电阻。　　另一方面，温度升至 150℃时，Si‑MOSFET、SiC‑MOSFET 的特性曲线斜率均会变小，导通电阻随之上升。不过 SiC‑MOSFET 受温度影响幅度更小：25℃时导通性能接近的器件，高温环境下二者差距会进一步拉开，SiC‑MOSFET 导通电阻的温度漂移显著更低。　　与IGBT的区别：关断损耗特性　　前文多次提及，SiC 功率器件具备出色的开关性能，可实现大功率工况下的高速开关。下面具体对比其与 IGBT 的开关损耗差异。　　IGBT 器件关断时，受自身器件结构影响会产生拖尾电流，造成关断损耗增大，这是 IGBT 固有的特性。　　对比关断波形能够看出，SiC‑MOSFET 从原理上不存在拖尾电流，因此关断损耗可以做到很低。本次测试中，SiC‑MOSFET 搭配 SBD 肖特基势垒二极管方案，相较于 IGBT 搭配 FRD 快速恢复二极管方案，关断损耗 Eoff 降低 88%。　　还有一点需要注意：IGBT 的拖尾电流会随着工作温度升高而增大。另外，想要实现 SiC‑MOSFET 高速开关，需要合理配置外部栅极电阻 Rg，这一点在前面对比 Si‑MOSFET 的章节中已经做过说明。针对栅极电阻调试、驱动电路设计等实操问题，AMEYA360 可提供技术协助。　　与IGBT的区别：导通损耗特性　　接下来看开关导通时的损耗。　　IGBT 开通瞬间会出现图中蓝色 Ic 波形红色虚框所示的电流分量，该电流主要来自二极管反向恢复电流，是 IGBT 开通损耗的主要来源。值得留意：搭配 SiC‑SBD 使用时，凭借其优异的反向恢复特性，MOSFET 的开通损耗可以得到有效抑制;而配套 FRD 使用时，开通损耗会和 IGBT 拖尾电流一样，随温度升高进一步增大。　　综上，从开关损耗整体表现来看，SiC‑MOSFET 性能明显优于 IGBT。　　注：以上数据均来自 ROHM 内部测试环境。受驱动电路等外部条件影响，实际测试结果会存在一定差异。　　AMEYA36优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。

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发布时间：2026-10-14 10:13 阅读量：544 继续阅读>>

ROHM丨为什么在SiC和GaN功率器件时代，<span style='color:red'>IGBT</span>依然重要？

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ROHM丨为什么在SiC和GaN功率器件时代，IGBT依然重要？

　　尽管宽禁带技术正在崛起，但传统的功率电子器件仍在持续进化并被广泛应用。凭借其出色的性价比、稳定的供应以及经过实际验证的可靠性，在小型化和轻量化无法带来较大附加值的应用场景中，一直是非常实用的选项。　　碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件在高效率、高温及小型化应用中性能表现优异，氧化镓(Ga₂O₃)和金刚石等材料研发也取得了显著进展。尽管已经取得了很多进步，不过还有许多系统仍需持续依赖硅功率电子技术，特别是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。　　本文将阐述IGBT持续获得广泛采用的原因。将从成本与供应考量、既有可靠性数据的价值、以及宽禁带半导体优势在系统层面仅能提供有限益处的应用场景种类等方面进行探讨。另外还会简要介绍在IGBT性能的持续改进和扩展。　　高性价比和供应稳定性备受好评　　如今，功率元器件所受到的关注度已达到前所未有的高度。主要原因在于SiC和GaN功率器件等新一代功率器件的问世。另外，关于Ga₂O₃和金刚石功率器件等新一代功率器件的研发不断取得进展，其实用化前景备受期待，这也进一步助推了市场关注度的提升。　　然而，下一代及下下代功率器件的面世，并不意味着电子设备设计工程师会全面采用这些产品。他们只是合理地选择能够将目标应用产品的价值最大化的功率器件。如果判断现有硅(Si)功率器件能使应用产品的价值最大化，那么他们将会继续采用Si功率MOSFET和IGBT。　　实际上，基于这一判断而选择继续使用IGBT的应用场景并不少见。半导体领域全球知名制造商ROHM表示，“不仅在日本，海外市场对IGBT的关注度也在迅速提高”。这种关注度快速上升的原因在于，2021年以来工业设备、电机驱动系统、电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及光伏逆变器等领域对IGBT需求量的持续扩大。ROHM的报告中显示，这些应用领域的制造商咨询量显著增加，产品销量正保持稳步上升态势。　　半导体分析师Grossberg・大山聪先生也持相同观点：“SiC功率MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)市场未来将持续扩大，但IGBT市场规模不会萎缩。”预计IGBT市场在2025年后仍将保持约10%的年均复合增长率(CAGR)，呈较快增长趋势。　　最合适的功率器件选型并非仅由电气特性决定　　那么，电子设计工程师在应用产品中采用IGBT时最重视的特性是什么?　　在电气特性方面，竞品SiC功率MOSFET和GaN HEMT器件在很多方面的表现会优于IGBT(表1和表2)。具体而言，比如导通损耗和开关损耗的降低、高速工作能力(实现高开关频率)、高温工作能力等优势。　　因此，将这些优势运用到应用产品中可带来诸多好处：延长电池续航时间、降低电池容量要求、实现更小型轻量的电路、减少发热量等。这些优势在移动应用领域的价值尤为显著。最终，SiC功率MOSFET和GaN HEMT器件主要在电动汽车牵引逆变器和DC-DC转换器等应用领域得以快速普及。　　表1：单位面积导通电阻的变化趋势　　低电压：Si MOSFET更合适。速度快且损耗低。　　中等电压：SiC MOSFET更合适。高频条件下仍保持低损耗，面积效率优。　　高电压额定：IGBT更具优势。相比SiC，导通电阻更低，芯片面积效率更高。　　表2：IGBT与SiC功率MOSFET的性能比较　　但是，从另一角度来看，在难以实现这些优势的应用场景中，采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT器件并不具备决定性理由。具体而言，是这类应用场景并不以小型化和轻量化为首要考量因素。　　具有代表性的示例包括工业设备和电机驱动系统。在这些应用中，即使通过采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT实现了小型化和轻量化，也不能转化为足以显著提高销售额的附加值。因此，设计者通常不会为采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT带来的成本增加买单。换言之，电子设备设计工程师会基于出色的性价比优势而选择IGBT。　　除此之外，还存在仅凭电气性能无法定义的“采用IGBT的理由”。例如，与SiC功率MOSFET和GaN HEMT相比，IGBT的供应稳定性明显更高。此外，IGBT自实现实用应用以来已历经约40年，拥有丰富的可靠性数据及长期应用所积累的实践经验。　　在实际的电子设备设计中，电力器件的选型不仅需要考量电气特性，更需要综合评估上述各种要素。因此，即使新电力电子器件不断涌现，在特定应用场景中IGBT仍被持续采用。　　IGBT技术的持续演进　　此外，IGBT绝非过时的功率器件，而是一直到进步。也就是说，其性能提升仍有充分的空间。　　IGBT的性能通过元器件层面和工艺层面的双重改进，已得到显著提升。例如，采用“非穿通”和“场截止”等新器件结构、硅晶圆减薄、以及沟槽栅微缩(间距缩小)等方面的改进。最终，IGBT实现了集电极-发射极饱和电压(VCE(Sat)[1.1])降低、电流容量增加、开关频率提高(开关损耗减少)以及短路耐受能力增强。　　然而，在硅晶圆减薄和沟槽栅间距微缩方面，仍存在改善余地。ROHM开发部部长石松祐司表示：“IGBT的性能提升仍存在潜在空间。2026年以后推出的产品，其器件结构本身很可能会迎来重大变革。我们会逐步将这些技术发展融入到产品中。”　　未来，在保持“较低成本”、“高可靠性”和“高实用性”等优势的同时，性能得到进一步提升的IGBT产品被投入市场的可能性很大。　　在内置多个IGBT的功率模块领域，仍有望实现进一步技术突破。目前，ROHM已推出的功率模块“TRCDRIVE packTM”，具有高电流密度和出色的散热特性[2.1](图1)。目前所采用的功率器件，是ROHM第4代SiC功率MOSFET。　　图1 功率模块 TRCDRIVE packTM：虽尺寸小巧，却通过单面散热设计实现与竞品同等散热性能的封装型功率模块。目前供应的是内置2枚ROHM第4代SiC功率MOSFET的二合一型模块。　　本功率模块具有两大特点：第一，通过优化内部布局，将电感降至更低，从而降低了开关损耗;第二，虽采用单面散热设计，仍以小巧尺寸实现了与竞品同等的散热性能。　　在安装方法上，采用了银(Ag)烧结技术，通过高温高压将模块内部芯片(功率器件)与引线框架进行接合。这既提高了接合可靠性，又提高了功率密度。　　ROHM计划在不久的将来将这项技术也应用于IGBT。　　此外，在模块与外部散热器的接合部位，ROHM与 Arieca 公司联合研发出采用了液态金属填充弹性体(LMEE)的低温接合技术。该技术不仅实现了与银烧结接合技术同等的热阻，还可在更低温度和压力条件下完成接合。这在提高散热效率的同时，更大程度地提升了模块的电气性能。　　图2：液态金属填充弹性体(LMEE)是美国Arieca公司推出的热界面材料。具有低热阻特性，应用于功率模块可提升其散热性能。　　电力电子技术演进中的可靠选项　　宽禁带器件为电源设计者提供了更多的选择，同时，IGBT凭借其出色的可靠性和成本效益优势，依然是众多系统的优选方案。其成熟的供应链、稳定的可靠性以及持续的技术改进，即使是在SiC和GaN的优势仅能提供有限的附加值的应用场景中，IGBT依然保持着作为实用解决方案的地位。

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发布时间：2026-08-25 14:59 阅读量：925 继续阅读>>

捷捷微电丨赋能精准传动驱动高效未来 | <span style='color:red'>IGBT</span>模块及整流模块在变频伺服领域的全拓扑解决方案

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捷捷微电丨赋能精准传动驱动高效未来 | IGBT模块及整流模块在变频伺服领域的全拓扑解决方案

　　导言　　随着工业4.0与智能制造的深度推进，变频器和伺服驱动器作为自动化系统的“心脏”，正朝着高效、紧凑、高可靠方向持续演进。这对核心功率器件提出了越来越严苛的要求。　　作为一家专注于功率半导体封装与应用多年的IGBT模块及整流二极管模块制造商，我们紧贴变频伺服应用场景，构建了涵盖PIM、六单元、半桥、制动单元、整流桥以及整流+制动一体化模块的全矩阵产品体系，以高性能、高可靠的功率解决方案，助力客户实现精准传动与能效升级。　　变频器应用通常工作在长时间、高负荷乃至恶劣电网环境下，对功率模块的要求集中在：　　低通态损耗与高结温能力　　低VCE(sat)和低VF可有效降低运行能耗，175℃结温耐受则为长期满载和高温环境提供裕量。　　强鲁棒性与长寿命　　需要出色的短路耐受能力(10μs以上)和卓越的功率/温度循环寿命，以应对数年不间断运行。　　稳定的制动管理　　制动单元需频繁投切，要求IGBT开关损耗低、续流二极管反向恢复软，且具备高制动占空比承受力。　　伺服驱动应用则更强调高精度与快速响应，对模块提出差异化要求：　　高频开关能力　　载波频率常达到10~20kHz，IGBT及续流二极管的开关损耗必须足够低，二极管反向恢复电荷小、软度好，才能控制温升并避免死区补偿压力过大。　　低寄生参数与优良EMI特性　　模块内部低电感设计可抑制关断尖峰，软开关特性有助于降低dv/dt，减轻电磁干扰，确保位置和速度控制的高信噪比。　　紧凑集成化　　小型化伺服驱动器要求功率模块在一个封装内尽可能集成更多功能，缩短母线回路，提高功率密度。　　我们深刻理解不同功率等级、不同成本结构的变频伺服系统对拓扑的多样化需求，产品品类覆盖以下主流架构：　　PIM模块(功率集成模块)　　内部集成三相整流桥、制动斩波器及六单元逆变桥，大幅减少连线与寄生电感，简化驱动电路设计。特别适合37kW以下紧凑型变频器及伺服驱动器，帮助客户以最短开发周期实现高可靠性整机方案。　　六单元(三相全桥)模块　　标准三相逆变全桥，搭配外部整流桥，灵活适配中低功率变频/伺服。支持多模块并联，便于功率扩展与维护，是市场最广泛采用的经典拓扑。　　半桥模块　　单桥臂IGBT+续流二极管封装，可通过灵活组合构建两电平、三电平(NPC)等中高压大功率变频器，也常用于制动单元独立控制。其独立的散热路径和低寄生电感，为并联均流提供优秀条件。　　制动单元模块　　内置制动IGBT与续流二极管，配合外接制动电阻实现能耗制动。我司提供单管制动及集成化制动单元模块，可在高频次制动工况下保持低热累积和高可靠性，防止母线过压。　　整流桥模块　　采用高性能二极管芯片的三相整流桥，具有低VF、高浪涌能力、宽工作温度范围。独立绝缘封装设计，便于散热器接地，满足变频器输入级对安全与电磁兼容的要求。　　整流+制动一体化模块　　将三相整流桥与制动斩波器集成于单个封装，进一步节省空间、简化母线布局，消除整流与制动回路之间的多余连线寄生电感。对于追求极致体积和成本控制的伺服驱动器、微型变频器，该模块是非常理的一体化前端方案。　　在上述全品类布局的基础上，我们围绕变频伺服的真实痛点，从芯片到封装逐项打磨产品力，形成以下差异化优势：　　1.先进的芯片与折中优化设计　　采用沟槽场截止型IGBT，配合软恢复快速续流二极管，在低VCE(sat)与低开关损耗之间取得极佳平衡。针对伺服高频应用优化的开关软度，可有效抑制电压过冲和振荡，从源头上降低EMI设计难度，并减小死区时间对电流波形畸变的影响。　　本司的芯片技术完全对标国际大厂，处于G1/G2平台水平，对应更精细化沟槽产品的G3/G4平台产品正在开发中，能够满足绝大部分客户对芯片的性能和尺寸需求。　　上图是芯片微观解剖结构图，是本司拥有自主知识产权的Mirco Pattern Trench + Field Stop IGBT技术。　　上图是本司IGBT产品对标竞品进行的损耗差距对比，在均衡了Vcesat和Eoff的前提下，整体损耗水平也要明显优于一线同行产品的性能指标，达到国际先进水平。　　2.高可靠性封装与长寿命基因　　模块采用氮化铝、氧化铝等高性能绝缘基板，搭配低热膨胀系数铜底板与超声键合工艺，热阻小、结构牢固。经过严酷的温度循环(-40℃~+150℃)和功率循环试验验证，可轻松应对变频伺服频繁起停、负载波动带来的热应力冲击，全生命周期可靠性有坚实保障。　　3.低寄生电感结构与高短路耐受　　内部低电感布局有效降低关断电压尖峰，让逆变器设计留有更大安全裕量。同时芯片级优化使短路耐受时间达到10μs量级，即使发生意外短路，也能为保护电路争取充足动作时间，显著提升整机安全性。　　4.定制化服务与全流程支持　　从电流10A到400A、电压650V/1200V均有成熟产品，并可根据客户需求定制引脚形状、调整内部拓扑等。我们提供快速选型、热仿真参考、EMC整改建议等本地化技术支持，帮助客户缩短开发周期、降低试错成本。　　5.完善的一站式供应　　无论是单独的IGBT模块、整流桥，还是高度集成的PIM、整流+制动模块，均可从同一家供应商批量获得。统一的品质管控和物料追溯体系，为客户的供应链稳定性和整机一致性提供了额外价值。　　我司已成功将上述产品导入众多变频器及伺服驱动器品牌，覆盖机床、纺织、机器人、塑料机械、暖通空调等多个工业领域。每一次功率密度的提升、每一次死区时间的缩减、每一次可靠性的突破，背后都是我们与客户深度协作、持续迭代的成果。　　当您需要为下一代变频伺服产品选取核心功率器件时，我们提供的不仅是高性能IGBT模块和整流二极管模块，更是匹配您独特架构的完整拓扑方案和长期可信赖的伙伴关系。欢迎随时与我们联系，共同探讨最适合您的功率集成之道，用可靠的“芯”，驱动高效精准的工业未来。

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发布时间：2026-07-01 09:41 阅读量：789 继续阅读>>

ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压<span style='color:red'>IGBT</span>

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ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

　　中国上海，2026年6月25日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*2，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*3。　　该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且，与低损耗特性之间存在权衡关系的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒(μs)。因此，新产品非常有助于应用产品进一步提高效率和可靠性。　　产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12个型号和裸芯片形式的“SG83xxWN”10个型号。另外，ROHM也正在开发TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR”12个型号的产品。　　本系列产品已于2026年5月起以月产100万个的规模投入量产(样品价格1,300日元/个，不含税)。TO-247N封装产品也支持网售。此外，ROHM还提供各种设计模型和电路设计所需的资料，用户可从ROHM官网下载。　　ROHM计划今后进一步扩展同一封装形式的型号阵容，并开发采用TO-263L封装和顶部散热(TSC：Top-Side Cooling)封装的小型且可表面贴装的IGBT产品。致力于通过扩充高性能的IGBT产品阵容，助力汽车和工业设备应用实现高效驱动及小型化。　　<开发背景>随着电动汽车向更高电压方向发展，在主驱逆变器等大功率应用中，高效SiC器件加速普及;而在车载电动压缩机、HV加热器等功率容量较小的辅助设备中，则广泛采用650V耐压的IGBT作为开关器件。另外，在工业设备领域，以电机和压缩机等为主的应用中也广泛采用硅基IGBT，预计未来相应的需求将持续增长。　　这类应用需要更节能和更小的外壳尺寸，同时对功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的强烈需求。特别是对于变频器和加热器电路而言，在短路时从检测到过电流到切断电流的时间内的短路耐受能力至关重要。在这种背景下，ROHM通过器件结构等的改进，开发出既支持高电压，又同时实现了低损耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。　　<产品阵容>分立产品　　裸芯片产品　　<应用示例>车载电动压缩机　　车载HV加热器(PTC加热器，冷却液加热器)　　工业设备用变频器　　<支持信息>ROHM官网提供各种电路设计所需的资料，包括可通过仿真忠实再现产品电气特性的SPICE模型，以及电路仿真用的PLECS模型等，均可从官网下载。更多详情请参阅Field Stop Trench IGBT产品信息。　　<关于“EcoIGBT™”品牌>EcoIGBT™是ROHM开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT，是包括器件和模块在内的品牌名称。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发功率元器件产品升级所必需的技术。　　EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)　　同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。　　*2) 短路耐受能力　　当负载等短路时，功率元器件能够承受而不至于损坏的时间。　　*3) 车规标准“AEC-Q101”　　AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件(晶体管、二极管等)的标准。

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发布时间：2026-06-26 10:00 阅读量：770 继续阅读>>

捷捷微电丨<span style='color:red'>IGBT</span>的“安全守护神”：一文读懂DESAT检测原理与工程应用

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捷捷微电丨IGBT的“安全守护神”：一文读懂DESAT检测原理与工程应用

　　导言　　在工业变频器、新能源汽车电驱、光伏逆变器等高功率系统中，IGBT(绝缘栅双极晶体管)扮演着“电力开关”的关键角色。然而，这些系统面临一个共同的严峻挑战——当IGBT发生短路或严重过流时，功率器件会在微秒级时间内因过热而损毁，导致整机故障甚至安全事故。　　如何在一场灾难发生前“先一步发现风险、快一步切断故障”?答案指向一项核心技术——DESAT检测(退饱和检测)。　　作为功率半导体领域的关键保护机制，DESAT检测技术已被广泛应用于各类IGBT驱动方案中，被誉为IGBT的“安全守护神”。今天，小编带你看懂这项“隐形技术”如何为高功率系统保驾护航。　　要理解DESAT检测，首先要理解IGBT的一种危险状态——退饱和。　　在正常导通状态下，IGBT处于饱和导通区，其导通压降(Vce)较低且基本恒定，通常在1.5V~3V左右。此时，IGBT就像一个闭合的开关，集电极电流Ic由外部负载决定。　　然而，当器件发生短路或严重过流时，流过IGBT的电流会急剧增大。由于器件仍试图维持导通状态，但其两端电压将因电流过大而显著上升，超过正常的饱和压降，器件从而进入线性区——即退饱和状态，一旦IGBT进入退饱和状态，其功耗P=I×V将急剧增加，若不及时关断，器件将在极短时间内因过热而损坏。　　DESAT检测的本质，就是在IGBT本应处于低Vcesat的导通期间，实时监测其Vce电压是否异常升高。如果检测到Vce超过预设的安全阈值(通常为7V~9V)，并持续一段时间(即消隐时间)，保护电路便会判定为“退饱和故障”，立即关闭栅极驱动信号，保护功率器件。　　用一个形象的比喻：DESAT就像IGBT的“血压计”，时刻监测着器件的“健康状态”，一旦出现异常波动，立刻触发警报并紧急关机。　　DESAT检测电路的工作原理，我们可以结合下图，从以下四个核心步骤来理解：　　监测：集电极电压的实时感知　　在IGBT导通期间，驱动芯片内部的DESAT检测电路通过外接的高压快恢复二极管D_desat连接到IGBT的集电极端。该二极管在IGBT导通时正向偏置，将集电极电位传至芯片内部。　　比较：阈值电压的判断逻辑　　芯片内部设有一个电压比较器，其参考阈值V_desat_th通常固定为6.5V、7V或9V。当DESAT引脚电压超过此阈值时，比较器翻转，触发故障信号。　　消隐：避免误触发的精妙设计　　IGBT在开通瞬间，Vce从高压降低到低压需要一定时间(几百纳秒到1微秒)。为了避免在开通瞬间误触发保护，驱动芯片设计了消隐时间，在此时间内屏蔽检测逻辑，让Vce有足够时间正常下降。　　消隐时间由外接电容C_blank与芯片内部恒流源共同决定，常用值为100pF~1nF。开通瞬间，电容从低电平开始充电，在电压充到阈值之前，保护被暂时屏蔽。　　响应：故障信号的快速输出　　一旦确认退饱和故障，驱动芯片立即执行“软关断”策略——以受控方式关闭栅极驱动信号，避免因过快关断产生过高的电压尖峰导致器件二次损坏。同时，芯片通过FAULT引脚对外输出故障信号，供主控系统进行全局协调处置。　　整个DESAT检测回路(集电极→D_desat→R_bl→C_blank→驱动芯片E脚)的面积必须最小化，以减少开关噪声耦合，保证检测的准确性和响应速度。　　一个完整的DESAT检测电路由以下关键元器件构成：　　1　　高压快恢复二极管(D-desat)　　高压隔离的“守门员”　　这是DESAT电路中最关键的外围元件。它一方面要在IGBT导通、集电极电位变低时允许电流流向检测电路，另一方面要在IGBT关断时承受母线高压。必须选用高压、快速恢复的二极管，其反向耐压需高于母线电压，反向恢复时间越短越好。　　2　　高消隐电容(C-blank)　　时间窗口的“节拍器”　　与驱动芯片内部的恒流源共同决定消隐时间，容值直接影响保护响应的快慢。经验表明，Cb1=100pF的配置相比220pF能让Uce电压上升更快，保护响应更及时，但在短路时Uce和Uge的震荡也更剧烈，需要工程师在响应速度与稳定性之间权衡取舍。　　3　　检测阔值电源(V-desat-th)　　故障判断的“裁判员”　　这是驱动芯片内部设置的比较器参考电压。不同芯片的阈值有所不同，目前主流的集成驱动芯片通常支持6.5V~9V的检测阈值，部分芯片还可通过外部电阻进行调节。　　4　　检测串联电阻(R-bl,可选但推荐)　　电路安全的“保险丝”　　通常取值几百欧姆到几千欧姆，作用有二：　　一是限流，限制二极管意外击穿或高压串入时流入DESAT引脚的电流;　　二是阻尼，与布线杂散电感和C_blank形成滤波，抑制高频噪声引起的误触发。　　DESAT保护电路的设计并非一帆风顺，在实际工程应用中存在几大常见陷阱：　　陷阱一：开通瞬态误触发　　当IGBT导通瞬间，续流二极管反向恢复产生的尖峰电压可能使Ucesat短暂升高，导致比较器误判为退饱和故障。三相全桥在过零时刻尤其容易发生此类问题。　　优化方案：采用钳位二极管(如用R1代替D1，增加钳位到电源的二极管)，抑制高压二极管的反向恢复电流，避免引起比较器错误动作，如下图所示。　　陷阱二：开通瞬态误触发　　当IGBT驱动长线缆负载(例如几米长的屏蔽电缆)时，电缆的分布电容会在开关过程中产生电流尖峰，导致IGBT出现短暂的“欠饱和”状态，引发DESAT误动作。　　优化方案：增加输出滤波器，有效抑制容性负载引起的误触发。　　陷阱三：开通瞬态误触发　　DESAT检测回路(集电极→D_desat→R_bl→C_blank→驱动芯片E脚)如果回路面积过大，极易耦合开关噪声，导致误触发。　　优化方案：D_desat应尽可能靠近IGBT的集电极端子，检测回路走线应尽量短且避免与高压功率回路平行布线。　　随着功率半导体技术的发展，目前市面上的主流驱动芯片已普遍集成完善的DESAT检测功能，工程师只需按照数据手册连接外围元器件即可快速实现可靠的短路保护。　　除了DESAT检测，当前最新一代驱动芯片还普遍集成了UVLO欠压锁定、过热保护、软关断等多项主动保护功能，实现了从“单点防护”到“系统级安全协同”的升级。　　随着功率半导体技术的发展，目前市面上的主流驱动芯片已普遍集成完善的DESAT检测功能，工程师只需按照数据手册连接外围元器件即可快速实现可靠的短路保护。　　除了DESAT检测，当前最新一代驱动芯片还普遍集成了UVLO欠压锁定、过热保护、软关断等多项主动保护功能，实现了从“单点防护”到“系统级安全协同”的升级。　　随着功率半导体技术向更高电压等级(1700V~3300V)、更低导通压降(Vcesat<1.7V)持续演进，系统的功率密度不断提升，短路故障的破坏力也随之放大。在这一趋势下，DESAT检测作为IGBT短路保护的核心手段，正面临新的挑战与机遇：　　检测响应速度不断突破：新一代短路保护技术已将检测时间压缩至亚微秒级，不仅适用于传统IGBT，也开始向SiC MOSFET等宽禁带器件迁移。　　保护策略日趋智能：DESAT与电流采样双快速检测相结合，搭配分级关断、过温保护等多级机制，满足ISO 26262等功能安全标准。　　集成度越来越高：从分立器件搭建到集成驱动芯片一键配置，大大降低了工程师的设计门槛。　　“退饱和检测的本质，就是在功率开关器件导通期间，实时监测Vce电压是否异常升高。”这项看似简单的技术，背后蕴含了电压检测、时序控制、噪声抑制、高压隔离等多维度的工程智慧。　　捷捷微电致力于提供客户整体设计方案的产品推荐，针对功率IGBT和MOSFET有成熟栅极驱动光耦推荐，涉及不同封装和功率段，具体型号和参数如下所示：　　真正掌握 DESAT 检测的原理与工程要点　　才能为高功率系统筑起不可逾越的安全防线

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发布时间：2026-06-05 09:09 阅读量：1433 继续阅读>>

龙腾半导体推出 1200V/25A <span style='color:red'>IGBT</span>，中小功率场景再添硬核主力！

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龙腾半导体推出 1200V/25A IGBT，中小功率场景再添硬核主力！

　　在便携储能、变频家电、小型工业驱动等场景持续爆发的当下，中小功率 1200V IGBT 的市场需求迎来高速增长。如何在有限的体积内，实现更低损耗、更高可靠性、更优性价比，成为行业客户的核心诉求。　　龙腾半导体推出的新款LKB25N120UM1 IGBT(1200V/25A)采用新型场截止型IGBT技术，实现了开关损耗与通态损耗的最佳折中。作为公司重点布局的中小功率档位主推型号，精准定位于中小功率电力电子应用场景，可充分满足该领域的性能需求。　　核心亮点　　1 低导通压降，提升系统效率　　典型VCE(sat)仅为1.5V(@Tvj=25℃，Ic=25A)，高温下仍保持低导通压降(175℃时为1.9V)，有效降低导通损耗。　　2 高结温能力，适应严苛工况　　最大工作结温Tvj=175℃，为高功率密度设计提供更大热余量。　　3 开关特性优化，降低电磁干扰　　优化的栅极驱动特性，显著抑制开通时的 Vge振荡，提升系统稳定性。　　4 内置快恢复二极管　　集成快速恢复反并联二极管，反向恢复时间trr典型值 371ns，反向恢复电荷Qrr为1471nC，适配高频硬开关应用。　　5 短路耐受能力　　产品拥有业界领先的短路耐受时间，具备很好的短路鲁棒性。　　典型应用　　不间断电源　　电焊机　　变流器

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龙腾

发布时间：2026-03-16 13:25 阅读量：1115 继续阅读>>

华润微电子推出第五代高效RC-<span style='color:red'>IGBT</span>系列产品，赋能大功率家电能效升级

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华润微电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能大功率家电能效升级

　　近两年，我国家电消费市场呈现持续回暖态势，家电行业正加速向智能化、高端化、绿色化转型，市场对更高质量、更低能耗的产品需求日益迫切。华润微电子功率集成事业群(简称PIBG)瞄准家电行业对高效节能技术的迫切需求，推出第五代RC-IGBT(逆导型绝缘栅双极晶体管)系列产品。该系列产品兼具高耐压、低损耗、参数一致性好、优异的温升控制特性以及出色的过电流能力等优势，有助于构建低碳、高效、安全的大功率家电应用场景，在电磁炉、微波炉、电饭煲等家电中具有非常好的应用适配性。　　一、产品优点　　PIBG第五代RC-IGBT系列(以下简称RC5)基于先进的8英寸微沟槽栅双面光刻工艺平台，在设计上采用优化的VLD高可靠性终端结构，相比第三代RC产品，RC5的元胞电流密度、产品参数一致性以及器件可靠性均实现大幅提升。依托平台及工艺优势，该系列器件在常温及高温工况下展现出显著的性能优势：耐压能力更强、静态导通损耗与动态开关损耗更低、过电流能力大幅提升、产品VF一致性更优。此外在高温环境下，其集成的续流二极管 (FRD) 具有低压降和软恢复特性，与正面IGBT的开关性能形成协同优化效应，显著提升器件在谐振及软开关拓扑应用中的并联一致性。　　二、产品性能　　选取RC5系列中的CRG25T135AKR5H产品与国外厂商的同类RC-IGBT产品进行了实测对比。　　(一)静态特性　　根据静态参数实测对比(如图1-3)，PIBG的CRG25T135AKR5H的关键参数优于友商同规格、同封装产品。具体表现为：耐压值较竞品提升2.5%，饱和压降VCE(sat)较竞品降低6.7%，二极管正向导通压降较竞品降低13%。　　(二)动态特性　　如图4所示，CRG25T135AKR5H在常温、高温条件下关断损耗具有明显优势、Trade-off有显著提升;其动态参数中的开关损耗均优于友商产品。　　以CRG25T135AKR5H为代表的RC5系列产品均通过严格的可靠性考核，特别在HV_HAST和HV_H3TRB等关键可靠性考核项目中表现出很强的参数稳定性。RC5系列产品可覆盖家用、商用大功率电器应用。　　(三)整机测试　　在2100W电磁炉样机上进行应用对比测试，在不同测试电压下，CRG25T135AKR5H壳温和散热片温度均表现良好，且明显低于友商产品。目前，该产品已在国内主流品牌的微波炉、电磁炉中实现量产应用。　　三、产品列表　　PIBG基于第五代RC-IGBT平台进行产品系列化，推出了15A、 25A、30A三款产品，以满足不同应用需求，为客户提供更灵活的选择。　　四、结语　　PIBG第五代高效RC-IGBT系列器件具备正温度系数特性、稳定的高温特性、高可靠性和优异的并联适配性等核心优势，为多种大功率家电提供了高性价比解决方案，共创高效、低碳、安全的智能家居未来。PIBG将于近期推出面向高集成化智能家电市场的650V RC-IGBT Gen5单管及IPM模块，敬请期待!

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华润微

发布时间：2026-02-26 14:48 阅读量：1642 继续阅读>>

上海贝岭发动机点火<span style='color:red'>IGBT</span>车规级预驱芯片SAQ3100开始批量交付

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上海贝岭发动机点火IGBT车规级预驱芯片SAQ3100开始批量交付

　　引言　　聚焦汽车电子核心技术突破!上海贝岭开始批量交付车规级发动机点火IGBT专用栅极驱动芯片SAQ3100，为汽油燃油发动机动力系统安全稳定运行再添关键芯片保障!　　PART.1 概述　　该芯片专为发动机点火IGBT驱动场景定制开发，核心优势显著：不仅能精准实现IGBT通断控制，更集成线圈电流精准调控、火花事件抑制等核心功能，为汽油燃油发动机动力系统提供可靠的芯片级支撑。较传统分立驱动方案，具有体积小、集成保护功能等优势。图1 点火IGBT分立与集成驱动方案比较　　作为发动机点火系统的“核心控制中枢”，SAQ3100控制原理是：当输入信号为高电平时，芯片即刻启动输出驱动IGBT，同步开启线圈充电流程;通过RA引脚的可编程电流设计，可灵活调控输入引脚电流(IIN)，精准适配不同场景需求，实现充电过程的精细化管控。　　为保障复杂车载环境下的稳定运行，SAQ3100内置多重防护与优化设计：　　•输入尖峰滤波　　内置输入尖峰滤波器，可精准过滤持续时间<13微秒的干扰信号，有效规避误触发风险，大幅提升信号传输稳定性;　　•可编程驻留时间控制　　集成最大驻留时间计时器，若输入信号持续时间超设定阈值，将自动关闭IGBT;驻留时间可通过CSSD引脚外接电容灵活调节，完美适配不同车型点火系统需求;　　•软关断抑火花　　当计时超最大驻留时间后，芯片自动进入软关断模式(SSD)——通过逐步降低IGBT栅极电压，缓慢减小集电极电流，实现线圈平稳放电，从根源上抑制火花事件;此过程中将暂时忽略输入信号变化，确保软关断流程稳定完成;　　•集电极电流限制　　充电过程中，通过点火IGBT发射极的感应电阻采集信号，经VSENSE引脚输入芯片后，可精准限制IGBT集电极电流(Ic)，进一步筑牢点火系统安全防线。　　PART.2 重要参数　　•车规标准：AEC-Q100, Grade-0　　•环境温度：-40℃~150℃，适配机舱高温恶劣环境　　•输入电压：4~26VDC　　•输出电压：6.5VDC　　•ESD能力：2kV　　•封装形式：SOP8　　PART.3 典型应用　　结合功能特性，SAQ3100典型应用场景广泛，涵盖：汽车传统汽油发动机点火IGBT预驱、增程发动机点火IGBT预驱、摩托车发动机点火IGBT预驱、汽油发电机点火IGBT预驱等。典型应用电路如下：图2 SAQ3100典型应用电路　　值得一提的是，依托已批量销售的BLG3040、BLQ3040A等发动机点火IGBT系列产品，上海贝岭已构建起汽车发动机点火应用的组合产品方案，可为客户提供“一站式”选型服务，大幅提升客户效率与便利性。表1 上海贝岭汽车发动机点火应用相关产品信息

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上海贝岭

发布时间：2026-01-21 13:17 阅读量：1427 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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