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川土微电子推出CA-IS1305X/1306X隔离式Sigma-Delta调制器！

　　川土微电子推出CA-IS1305X/1306X 支持外部时钟的5kVRMS隔离式Sigma-Delta调制器!　　01产品概述　　CA-IS1305X/1306X器件是一系列为基于分流电阻的电流检测而优化的高精度隔离式Sigma-Delta(ΣΔ)调制器。低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。　　CA-IS1305X/1306X器件采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层，支持符合UL 1577 认证的高达5 kVRMS 的电气隔离。该技术将高低压域分开从而防止低压器件被损坏，同时提供低辐射和高磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度(CMTI)意味着CA-IS1305X/1306X器件在隔离层之间正确地传递信号，适合要求高压、大功率开关的工业电机控制和驱动应用场合。器件内部输入共模过压和高边电源丢失检测功能有助于故障诊断和系统安全。　　其中，CA-IS1305X 的输出位流采用未编码、CA-IS1306X 的输出位流采用曼彻斯特编码(CA-IS1306EX)或未编码(CA-IS1306MX)，然后通过后级的FPGA 或DSP 处理。CA-IS1306EX 版本支持单线的数据和时钟传输，让后级接收器无需考虑时序要求。　　02产品特性　　• 差分输入电压范围：±250 mV　　• 低失调误差：　　- CA-IS1305X：25°C 时±150 μV(最大值)　　- CA-IS1306X：25°C 时±100 μV(最大值)　　• 低增益误差：　　- CA-IS1305X：25°C 时±0.3% (最大值)　　- CA-IS1306X：25°C 时±0.2% (最大值)　　• 优异的温漂性能：　　- ±3.5 μV/°C(最大值)失调温漂　　- ±40 ppm/°C(最大值)增益误差温漂　　• 优异的交流性能：　　- 信噪比：85 dB(典型值)　　- 总谐波失真：–93 dB(典型值)　　• 16 位无失码　　• 高共模瞬态抗扰度：±150 kV/μs(典型值)　　• 为系统安全设计的故障诊断功能　　• 宽工作温度范围：–40°C 到125°C　　• 额定工作电压下使用寿命大于40 年　　• 封装形式：SOIC16-WB (W)、SOIC8-WB (G)　　截至目前，川土微电子隔离运放/ADC系列六款产品均已量产，在不断丰富产品线的同时，川土微电子也持续优化产品性能及产品型号，以满足客户多样化需求。CA-IS1200/1300电流检测隔离放大器、CA-IS1204/1305/1306隔离调制器，不同的增益误差、失调误差、封装形式可供选择，实现pin2pin替代。　　隔离运放/ADC系列产品参数对比

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川土微电子

发布时间：2025-05-27 11:32 阅读量：253 继续阅读>>

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内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用

　　全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG(以下简称 “SMA”) 在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX” 中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。　　罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实现简单且高效的转换器电路而设计的。该产品以高可靠性为目标进行开发，具备抗宇宙射线能力，因此能够满足太阳能发电领域严苛的环境条件和对延长转换器使用寿命的需求。而且，罗姆内置栅极电阻的SiC器件技术，不仅可使模块内的并联驱动更容易，也可简化高输出功率模块的设计。目前，该产品已进入量产阶段。”　　赛米控丹佛斯的SEMITRANS® 20是为大功率应用和高速开关工作设计的，属于下一代大型转换器用的功率模块的代表产品。并且，内置罗姆2kV SiC的SEMITRANS® 20是SMA Sunny Central FLEX的关键组件。赛米控丹佛斯工业部门高级副总裁Peter Sontheimer表示：“赛米控丹佛斯与罗姆之间的合作已达十余年，之前双方主要致力于推动SiC技术在功率模块中的应用。最近，双方又围绕硅IGBT模块展开了合作。SEMITRANS® 20是为支持1,500V直流电压的应用提供的简便且高效的解决方案。该模块非常适用于太阳能发电和储能系统。未来，还有望应用于大功率电动卡车的充电器和风力发电用的转换器。”　　SMA功率转换系统产品经理Bernd Gessner表示：“通过SMA、赛米控丹佛斯以及罗姆的合作，将三方各具优势的创新技术无缝融合在一起，我们共同致力于实现着眼未来的能源项目。而且，市场对这些解决方案的需求也达到了前所未有的高度。SMA凭借多年来积累的专业知识，使产品在性能、可靠性、耐久性和灵活性等方面均达到了超高水准。Sunny Central FLEX之所以在未来也能够持续保持高标准，得益于与志同道合的合作伙伴之间的紧密协作关系。”　　关于 SMA(艾思玛太阳能技术)　　SMA 集团作为太阳能发电和储能系统技术领域的全球领先专家，致力于成为未来的分布式能源和可再生能源供应商。SMA 的产品组合包括适用于高效太阳能和蓄电池的PCS、适用于各种电力等级的太阳能和电池储能系统(BESS)的综合系统解决方案、能源智能管理系统、适用于电动汽车及 Power-to-Gas 应用的充电解决方案。另外，还提供包括数字能源服务、太阳能发电站的运营与维护服务在内众多服务。　　SMA 的 PCS 实际出货量已超过 144GW，遍布全球 190 多个国家。在过去的 20 年间，通过 SMA 销售的 PCS 所节省的电力，助力减少了约 6400 万吨的二氧化碳排放量(CO2)，这相当于防止了超过 120 亿欧元的环境损害。SMA 的技术荣获了众多奖项，拥有 1,600 多项专利和实用新型并受到相应的知识产权保护。从 2008 年起，集团母公司 SMA Solar Technology AG 已在法兰克福证券交易所主板(代码：S92)上市，并被纳入SDAX 指数。　　了解更多信息，请访问SMA 官网：https://www.sma.de/en/　　关于赛米控丹佛斯　　赛米控丹佛斯是电力电子领域的全球先进技术企业。提供功率半导体器件、功率模块、电力电子组件、系统等丰富的产品。随着全球电动化进程的加速，赛米控丹佛斯的技术变得比以往任何时候都更加重要。通过为汽车、工业和可再生能源应用提供创新型解决方案，赛米控丹佛斯致力于提高全球能源利用效率并实现可持续利用，助力大幅削减当今世界面临的最大挑战之一——二氧化碳排放量(CO2)。为实现业内领先的业绩和可持续发展的未来，赛米控丹佛斯还为技术创新、科技研发、供应能力提升和服务优化投入大量资源，尊重员工并致力于为客户创造价值。赛米控丹佛斯是一家家族经营企业，由赛米控与丹佛斯硅动力于2022年合并而成。在全球28个地区拥有超过 3,500名员工。公司在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、斯洛伐克和美国均设有生产基地，通过全球业务拓展，为客户和合作伙伴提供无与伦比的服务。　　凭借在功率模块的封装、创新以及定制应用方面积累90余年的专业知识和经验，赛米控丹佛斯已成为功率电子领域的理想合作伙伴。　　了解更多信息，请访问赛米控丹佛斯官网：www.semikron-danfoss.com　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/

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罗姆

发布时间：2025-05-13 10:28 阅读量：291 继续阅读>>

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供应链全国产！纳芯微NSSine™系列实时控制MCU工规版正式量产

　　2024年11月正式发布的NSSine™系列实时控制MCU，经过广泛验证和严格测试，目前已有三款工规版本产品顺利进入量产阶段，分别为：NS800RT5039、NS800RT5049 和 NS800RT3025。同时，该系列车规版本正在进行认证测试，预计将在完成之后快速推向市场。　　自发布以来，NSSine™系列产品已通过来自各行业数十家客户的严苛测试与验证，收获了积极正面的市场反馈。该系列产品在首次流片即一次性成功，至今未出现因功能性缺陷(BUG)导致的版本改动，充分体现了NSSine™实时控制MCU系列在高可靠性产品设计与开发上的成熟能力。　　在产品设计方面，NSSine™系列充分考虑了替代兼容需求，硬件管脚布局与软件架构均与国际主流实时控制MCU高度兼容，有效降低了客户迁移成本，加速了项目切换的效率。　　此外，NSSine™系列产品还采用自主可控的全国产供应链体系(中国大陆本土晶圆制造)，支持包括Keil、IAR、Novo Studio(基于Eclipse架构)、UDE等多种主流开发工具，同时搭配自研一拖多烧录器方案，在不确定的地缘政治挑战下，为客户的供应链安全与稳定性提供了有力保障。NS800RT5/3 主要参数对比　　多场景赋能：从工业到汽车全覆盖　　在光伏 / 储能领域，可精准实现光伏逆变器 MPPT 控制、储能系统双向 DC/AC 转换以及电池管理系统(BMS)的精准监测，有效提升能源转换效率与系统稳定性。　　在工业自动化领域，能够满足协作机器人关节控制、伺服驱动器高精度定位以及 PLC 高速 IO 处理等需求，助力工业生产向智能化、高效化迈进。　　在新能源汽车领域，适用于车载充电机(OBC)高效转换、主驱逆变器电机控制以及热管理系统智能调节，为新能源汽车的性能提升与安全运行提供有力支持。　　值得注意的是，NSSine™系列特别适配基于SiC和GaN功率器件打造的数字电源和电机控制系统，其超高精度PWM控制能够充分发挥宽禁带半导体器件的性能优势。

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纳芯微

发布时间：2025-05-09 13:38 阅读量：357 继续阅读>>

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TDK全新推出PositionSense™，开启运动传感高精度、高效率时代

　　运动传感器，作为监测人与物体运动的核心元件，已成为现代生活中不可或缺的一部分，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、AR/VR耳机及导航系统等设备中。传感器的应用场景持续扩展，帮助用户在繁忙的城市环境中导航，增强沉浸式虚拟体验，并精准追踪健身目标。然而，随着技术的进步，市场对更高精度、更快响应速度和更高能效的传感器的需求日益增长。　　TDK集团旗下公司InvenSense推出了全新的SmartMotion®PositionSense™传感器。该产品采用突破性的隧道磁(TMR)技术，将6轴惯性测量单元(IMU)与3轴磁力计相结合，实现了可靠且节能的运动传感，从而满足了市场对高性能传感器的需求。　　迄今为止运动传感器的需求与挑战　　运动传感器为我们的生活带来了深远变革,从城市导航到无人机操控。例如,智能手机依赖传感器实现导航、步数追踪以及屏幕自动旋转;AR/VR系统则通过准确的运动追踪技术,为用户打造真实且沉浸式的体验。随着这些应用场景的不断升级，用户对传感器提出了更高要求:更高的精度、更低的功耗以及更快的重新校准能力,以满足日益复杂的应用需求。然而,随着市场的快速发展,以下新挑战也逐渐显现:　　运动传感器技术的挑战　　磁干扰：磁力计对来自充电器、电池组及周边配件的磁场尤为敏锐。这种干扰会导致读数失真，进而需要耗时重新校准。　　漂移和重新校准：运动传感器会随时间累积微小误差，这种现象称为漂移*1。重新校准虽能纠正误差，但这一过程通常耗费大量资源，并显著增加功耗。　　高功耗：许多运动传感器的功耗较高，这会缩短设备电池寿命，迫使用户在电池尺寸与续航能力之间做出权衡，尤其是对于可穿戴设备等便携式设备。　　PositionSense™及其创新技术的介绍　　TDK推出了PositionSense™,这是一款创新型运动传感系统,旨在应对上述挑战。作为一款9轴传感器系统,PositionSense™集成了两颗芯片,分别包含6轴IMU(惯性测量单元)和3轴磁力计,能够提供准确的运动追踪、即时重新校准以及行业前沿的能效表现。其优良性能的核心源于两项关键技术:隧道磁阻(TMR)技术和增强型嵌入式数字运动处理器(eDMP)*2。通过采用这些先进技术,PositionSense™实现了更高精度与更高能效的传感性能。因此,它有望在广泛的应用场景中发挥重要作用。　　·隧道磁阻(TMR)技术　　与霍尔传感器和各向异性磁阻(AMR)技术等传统方案相比，TMR技术具有更低的功耗、更高的灵敏度以及更优异的噪声性能。这些优势使Position-Sense™能够提供准确的航向与定向数据，同时大幅度地减少能耗，成为电池供电设备的理想选择。　　·增强型嵌入式数字运动处理器(eDMP)　　eDMP负责执行关键功能，例如，校准以及整合来自IMU和磁力计的数据。通过在内部处理这些任务，PositionSense™显著减轻了设备中央处理器的工作负载，从而提高整体效率，并释放系统资源以支持其他应用程序的运行。　　*1 漂移:由于温度、气压和磁场变化等因素，传感器测量值随时间变化而变化。　　*2 eDMP:内置数字处理器，通过运动传感器实现了更有效的数据处理。该处理器不仅显著减少设备CPU的负载，还可减少功耗并提高响应速度。

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TDK

发布时间：2025-05-09 13:10 阅读量：362 继续阅读>>

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ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐压的7款机型(BSTxxx2P4K01)。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。　　HSDIP20内置有散热性能优异的绝缘基板，即使大功率工作时也可有效抑制芯片的温升。事实上，在OBC常用的PFC电路(采用6枚SiC MOSFET)中，使用6枚顶部散热型分立器件与使用1枚6in1结构的HSDIP20模块在相同条件下进行比较后发现，HSDIP20的温度比分立结构低约38℃(25W工作时)。这种出色的散热性能使得该产品以很小的封装即可应对大电流需求。另外，与顶部散热型分立器件相比，HSDIP20的电流密度达到3倍以上;与同类型DIP模块相比，电流密度高达1.4倍以上，达到业界先进水平。因此，在上述PFC电路中，HSDIP20的安装面积与顶部散热型分立器件相比可减少约52%，这非常有利于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。　　新产品已于2025年4月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格15,000日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈县筑后工厂)和蓝碧石半导体宫崎工厂(日本宫崎县)，后道工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)Co., Ltd.(泰国)。如需样品或了解相关事宜，请联系AMEYA360或通过罗姆官网的“联系我们”垂询。　　<开发背景>　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。ROHM开发的HSDIP20解决了分立结构越来越难以应对的这一技术难题，有助于电动动力总成系统实现更高功率输出和更小体积。未来，ROHM将继续开发兼具小型化与高效化的SiC模块产品，同时致力于开发能够实现更小体积和更高可靠性的车载SiC IPM。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　PFC和LLC转换器等电源转换电路也广泛应用于工业设备的一次侧电路中，因此HSDIP20还能为工业设备和消费电子等领域的应用产品小型化提供支持。　　◇车载设备　　车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机等　　◇工业设备　　EV充电桩、V2X系统、AC伺服器、服务器电源、PV逆变器、功率调节器等　　<支持信息>　　ROHM拥有在公司内部进行电机测试的设备，可在应用层面提供强力支持。为了加快HSDIP20产品的评估和应用，ROHM还提供各种支持资源，其中包括从仿真到热设计的丰富解决方案，助力客户快速采用HSDIP20产品。另外，ROHM还提供双脉冲测试用和三相全桥用的两种评估套件，支持在接近实际电路条件的状态下进行评估。详细信息请联系AMEYA360或通过罗姆官网的“联系我们”垂询。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。　[注] EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)PFC(Power Factor Correction/功率因数校正)　　通过改善电源电路中的输入功率波形来提高功率因数的电路。使用PFC电路可使输入功率接近正弦波(功率因数=1)，从而提升功率转换效率。PFC电路一般是采用二极管进行整流，但OBC通常使用以MOSFET实现的有源桥式整流或无桥PFC。这是因为MOSFET的开关损耗更低，尤其是大功率PFC中，采用SiC MOSFET可以减少发热和功率损耗。　　*2)LLC转换器　　一种可实现高效率和低噪声功率转换的谐振型DC-DC转换器。其电路的基本结构是由两个电感(L)和一个电容(C)组成的，因此被称为LLC转换器。通过形成谐振电路，可大幅降低开关损耗，非常适合OBC、工业设备电源和服务器电源等追求高效率的应用场景。

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ROHM

发布时间：2025-04-24 14:31 阅读量：377 继续阅读>>

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QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

　　随着高端科技的不断发展，现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品，高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。　　QDPAK&TOLT是在华润微电子先进功率器件封装基地自主研发成功的新型封装，采用顶部散热创新理念，相较于传统封装方式，可以优化产品的热导率和电导率，允许更高的芯片温度、更高的功率密度并延长系统寿命，不仅克服了传统贴片封装只能通过PCB板散热的限制，还能使PCB设计具有高度的灵活性，扩大了产品的应用范围，提高了产品性能竞争力。　　与此同时，QDPAK&TOLT封装方式允许更大的装片面积，可进一步提升产品的功率。该封装方式结合SJ&SiC MOSFET芯片，促使功率器件具有“体积小、重量轻、功率密度高、效率高”等诸多优点，满足高端应用场景需求，备受客户青睐。　　QDPAK封装　　一、封装外形　　二、应用特征　　顶部散热，散热片面积>120mm²，具有高耗散能力　　内置Kelvin源配置，低寄生电感　　TCOB> 2000个循环　　相比于JEDEC标准，增加了1mm的爬电距离，满足高压应用　　鸥翼型引脚　　三、应用优势　　减少寄生电感，降低开关损耗，提高效率和易用性　　提供更高功率密度解决方案　　低RDS(ON)，高电流能力　　将SMD封装概念扩展到高功率/高电流领域　　灵活的PCB布局　　焊点检测容易，焊点可靠性高　　克服PCB散热限制，实现高度自动化　　四、应用领域　　OBC、充电桩、储能设备、AI服务器电源、通信设备等。　　TOLT封装　　一、封装外形　　二、应用特征　　顶部散热，散热片面积大于45mm²　　内置Kelvin源配置，低寄生电感　　TCOB> 2000个循环　　高额定电流>300A　　鸥翼型引脚(较QDPAK体积更小，节约PCB面积)　　三、应用优势　　提高系统效率　　高功率密度　　低RDS(ON)，高电流能力　　优异的热性能　　节省冷却系统　　大幅降低产品至散热片热阻　　焊点检测容易，焊点可靠性高　　大电流应用　　改善温度循环寿命(相比于TOLL x2)　　改善散热能力，提高电流处理能力(相比于TOLL提升36%)　　四、应用领域　　通信电源、服务器电源、工业电源等。　　PDBG目前已有多颗SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了顶部散热封装，并推向市场应用。该系列产品兼顾了芯片低Rsp、开关损耗低、优异体二极管反向恢复特性、鲁棒性强的特点和QDPAK&TOLT封装高功率密度、低功耗、封装体积小、高散热的优越特性，是服务器电源、OBC、充电桩等领域的优选，得到客户高度认可。

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华润微

发布时间：2025-04-15 16:06 阅读量：435 继续阅读>>

纳芯微推出高性价比、EMI优化的第三代车规级数字隔离器N<span style='color:red'>SI</span>83xx系列

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纳芯微推出高性价比、EMI优化的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列

　　凭借在隔离领域近10年的深耕细作，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列，相比前代NSI82xx系列，新器件重点优化了EMI(抗电磁干扰)、EOS(过电应力)性能，并通过电路设计、封装测试等方面的全面优化，大幅降低了器件成本。　　作为纳芯微“隔离+”产品的又一力作，NSI83xx系列的首发型号涵盖1-4通道的数字隔离器，可为系统工程师在新能源汽车车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS)、主驱逆变器、热管理PTC等系统中提供高性价比的器件选择。　　纳芯微第三代数字隔离器NSI83xx系列的推出，是其近10年来在隔离技术领域持续研发和投入的成果体现，该系列基于纳芯微领先的电容隔离技术打造，在隔离耐压方面，NSI83xx系列可实现大于10kVrms的隔离耐压(1分钟)，满足增强绝缘要求，同时能够承受大于12kV的浪涌电压。在1ppm失效率、大于1500Vrms的长期工作电压情况下，NSI83xx系列的电容隔离层寿命大于30年，充分满足高压系统对长期可靠性的严苛需求，为高压系统提供安心之选。　　EMI大幅优化，全频段通过CISPR 25 Class 5测试　　随着汽车电驱电压和系统功率密度的提升，越来越多的元器件被集成在车内有限的布板空间内，让原本就棘手的EMI问题更加复杂，成为影响系统稳定性和可靠性的关键挑战。　　NSI83xx系列采用了纳芯微专有的EMI优化电路设计，在严苛的CISPR 25 Class 5测试中，该系列RE指标可在全频段范围内保持大于10dB的裕度，在全面满足汽车级应用对于EMI严格要求的同时，让系统工程师在设计过程中显著减少了电磁干扰带来的困扰，为系统在复杂电磁环境下的稳定运行保驾护航。　　业内领先的EOS和CMTI性能，全面守护系统可靠性　　除了优化的EMI性能外，纳芯微第三代数字隔离器在EOS(过电应力)和CMTI(共模瞬态抗扰度)方面同样表现出色。相较于第二代产品，NSI83xx系列的EOS性能提升了约10%，达到大于10V的水平，使得器件在面对电源过应力时具有更高的可靠性，能够有效避免因电源异常波动而导致的器件损坏，提升系统可靠性，延长系统的使用寿命。　　此外，在新能源汽车三电系统中，SiC功率器件正在加速普及。SiC 功率器件相比传统的硅基功率器件，具有更高的开关频率、更低的导通电阻和更高的耐压能力，系统中的电压和电流变化速度更快，产生的共模瞬态干扰(CMT)强度和频率也显著增加，这就要求数字隔离器具备更高的 CMTI 性能，以保证在这种强干扰环境下，信号传输的准确性和稳定性，避免误导通和信号失真。　　NSI83xx系列的CMTI典型值达到200kV/μs，处于业内领先水平。高CMTI性能使得隔离器在高压系统中能够有效抵抗共模瞬态干扰，确保信号传输的准确性和稳定性。同时，NSI83xx系列在电源噪声抗扰性方面也表现优异，在1k-30MHz的噪声扰动下，芯片依然能够保持正常输出且不误码，进一步提升了系统在复杂工作环境下的可靠性。无论是在新能源汽车的电池管理系统，还是主驱逆变器中，这些卓越的性能都能确保系统稳定运行，降低故障风险。　　封装和选型　　满足AEC-Q100要求的车规级NSI83xx系列预计将于2025年8月量产，可提供1-4通道版本，支持SOP8，SOW8，SOW16和超宽体SOWW16等封装，其中超宽体SOWW16封装爬电距离大于8mm，满足特定应用的安规要求。NSI83xx系列的通讯速率为100Mbps。　　丰富的隔离及“隔离+”产品，满足多元需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列隔离及“隔离+”产品。纳芯微全面的隔离及“隔离+”产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要，为不同客户提供一站式的芯片解决方案。

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纳芯微

发布时间：2025-04-15 09:00 阅读量：368 继续阅读>>

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SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域

　　随着消费者对续航和性能要求的提高，我国新能源汽车市场延续结构性升级趋势，主驱功率显著提升，高功率车型占比快速攀升。SiC主驱模块以其特有的高功率密度、高系统效率、耐高温等性能匹配新能源汽车发展需求，推动了SiC主驱功率模块市场快速增长。根据IDTechEX预测，全球新能源汽车SiC主驱渗透率将在2025年达到约40%，2030年达到50%，与Si IGBT持平，其中，国内SiC在乘用车主驱模块中的渗透率达到18.9%，800V高压平台车型的SiC渗透率为71%‌。随着主驱功率的不断提升，SiC模块在降低能耗和提升系统效率方面的优势进一步凸显。　　一、产品简介　　基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。该系列模块兼具SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能，在汽车主驱系统应用中展现出了强大的竞争力。　　二、封装外形　　三、产品优势　　性能对标国际主流产品。　　6管/8管并联，通过对Vth的严格分档提高芯片一致性。　　采用自主设计的Si3N4 AMB、银烧结、DTS工艺，均流特性好，寄生电感小。　　采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。　　集成NTC温度传感器，易于系统集成。　　产品外形及pin脚设计兼容市面主流产品。　　DCM模块竞品对比：　　华润微DCM模块开关损耗较竞品A有明显优势　　 HPD模块竞品对比：华润微HPD模块开关损耗较竞品B有明显优势　　四、应用优势　　在水温65℃，相电流400Arms条件下运行，通过模块内部PTC电阻检测，模块内部温度为92℃。　　模块每天持续运行8小时，累计运行160小时，各项参数无明显变化。　　台架测试，华润微DCM模块效率表现优异。　　均流测试，华润微DCM模块芯片间最大温差为1.78℃。　　五、设计优化　　采用创新的Pin-Fin设计，最高结温较传统Pin-Fin设计降低10℃。　　通过内部布局优化设计，芯片结温较竞品降低6℃。　　六、结语　　PDBG基于自有的SiC IDM平台以及车规级SiC MOS系列产品，将持续推出更多SiC车规模块供客户选择，给予客户高效率、高功率密度、高可靠性的使用体验，推动电动汽车技术迭代并满足不断变化的市场需求。华润微通过持续的技术创新，致力于为新能源汽车主驱应用提供更高效、更可靠的解决方案，助力行业迈向高效未来。

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发布时间：2025-04-08 09:28 阅读量：542 继续阅读>>

帝奥微：具有A<span style='color:red'>SI</span>L B功能安全等级、集成振荡器和EEPROM的汽车级16通道矩阵控制管理器DIA82664

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帝奥微：具有ASIL B功能安全等级、集成振荡器和EEPROM的汽车级16通道矩阵控制管理器DIA82664

　　为了解决传统大灯在夜间行车中存在的安全隐患，ADB(自适应远光灯)大灯应运而生，成为未来智能汽车的重要组成部分。帝奥微最新推出的车规级16通道矩阵控制管理器是ADB大灯的核心器件，它通过提供独立的像素级LED控制，实现了完全动态的自适应照明。　　该器件采用具有自主知识产权的Smart Driver技术，创新性地解决了客户端烧灯珠、烧芯片的应用痛点;高耐压设计，显著提高了芯片的可靠性;内置振荡器和EEPROM，结合极简的电荷泵外围设计，为系统小型化设计和EMC性能优化提供了极大便利。此外，该器件集成了UART接口，传输速率高达1Mbps，内置ADC支持多路复用输入，可对所有LED通道、IC芯片温度以及LED灯串电流进行实时采样。　　同时，该器件支持ASIL B功能安全等级，提供全面完善的高级诊断和保护功能，助力ADB大灯系统轻松满足功能安全要求。　　DIA82664产品特性　　宽输入电压范围: 4.5 to 5.5V　　芯片功能安全等级: ASIL B　　集成16个旁路开关　　可编程 10 位 PWM 调光　　可编程压摆率控制　　LED开短路检测(故障可区分)，内部开关健康检测　　UART 串行通信　　内置振荡器用于系统时钟　　LVDS 时钟驱动器用于同步器件　　集成ADC　　每个开关的 LED 电压　　LED 电流监视器　　内核温度　　2个通用 ADC 输入　　内置EEPROM确保fail safe状态下灵活的输出配置　　符合AECQ-100 Grade 1标准　　QFP-48, 7mm*7mm　　DIA82664产品优势　　线性平滑的开关性能　　该产品采用smart driver技术，不仅通过优化导通/关断斜率显著降低电磁干扰/EMI，更能有效抑制开关瞬态引发的电压尖峰和电流过冲，从而避免内部MOSFET功率管以及外部LED灯珠因电气应力受损，进一步推动系统可靠性的提升。　　高度集成化，极简外围　　该产品采用全集成设计，通过芯片级整合EEPROM与高精度晶振，结合创新型电荷泵架构，仅需单颗外置储能电容即可实现高效驱动，相较于传统方案显著简化了外围电路设计，节省了系统BOM成本。同时，得益于晶振的内置以及电荷泵展频功能的支持，系统EMC性能可以得到极大的提升。　　这款车规级16通道矩阵控制管理器填补了国产化方案和技术的空白，自推出以来便受到市场的热烈欢迎，进一步完善了帝奥微在车灯领域的全面布局。凭借其突破性的Smart Driver技术、全集成化架构与精准的实时监测系统，该产品将动态照明控制、故障防护与成本优化融为一体，助力车厂打造更安全、更可靠、更具性价比的ADB解决方案。　　帝奥微车灯产品的全方位布局　　帝奥微以全场景技术矩阵重塑智能车灯新范式，现已构建覆盖头灯、尾灯、氛围灯三大核心领域的完整解决方案体系。　　在智能头灯领域，公司打造双重技术路径：中高端方案搭载矩阵控制管理器，具备ASIL B功能安全认证与高像素动态光型控制能力，同时提供高性价比单级架构方案，满足差异化市场需求;在交互式尾灯系统，通过多通道线性驱动的独立控制，支持个性化灯语编程与智能警示功能;面向智能座舱场景，推出支持16bit PWM调光与色彩管理的氛围灯驱动方案，结合CIE 1931色彩空间精准管理，实现0.1%级色温控制精度。　　头灯-ADB大灯系统方案　　头灯-单级架构系统方案　　交互式尾灯系统方案

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帝奥微

发布时间：2025-04-07 15:32 阅读量：453 继续阅读>>

纳芯微：使用高可靠性隔离放大器N<span style='color:red'>SI</span>1400x进行电流采样电路设计

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纳芯微：使用高可靠性隔离放大器NSI1400x进行电流采样电路设计

　　在高压工业应用场景中，隔离采样技术能够保护低压电路免受高压电源电路故障的影响，同时确保不同电压域之间维持通信，从而显著提高系统可靠性。　　NSI1400是一款基于纳芯微电容隔离技术的高性能隔离放大器，其输出与输入相互隔离。该产品已广泛应用于分流电流监测、电机驱动、不间断电源、光伏逆变器等多个领域。为了帮助客户简化设计流程，本应用指南介绍了如何根据客户的电流采样需求使用NSI1400。　　1. 典型应用电路　　NSI1400隔离放大器非常适合用于高压应用场景中的分流电阻式电流采样，比如电机驱动。典型的应用电路如图1所示。　　分流电阻Rsense两端的电压通过RC滤波器(RFLT和CFLT)施加到NSI1400的差分输入端。为了实现输入开关电容电路的电荷缓冲(参见2.1节“采用开关电容电路的模拟输入”了解更多详细信息)，必须增加大于330pF的滤波电容，并确保其位置尽可能靠近NSI1400，以提升在高噪声应用场景中的性能。　　隔离放大器的差分输出通过基于运算放大器的电路转换为单端模拟输出。建议在OUTP和OUTN引脚上添加大于1kΩ的电阻，以防止输出过流。模数转换器(ADC)通常在后端接收这个单端模拟输出信号，并将其转换为数字信号，以便控制器进行处理。　　2. 输入调理电路　　在NSI1400的应用中，如果输出误差(比如，增益误差或输入失调电压)异常地超出数据表规定的规格，这可能归咎于输入调理电路设计不当。本节将根据NSI1400的开关电容模拟输入电路和抗混叠原理，介绍NSI1400应用的推荐输入调理电路。　　2.1 采用开关电容电路的模拟输入　　作为NSI1200/NSI1300的迭代升级产品，NSI1400在输入架构方面进行了优化，旨在减少由输入偏置电流引起的采样误差。然而，这种架构变化对输入滤波电容的选择提出了新的要求(建议大于330pF)。如果设计不当，可能会导致采样误差增加。为了更好地帮助客户理解，下面将详细解释NSI1400的输入架构。　　NSI1400的模拟输入是基于二阶Σ-Δ调制器的开关电容电路。模拟输入的等效电路如图2所示。内部电容CIND通过周期性开关动作以12MHz的内部时钟频率fCLK连续充放电，实现输入信号数字化。在充电阶段，S1闭合，S2断开，CIND充电至输入差分电压。在放电阶段，S1断开，S2闭合，CIND放电至GND1+0.9V的电压水平。根据等效电路，可以按下面的公式计算输入电阻RIND：　　当电容性负载切换到输入端时，由于电荷重新分配，输入信号幅度会暂时下降。输入源尝试纠正这种情形，同时由于较长输入线路表现出类似电感的特性，这个过程中可能会出现过度振铃现象。为了解决这个问题，每个输入端增加外部电容器可以帮助提供采样过程中产生的电流尖峰。选用容量大于330pF的外部电容器(图1所示CFLT，也作为滤波电容)是提高瞬态电荷供应能力的一种方法。输入电容器应尽可能靠近NSI1400放置，以抑制振荡并确保采样精度。　　2.2 抗混叠原理　　采样系统能够以高精度处理的最高频率信号称为其奈奎斯特极限。采样率必须大于或等于输入信号最高频率的两倍。如果输入信号频率超过奈奎斯特频率，通带中会产生冗余或有害信号，这种现象称为混叠。图3阐明了信号混叠机制。例如，采样率fs为1MHz，采样信号带宽为fs的一半，即500kHz(奈奎斯特频率)。在采样过程中，频率为fin(fin>fs/2)的输入信号会镜像至通带中，成为频率为fs-fin的错误混叠信号。在实际应用场景中，通常设置更高的采样率，以提供一定的裕量并减少滤波需求。　　除了满足输入信号频率低于奈奎斯特极限的要求，采样系统的输入信号通常包含频率超过奈奎斯特频率的高频噪声。这些噪声会混叠到通带成为干扰信号。因此，需要在采样系统输入端设置抗混叠滤波器，从而在采样前滤除高频噪声，避免噪声混叠。选择的滤波器应考虑截止频率可以消除采样输入的高频噪声或至少将其衰减至不会对采样信号产生明显影响的程度。　　NSI1400是一个采样频率为12MHz的采样系统。为了防止混叠到通带内的高频噪声，抗混叠滤波器的截止频率不超过6MHz。　　2.3 输入滤波器设计　　NSI1400的输入调理滤波器设计考虑了电荷缓冲需求、抗混叠、输入信号频率和系统带宽等因素，如图1所示。　　为了满足输入开关电容电路的电荷缓冲需求，滤波电容器的容量需大于330pF。表1列出了在不同输入滤波电容条件下，NSI1400的增益误差测量结果。根据规格书指标，增益误差在±0.3%以内。因此，需要选择容量大于330pF的滤波电容器，而容量大于1nF的滤波电容器更佳。　　针对存在高频干扰应用的抗混叠需求，抗混叠滤波器的截止频率不超过6MHz，如第2.2节所示。　　位于INN和INP引脚之间的电容器用于滤除差分噪声，称为差分电容器Cdiff。位于INN/INP引脚与GND1之间的电容器用于滤除共模噪声，称为共模电容器Ccm。为了减少不同输入引脚的共模电容误差影响，建议Cdiff值至少是Ccm值的10倍。这可以防止由于元件容差导致共模噪声被转换为差分噪声。如果系统的共模噪声在可接受范围内，则无需设置Ccm。客户可以根据自身需求调整滤波器的设计。共模噪声滤波器和差分噪声滤波器的截止频率如下所示：

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纳芯微

发布时间：2025-04-07 15:07 阅读量：517 继续阅读>>

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MC33074DR2G	onsemi
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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