上海雷卯丨RClamp0542ZA国产化<span style='color:red'>UL</span>C0521CP3替代
  雷卯ULC0521CP3是一款性价比极高的5.0V超小封装、双路双向、低容ESD二极管,用于高速数据线,尺寸只有0.6mm ×0.3mm×0.3mm—DFN0603-3,节省PCB空间。  ULC0521CP3可以完全替代:升特SEMTECH的RClamp0542ZA。  参数对比列表如下  01  ULC0521CP3性能特性  ◎IEC 61000-4-2 ESD 保护:  ±18kV 接触放电  ±12kV 空气间隙放电  ◎IEC 61000-4-5 浪涌保护:3A (8/20µs)  ◎结电容Cj=0.18pF typ  ◎低钳位电压VC 为21V@3A  ◎高IPP ( max 3A)  ◎超低漏电流200nA  ◎节约空间业界通用超小封装:0201 (0.6mm×0.3mm×0.3mm)  02  ULC0521CP3 应用  1. 接口  ★高速数据线  ★敏感信号线  ★一般信号线  ★USB 2.0/3.0  ★高清多媒体接口(HDMI)1.3/1.4  ★eSATA  ★DisplayPort 1.3  ★SIM卡  2. 终端  ●扫地机器人  ●可穿戴设备  ●智能扬声器  ●便携式电子产品  ●小型电器  ●零售自动化和支付  ●便携式计算机和台式机  ●电视和监视器  03  ULC0521CP3应用电路  应用于USB 2.0 接口电路,空间受限的USB接口可以采用此方案。  应用于低速型号线DFN0603-3 ESD ESD0521CP3。  参数如下  Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间:2026-07-21 09:32 阅读量:395 继续阅读>>
瑞萨电子2026 Capital Market Day——Secular Growth Areas(核心增长领域)系列详解(一)
  6月25日,瑞萨电子2026 Capital Market Day成功举办。公司管理团队全面分享了业务与财务近况及中长期发展战略,明确了以AI为核心主线的增长路径,深度阐释了三大核心增长领域,清晰展现出与AI产业演进高度契合的全链路业务布局。  为全面介绍瑞萨的业务布局与增长规划,我们将推出系列文章进行深度解读,作为系列文章的开篇,首先为大家解读AI Infra&Compute(AI 基础设施与运算)为AI赋能。  Hidetoshi Shibata(柴田 英利), CEO,将瑞萨AI驱动的增长战略比作三级火箭模式:  这三个阶段分别对应公司的Secular Growth Areas(核心增长领域),即AI Infra&Compute(AI 基础设施与运算)、Physical AI/Software-Defined Vehicle(物理 AI/软件定义汽车,缩写SDV)以及Intelligence at the Edge(边缘智能)。  Zaher Baidas现场演讲视频  Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power,深入阐释了作为“火箭”增长战略第一阶段的AI 基础设施与运算业务。他重点介绍了瑞萨从电网到核心的全维度电源产品组合——该组合专为满足AI领域日益增长的电力需求而打造,其核心布局包括:  数字电源方案,提供下一代数据中心所需的高功率密度与热效率  存储器接口产品,最大化运算效率,突破数据传输瓶颈  应用于控制平面功能的微控制器(MCU),搭配模拟解决方案,拓展瑞萨在AI 基础设施与运算领域的业务覆盖  上述布局使瑞萨能够在设计早期阶段就精准洞察系统级挑战,从而推出领先于客户需求的解决方案。同时,瑞萨正通过Renesas 365开发平台,让更多用户能够便捷地使用其工具。
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发布时间:2026-07-09 11:10 阅读量:378 继续阅读>>
上海雷卯丨ESD5V3U2U-03LRH和 D5V0F2U3LP等国产化<span style='color:red'>UL</span>C0502P3L替代
  雷卯ULC0502P3L是一款性价比极高的5.0V超小封装、双路单向、低容ESD二极管,用于高速数据线,尺寸只有1.0mm ×0.6mm×0.5mm—DFN1006-3,节省PCB空间。  ULC0502P3L可以完全替代替代:Infineon(英飞凌)- ESD5V3U2U-03LRH,Diodes (美台)- D5V0F2U3LP,WILLSEMI(韦尔) - ESD5302N,BrightKing (君耀) - UAD8A05L02 ,Comchip(典琦)- CPDQ03C5V0USP-HF。  参数对比列表如下:  01  .ULC0502P3L 性能特性  ●IEC 61000-4-2 ESD 保护:  ±25kV 接触放电  ±20kV 空气间隙放电  ●IEC 61000-4-5 浪涌保护:  4A (8/20µs)  ●结电容Cj=0.45pF typ  ●低钳位电压VC 为13V@4A  ●高IPP ( max 4A)  ●超低漏电流500nA  ●节约空间业界通用超小封装:0402 (1.0mm×0.6mm×0.5mm)  02  ULC0502P3L 应用  1. 接口  ▲高速数据线  ▲敏感信号线  ▲一般信号线  ▲USB 2.0/3.0  ▲高清多媒体接口(HDMI)1.3/1.4  ▲eSATA  ▲DisplayPort 1.3  ▲SIM卡  2. 终端  ◆扫地机器人  ◆可穿戴设备  ◆智能扬声器  ◆ 便携式电子产品  ◆小型电器  ◆零售自动化和支付  ◆ 便携式计算机和台式机  ◆电视和监视器  03  ULC0502P3L应用电路  应用于USB 2.0 接口电路  空间受限的USB接口可以采用此方案  ULC0502P3L规格书参数  DFN1006-3封装推荐ESD  上海雷卯DFN1006-3封装是双路ESD , 工作电压Vrwm有3.3V,5.0V,12V,有单向和双向、有低容和普容。常规型号有:
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发布时间:2026-07-02 14:58 阅读量:451 继续阅读>>
ROHM PLECS Simulator上线!实现电力电子电路的快速验证
  中国上海,2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”,该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况,非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。  “ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件,在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段,该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑,并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。  本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册,即可免费使用。另外,在专题页面上,除了该仿真工具的访问入口外,还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。  在电路设计时,尤其是在电力电子电路中,通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”,并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型,用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形,这一点获得了广泛好评。另一方面,用户还希望在开发初期阶段,能够基于损耗和发热验证,在短时间内选出理想的功率器件。  针对这一需求,ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”,专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨,运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证,并根据不同的开发阶段进行区分使用,进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。  <术语解说>  *) PLECS®  为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算,能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。  PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
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发布时间:2026-04-23 16:21 阅读量:1050 继续阅读>>
精密测量告别温漂困扰!思瑞浦TPR70<span style='color:red'>UL</span>TC超低温度系数电压基准模块
  聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码:688536)推出超低温漂精密电压基准模块 TPR70ULTC。产品通过创新的闭环控温架构,在–40°C至 80°C的宽工作环境中实现对芯片表面温度的精准控制,使温度漂移低至0.1ppm/°C,满足高端仪器仪表对高稳定度电压基准的苛刻需求,适用于精密测量设备及高可靠性应用场景。本文主要介绍TC0.2ppm/°C方案,如需更高TC精度0.1ppm/°C,可以联系思瑞浦销售团队。  01.TPR70ULTC 产品优势  创新恒温控制架构  针对电压基准芯片对温度高度敏感的特性,TPR70ULTC采用独特的恒温控制设计,利用功率 BJT(双极结型晶体管)对PCB进行闭环加热,为内部电压基准芯片营造出一个“恒温环境” 。通过这种精密控制,系统能够实时调节热量平衡,使芯片表面温度始终稳定在80°C左右,有效抵消了外部环境温度波动对输出电压的影响。  图1、TPR70ULTC闭环温控电路  超低温漂表现  得益于创新恒温控制架构的加持,TPR70ULTC实现了行业领先的温漂抑制能力。在-40°C至80°C的宽环境温度测试中,模块的温度系数(TC)典型值仅为 0.2ppm/°C。实验测试结果显示,其表现可优至 0.19ppm/°C,大幅提升了系统的测量精度与长期稳定性。此外,针对极致精度需求,思瑞浦还可提供高达 0.1ppm/°C的更高性能定制化方案。  图2、TPR70ULTC输出电压与环境温度的关系  优异的长期稳定性和热迟滞性能  TPR70ULTC模块在设计上充分考虑了精密系统对重复性和长期可靠性的严苛要求。在长期稳定性方面,TPR70ULTC的长期稳定性可以做到10ppm@1000h。另外热迟滞是衡量电压基准在经历温度循环后回复能力的关键指标,TPR70ULTC在经历热循环(从-40°C到80°C再回到室温)后展现出优异的稳定性。测试结果表明,器件的输出电压在第二个循环时即可达到稳定状态,极大缩短了精密仪器在复杂环境下的预热与稳定时间。同时模块内置软启动功能,启动电流限制在300mA以下,有效降低系统浪涌冲击,确保长期运行的可靠性。  图3、热迟滞性能随温度循环变化(25°C→-40°C→80°C→25°C,首循环)  图4、热滞回与温度循环的关系  超低噪声输出  在0.1-10Hz低频段,TPR70ULTC模块对由带隙单元引起的闪烁噪声(1/f 噪声)进行了深度优化,具备极低的噪声特性小于5uV/div。同时用户可以在VOUT引脚增加大容量旁路电路来抑制宽带噪声(10Hz~10kHz),进一步降低噪声输出。  02.TPR70ULTC 产品特性  宽输入电压范围:9V至16V;  低温度系数:典型值0.2ppm/°C(-40°C至80°C);  热迟滞:快速收敛,二次循环即达稳定;  低频噪声(0.1-10Hz):噪声输出小于5uV/div,支持旁路电容优化。  03.TPR70ULTC典型应用  TPR70ULTC专为高精度测试测量设备设计,广泛应用于数字万用表、精密数据采集系统、校准仪器、自动化测试设备等领域。TPR70ULTC超低温漂带来极高电压基准稳定性,为高精度仪器仪表提供理想选择,特别是在环境温度波动较大的工业现场和计量实验室环境中,能够确保测量结果的一致性。  电压基准芯片对温度变化极为敏感。TPR70ULTC通过功率BJT加热PCB形成"恒温环境",确保电压基准芯片始终处于设定的最佳工作温度点,忽略外界环境温度的剧烈变化,实现超低温漂性能。
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发布时间:2026-04-02 10:41 阅读量:907 继续阅读>>
力特SP4045-04ATG国产化替代<span style='color:red'>UL</span>C3354MPH
杭晶电子:超低相噪 Ultra-Low Phase Noise VCXO VS14H4系列
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发布时间:2025-12-26 15:32 阅读量:1152 继续阅读>>
上海贝岭安规级IGBT功率器件通过<span style='color:red'>UL</span>1557认证!
  近日,上海贝岭自主研发的安规级IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列产品成功通过UL1557认证。这一突破标志着产品在安全性、可靠性表现上达到了先进水平,为进军高端安规级工业市场拿到了关键“通行证”,为电力电子设备的安全稳定运行注入强劲信心。  详细介绍  UL1557认证:功率半导体器件的"安全证书"  UL1557认证是美国保险商实验室专门针对半导体器件安全制定的认证标准。该认证通过对产品的架构设计、材料选择、制造工艺等多个维度进行严格测试评估,确保产品在过流、过压、过热等极端条件下仍能保持安全可靠。  BLG15T65FUA系列:性能与安全的完美融合  本次通过认证的BLG15T65FUA系列绝缘栅双极晶体管,不仅满足UL1557认证的严格要求,更在性能参数上表现出色::  高耐压能力:650V耐压等级,适应严苛工作环境  低导通损耗:优化器件结构,显著降低导通压降;  快速开关特性:提升系统效率,减少开关损耗;  宽安全工作区:确保在复杂工作条件下稳定可靠  应用价值:为多个领域注入新动力  BLG15T65FUA系列获得UL1557认证,将为以下应用领域带来更可靠的选择:  新能源领域:光伏逆变器、风电变流器  工业控制:电机驱动、变频器、UPS电源  智能家电:变频空调、冰箱、洗衣机  展望未来  BLG15T65FUA系列通过UL1557认证,是上海贝岭在功率半导体领域的重要里程碑,更是持续追求卓越的新起点。未来,上海贝岭将继续践行用“芯”创造美好生活的使命,为客户提供更安全、更可靠、更高效的半导体解决方案。
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发布时间:2025-11-03 10:22 阅读量:1360 继续阅读>>
15V超低电容高浪涌ESD元件——雷卯<span style='color:red'>UL</span>C1542CH完全替代ESD63091CN
  上海雷卯电子推出全新静电保护器件 ULC1542CH,这是一款小封装的(DFN1006))专为 15V信号线设计的静电保护方案。凭借14A的峰值脉冲电流(IPP)能力,ULC1542CH 具备优异的浪涌防护性能。0.6PF 低结电容,可以保障信号传输的完整性,能够有效抵御静电放电冲击,为高速数据传输线路提供可靠保护,  ULC1542CH核心参数与 ESD63091CN 完全匹配,支持 pin-to-pin 无缝替代。无需修改电路设计即可直接替换,为工程师提供了更灵活、高效的选型方案。  ESD63091CN与雷卯ULC1542CH参数表对比如下:  判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点:  1. VRWM 是否接近  2. 封装是否一样  3. 抗静电能力是否接近;  4. VBR 是否接近;  5. IPP 是否接近 ;  6. CJ 是否接近。  以上参数对比ULC1542CH完全可以替代ESD63091CN。  应用  1. 消费电子领域,无论是手机、平板的高速数据接口,还是智能穿戴设备的精密传感器线路。  2. 工业控制场景下,面对复杂电磁环境中频繁出现的静电威胁,它能为 PLC 控制线路、工业以太网接口等提供可靠防护。  3. 在汽车电子方面,从车载娱乐系统的数据线到车身电子控制单元的信号传输线,该器件都能助力设备稳定运行  总之,该器件适用于消费电子、工业控制等多种场景,在保持高性能的同时兼具成本优势,为工程师提供了更具灵活性的选型方案。
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发布时间:2025-06-06 11:08 阅读量:1460 继续阅读>>
美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能
  美光科技于2025年5月27日宣布,Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。  该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI,美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。  美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示:“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作,为其最新款智能手机赋能,充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”  为何存储和内存重要?  随着智能手机AI功能的日益强大,越来越多的数据处理作业已从依赖云计算,逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验,就需要性能更强的内存和存储,以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。  在美光内存和存储解决方案的助力下,Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能,享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问,以专业级精准度增强照片效果,将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸,聆听为每个时刻精选的音乐,并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。  Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示:“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能,让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏,并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖,小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作,确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案,进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”  美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存,传输速率高达每秒9.6 Gbps ,较上一代产品,速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换,并更高效地进行多任务处理,同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗,2 为高能耗的AI应用提供支持,并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点,续航超过36小时。  在存储方面,尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计,但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集,无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利,又能保障个人数据的安全和隐私。  1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率  2 相较于上一代1-beta LPDDR5
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发布时间:2025-05-28 09:36 阅读量:1404 继续阅读>>

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