佰维存储企业级SSD通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证
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佰维存储企业级SSD通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证

　　近日，佰维存储的企业级存储产品SP406/416、SP506/516系列PCIe SSD完成了与OpenCloudOS、龙蜥(Anolis OS)和openEuler三大开源操作系统的兼容性认证。测试结果显示，系列产品在功能、性能、可靠性和兼容性等方面均表现卓越。　　佰维SP4/SP5系列企业级SSD分别与OpenCloudOS操作系统完成了全方位兼容性测试，涵盖操作系统安装测试、系统信息检查、分区和文件系统测试、热插拔测试、硬盘指示灯测试、硬盘读写性能测试、系统重启(Reboot)测试以及长时间压力测试等多轮严苛环节，测试结果表明佰维企业级SSD产品在Open CloudOS环境中表现出良好的适配性和稳定性。　　在产品功能与关键性能指标方面，佰维企业级SSD表现性能卓越、稳定可靠，可为企业级应用的连续性、长期稳定运行保驾护航。在可靠性与兼容性方面，在混合读写与快速随机切换的工作场景下，历经长时间压力测试，佰维企业级SSD依然能够稳定无误的运行。同时，佰维企业级SSD通过多家OS开源社区的互认证测试，表明可为客户OS使用提供灵活选择和适配。　　佰维企业级SSD SP4系列采用U.2形态接口，适用于各类企业级数据中心、云计算与高端服务器。该产品基于优异的企业级主控芯片结构，搭载企业级专用的高速3D TLC闪存颗粒，覆盖1.6TB~7.68TB容量，具备高吞吐量/IOPS、低延迟以及良好的 QoS 特性。采用高效固件架构，提升了产品的性能与耐用度，平均无故障时间高达250万小时。此外，极低的功耗表现可大幅降低客户运维成本，满足企业级应用对能效的严苛要求。　　佰维企业级SSD SP5系列最大带宽是Gen4产品的两倍。产品实现了性能与功耗的平衡，顺序读取/写入速度分别高达13100MB/s、10000MB/s，容量支持1.6TB~15.36TB，提供业界领先的KIOPS/Watt性能，满足企业级客户对于数据高密度存储、高兼容易用性及低TCO的需求，通过多种软件算法与固件优化，产品具备数据安全性保障、可靠与一致性等多项技术优势。可扩充E1.S、E3.S多种规格形态接口，以匹配EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等主流硬件平台的使用环境。　　除三大开源系统认证外，佰维SP4和SP5系列企业级SSD同时通过了飞腾、海光、龙芯等主流CPU厂商的适配测试;并通过联想、浪潮、新华三、同方等17家服务器厂商的互认证测试。广泛覆盖企业级硬件环境需求，为全球客户提供灵活、开放的存储解决方案。未来，佰维存储将推出更高性能、高可靠的企业级存储产品与解决方案，并联合更多生态伙伴深化协同创新，积极推动企业级存储产品的技术适配与生态共建，以智能存力引擎驱动数字经济高质量发展。
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发布时间：2025-04-21 13:34 阅读量：221 继续阅读>>
上海雷卯电子：AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号<span style='color:red'>UL</span>C0502P3H参数对比
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上海雷卯电子：AZ5515-02F 和AOZ8S322UD2-03国产替代型号ULC0502P3H参数对比

　　上海雷卯ESD二极管ULC0502P3H完全替代Amazing 晶焱型号AZ5515-02F和 AOS万代 AOZ8S322UD2-03。已经有很多客户选用ULC0502P3H作为替代，客户可以获得更好的价格和更快的交期。　　ULC0502P3H 性能特点：　　封装：DFN1006-3 (1mmx0.6mm)　　l 性能：单向 低容0.65PF　　性能：单向 低容0.65PF　　抗静电能力：空气/接触均是±30KV　　应用：USB接口，HDMI1.3 1.4 5V数据接口及模拟接口 手持设备信号保护　　替代料对比列表：　　通过以上参数对比可以了知 ：ULC0502P3H 抗静电 30KV，IPP为13A, Cj为0.65PF这些参数都较优，因此完全可以替代另外两款。AOZ8S322UD2-03的VRWM 虽然是3.3V ，但它的VBR是6V。所以5V的 ULC0502P3H完全可以替代。　　ULC0502P3H参数表　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-01-03 14:07 阅读量：622 继续阅读>>
海凌科多款电源模块通过<span style='color:red'>UL</span>认证！
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海凌科多款电源模块通过UL认证！

　　海凌科多款电源模块已经过工厂验厂，通过UL认证，拿到UL相关认证报告，同时多款电源模块也通过了CE、FCC、CQC等认证，质量可靠，供货稳定。　　什么是UL认证　　UL认证是美国最具权威性的安全认证之一，UL认证对产品的检测和工厂的审查要求非常严格，申请者必须确保产品质量和安全，以及生产场所符合相关要求，才能获得认证证书。　　UL认证的产品范围广泛，涵盖电气和电子设备、家用电器、建筑材料、消防设备、化学品、个人护理产品等多个领域。具体来说，包括但不限于视听设备、汽车、电子元器件、家用电器、工业控制设备、信息技术设备、灯具、医疗器械、塑料、资讯设备、电线电缆等。　　UL认证流程　　UL认证审核非常严格，前期需确定项目、准备资料，需先送样送样;然后，再进行工厂审核，签发报告与授权;最后，还会进行后续监督与维护，包括定期审核、变更管理、标志使用。　　海凌科电源模块经过一系列严格审核后，多款模块已通过UL认证，自产自研，15年品牌保障，值得信赖。　　35款已过UL认证　　海凌科35款电源模块已过UL认证，其中包括多款1W系列电源模块、2W系列电源....　　与此同时，海凌科其他多款产品也通过不同认证，可在海凌科官方、海凌科智慧物联公众号中下载，查看认证证书和详情。　　F05xxS-1WR3系列电源模块　　F05xxS-1WR3系列一是我司为客户提供小体积、高效率的DC/DC微小功率模块电源,定电压输入，隔离非稳压,单路输出。　　该系列产品是专门针对板上电源系统中需要产生一组与输入电源隔离的电压的应用场合而设计的。　　定电压输入，隔离非稳压输出 1W　　隔离电压:3000VDC　　空载功耗低:0.025W(Typ.)　　效率:高达 90%　　工作环境温度:-40℃C~+85°C　　无故障时间　　自动恢复　　小型 SIP 封装，塑料外壳　　国际标准引脚方式　　纹波/噪声(20MHz 带宽):30mVp-p(TyP.)
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发布时间：2025-01-03 14:00 阅读量：668 继续阅读>>
芯进电子：双重保护隔离栅极驱动器通过<span style='color:red'>UL</span>1577认证
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芯进电子：双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

　　近日，芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等，获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms，AC BV超过20KVrms，surge测试峰值超过20KVpk，隔离耐压业绩领先。　　该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。　　此次，芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可，彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心，也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来，芯进电子将在UL认证的加持下，持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案，推动行业的发展与进步。　　产品介绍　　CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。　　▲CCi8335产品封装图　　应用场景　　电机驱动器　　太阳能逆变器　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动　　▲ CCi8335典型应用图
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发布时间：2024-12-26 17:18 阅读量：672 继续阅读>>
芯进电子 | 双重保护隔离栅极驱动器通过<span style='color:red'>UL</span>1577认证
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芯进电子 | 双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

　　近日，芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等，获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms，AC BV超过20KVrms，surge测试峰值超过20KVpk，隔离耐压业绩领先。　　该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。　　此次，芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可，彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心，也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来，芯进电子将在UL认证的加持下，持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案，推动行业的发展与进步。　　产品介绍　　CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。　　应用场景　　电机驱动器　　太阳能逆变器　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动
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发布时间：2024-12-25 09:59 阅读量：615 继续阅读>>
国民技术N32 MCU通过 IEC/EN/<span style='color:red'>UL</span> 60730功能安全认证
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国民技术N32 MCU通过 IEC/EN/UL 60730功能安全认证

　　近期，国民技术多个系列的N32 MCU产品先后通过了全球领先的检验、鉴定、测试和认证机构SGS的IEC/EN/UL 60730功能安全测试认证，获得SGS颁发的IEC/EN/UL 60730认证证书，助力自动电气控制终端安全设计。　　产品通过该认证，充分表明N32系列MCU在功能安全性方面完全满足国际IEC/EN/UL 60730标准要求，可协助客户快速实现终端产品的功能安全开发，减少客户产品开发时间与成本。同时也再次彰显国民技术在通用产品的安全研发与质量管控方面拥有国际认可的实力。　　通过IEC/EN/UL 60730认证的N32系列MCU产品包括：　　基于Arm® Cortex®-M4核的系列MCU：N32G457、N32G455、N32G452、N32G451、N32G4FR、N32G435、N32G432、N32G430、N32L402、N32L403、N32L406、N32L433、N32L436　　基于Arm® Cortex®-M0核的系列MCU：N32G003、N32G030、N32G031、N32G032、N32G052　　国民技术可为客户提供SGS出具的检测报告、证书和经过认证符合IEC/EN/UL 60730 Class B标准的功能安全软件库(Nations.CM4_60730_Classb_Library，Nations.CM0_60730_Classb_Library)，以及完备的安全文档。　　关于SGS　　SGS是国际公认的测试、检验和认证机构，拥有着强大的国际认证网络，能够为半导体客户提供全面的测试(化学测试、可靠性测试)、失效分析、车规认证服务、功能安全评估等。SGS的多国认证服务区域涵盖：北美洲、欧洲、日本、韩国、新加坡、马来西亚、越南、澳大利亚、沙特阿拉伯、科威特、伊拉克库尔德地区以及坦桑尼亚、伊朗、尼日利亚、乌干达、阿尔及利亚以及部分南美国家等，是您值得信赖的合作伙伴。
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发布时间：2024-11-04 15:21 阅读量：604 继续阅读>>
上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号<span style='color:red'>UL</span>C0342CDNH，<span style='color:red'>UL</span>C0321CDNH参数对比
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上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号ULC0342CDNH，ULC0321CDNH参数对比

　　雷卯型号全，能替代大量infineon型号。具体如下：　　应用于3.3V高速信号静电保护器件，infineon的ESD113-B1-02EL(DFN1006)和ESD113-B1-02ELS(DFN0603)，交期长，价格高。已经有很多客户选雷卯的 ULC0342CDNH(DFN1006)，ULC0321CDNH(DFN0603)，可以获得更好的价格和更快的交期，　　ULC0321CDNH带回扫 ，钳位电压Vc比ESD113-B1-02EL更低只有5.5V，并且IPP为6A，能很好的保护后级电路。　　我们可以参看下面列出的参数对比。　　判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点：　　1.VRWM是否接近;　　2.抗静电能力是否接近;　　3.VBR是否接近　　4.IPP是否接近;　　5.CJ是否接近。　　ULC0342CDNH，ESD113-B1-02EL封装都是 DFN1006。　　ULC0342CDNH的 VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02EL一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02EL。　　ULC0321CDNH，ESD113-B1-02ELS封装都是 DFN0603。　　ULC0321CDNH的VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02ELS一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02ELS。　　ULC0342CDNH，ULC0321CDNH主要应用于:USB3.0,HDMI,DVI,显示接口，移动HDMI,MDDI,MIPI,SWP/NFC 保护。　　规格书主要部分展示如下：　　上海雷卯专业研发销售ESD TVS产品。我们致力于为客户提供高品质的ESD TVS产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。我们的产品涵盖广泛的应用领域，包括电子、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。我们拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务。我们的目标是成为全球领先的ESD TVS供应商之一，为客户提供最优质的解决方案和服务。
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发布时间：2024-07-15 11:18 阅读量：633 继续阅读>>
方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用
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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
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发布时间：2023-11-17 15:49 阅读量：2089 继续阅读>>
英飞凌携手Edge Impulse扩展边缘AI能力，为蓝牙客户带来更多基于机器学习模型的平台选择
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英飞凌携手Edge Impulse扩展边缘AI能力，为蓝牙客户带来更多基于机器学习模型的平台选择

　　英飞凌科技股份公司于近日宣布与EdgeImpulse合作，为PSoC™ 63低功耗蓝牙®微控制器(MCU)扩展基于微型机器学习的AI开发工具。人工智能物联网应用开发者现在可以使用Edge Impulse Studio环境，在高性能、低功耗的PSoC 63低功耗蓝牙微控制器上构建边缘机器学习(ML)应用。　　此次合作为客户在基于PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件的系统中进行本地开发和配置机器学习应用提供了更多灵活性和平台选择，这些PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件可提供150-MHzArm®CPU性能、低功耗连接和丰富的外设选项套件。例如，搭载E-Ink显示屏模块(CY8CKIT-028-EPD)的CY8CKIT-062-BLE先锋套件包含一个惯性测量单元、麦克风和温度传感器，其支持在专为低功耗、低云成本边缘物联网环境而优化的系统中使用AI模型对传感器采集来的真实数据进行处理。　　英飞凌的PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件采用基于Arm® Cortex®-M4F和Arm Cortex-M0+的双核芯片架构，在单个芯片上集成了低功耗蓝牙5.2、可配置的电压与频率设置、内置硬件安全、尖端电容接口等功能。作为市场上唯一的150 MHz 低功耗蓝牙微处理器，该款英飞凌PSoC器件集节能、小尺寸和可编程性于一身，可以完美适配受益于运行高级深度学习算法的边缘物联网应用。　　Edge Impulse的产品简化了收集和构建数据集的过程，使用预先构建的构建块设计算法、使用实时数据验证模型，并在PSoC 63低功耗蓝牙微控制器等边缘目标部署完全优化的生产就绪方案。　　英飞凌蓝牙产品线副总裁Shantanu Bhalerao表示：“此次与Edge Impulse在PSoC 63低功耗蓝牙微控制器方面的合作，使得英飞凌的客户可以更快推出针对嵌入式AI/ML用例的解决方案。英飞凌致力于使我们的客户能够开发自己的AI/ML模型，或者采用英飞凌或英飞凌重要的合作伙伴所提供的预定义模型套件中的模型。英飞凌十分高兴Edge Impulse能加入我们不断壮大的合作伙伴网络，并将继续与我们广泛的AI/ML合作伙伴合作来扩充我们的产品。”　　Edge Impulse首席执行官兼联合创始人Zach Shelby表示：“凭借先进的处理能力和低功耗等优势，PSoC 63低功耗蓝牙微控制器是小至可穿戴设备，大至工业监测的新一代边缘设备的理想选择。在Edge Impulse平台的加持下，嵌入式开发者可以更快开发和部署各种令人兴奋且强大的边缘机器学习应用解决方案。”
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发布时间：2023-08-30 09:29 阅读量：2253 继续阅读>>
蔡司携纳析科技推出新一代Multi-SIM,共探细胞微观世界
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蔡司携纳析科技推出新一代Multi-SIM,共探细胞微观世界

　　蔡司致力于成为自主高端显微技术的参与者与推动者，以科创融合的本土化解决方案，开创性地赋能中国自主研究，与纳析科技开展深度战略合作，携手积极推动国产显微技术成果的产业化，联合推出全新产品Multi-SIM X。　　Multi-SIM X 是纳析科技及创始人中国科学院生物物理所李栋团队经十余年研发积累的结晶。多模态结构光超分辨智能显微成像系统Multi-SIM系列产品为基础生物医学、临床病理、药物精准筛选等研究，提供出色的高速、长时程、超分辨活细胞成像全流程解决方案。相关工作被评为科技部2018年度“中国科学十大进展”。　　Multi-SIM 将带给您：　　多模态的成像方式　　Multi-SIM不仅包含了传统的TIRF-SIM与3D-SIM，还有自主研发的GI-SIM、Single Slice-SIM、Stacked Slices-SIM、Nonlinear-SIM 等模态，可针对不同生物过程在细胞内的定位和分布特点选择最优成像模态。　　快速、长时程、活细胞超分辨成像　　Multi-SIM 不仅能实现优于60nm分辨率的成像，同时具有687fps的超分辨成像速度　　高效的数据采集　　Multi-SIM 提供了133 um x 133 um的超大成像视野，可实现四通道同时成像，同时具有多区域拍摄功能与拼图功能。　　完善的智能算法体系　　经典算法可以大幅提高Multi-SIM的成像质量;基于深度学习的降噪及超分辨算法，结合样品特性进一步提高分辨率及图像质量。　　主要功能应用：　　蔡司中国开创性的以本土化解决方案赋能中国自主研究积极推动国产显微技术成果的产业化，助力中国科研创新高质量发展，通过蔡司全球科研技术平台，中国科研创新技术可以快速融入“全球科研圈”,让世界看到中国力量。
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发布时间：2023-07-18 09:41 阅读量：2496 继续阅读>>

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