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脑电信号采集的高集成前端：芯动神州ADSD1299八通道24位Delta-SigmaADC

　　脑电信号(EEG)幅度通常在10uV至100uV之间，远低于常规运放的输入失调电压。在传统脑电采集前端中，信号从电极出发需依次经过仪表放大器、高通滤波器、后级增益级，最终进入ADC——每一级模拟电路都在叠加噪声，侵蚀本已微弱的信号裕量。ADSD1299是芯动神州推出的一款面向脑电与生物电势测量的专用模拟前端芯片，以单芯片方案替代传统分立式信号链，将低噪声PGA、24位Delta-SigmaADC、偏置驱动与导联检测全部集成于TQFP-64封装(10mmx10mm)，大幅压缩了脑电采集设备的BOM清单与PCB面积。　　关键参数　　一、1.35uVpp输入参考噪声：直接采集微伏信号的前提　　脑电信号幅度分布在数微伏到上百微伏之间，模数转换前端的输入参考噪声必须显著低于信号下限。ADSD1299在70Hz带宽、PGA增益24倍条件下，输入参考噪声仅为1.35uVpp。这意味着10uV的alpha节律信号在芯片内部不会被本底噪声淹没——传统三级模拟链路中仪表放大器的第一级噪声、高通滤波电阻的热噪声、后级ADC的量化噪声，在单芯片方案中被一次性规避。300pA的输入偏置电流是另一个关键指标。脑电电极与皮肤的接触阻抗随皮肤状态变化，干燥皮肤时可达数百kohm。偏置电流越小，接触阻抗变化引入的电压偏移就越小，信号基线在长时间记录中更稳定，无需频繁校准。　　二、偏置驱动与导联脱落检测：片上集成的实用功能　　脑电采集中，偏置驱动电路将患者体电位拉至ADC共模范围，导联脱落检测实时监控电极与皮肤是否脱离。在分立方案中，这两个功能模块各需至少一颗运放及外围阻容网络。ADSD1299将两者全部集成，节省了外部器件与布线面积。偏置驱动放大器可通过寄存器灵活配置反馈电极——任一通道的正/负输入端均可独立路由至偏置网络，兼容顺序蒙太奇与参考蒙太奇两种测量配置。导联脱落检测支持直流(上下拉电阻)与交流(激励电流)两种模式，检测结果通过专用状态寄存器上报，无需软件对ADC数据进行轮询判断。　　三、从8通道到多通道：菊花链级联应对临床系统需求　　临床脑电系统通常需要32至128通道。ADSD1299支持菊花链多器件级联：DOUT串接下一级DAISY_IN，仅需四线SPI即可控制链上全部器件。以2kSPS数据速率、4MHzSCLK计算，单条链最多10颗器件实现80通道同步采集，START引脚的硬件同步机制确保各器件采样时刻对齐于同一时钟周期。此外，片内集成测试信号发生器、温度传感器与内部振荡器。对脑电设备制造商而言，外部测试校准信号源也可省略，进一步压缩BOM。　　四、250SPS至16kSPS：一套硬件覆盖多种脑电范式　　临床静息态脑电通常仅需250至500SPS的采样率。事件相关电位(ERP)研究需要2kSPS以上以分辨毫秒级波形特征，稳态视觉诱发电位(SSVEP)同样需要较高采样率。ADSD1299的数据速率通过寄存器可在全范围内切换，同一套硬件无需更换即可适配从临床诊断到脑-机接口研究的多种应用场景。　　五、医疗器械长生命周期的供货保障　　脑电采集系统属于有源医疗器械，产品注册周期长、上市后硬件平台通常需稳定供货5年以上。ADSD1299在国内量产，寄存器接口与ADS1299-x系列兼容，现有产品可在不修改固件的前提下进行替换验证。芯动神州本土FAE团队可提供从寄存器配置、偏置驱动调优到EMC合规测试各环节的技术支持，降低长周期医疗产品对跨国供应商的依赖。　　六、结语　　脑电采集系统的技术演进方向，正在从提升模拟前端性能的独立指标，转向降低系统集成复杂度。当一颗芯片完成放大、滤波、偏置驱动与导联检测的全部模拟功能，研发团队可以将更多精力投入数字信号处理算法的优化——这对脑电设备的工程化落地具有明确的加速价值。

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芯动神州

发布时间：2026-08-05 09:55 阅读量：175 继续阅读>>

国际权威认证 | 纳芯微NSSine™实时控制MCU获ISO 26262 A<span style='color:red'>SI</span>L B认证，筑牢车载电机电源安全底座

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国际权威认证 | 纳芯微NSSine™实时控制MCU获ISO 26262 ASIL B认证，筑牢车载电机电源安全底座

　　近日，纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP——中端算力NS800RT5/3 系列正式通过德国DEKRA颁发的ISO 26262 ASIL B功能安全产品认证(证书编号：ZP/C059/26)。该认证由国际独立第三方权威机构完成全面评估与验证，标志着NSSine™系列在车规级领域的又一重要里程碑，可为车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、汽车空调压缩机、热管理系统、充电桩等汽车电子应用提供经过验证的高可靠实时控制解决方案，进一步助力客户加速车规产品开发与量产落地。　　国际权威认证，筑牢车规安全基石　　ISO 26262是全球汽车行业公认的功能安全标准，针对道路车辆中电子电气系统的安全性提出了严格的开发流程与验证要求。ASIL(汽车安全完整性等级)从A到D分为四级，ASIL B 是车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、空调压缩机、热管理系统等应用常见的功能安全等级要求，是车载MCU进入主流汽车供应链的关键准入门槛。　　本次认证由德国DEKRA Testing and Certification GmbH独立完成评估与测试，认证依据ISO 26262:2018第2、5、8、9部分要求开展，覆盖产品设计、安全机制及相关硬件要求。　　NS800RT3/5系列以SEooC(Safety Element out of Context，脱离上下文安全元件)形式通过认证，可作为安全元件集成至满足ASIL B要求的汽车系统中。根据认证要求，客户可结合产品安全手册完成安全机制配置，并基于系统安全目标开展整车级功能安全验证。　　实时控制 x 功能安全　　打造车载电源与热管理可靠平台　　中端算力NS800RT5/3系列是NSSine™实时控制MCU/DSP产品矩阵的重要成员，面向车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、汽车空调压缩机、热管理系统、充电桩等汽车电子应用场景。　　在汽车闭环控制系统中，作为核心"决策与执行中心"，承担数据采集与验证、控制算法运算、指令输出与监控、故障诊断与响应等关键任务。　　此外，产品内置44个基础ASIL B安全功能模块，包括Cortex-M7处理器安全机制、Flash/SRAM ECC校验、CRC校验等。并定义了三项顶层安全目标(TLSR)，覆盖：　　• 避免MCU输出异常控制值导致受控对象出现非预期动作;　　• 正确检测反馈系统输出，避免影响闭环控制;　　• 保证通信交互系统正常运行，避免异常功能触发。　　当检测到相关故障时，芯片可在故障容忍时间间隔(FTTI)≤100ms内进入安全状态，包括芯片复位或ERRORSTS故障信号触发，从而提升系统整体安全可靠性。　　持续深耕功能安全　　构建车规级产品矩阵　　功能安全是车规级芯片进入全球主流汽车供应链的核心门槛，也是纳芯微持续深耕的战略方向。　　2021年12月，纳芯微率先通过ISO 26262 ASIL D "Managed"(体系建立)级别认证;此后持续、系统性地推进功能安全研发能力建设及流程体系优化，并通过德国TÜV莱茵的严格审核，升级至ASIL D "Defined-Practiced"(体系实践)级别——成为国内少数在功能安全领域完成从"体系建立"到"体系实践"能力跃迁的芯片企业。纳芯微正以体系化的功能安全能力为底座，持续推出满足严苛标准的车规级芯片产品，为智能电动化时代的汽车安全保驾护航。

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纳芯微

发布时间：2026-07-24 09:52 阅读量：421 继续阅读>>

唯一！芯力特±58V 耐压全国产CAN FD收发器 <span style='color:red'>SI</span>T1042GQ 通过芯片级 FTZ Zwickau认证

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唯一！芯力特±58V 耐压全国产CAN FD收发器 SIT1042GQ 通过芯片级 FTZ Zwickau认证

　　汽车电动化、智能化快速发展下，CAN总线通信稳定性是保障行车安全的关键。芯力特作为国内CAN/LIN 收发器龙头厂商，产品线完整、出货量大、产业化成熟。全新车规级SIT1042GQ目前为国内唯一一款±58V以上耐压全国产CAN FD收发器，通过FTZ Zwickau(原IBEE)IEC62228-3认证、符合大众VW80121-3 标准，为全球车企提供高性能、高可靠车载通信国产替代方案。　　全流程国产化供应链+双标准(IEC、VW)认证　　SIT1042GQ是I/O口兼容1.8V/3.3V/5V MCU，±58V总线耐压，CAN FD待机模式总线收发器。该产品设计、晶圆制造、封装、测试流程均实现全国化，切实保障国内外客户的持续稳定供应。　　随着汽车智能化、电动化升级，整车电子模块数量激增，电磁环境愈发复杂，对核心器件的EMC性能要求更为严苛。SIT1042GQ凭借卓越的芯片设计，全面通过了IBEE/FTZ-Zwickau测试认证，符合IEC62228-3和VW80121-3各项标准规范。涵盖四大核心测试维度，全面覆盖车载场景电磁辐射风险，在抗干扰功率、瞬态防护，ESD防护等关键指标上设置更高阈值，充分验证芯片在复杂车载环境中的稳定性。　　EMC最高标准等级 = 降本增效　　芯力特SIT1042GQ即使在总线不需要共模电感滤波的情况下，DUT的整体EMC依然能达到标准要求的最高等级。大电流注入(BCI)抗扰度测试满足标准最高要求全频段200mA通信无错误帧;RE/CE根据CISPR25测试满足class5(标准最高等级)限值要求;7637-2/3测试满足level IV(标准最高等级)要求;静电测试在ISO 10605标准下可以通过主机厂的最高放电要求(接触放电±15kV、空气±25kV)。SIT1042GQ卓越的性能表现可帮助用户减少系统外围电路，降低成本，提升系统鲁棒性。　　搭配SIT1042GQ的DUT在总线不需要共模电感滤波的情况下系统级EMC表现如下表：　　搭配SIT1042GQ的DUT在总线不需要共模电感滤波的情况下按照ISO 10605标准的静电测试如下表：　　封装:　　选型：　　SOP8编带式包装为2500颗/盘，DFN3*3-8编带式包装为6000颗/盘。

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芯力特

发布时间：2026-07-24 09:07 阅读量：275 继续阅读>>

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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。

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发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：451 继续阅读>>

重磅发布|士兰微电子推出国产首款Grade 0 A<span style='color:red'>SI</span>L-D高功能安全等级车规三相预驱芯片 SZ9310

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重磅发布|士兰微电子推出国产首款Grade 0 ASIL-D高功能安全等级车规三相预驱芯片 SZ9310

　　Part 01　　产品概述　　士兰微电子正式推出SZ9310三半桥低压电机栅极驱动芯片，系国内首款同时取得德国莱茵TÜV ISO26262 ASIL-D最高功能安全认证与AEC-Q100 Grade 0最高温区车规可靠性认证的车身预驱芯片。凭借全栈自研核心技术，该产品解决国内高功能安全等级车身驱动芯片供给缺口，打通高端车载预驱芯片国产化替代关键环节。　　硬件架构上，SZ9310支持三路半桥拓扑，可驱动6颗外置功率NMOS;芯片集成全覆盖硬件诊断电路与分层故障保护逻辑，满足整车ASIL-D系统安全设计需求，适配电动助力转向EPS、整车制动系统等功能安全关键部件，满足车载极端工况下高可靠、高稳定运行需求。　　士兰微电子为SZ9310配套交付全套标准化FMEDA安全分析文档，能够显著降低客户整车功能安全认证工作量，缩短项目研发与量产导入周期;同时该芯片可优化车载电控整机BOM成本、提升系统安全冗余，加速高等级国产功能安全芯片规模化装车应用。　　立足汽车电子核心领域，士兰微电子坚持自主研发迭代，持续输出高性能、高合规车规级芯片。公司高功能安全产品线布局稳步推进，即将陆续推出多款ISO26262 ASIL-B/D等级器件，包含SZ9310配套PMIC、车载eFuse、车身IMU姿态传感器等多品类芯片，打造完整国产高安全车载芯片解决方案，为国内汽车电子产业链高质量发展提供核心支撑。　　Part 02　　SZ9310产品特点　　AEC-Q100认证，Grade 0： -40°C~150°C　　输入电压范围：5.5V~50V　　NMOS功率桥自举栅极驱动　　具有可调死区时间的交叉开关保护　　栅极驱动电压电流可配置　　集成3路电流采样放大器，放大器增益和失调可配置，失调大小通过管脚输出　　多种可配置诊断功能及诊断验证功能　　Part 03　　SZ9310应用框图　　Part 04　　SZ9310封装图　　Part 05　　应用场景　　SZ9310芯片在EPS中的系统应用　　SZ9310芯片在制动系统中的应用　　Part 06　　功能安全证书(德国莱茵TÜV 认证)

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士兰微

发布时间：2026-07-09 10:13 阅读量：531 继续阅读>>

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森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC MOSFET，开启多芯合封新纪元

　　颠覆性尺寸：定义800V SiC MOSFET合封新标准　　在追求极致功率密度的今天，每一平方毫米的芯片面积都至关重要。森国科(SGKS)凭借其在宽禁带半导体领域的深厚积累，正式推出专为先进合封(Co-Packaging)应用设计的SiC MOSFET—KWM3K065P。这款产品以“全球最小裸芯片尺寸”和“800V/3Ω”的卓越性能组合，为AC-DC电源、栅极驱动芯片的多芯片模块(SiP)合封提供了革命性的核心器件，引领高压功率集成迈向新高度。　　全球最小裸芯，源自8寸工艺的领先优势　　KWM3K065P的发布，不仅是尺寸上的突破，更是制造工艺的胜利。它由领先的8寸晶圆工艺打造，实现了性能与集成度的完美平衡。　　• 极致紧凑的裸芯尺寸：KWM3K065P的裸芯尺寸(Die Size)仅为 0.476mm x 0.476mm，创下全球800V电压平台SiC MOSFET的最小纪录。这一突破极大地节省了封装内部的宝贵空间，使得在同一封装内集成AC-DC控制器、栅极驱动芯片以及多个功率器件成为可能，为开发超高功率密度的电源系统提供了坚实基础。　　• 8寸工艺带来的性能一致性：采用8寸晶圆工艺，不仅提升了晶圆的整体良率和生产效率，更重要的是确保了芯片性能的高度一致性和稳定性。这对于多芯片合封应用至关重要，因为它能有效降低因芯片参数差异导致的电流不均问题，简化了并联设计，提高了整个模块的可靠性。　　创新0伏关断，简化驱动设计　　在高压功率应用中，如何确保MOSFET在关断期间的稳定性，避免因噪声干扰导致的误导通，一直是工程师面临的难题。森国科KWM3K065P创新性地提供了 0伏关断(0V Turn-off) 解决方案。　　• 攻克负压关断难题：传统SiC MOSFET器件或部分高压硅基器件通常需要负电压来确保可靠关断，这要求驱动芯片必须具备负压供电能力，增加了系统设计的复杂性和成本。KWM3K065P凭借其优异的芯片设计，实现了仅需0伏即可安全、可靠地关断。　　• 降低驱动门槛：这一特性有效解决了工程师在应用中的痛点，大幅降低了对驱动芯片的要求。设计人员可以选用更通用、更简单的驱动芯片，从而简化外围电路设计，减少系统元件数量，提高整体方案的性价比和可靠性。　　卓越性能，源于SiC本色　　作为一款碳化硅功率器件，KWM3K065P继承了SiC材料的本征优势，相比传统硅基高压器件，性能表现全面领先。　　• 高耐压与低导通损耗的完美平衡：KWM3K065P拥有800V的高阻断电压和低至3Ω的标称导通电阻(RDS(on))。这一组合确保了器件在高压工况下既能安全运行，又能保持极低的导通损耗，显著提升系统效率。　　• 优异的开关特性：器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，其内部集成的体二极管也具有低反向恢复电荷(Qrr)的特点。这些特性共同作用，大幅降低了开关过程中的能量损耗和电压振荡，使得系统可以工作在更高的频率下，进一步推动功率密度的提升。　　广泛应用，驱动未来科技　　凭借其创新的0伏关断特性和为合封而优化的极致尺寸，KWM3K065P特别适用于对体积、效率和集成度有极致要求的应用领域。　　• 高密度快充与适配器：在需要合封高压功率开关器件的快充充电头和电源适配器的ACDC芯片中，KWM3K065P是实现“小体积、大功率”的理想选择，能够帮助工程师设计出性能更强、携带更方便的消费电子产品。　　• 高集成度电源模块：对于需要将控制器、驱动器和功率器件集成在一起的工业电源模块，KWM3K065P的合封友好特性可以极大地简化设计，提高模块的可靠性。　　• LED驱动与电机驱动：在对能效和空间有严格要求的LED照明驱动和微型电机驱动领域，这款芯片同样能发挥其高效、紧凑的优势，助力设备实现更长的寿命和更小的体积。　　结语　　森国科KWM3K065P的推出，不仅是公司在高压SiC芯片领域技术实力的又一次展现，更是对“芯片级系统集成”这一未来趋势的精准把握。从领先的8寸晶圆工艺到全球最小的裸芯尺寸，再到创新的0伏关断技术，每一个细节都体现了森国科以客户需求为中心的创新理念。我们致力于通过不断创新的SiC技术和产品，为全球工程师提供更具价值的解决方案，共同推动电力电子系统向更高效、更紧凑、更智能的方向发展。KWM3K065P现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，携手共创功率电子的崭新篇章。

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森国科

发布时间：2026-07-01 09:51 阅读量：543 继续阅读>>

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森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压SiC MOSFET K3M1K200-R

　　在新能源产业蓬勃发展的今天，功率半导体器件正朝着更高电压、更高效率、更高可靠性的方向不断演进。森国科(SGKS)作为宽禁带半导体领域的先行者，正式推出全新高压SiC MOSFET—K3M1K200-R。这款产品以2200V的超高阻断电压和1Ω的低导通电阻为核心亮点，专为严苛的工业级高压应用而生，旨在重新定义高压功率转换的效率与可靠性边界。　　卓越性能，源自芯内核　　K3M1K200-R是森国科在高压SiC技术领域深厚积累的结晶，其性能规格在同类产品中展现出显著优势。　　· 2200V超高压平台：　　K3M1K200-R的额定电压高达2200V，为系统设计提供了充足的安全裕量。这一特性使其能够从容应对工业电网波动、感性负载关断等场景下的电压尖峰，确保系统在极端工况下的稳定运行，有效降低了对复杂缓冲电路的依赖。　　· 0.8Ω低导通电阻：　　在实现2200V超高耐压的同时，其典型导通电阻(RDS(on))低至0.8Ω。低导通电阻意味着更低的导通损耗和更小的温升，直接提升了系统的整体效率和功率密度，尤其适合需要长时间满载运行的工业设备。　　· 增强型N型沟道设计：　　作为一款增强型(Normally-Off)器件，在栅极无驱动信号时处于关断状态，符合工业应用对“失效安全”(Fail-Safe)的严苛要求，极大地简化了驱动电路的设计，提升了系统的本质安全性。　　· 优异的开关特性：　　器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，能够支持高频化应用。其内部集成的体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和快恢复特性，有效降低了开关过程中的能量损耗和电压震荡，使系统运行更加平稳、安静。　　先进封装，可靠耐用　　K3M1K200-R采用经典的TO-247封装，这是工业界广泛认可和验证的成熟封装形式，具备以下核心优势。　　· 高可靠性与通用性：　　TO-247封装具有坚固的内部结构和成熟的制造工艺，确保了器件在长期运行中的高可靠性。其引脚定义和外形尺寸符合行业标准，便于客户进行产品替换和产线升级，降低了导入风险。　　· 成熟的散热方案：　　该封装形式与市面上主流的绝缘垫片、散热器和安装方式完美兼容，客户可以沿用现有的成熟散热方案，无需进行额外的结构开发，缩短了产品从设计到量产的周期。　　· 优化的热阻表现：　　K3M1K200-R的结壳热阻(RthJC)低至3.8℃/W，确保了芯片产生的热量能够高效地传导至外部散热器，有效控制了器件的工作温度，延长了使用寿命。　　市场应用，精准定位　　凭借其独特的性能组合，K3M1K200-R精准锁定了一系列对电压和可靠性有极致要求的高压应用场景。　　· 高压开关电源：　　在通信基站、数据中心服务器等领域的高压输入开关电源中，K3M1K200-R的高耐压特性能够轻松应对整流后的高压母线，其低损耗优势则有助于提升电源的转换效率，满足日益严苛的能效标准。　　· 电容与感性负载驱动：　　在驱动高压电容负载或大功率感性负载(如大型电磁阀、高压电机)的应用中，器件需要承受巨大的瞬态电压冲击。K3M1K200-R的2200V额定电压和坚固的芯片设计，使其成为处理这类“硬开关”工况的理想选择。　　· 辅助电源系统：　　在风电变流器、光伏逆变器等大型电力电子设备中，通常需要独立的辅助电源来为控制电路供电。K3M1K200-R可以作为辅助电源的核心开关器件，直接从高压母线上取电，其高可靠性和宽电压适应能力确保了主设备控制系统的稳定运行。　　· 工业电机驱动：　　在中高压工业变频器领域，K3M1K200-R可用于制动单元或有源前端(AFE)电路，其高频开关能力有助于减小滤波元件的体积，提升整个驱动系统的功率密度。　　K3M1K200-R　　结语　　森国科K3M1K200-R高压SiC MOSFET的推出，不仅是森国科在高压功率器件领域技术实力的有力证明，更是对工业与能源市场迫切需求的精准回应。我们致力于通过不断创新的SiC技术，为全球客户提供更高效、更可靠、更具竞争力的功率解决方案。K3M1K200-R现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，共同探索高压功率转换的无限可能。

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森国科

发布时间：2026-06-30 10:29 阅读量：459 继续阅读>>

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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。

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森国科

发布时间：2026-06-29 10:02 阅读量：454 继续阅读>>

帝奥微丨【国内首发】车规级<span style='color:red'>SI</span>M卡接口电平转换器DIA74557S

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帝奥微丨【国内首发】车规级SIM卡接口电平转换器DIA74557S

　　智能网联汽车正在从技术验证走向规模化商用，智能网联依赖SIM卡接入到移动运营商网络。目前采用先进工艺SOC的接口电平一般为1.2V/1.8V，而标准SIM卡和eSIM卡I/O遵循ISO-7816-3，其接口电平一般为1.8V/3V。　　DIA74557S是一款专为汽车电子设计的高性能、高集成度SIM卡接口电平转换器。它完美解决了智能网联车载应用中，低电压域的SOC(如1.2V/1.8V)与标准SIM卡或eSIM(1.8V/3V)之间的电压不匹配的问题。　　DIA74557S采用超小型的QFN封装(1.8 x 1.4mm)，内部集成上拉/下拉电阻，使得外部电路大大简化，它特别适用于车载T-Box和智能座舱等对空间、可靠性和EMI性能有严苛要求的汽车电子场景。　　符合车规标准　　符合AEC-Q100规范。　　专为汽车级SIM卡接口标准应用的电平转换器　　宽电压范围：主控侧(低电压侧)支持1.08V - 1.95V;SIM卡侧支持 1.65V - 3.6V，兼容所有主流SIM卡电压标准。　　1组自动方向电平转换：对I/O信号进行自动双向电平转换，无需额外的方向控制引脚。　　2组固定方向电平转换：对CLK和RST信号进行HOST到SIM的固定方向电平转换。　　符合所有ETSI、IMT-2000和ISO7816-3 SIM智能卡接口要求。　　高度集成，BOM极简　　内置EMI滤波器：有效抑制数字信号的高次谐波，显著提升系统的电磁兼容性(EMC)，更容易满足车规级EMC要求。　　内置ESD保护：SIM卡侧引脚可提供IEC61000-4-2 level 4保护(接触放电±8kV，空气放电±15kV)，可省去外部TVS管。　　内置上拉/下拉电阻：芯片内部已集成所有必要的电阻，无需任何外部电阻，简化设计并节省PCB面积。　　优异的高频性能　　支持最高10MHz的时钟频率，满足SIM卡通信需求。　　图1：SIM接口信号测试波形(VCCA=1.2V,VCCB=1.8V,EN=VCCA,　　CLK=10MHz)　　智能使能与关断功能　　支持通过VCCB电压自动使能和关闭，同时支持通过EN引脚进行硬件控制。　　图2：VCCA=1.2V,VCCB=1.8V,EN=VCCA,CLK @1MHz,EN上电　　内置符合ISO-7816-3标准的安全关断时序，有效防止热插拔时数据损坏。　　图3：下电关机时序　　极小封装，适应空间受限场景　　QFN-10封装本体尺寸仅1.8mm×1.4mm，适配T-BOX、智能座舱等紧凑型车载设备，有助于缩短布线、提升信号完整性。　　可部署多颗DIA74557S芯片支持多SIM通道扩展，支持多卡多待的应用。　　图3：下电关机时序　　极小封装，适应空间受限场景　　QFN-10封装本体尺寸仅1.8mm×1.4mm，适配T-BOX、智能座舱等紧凑型车载设备，有助于缩短布线、提升信号完整性。　　可部署多颗DIA74557S芯片支持多SIM通道扩展，支持多卡多待的应用。　　一、车载T-Box (Telematics Box)　　痛点：T-Box主控SOC(如4G/5G模组)的I/O电压(如1.2V/1.8V)与eSIM或外部SIM卡槽电压(1.8V/3.3V)不匹配。　　解决方案：使用DIA74557S在主控SOC与eSIM/SIM卡槽之间进行电平转换。其高集成度和强ESD/EMI特性，能确保蜂窝通信链路的稳定，并通过严苛的车规EMC测试　　二、智能座舱系统　　痛点：智能座舱域中，先进工艺的控制器主控SOC接口电压较低，而SIM卡接口电压域高，并且存在热插拔需要SIM卡侧更强的ESD保护性能。　　解决方案：DIA74557S的超小封装和高可靠性使其可以轻松部署在主板上。其内置的EMI滤波器和ESD保护为敏感的SIM卡接口提供了坚固的屏障，保证了娱乐导航、语音助手、车联网等功能的稳定运行　　DIA74557S典型应用框图：　　DIA74557S主要性能参数：　　封装：QFN1.8×1.4-10　　帝奥微在电平转换领域拥有多年技术积累，全系列产品覆盖汽车应用、消费电子、工业互联等多元场景。　　电平转换器—产品系列概览：

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帝奥微

发布时间：2026-06-23 09:31 阅读量：473 继续阅读>>

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思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

　　当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。　　思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。　　01　　产品优势　　超小型化封装　　DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm)，单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。　　图1　　优异的直流精度　　失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。　　图2　　图3　　出色的动态性能　　信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。　　图4　　02产品特性　　•强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行;　　•宽供电电压范围:　　高侧(VDD1): 3.0V到5.5V　　低侧(VDD2): 3.0V到5.5V　　•输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);　　•低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);　　•低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;　　•系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;　　•宽工作温度范围: −40°C至+125°C;　　•隔离耐压:　　工作耐压:200VRMS, 280VDC　　瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC　　03典型应用　　48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。　　图5　　TPA8101与TPA8102现已开放样品申请，并配套提供评估板及技术支持。　　如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。

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发布时间：2026-06-09 09:50 阅读量：631 继续阅读>>

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