兆易创新通过ISO/SAE 21434认证及A<span style='color:red'>SPICE</span>能力评估，携手TÜV莱茵筑牢汽车电子安全防线
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兆易创新通过ISO/SAE 21434认证及ASPICE能力评估，携手TÜV莱茵筑牢汽车电子安全防线

　　12月10日，兆易创新(GigaDevice)获得了德国莱茵TÜV(以下简称“TÜV莱茵”)颁发的ISO/SAE 21434道路车辆网络安全管理体系认证，同时，GD32A7系列车规MCU的MCAL(Microcontroller Abstraction Layer)软件通过ASPICE CL2(Capability Level 2)能力评估。这标志着兆易创新在汽车网络安全体系建设和软件开发项目管理等方面已达到国际先进水平，为其在全球汽车电子市场的竞争奠定了坚实基础。　　ISO/SAE 21434是国际标准化组织(ISO)与美国汽车工程师学会(SAE)共同发布的车辆网络安全标准，旨在建立覆盖整车生命周期的网络安全风险管理体系。随着车辆网联化、智能化水平的持续提升，数据安全已成为保障未来出行体验、保护用户隐私不可或缺的基石。通过该认证，表明兆易创新全系列车规产品已建立起从设计到量产交付的全流程网络安全风险管理机制，此举也将显著助力客户简化产品市场准入流程，赢得竞争优势。　　ASPICE评估模型由德国汽车工业联合会(VDA)主导推行，是评价汽车行业供应商软件开发能力的核心国际标准之一，其CL2等级要求企业在产品开发过程建立完善的项目规划、监控与追溯机制。GD32A7系列MCU的MCAL软件基于AUTOSAR标准开发，全面兼容主流编译器和调试工具，同时满足功能安全与信息安全的双重要求。此次通过ASPICE CL2评估，标志着兆易创新汽车软件全生命周期管理能力获得了行业认可。　　在5G、AI及物联网等新型基础设施的驱动下，车辆已逐渐演变成为可交互的智能终端，在此进程中，车规级芯片是推动车辆智能化水平不断突破的核心要素。GD32A7系列作为兆易创新重要的车规级MCU产品，采用Arm®Cortex®-M7内核，支持单核、多核、单核锁步等多种配置，经迭代优化后最高主频达320MHz，算力达1300 DMIPS。芯片支持2.97V-5.5V宽电压供电，可在-40℃至+125℃温度范围内稳定运行，产品广泛适用于车身控制、智能座舱、底盘与动力系统等应用场景。　　在安全可靠性方面，GD32A71x/GD32A72x系列符合功能安全ISO 26262 ASIL B等级，GD32A74x系列符合ASIL D标准。全系内置硬件安全模块(HSM)，集成TRNG、AES、HASH、ECC/RSA以及国密SM2/SM3/SM4等硬件加密引擎，符合Evita Full标准信息安全架构，为车载系统提供数据安全保障。　　兆易创新副总裁、汽车事业部总经理李文雄表示：“此次通过ISO/SAE 21434认证与ASPICE CL2能力评估，是兆易创新车规芯片研发体系迈向更高安全性及更高管理标准的重要里程碑。我们将持续完善GD32 MCU车规产品矩阵，不断深化与TÜV莱茵等国际机构的合作，为客户提供更强性能、更高安全等级的芯片及生态支持。”　　TÜV莱茵大中华区工业服务与信息安全总经理赵斌指出：“兆易创新在汽车网络安全体系建设与汽车电子软件开发方面展现出卓越的执行力与专业度。ISO/SAE 21434认证与ASPICE CL2能力评估的通过，为其产品进入国际主流汽车供应链提供了有力保障。我们期待双方合作的进一步深化，共同推进汽车电子安全技术的创新与落地。”　　与此同时，兆易创新与TÜV莱茵宣布达成战略合作伙伴关系，双方将聚焦于功能安全、网络安全等领域，在体系与产品认证、人员资质培训等方面建立长期全面的合作。此举旨在整合双方优势资源，共同提升在汽车、工业及其他新兴市场中的核心竞争力，带来更可靠安全的产品与解决方案。
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发布时间：2025-12-10 16:11 阅读量：588 继续阅读>>
ROHM发布新<span style='color:red'>SPICE</span>模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载　　<相关信息>　　- 白皮书　　- 设计模型支持页面　　- SiC MOSFET技术文档　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。
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发布时间：2025-06-10 15:57 阅读量：998 继续阅读>>
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型
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新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型

　　全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)扩大了支持电路仿真工具* 1 LTspice® 的SPICE模型* 2 阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型，这些模型从各产品页面均可下载。目前，罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率已超过80%，有助于客户利用嵌入了功率元器件等分立产品的电路仿真工具来提高设计便利性。　　另外，除了产品页面外，罗姆官网自2023年10月起还开设了可以浏览所有仿真模型的“设计模型”页面，在这里可以轻松下载各种模型。此外，还一并提供添加库和创建符号(电路图符号)的指南文档等，有助于客户顺利创建电路和执行仿真。    未来，罗姆将继续扩大支持各种仿真工具的模型阵容，通过提供满足客户需求的在线工具和资源(例如已经发布的“ROHM Solution Simulator* 5 ”)，助力解决客户在电路设计过程中的问题。　　<背景>　　近年来，在电路设计中使用电路仿真的机会越来越多，可用的工具也多种多样。其中，LTspice®是具有代表性的电路仿真工具之一，其用户包括从学生到企业工程师的广大群体。为了满足众多用户的需求，罗姆进一步扩充了支持LTspice®的分立产品模型阵容。　　<仿真模型一览页面>　　・设计模型除了LTspice®模型外，罗姆还发布了支持不同使用工具环境的各种仿真模型。 https://www.rohm.com.cn/support/design-model　　<支持文档>　　・LTspice®模型的使用方法　　・LTspice®模型的使用方法：收敛速度改善技巧　　・LTspice®是 Analog Devices, Inc.的注册商标。使用其他公司的商标时，请遵循权利方制定的使用规定。　　<术语解说>　　*1) 电路仿真工具　　一种无需实际准备电子元器件而仅使用软件进行电子电路设计和验证的工具。　　*2) SPICE模型　　在电子电路仿真工具中使用的、用数学公式来表现元器件工作特性的数据。仿真工具对应的SPICE模型的格式可能因文本文件的格式而异。　　*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。　　*4) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管　　)同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。　　*5) ROHM Solution Simulator　　在罗姆官网上运行的免费电路仿真工具。从元器件选型和元器件单品验证到系统级的运行验证，均可通过该仿真工具来实现。
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发布时间：2023-10-16 10:48 阅读量：2613 继续阅读>>

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